專利名稱：基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于DMA (Direct Memory Access，直接存儲器訪問)映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法及裝置。
背景技術(shù)：
在對Flash的實際應(yīng)用中，大量頻繁的小文件讀寫、page數(shù)據(jù)部分更新、sector管理算法以及Flash Page的壞塊導(dǎo)致ECC(Error Correcting Code，錯誤檢查和糾正)校驗錯誤等導(dǎo)致很多的I^age不對齊操作，需要以kctor為操作單位對一個page的數(shù)據(jù)進行填充補齊，即需要在一個I^ge里實現(xiàn)非正常順序的sector讀寫操作，或者是對某些sector 進行屏蔽處理。而數(shù)據(jù)來源則可能是多處，現(xiàn)有的解決方法主要依賴FW(firmware，固件) 進行多次設(shè)置，其流程比較繁瑣，操作過程較為復(fù)雜，而且讀寫操作過程會被打斷幾次，使得系統(tǒng)操作效率較低。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法及裝置，旨在簡化FW控制流程。
為了達到上述目的，本發(fā)明提出一種基于直接存儲器訪問DMA映射的閃存Flash 數(shù)據(jù)傳輸控制方法，包括
根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash Page之間的扇區(qū)sector序號映射關(guān)系；
根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸。
優(yōu)選地，所述寄存器為Bitmap寄存器，每個寄存器標(biāo)識Flash Page中的一個 sector ；所述寄存器的值標(biāo)識sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)處于被屏蔽或不被屏蔽狀態(tài)。
優(yōu)選地，所述根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟襟E包括根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash I^age讀出并存入DMA RAM 或者根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMA RAM寫入Flash Page。
優(yōu)選地，所述根據(jù)映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash Page讀出并存入DMA RAM的步驟包括
設(shè)置Flash數(shù)據(jù)讀出的起始地址；
從所述讀出的起始地址讀出預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)；
根據(jù)讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號對應(yīng)的寄存器的值，以及所述讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號與DMA RAM中對應(yīng)sector序號的映射關(guān)系，將相應(yīng)的Flash數(shù)據(jù)存入DMA RAM中對應(yīng)的sector。
優(yōu)選地，所述根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMA RAM寫入Flash Page 的步驟包括
設(shè)置Flash數(shù)據(jù)寫入的起始地址；
根據(jù)DMA RAM與Flash I^age之間預(yù)設(shè)的sector序號映射關(guān)系，從所述寫入的起始地址寫入DMA RAM中預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)至Flash Page。
優(yōu)選地，所述寄存器還用于對其所標(biāo)識的sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)進行取反運算。
本發(fā)明還提出一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制裝置，包括
映射關(guān)系設(shè)置模塊，用于根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash I^age之間的sector 序號映射關(guān)系；
數(shù)據(jù)傳輸模塊，用于根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash 數(shù)據(jù)傳輸。
優(yōu)選地，所述寄存器為Bitmap寄存器，每個寄存器標(biāo)識Flash Page中的一個 sector ；所述寄存器的值標(biāo)識sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)處于被屏蔽或不被屏蔽狀態(tài)。
優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)傳輸模塊包括
起始地址設(shè)置單元，用于設(shè)置Flash數(shù)據(jù)讀出的起始地址；
數(shù)據(jù)讀取單元，用于從所述讀出的起始地址讀出預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)；
數(shù)據(jù)存儲單元，用于根據(jù)讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號對應(yīng)的寄存器的值，以及所述讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號與DMA RAM中對應(yīng)sector序號的映射關(guān)系，將相應(yīng)的 Flash數(shù)據(jù)存儲入DMA RAM中對應(yīng)的sector。
優(yōu)選地，所述起始地址設(shè)置單元，還用于設(shè)置Flash數(shù)據(jù)寫入的起始地址；
所述數(shù)據(jù)存儲單元，還用于根據(jù)DMA RAM與Flash I^age之間預(yù)設(shè)的sector序號映射關(guān)系，從所述寫入的起始地址寫入DMA RAM中預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)至Flash Page。
本發(fā)明提出的一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法及裝置，通過設(shè)置 Flash I^age與DMA RAM之間的映射關(guān)系，通過映射關(guān)系進行數(shù)據(jù)傳輸，同時增加了標(biāo)識 Flash Page中sector的寄存器，讓硬件更深層次的參與到整個流程，從而解放了 FW的設(shè)置，簡化了因為小文件讀寫、按sector管理算法、Flash I^age的壞塊導(dǎo)致ECC校驗錯誤等等情況導(dǎo)致的需要在一個I^age里實現(xiàn)非正常順序的sector讀寫操作，或者是對某些sector 進行屏蔽處理的FW控制流程，不必再像傳統(tǒng)做法那樣會被打斷幾次，提高了操作效率，使得以kctor為基本操作單位的數(shù)據(jù)讀寫更具有靈活性；同時還可以根據(jù)設(shè)定的映射關(guān)系實現(xiàn)數(shù)據(jù)加密，保護數(shù)據(jù)安全。


圖1是本發(fā)明基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法一實施例流程示意圖2是本發(fā)明基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法一實施例中根據(jù)映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash Page讀出并存入DMA RAM的流程示意圖3是本發(fā)明基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法一實施例中根據(jù)sector 序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMA RAM寫入Flash I^age的流程示意圖4是本發(fā)明基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制裝置一實施例結(jié)構(gòu)示意圖5是本發(fā)明基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制裝置一實施例中數(shù)據(jù)傳輸模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
為了使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清楚、明了，下面將結(jié)合附圖作進一步詳述。
具體實施方式
本發(fā)明實施例解決方案主要是通過設(shè)置Flash I^age與DMA RAM之間的映射關(guān)系， 通過映射關(guān)系進行數(shù)據(jù)傳輸，同時增加了標(biāo)識Flash Page中sector的寄存器，以簡化FW 控制流程，提高了操作效率。
在Flash的實際使用中，大量的小文件讀寫、page數(shù)據(jù)部分更新、按kctor管理算法等會導(dǎo)致很多的I^ge不對齊操作，需要以kctor為操作單位對一個page的數(shù)據(jù)進行填充補齊，而數(shù)據(jù)來源則可能是多處，傳統(tǒng)的做法是由FW進行大量繁復(fù)的設(shè)置，流程復(fù)雜， 控制復(fù)雜。
本發(fā)明采用新的硬件設(shè)計，讓硬件更深層次的參與到整個流程，從而解放了 FW的設(shè)置，簡化了流程控制的復(fù)雜度。
如圖1所示，本發(fā)明一實施例提出一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法， 包括
步驟SlOl，根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash Page之間的sector序號映射關(guān)系；
在本實施例中，通過FW設(shè)定DMA RAM與Flash Page之間的映射關(guān)系(以kctor 為最小操作單位)，該映射關(guān)系FW可控，硬件按照此映射關(guān)系進行數(shù)據(jù)傳輸，實現(xiàn)sector數(shù)據(jù)非正常順序讀寫，比如倒序、先奇后偶等，而不必再像傳統(tǒng)做法那樣會被打斷幾次，從而提高了操作效率。
其中設(shè)置映射關(guān)系的預(yù)設(shè)規(guī)則可以是動態(tài)的，比如由硬件根據(jù)算法自動產(chǎn)生；也可以是由FW直接指定某一具體的映射關(guān)系。
映射關(guān)系的具體設(shè)置方法可以為
將DMA RAM按sector進行分區(qū)并編號，和Flash的一個page里的各個sector 建立一種——對應(yīng)的關(guān)系，比如常規(guī)的DMA RAM的sectorl-2-3-4對應(yīng)Flash page的 sectorl-2-3-4，也可以是其它的對應(yīng)關(guān)系，如DMA RAM的sector3-2-4_l對應(yīng)Flash page 的sectorl-2-3-4。硬件會根據(jù)這一映射關(guān)系自動計算每個sector需要存入DMA RAM的地址。
步驟S102，根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸。
本實施例在硬件中增設(shè)一組Bitmap寄存器，每個寄存器標(biāo)識Flash Page中的一個sector ；寄存器的值標(biāo)識sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)處于被屏蔽或不被屏蔽狀態(tài)。比如，可以對其設(shè)定“0”或“1”用于控制對應(yīng)的sector數(shù)據(jù)的DMA傳輸。該寄存器值的設(shè)定可以是 FW自由設(shè)置或是讀取掃描壞塊表設(shè)定，可以設(shè)定“1”表示對應(yīng)的％(^01·數(shù)據(jù)被屏蔽，“0” 則表示對應(yīng)的kctor數(shù)據(jù)正常操作。在讀Flash操作時，被屏蔽的kctor數(shù)據(jù)將不會被存入 DMA RAM0
在本實施例中，根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸包括根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash Page讀出并存入DMA RAM或者根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMA RAM寫入Flash Page。
如圖2所示，步驟S102中根據(jù)映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash Page讀出并存入 DMA RAM的步驟包括
步驟S1021，設(shè)置Flash數(shù)據(jù)讀出的起始地址；
步驟S1022，從讀出的起始地址讀出預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)；
步驟S1023，根據(jù)讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號對應(yīng)的寄存器的值，以及讀出 Flash數(shù)據(jù)的sector序號與DMA RAM中對應(yīng)sector序號的映射關(guān)系，將相應(yīng)的Flash數(shù)據(jù)存入DMA RAM中對應(yīng)的sector。
在實際應(yīng)用中，比如，某次操作需要獲取pagell的Sector2和％Ctor4的數(shù)據(jù)， 傳統(tǒng)做法是，發(fā)一次讀命令及設(shè)置sector2的起始地址，讀出sectorf的數(shù)據(jù)存入DMA RAM sector 1，然后再發(fā)一次讀命令及設(shè)置sector4的地址，讀出sector4的數(shù)據(jù)并存入DMA RAM sectorf，這樣FW需要參與兩次，若采用本實施例方法，則只需設(shè)定映射關(guān)系為DMA RAM的 sector3-l-4-2 對應(yīng) Flash page 的 sectorl-2-3-4，然后發(fā)送一次讀命令及 sectorO 的地址就可以實現(xiàn)上述操作，F(xiàn)W只需要設(shè)置一次即可，不必再像傳統(tǒng)做法那樣會被打斷幾次，由此提高了操作效率。
如圖3所示，步驟S102中根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMARAM寫入 Flash Page的步驟包括
步驟S1024，設(shè)置Flash數(shù)據(jù)寫入的起始地址；
步驟S1025，根據(jù)DMA RAM與Flash Page之間預(yù)設(shè)的sector序號映射關(guān)系，從寫入的起始地址寫入DMA RAM中預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)至Flash Page。
在本實施例中，通過對映射關(guān)系的控制，還可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)加密。其中，加密原理為
在對Flash進行寫操作時，以每個page為例，在DMA RAM和Flash Page之間以sector為單位建立一個映射關(guān)系，使得數(shù)據(jù)寫入Flash后不是以sector為單位按順序排列，而是依照設(shè)定好的映射關(guān)系被打散了，比如，DMA RAM是按照 sectorl-sector2-sector3-sector4順序存放，而實際寫入Flash之后則可能成為 sector2-sector4-sector3-sectorl。在對Flash進行讀操作時,對于同一個page,映射關(guān)系必須和寫這個page時所設(shè)定的映射關(guān)系一樣，這樣才能保證從Flash讀出的數(shù)據(jù)存放到 DMA RAM里后的順序和之前寫入Flash時在DMA RAM里的存放順序一致。通過上述映射關(guān)系的設(shè)置，從而實現(xiàn)了對數(shù)據(jù)的加密處理。
需要說明的是，本實施例中Bitmap寄存器的功能可不限于屏蔽數(shù)據(jù)，寄存器還可用于對其所標(biāo)識的sector數(shù)據(jù)進行其他處理，比如取反運算等等。
本實施例是以Flash的最小存儲單位sector的地址進行映射關(guān)系的設(shè)置，作為映射關(guān)系設(shè)置方法的擴展，映射關(guān)系也可以擴展到在一個block里按page進行映射管理，即在按Block管理時，可以在page之間實現(xiàn)上述類似操作，需要一張更大的映射表，其操作的基本單位為page，按照設(shè)定的映射關(guān)系，硬件可以代替FW自動計算下一個I^age的地址，從而提高操作效率。由于DMA RAM的大小一般就等于一個page，故這種模式下DMA RAM不參與映射。
本實施例相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點
l.DMA RAM到Flash I^age的映射控制方式，可自行設(shè)定映射關(guān)系，在數(shù)據(jù)讀寫方面具有很大的靈活性，如sector屏蔽、sector數(shù)據(jù)特殊處理、Page補齊操作等。
2.通過這種映射控制可在一定程度上實現(xiàn)數(shù)據(jù)加密。
3.可以在FW的參與下延伸到在一個Block里對不同I^age進行映射控制。
本實施例簡化因為小文件讀寫、按sector管理算法、FLASH Page的壞塊導(dǎo)致ECC校驗錯誤等等情況導(dǎo)致的需要在一個I^ge里實現(xiàn)非正常順序的sector讀寫操作，或者是對某些sector進行屏蔽處理的FW控制流程，硬件參與度更高，執(zhí)行效率高，使得以kctor 為基本操作單位的數(shù)據(jù)讀寫更具有靈活性，而且還可以通過設(shè)置映射關(guān)系實現(xiàn)數(shù)據(jù)加密。
如圖4所示，本發(fā)明一實施例提出一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制裝置， 包括映射關(guān)系設(shè)置模塊401以及數(shù)據(jù)傳輸模塊402，其中
映射關(guān)系設(shè)置模塊401，用于根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash I^age之間的 sector序號映射關(guān)系；
在本實施例中，通過映射關(guān)系設(shè)置模塊401設(shè)定DMA RAM與Flash I^age之間的映射關(guān)系(以kctor為最小操作單位)，該映射關(guān)系FW可控，硬件按照此映射關(guān)系進行數(shù)據(jù)傳輸，實現(xiàn)sector數(shù)據(jù)非正常順序讀寫，比如倒序、先奇后偶等，而不必再像傳統(tǒng)做法那樣會被打斷幾次，從而提高了操作效率。
其中設(shè)置映射關(guān)系的預(yù)設(shè)規(guī)則可以是動態(tài)的，比如由硬件根據(jù)算法自動產(chǎn)生；也可以是由FW直接指定某一具體的映射關(guān)系。
映射關(guān)系的具體設(shè)置方法可以為
將DMA RAM按sector進行分區(qū)并編號，和Flash的一個page里的各個sector 建立一種——對應(yīng)的關(guān)系，比如常規(guī)的DMA RAM的sectorl-2-3-4對應(yīng)Flash page的 sectorl-2-3-4，也可以是其它的對應(yīng)關(guān)系，如DMA RAM的sector3-2-4_l對應(yīng)Flash page 的sectorl-2-3-4。硬件會根據(jù)這一映射關(guān)系自動計算每個sector需要存入DMA RAM的地址。
數(shù)據(jù)傳輸模塊402，用于根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash 數(shù)據(jù)傳輸。
本實施例在硬件中增設(shè)一組Bitmap寄存器，每個寄存器標(biāo)識Flash Page中的一個sector ；寄存器的值標(biāo)識sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)處于被屏蔽或不被屏蔽狀態(tài)。比如，可以對其設(shè)定“0”或“1”用于控制對應(yīng)的sector數(shù)據(jù)的DMA傳輸。該寄存器值的設(shè)定可以是 FW自由設(shè)置或是讀取掃描壞塊表設(shè)定，可以設(shè)定“1”表示對應(yīng)的％(^01·數(shù)據(jù)被屏蔽，“0” 則表示對應(yīng)的kctor數(shù)據(jù)正常操作。在讀Flash操作時，被屏蔽的kctor數(shù)據(jù)將不會被存入 DMA RAM0
在本實施例中，通過數(shù)據(jù)傳輸模塊402根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸，具體包括根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash Page 讀出并存入DMA RAM或者根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMA RAM寫入Flash Page。
如圖5所示，數(shù)據(jù)傳輸模塊402包括起始地址設(shè)置單元4021、數(shù)據(jù)讀取單元4022 以及數(shù)據(jù)存儲單元4023，其中
起始地址設(shè)置單元4021，用于設(shè)置Flash數(shù)據(jù)讀出的起始地址；
數(shù)據(jù)讀取單元4022，用于從讀出的起始地址讀出預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)；
數(shù)據(jù)存儲單元4023，用于根據(jù)讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號對應(yīng)的寄存器的值， 以及讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號與DMA RAM中對應(yīng)sector序號的映射關(guān)系，將相應(yīng)的 Flash數(shù)據(jù)存儲入DMA RAM中對應(yīng)的sector。
進一步的，起始地址設(shè)置單元4021，還用于設(shè)置Flash數(shù)據(jù)寫入的起始地址；
數(shù)據(jù)存儲單元4023，還用于根據(jù)DMA RAM與Flash Page之間預(yù)設(shè)的sector序號映射關(guān)系，從寫入的起始地址寫入DMA RAM中預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)至Flash Page。
本發(fā)明提出的一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法及裝置，通過設(shè)置 Flash I^age與DMA RAM之間的映射關(guān)系，通過映射關(guān)系進行數(shù)據(jù)傳輸，同時增加了標(biāo)識 Flash Page中sector的寄存器，讓硬件更深層次的參與到整個流程，從而解放了 FW的設(shè)置，簡化了因為小文件讀寫、按sector管理算法、Flash I^age的壞塊導(dǎo)致ECC校驗錯誤等等情況導(dǎo)致的需要在一個I^age里實現(xiàn)非正常順序的sector讀寫操作，或者是對某些sector 進行屏蔽處理的FW控制流程，不必再像傳統(tǒng)做法那樣會被打斷幾次，提高了操作效率，使得以kctor為基本操作單位的數(shù)據(jù)讀寫更具有靈活性；同時還可以根據(jù)設(shè)定的映射關(guān)系實現(xiàn)數(shù)據(jù)加密，保護數(shù)據(jù)安全。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基于直接存儲器訪問DMA映射的閃存Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法，其特征在于，包括根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash Page之間的扇區(qū)sector序號映射關(guān)系；根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述寄存器為Bitmap寄存器，每個寄存器標(biāo)識Flash Page中的一個sector ；所述寄存器的值標(biāo)識sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)處于被屏蔽或不被屏蔽狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟襟E包括根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從 Flash I^age讀出并存入DMA RAM或者根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從DMA RAM 寫入 Flash Page0
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)映射關(guān)系將Flash數(shù)據(jù)從Flash Page讀出并存入DMA RAM的步驟包括設(shè)置Flash數(shù)據(jù)讀出的起始地址；從所述讀出的起始地址讀出預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)；根據(jù)讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號對應(yīng)的寄存器的值，以及所述讀出Flash數(shù)據(jù)的 sector序號與DMA RAM中對應(yīng)sector序號的映射關(guān)系，將相應(yīng)的Flash數(shù)據(jù)存入DMA RAM 中對應(yīng)的 sector。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)sector序號映射關(guān)系將Flash 數(shù)據(jù)從DMA RAM寫入Flash Page的步驟包括設(shè)置Flash數(shù)據(jù)寫入的起始地址；根據(jù)DMA RAM與Flash Page之間預(yù)設(shè)的sector序號映射關(guān)系，從所述寫入的起始地址寫入DMA RAM中預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)至Flash Page。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述寄存器還用于對其所標(biāo)識的sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)進行取反運算。
7.一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制裝置，其特征在于，包括映射關(guān)系設(shè)置模塊，用于根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash Page之間的sector序號映射關(guān)系；數(shù)據(jù)傳輸模塊，用于根據(jù)所述sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述寄存器為Bitmap寄存器，每個寄存器標(biāo)識Flash Page中的一個sector ；所述寄存器的值標(biāo)識sector序號對應(yīng)的數(shù)據(jù)處于被屏蔽或不被屏蔽狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)傳輸模塊包括起始地址設(shè)置單元，用于設(shè)置Flash數(shù)據(jù)讀出的起始地址；數(shù)據(jù)讀取單元，用于從所述讀出的起始地址讀出預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)存儲單元，用于根據(jù)讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號對應(yīng)的寄存器的值，以及所述讀出Flash數(shù)據(jù)的sector序號與DMA RAM中對應(yīng)sector序號的映射關(guān)系，將相應(yīng)的Flash 數(shù)據(jù)存儲入DMA RAM中對應(yīng)的sector。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于， 所述起始地址設(shè)置單元，還用于設(shè)置Flash數(shù)據(jù)寫入的起始地址； 所述數(shù)據(jù)存儲單元，還用于根據(jù)DMA RAM與Flash I^age之間預(yù)設(shè)的sector序號映射關(guān)系，從所述寫入的起始地址寫入DMA RAM中預(yù)定長度的Flash數(shù)據(jù)至Flash Page。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于DMA映射的Flash數(shù)據(jù)傳輸控制方法及裝置，其中方法包括根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則設(shè)置DMA RAM與Flash Page之間的sector序號映射關(guān)系；根據(jù)sector序號映射關(guān)系以及內(nèi)置的寄存器進行Flash數(shù)據(jù)傳輸。本發(fā)明通過設(shè)置Flash Page與DMA RAM之間的映射關(guān)系，通過映射關(guān)系進行數(shù)據(jù)傳輸，簡化了因為小文件讀寫、按sector管理算法、Flash Page的壞塊導(dǎo)致ECC校驗錯誤等等情況導(dǎo)致的需要在一個Page里實現(xiàn)非正常順序的sector讀寫操作，或者是對某些sector進行屏蔽處理的FW控制流程，不必再像傳統(tǒng)做法那樣會被打斷幾次，提高了操作效率，使得以Sector為基本操作單位的數(shù)據(jù)讀寫更具有靈活性；同時還可以根據(jù)設(shè)定的映射關(guān)系實現(xiàn)數(shù)據(jù)加密，保護數(shù)據(jù)安全。
文檔編號G06F13/28GK102541777SQ20101058511
公開日2012年7月4日 申請日期2010年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
發(fā)明者許智鑫 申請人:深圳市硅格半導(dǎo)體有限公司