專利名稱：：存儲器控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明關(guān)于一種存儲器控制方法，且特別是有關(guān)一種用于利用BIOS中的測試程序?qū)Υ鎯ζ鬟M(jìn)行參數(shù)設(shè)定的控制方法。
背景技術(shù)：
：以現(xiàn)今個人電腦的元件供貨商的快速發(fā)展，市面上公開銷售及為客戶訂制的各種存儲器模塊種類很多，隨其制造廠商、存儲器芯片與推出時間的不同，每一種不同的存儲器規(guī)格略有不同。各自的存儲器在出廠時，存儲器廠商或系統(tǒng)組裝廠都要一一確定存儲器可以穩(wěn)定操作的環(huán)境條件，其環(huán)境條件可包含存儲器的工作電壓設(shè)定(workingvoltageconfiguration)、驅(qū)動強(qiáng)度(drivingstrength)、時間延遲參數(shù)(delaytimereference)、有效區(qū)間(activewindow)等各種條件。存儲器需要在最佳的設(shè)定之下，方以最高的穩(wěn)定度完成各種信息的讀寫與儲存操作。存儲器廠商的出廠初始設(shè)定未必符合系統(tǒng)組裝廠的內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)或應(yīng)用上的需求，通常需要系統(tǒng)商測試人員或研發(fā)工程師進(jìn)行以人力與長久的實務(wù)經(jīng)驗進(jìn)行實測與微調(diào)，方可得知不同的存儲器各自的最佳設(shè)定。以個人電腦為例，其主板上通常有基本輸入輸出系統(tǒng)(BasicInput/OutputSystem,BIOS)負(fù)責(zé)初始化存儲器模塊以及開機(jī)自我測試等。BIOS中通常儲存有龐大的查找表(lookuptable)用來對照不同的存儲器所需采用的各種環(huán)境條件設(shè)定。然而，各種半導(dǎo)體工藝不斷推陳出新，常見的存儲器也從同步動態(tài)存取存儲器(Synchronousdynamicrandomaccessmemory,SDRAM)進(jìn)展至丨J第三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Double-Data-RateThreeSynchronousDynamicRandomAccessMemory,DDR3SDRAM)，發(fā)展出各種不同的規(guī)格，每次新產(chǎn)品推出的時程愈來愈短，若每次新的存儲器推出，電子產(chǎn)品就要經(jīng)過一次重新設(shè)定的流程方能使存儲器穩(wěn)定運(yùn)作，則制造商將需要承擔(dān)龐大的設(shè)計與制造成本，且也將造成使用者使用上的諸多不便。為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種存儲器控制方法，以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一目的在于提供一種存儲器控制方法，適用于驅(qū)動電腦系統(tǒng)中的存儲器，存儲器由多個控制信號驅(qū)動。當(dāng)電腦系統(tǒng)開機(jī)時，存儲器控制方法通過BIOS對這些控制信號進(jìn)行驅(qū)動及測試。根據(jù)一具體實施例，存儲器控制方法包含下列步驟(a)檢測每一控制信號的該有效區(qū)間；(b)判斷這些有效區(qū)間是否大于一預(yù)定區(qū)間；(c)若其中一個有效區(qū)間小于該預(yù)定區(qū)間，則對這些控制信號進(jìn)行一參數(shù)調(diào)整；(d)若這些有效區(qū)間大于該預(yù)定區(qū)間，根據(jù)這些有效區(qū)間對這些控制信號其中兩個控制信號之間進(jìn)行一相位極限測試；(e)若這些控制信號其中兩個控制信號未通過該相位極限測試，則對該其中兩個控制信號的這些有效區(qū)間進(jìn)行一相位調(diào)整；以及(f)根據(jù)步驟(c)或(e)中調(diào)整后的這些控制信號驅(qū)動該存儲器。也就是說，本發(fā)明的存儲器控制方法，可以通過儲存在BIOS內(nèi)的軟件或固件加以執(zhí)行，當(dāng)電腦系統(tǒng)開機(jī)后，根據(jù)控制信號對存儲器進(jìn)行測試并調(diào)整(例如有效區(qū)間大小與信號相位)，自動地對控制信號進(jìn)行參數(shù)調(diào)整或相位調(diào)整。藉此電腦系統(tǒng)可在開機(jī)的過程中，能夠自動依據(jù)目前所使用的存儲器來調(diào)整參數(shù)，以確保使用者所使用的存儲器模塊能穩(wěn)定運(yùn)作，避免發(fā)生無法驅(qū)動存儲器的情況，并可節(jié)省廠商進(jìn)行系統(tǒng)研發(fā)的時間成本。關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及附圖得到進(jìn)一步的了解。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中存儲器控制方法的流程圖。圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中存儲器控制方法的細(xì)節(jié)實施流程圖。圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中兩個控制信號的信號波型示意圖。圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中兩個控制信號間進(jìn)行相位極限測試時的信號波型示意圖。具體實施例方式請參閱圖1以及圖2。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中存儲器控制方法的流程圖。圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中存儲器控制方法的細(xì)節(jié)實施流程圖。本發(fā)明的存儲器控制方法，適用于電腦系統(tǒng)中的存儲器，當(dāng)電腦系統(tǒng)開機(jī)時，通過BIOS內(nèi)的驅(qū)動程序及測試程序分別對存儲器進(jìn)行驅(qū)動及測試，并對存儲器的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。存儲器的參數(shù)通常由多個控制信號驅(qū)動，于實際應(yīng)用中，這些控制信號可包含命令控制信號(Command，CMD)、時鐘控制信號(Clock，CLK)、讀取控制信號(ReadDQ)、讀取時鐘控制信號(ReadDQS)、寫入控制信號(WriteDQ)以及寫入時鐘控制信號(WriteDQS)所組成的一群組中的至少其一。這些控制信號界定了存儲器的最小時鐘單位、目前執(zhí)行任務(wù)、讀取與寫入操作等各種不同的狀態(tài)，為存儲器運(yùn)作時所需的控制信號。每一控制信號分別具有一段有效區(qū)間(activewindow)。請參閱圖3，圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中兩個控制信號的信號波型示意圖。如圖3中的例子，兩個控制信號可分別為第一控制信號(例如時鐘控制信號Clock)與第二控制信號(例如命令控制信號Command)。第一控制信號具有一有效區(qū)間windowl，而第二控制信號具有一有效區(qū)間window〗。于實際應(yīng)用中，每一控制信號的有效區(qū)間應(yīng)至少具有一定的大小，以確保存儲器正常運(yùn)作。圖1中所示為本發(fā)明的存儲器控制方法的主要流程步驟。如圖1所示，本發(fā)明首先執(zhí)行步驟S100，載入一組預(yù)設(shè)值以驅(qū)動該存儲器，其中此處載入預(yù)設(shè)值的步驟S100可通過進(jìn)一步的細(xì)節(jié)步驟加以完成。請參閱圖2，于一實施例中，步驟S100可包含步驟SlOOa、步驟SlOOb以及步驟SlOOc。執(zhí)行步驟SlOOa載入一初始頻率至該存儲器。例如廠商提供的標(biāo)示頻率(labeledfrequency)。執(zhí)行步驟SlOOb載入一初始工作電壓設(shè)定至該存儲器，例如于實際應(yīng)用中，對應(yīng)DDR3架構(gòu)的存儲器可采用1.5V的存儲器總線工作電壓(memorybusvoltage)以及對應(yīng)英特爾P55平臺可采用1.IV的存儲器控制器工作電壓(memorycontrollervoltage)。執(zhí)行步驟SlOOc使存儲器的控制信號(例如CMD、CLK、WriteDQ、WriteDQS、ReadDQ、ReadDQS、CTRL等)載入一初始信號相位至該存儲器。其中，步驟SlOO中載入預(yù)設(shè)值以驅(qū)動該存儲器的作法僅為簡易地啟動存儲器的基礎(chǔ)功能，方便后續(xù)測試與調(diào)整，但尚無法保證存儲器處于穩(wěn)定的操作狀態(tài)。步驟SlOO中載入預(yù)設(shè)值的作法為已知技術(shù)的人所熟知，可利用查找表或靜態(tài)固件設(shè)定而達(dá)成，在此不另贅述。接著，本發(fā)明中的存儲器控制方法執(zhí)行步驟S102檢測每一控制信號的有效區(qū)間(如圖3中的windowljindoW)的大小。此處控制信號的有效區(qū)間是指，當(dāng)控制信號被設(shè)定在特定工作電壓電平(例如代表正邏輯的高電平或負(fù)邏輯的低電平)并藉以控制或驅(qū)動相對應(yīng)的電路模塊時，這一段控制信號被維持在該電平上的信號持續(xù)區(qū)間。例如于圖3中，控制信號(CMD、CLK)分別在特定的時間點(diǎn)被提升至高電平，并進(jìn)入有效區(qū)間(windowl、window2)以控制或驅(qū)動其相對應(yīng)的電路。在實際應(yīng)用中，為了追求更高的運(yùn)算處理速度，電路大多采用極高的信號切換頻率，使控制信號的有效區(qū)間有愈來愈短的趨勢，然而許多電路元件(例如緩存器、運(yùn)算放大器等)本身仍具有非理想的延遲時間，例如線路延遲(wiringdelay)或邏輯門延遲(gatedelay)。若控制信號的有效區(qū)間過于短暫，則當(dāng)控制信號經(jīng)過數(shù)層邏輯電路時，便有可能因元件延遲或系統(tǒng)時鐘不同步而發(fā)生信號失真或信號遺漏等問題。接著，執(zhí)行步驟S104判斷這些控制信號的有效區(qū)間是否大于一預(yù)定區(qū)間。于此實施例中，此一預(yù)定區(qū)間可由設(shè)計者根據(jù)實際測試經(jīng)驗或特定算法中，存儲器能保持穩(wěn)定的必要區(qū)間大小數(shù)值來決定。若控制信號的有效區(qū)間均大于該預(yù)定區(qū)間，則表示存儲器能在穩(wěn)定狀態(tài)下運(yùn)作。反之，若存在有任一控制信號的有效區(qū)間小于該預(yù)定區(qū)間，則表示此時存儲器仍處于不穩(wěn)定狀態(tài)，此時，本發(fā)明的存儲器控制方法可執(zhí)行步驟S106對這些控制信號進(jìn)行參數(shù)調(diào)整。請一并參閱圖2，本發(fā)明的參數(shù)調(diào)整(步驟S106)可進(jìn)一步通過數(shù)個步驟加以完成，例如信號驅(qū)動強(qiáng)度、工作電壓設(shè)定以及時間參數(shù)的調(diào)整。如圖2的實施例中，當(dāng)中步驟S104判斷這些控制信號的有效區(qū)間小于預(yù)定區(qū)間，并進(jìn)入步驟S106的參數(shù)調(diào)整時。本發(fā)明的存儲器控制方法可執(zhí)行步驟S106b，調(diào)整其中一個控制信號的信號驅(qū)動強(qiáng)度(drivingstrength)，此處的控制信號CMD、CLK、WriteDQ、WriteDQS,ReadDQ、ReadDQS、CTRL等信號驅(qū)動強(qiáng)度皆可嘗試進(jìn)行調(diào)整，每次調(diào)整之后可再次通過步驟S102與S104，接著檢測并判斷當(dāng)調(diào)整后這些有效區(qū)間是否大于該預(yù)定區(qū)間。也就是說，本發(fā)明的存儲器控制方法可一直重復(fù)嘗試調(diào)整不同控制信號的信號驅(qū)動強(qiáng)度，直到每一有效區(qū)間均大于該預(yù)定區(qū)間或是每一控制信號的信號驅(qū)動強(qiáng)度皆已嘗試調(diào)整。需特別說明的是，在執(zhí)行步驟S106b之前，本發(fā)明的存儲器控制方法可進(jìn)一步包含步驟S106a，預(yù)先判斷是否仍有控制信號的驅(qū)動強(qiáng)度尚未嘗試調(diào)整。若所有控制信號的驅(qū)動強(qiáng)度皆已嘗試調(diào)整，但仍無法使調(diào)整后的控制信號的有效區(qū)間大于該預(yù)定區(qū)間，則本發(fā)明的存儲器控制方法便可自動進(jìn)行切換對其他參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，以加速判斷調(diào)整的效率。如圖2的實施例中，若步驟S106a判斷對信號驅(qū)動強(qiáng)度的調(diào)整皆已完成嘗試，但仍存在有控制信號的有效區(qū)間小于預(yù)定區(qū)間。則本發(fā)明接著可執(zhí)行步驟S106d，嘗試調(diào)整存儲器本身的工作電壓設(shè)定。實際應(yīng)用中，存儲器的工作電壓設(shè)定包含存儲器總線工作電壓(memorybusvoltage)參數(shù)以及存儲器控制器工作電壓(memorycontrollervoltage)參數(shù)所組成的一群組中的至少其一。這些參數(shù)都有一定的規(guī)格范圍，若超出這個范圍則可能損壞存儲器或使存儲器發(fā)生異常。例如存儲器總線工作電壓參數(shù)的規(guī)格范圍可為1.5V到2.OV之間，而存儲器控制器工作電壓參數(shù)可為1.IV1.5V之間。步驟S106d對應(yīng)于規(guī)格范圍內(nèi)調(diào)整工作電壓設(shè)定。每次調(diào)整之后可再次通過步驟S102與S104，接著檢測并判斷當(dāng)調(diào)整后這些有效區(qū)間是否大于該預(yù)定區(qū)間。也就是說，本發(fā)明的存儲器控制方法可一直重復(fù)嘗試調(diào)整不同的工作電壓設(shè)定，直到每一有效區(qū)間均大于該預(yù)定區(qū)間或是規(guī)格范圍內(nèi)的工作電壓設(shè)定皆已嘗試完畢。此外，如圖2所示，在執(zhí)行步驟S106d之前，本發(fā)明的存儲器控制方法亦可進(jìn)一步包含步驟S106c，預(yù)先判斷是否仍有規(guī)格范圍內(nèi)的工作電壓設(shè)定尚未嘗試調(diào)整。若皆已嘗試調(diào)整，但仍無法使有效區(qū)間大于該預(yù)定區(qū)間，則本發(fā)明的存儲器控制方法便可自動進(jìn)行切換對其他參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。如圖2所示，若步驟S106c判斷對工作電壓設(shè)定的調(diào)整皆已完成嘗試，但仍存在有控制信號的有效區(qū)間小于預(yù)定區(qū)間。則本發(fā)明接著可執(zhí)行步驟S106f，嘗試調(diào)整存儲器本身的其中一個時間參數(shù)。實際應(yīng)用中，存儲器的時間參數(shù)可包含多個存儲器延遲參數(shù)，這些存儲器延遲參數(shù)包含時鐘周期(TCL)、行參照到列參照延遲參數(shù)(timingofRAStoCASDelay，TRCD)、行參照預(yù)先充電延遲參數(shù)(timingofRASPrecharge，TRP)以及有效至預(yù)先充電延遲參數(shù)(activetoRASprechargedelay，TRAS)所組成的一群組中的至少其一，于實際應(yīng)用中，這些存儲器延遲參數(shù)分別代表存儲器各個操作狀態(tài)所需的時間。步驟S106f被執(zhí)行時，對存儲器的時間參數(shù)逐一進(jìn)行調(diào)整。每次調(diào)整之后可再次通過步驟S102與S104，檢測并判斷當(dāng)調(diào)整后這些有效區(qū)間是否大于該預(yù)定區(qū)間。也就是說，本發(fā)明的存儲器控制方法可重復(fù)嘗試調(diào)整不同的時間參數(shù)，直到每一有效區(qū)間均大于該預(yù)定區(qū)間或是每一時間參數(shù)皆已嘗試調(diào)整完畢。此外，如圖2所示，在執(zhí)行步驟S106f之前，本發(fā)明的存儲器控制方法亦可進(jìn)一步包含步驟S106e，預(yù)先判斷是否仍有時間參數(shù)尚未嘗試調(diào)整。若皆已嘗試調(diào)整，但仍無法使有效區(qū)間大于該預(yù)定區(qū)間，于此實施例中，進(jìn)行進(jìn)入其它后續(xù)的測試調(diào)整程序。但本發(fā)明的存儲器控制方法并不以上述三種測試調(diào)整(信號驅(qū)動強(qiáng)度、工作電壓設(shè)定、時間參數(shù))為限，于其它實施例中亦可包含對更多其它參數(shù)的調(diào)整與測試。此外，此三種測試調(diào)整的判斷邏輯次序亦不以此實施例為限，于其它實施例中，其先后順序可互換或各自獨(dú)立。此外，于另一實施例中，當(dāng)時間參數(shù)亦嘗試調(diào)整完畢，但仍無法使有效區(qū)間大于該預(yù)定區(qū)間時，本發(fā)明的存儲器控制方法回傳錯誤訊息，或是提示設(shè)計者或使用者重新定義用以判斷有效區(qū)間的預(yù)定區(qū)間的基準(zhǔn)值，并隨后重新執(zhí)行步驟流程(S102-S106)。另一方面，當(dāng)控制信號的有效區(qū)間均大于預(yù)定區(qū)間時，本發(fā)明的的存儲器控制方法即執(zhí)行步驟S108，根據(jù)有效區(qū)間對其中兩個控制信號之間進(jìn)行相位極限測試(phaserangetest)。請一并參閱圖2以及圖4，圖4所示為根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例中兩個控制信號間進(jìn)行相位極限測試時的信號波型示意圖。于此實施例中，此處的相位測試可利用步驟SlOSa對兩個控制信號進(jìn)行測試。舉例來說，此處的兩個控制信號可為第一控制信號(例如CMD)以及第二控制信號(例如CLK)，該第一控制信號具有正緣PEl以及負(fù)緣NEl，該第二控制信號具有正緣PE2，其中本發(fā)明所述的有效區(qū)間所指的便是控制信號的正緣與負(fù)緣之間的區(qū)間，如圖4中第一控制信號的有效區(qū)間windowl。于圖4的實施例中，步驟SlOSa根據(jù)該第二控制信號的正緣PE2與第一控制信號的正緣PEl的時間間距，得到第二控制信號相對第一控制信號的有效區(qū)間windowl的左相位極限r(nóng)L。與此同時，根據(jù)第二控制信號的正緣PE2與第一控制信號的負(fù)緣NEl的時間間距，得到第二控制信號相對第一控制信號的有效區(qū)間windowl的右相位極限r(nóng)R。接著，若該左相位極限r(nóng)L等于該右相位極限r(nóng)R，則產(chǎn)生已通過相位極限測試的測試結(jié)果。反之，若左相位極限r(nóng)L不等于rL右相位極限r(nóng)R，則產(chǎn)生未通過相位極限測試的測試結(jié)果。接著如圖1所示，本發(fā)明的存儲器控制方法即執(zhí)行步驟S110，判斷是否通過極限測試。于實際例子中，即為圖2中的步驟SllOa，根據(jù)左相位極限r(nóng)L是否等于該右相位極限r(nóng)R做出判斷，若左相位極限r(nóng)L等于右相位極限r(nóng)R，則可執(zhí)行步驟S114載入上述步驟中調(diào)整過后的控制信號驅(qū)動存儲器，以確保存儲器的穩(wěn)定度。若左相位極限r(nóng)L不等于右相位極限r(nóng)R，則需執(zhí)行步驟Sl12對該兩個控制信號進(jìn)行相位調(diào)整。此處的相位調(diào)整細(xì)節(jié)步驟亦請參閱圖2。首先可執(zhí)行步驟S112a判斷左相位極限r(nóng)L與右相位極限r(nóng)R之間的大小關(guān)系，如圖4中rL<rR,此時，可執(zhí)行步驟S112b將第一控制信號的相位提前一單位，此處的提前指相對第二控制信號將第一控制信號的相位提前。反之，若rL>rR，則可執(zhí)行步驟S112c，相對第二控制信號將第一控制信號的相位延遲。當(dāng)步驟S112中第一與第二控制信號的相位經(jīng)調(diào)整后，則回到步驟S108，再次對第一控制信號與第二控制信號進(jìn)行相位極限測試，判斷第一控制信號與第二控制信號是否通過該相位極限測試(左相位極限r(nóng)L是否等于右相位極限r(nóng)R)，重復(fù)執(zhí)行步驟S108至步驟S112，直到該組控制信號通過相位極限測試。藉此，可保證功能上有相關(guān)連的兩個控制信號，其中第二控制信號的正緣PE2觸發(fā)時間點(diǎn)正位于第一控制信號的有效區(qū)間windowl的中央。藉此，可以確保當(dāng)正緣觸發(fā)時，相關(guān)的控制信號已完成切換，避免發(fā)生兩個控制信號切換的時間過于接近而帶來的信號不穩(wěn)定情況。此外上述相位極限測試與調(diào)整的例子，以應(yīng)用于CMD與CLK控制信號之間為例，于實際應(yīng)用中，亦可對WriteDQ與WriteDQS間、ReadDQ與ReadDQS間、CLK與WriteDQS間以及CLK與ReadDQS間或各種功能上有關(guān)連性的信號組合進(jìn)行測試與調(diào)整，并不以本發(fā)明的舉例為限。于上述舉例中，針對正緣觸發(fā)的情形進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不以此為限。于另一實施例中，本發(fā)明的存儲器控制方法亦可對應(yīng)負(fù)緣觸發(fā)的情況。最大不同之處在于，其可根據(jù)第二控制信號的負(fù)緣與第一控制信號的正緣的時間間距，得到左相位極限；并根據(jù)第二控制信號的負(fù)緣與第一控制信號的負(fù)緣的時間間距得到右相位極限。其它細(xì)節(jié)作法與前述實施例大致相同，在此不另贅述。綜上所述，本發(fā)明的存儲器控制方法可以通過儲存在BIOS內(nèi)的軟件或固件加以執(zhí)行，當(dāng)電腦系統(tǒng)開機(jī)后，根據(jù)存儲器的控制信號特性(例如有效區(qū)間大小與信號相位)，自動地對控制信號進(jìn)行參數(shù)調(diào)整或相位調(diào)整。藉此電腦系統(tǒng)可在開機(jī)的過程中，能夠自動根據(jù)所使用的存儲器調(diào)整至穩(wěn)定的設(shè)定值，以確保使用者所使用的存儲器模塊能穩(wěn)定運(yùn)作，并可節(jié)省廠商進(jìn)行系統(tǒng)研發(fā)的時間成本。通過以上較佳具體實施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。權(quán)利要求1.一種存儲器控制方法，適用于驅(qū)動存儲器，所述存儲器由多個控制信號驅(qū)動，每一控制信號分別具有有效區(qū)間，其特征在于所述存儲器控制方法包含下列步驟檢測所述存儲器的每一控制信號的有效區(qū)間；判斷所述這些有效區(qū)間是否大于預(yù)定區(qū)間；若其中一個有效區(qū)間小于所述預(yù)定區(qū)間，則對所述這些控制信號進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，以調(diào)整所述這些控制信號的有效區(qū)間；若所述這些有效區(qū)間大于所述預(yù)定區(qū)間，對所述這些控制信號的兩個控制信號之間進(jìn)行相位極限測試；若所述這些控制信號的兩個控制信號未通過所述相位極限測試，則對所述這些控制信號進(jìn)行相位調(diào)整；以及根據(jù)調(diào)整后的所述這些控制信號驅(qū)動所述存儲器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述參數(shù)調(diào)整包含下列步驟調(diào)整其中一個控制信號的信號驅(qū)動強(qiáng)度；測試調(diào)整后所述這些有效區(qū)間是否大于所述預(yù)定區(qū)間；以及若其中一個有效區(qū)間小于所述預(yù)定區(qū)間，則重復(fù)對所述這些控制信號其中一個控制信號的信號驅(qū)動強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)整及測試。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述存儲器具有工作電壓設(shè)定，所述工作電壓設(shè)定符合規(guī)格范圍，其中所述參數(shù)調(diào)整包含下列步驟于所述規(guī)格范圍內(nèi)調(diào)整所述工作電壓設(shè)定；測試調(diào)整后所述這些有效區(qū)間是否大于所述預(yù)定區(qū)間；以及若其中一個有效區(qū)間小于所述預(yù)定區(qū)間，重復(fù)對所述工作電壓設(shè)定于所述規(guī)格范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整及測試。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器控制方法，其特征是其中所述工作電壓設(shè)定包含存儲器總線工作電壓參數(shù)以及存儲器控制器工作電壓參數(shù)所組成的群組中的至少其一。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征是其中所述存儲器具有多個時間參數(shù)，其中所述參數(shù)調(diào)整包含下列步驟調(diào)整所述存儲器的其中一個所述這些時間參數(shù)；測試調(diào)整后所述這些有效區(qū)間是否大于所述預(yù)定區(qū)間；以及若其中一個有效區(qū)間小于所述預(yù)定區(qū)間，則重復(fù)對所述存儲器的其中一個所述這些時間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整及測試。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述這些時間參數(shù)包含多個存儲器延遲參數(shù)，所述這些存儲器延遲參數(shù)包含時鐘周期、行參照到列參照延遲參數(shù)、行參照預(yù)先充電延遲參數(shù)以及有效至預(yù)先充電延遲參數(shù)所組成的群組中的至少其一。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述這些控制信號包含第一控制信號以及第二控制信號，所述第一控制信號具有第一正緣以及負(fù)緣，所述第二控制信號具有第二正緣，所述第一控制信號的所述有效區(qū)間介于所述第一正緣與所述負(fù)緣之間，其中所述相位極限測試包含下列步驟根據(jù)所述第二控制信號的所述第二正緣與所述第一控制信號的所述第一正緣的時間間距，得到所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間的左相位極限；根據(jù)所述第二控制信號的所述第二正緣與所述第一控制信號的所述負(fù)緣的時間間距，得到所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間的右相位極限；判斷若所述左相位極限等于所述右相位極限，則產(chǎn)生所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間已通過相位極限測試的測試結(jié)果；以及判斷若所述左相位極限不等于所述右相位極限，則產(chǎn)生所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間未通過相位極限測試的測試結(jié)果。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述這些控制信號包含第一控制信號以及第二控制信號，所述第一控制信號具有正緣以及第一負(fù)緣，所述第二控制信號具有第二負(fù)緣，所述第一控制信號的所述有效區(qū)間介于所述正緣與所述第一負(fù)緣之間，其中所述相位極限測試包含下列步驟根據(jù)所述第二控制信號的所述第二負(fù)緣與所述第一控制信號的所述正緣的時間間距，得到所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間的左相位極限；根據(jù)所述第二控制信號的所述第二負(fù)緣與所述第一控制信號的所述第一負(fù)緣的時間間距，得到所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間的右相位極限；判斷若所述左相位極限等于所述右相位極限，則產(chǎn)生所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間已通過相位極限測試的測試結(jié)果；以及判斷若所述左相位極限不等于所述右相位極限，則產(chǎn)生所述第二控制信號相對所述第一控制信號的所述有效區(qū)間未通過相位極限測試的測試結(jié)果。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述這些控制信號包含第一控制信號以及第二控制信號，當(dāng)所述第一控制信號與所述第二控制信號未通過所述相位極限測試時，其中所述相位調(diào)整包含下列步驟相對所述第二控制信號延遲或提前所述第一控制信號；對所述第一控制信號與所述第二控制信號進(jìn)行所述相位極限測試；以及判斷所述第一控制信號與所述第二控制信號是否通過所述相位極限測試，若未通過所述相位極限測試，則重復(fù)相對所述第二控制信號延延遲或提前所述第一控制信號并進(jìn)行所述相位極限測試。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器控制方法，其特征在于其中所述這些控制信號包含命令控制信號、時鐘控制信號、讀取控制信號、讀取時鐘控制信號、寫入控制信號以及寫入時鐘控制信號所組成的群組中的至少其一。全文摘要本發(fā)明揭露一種存儲器控制方法，適用于驅(qū)動電腦系統(tǒng)中的存儲器，當(dāng)電腦系統(tǒng)開機(jī)時，通過BIOS對存儲器進(jìn)行驅(qū)動及測試，此存儲器控制方法針對存儲器的多個控制信號進(jìn)行測試。存儲器控制方法包含下列步驟檢測存儲器的每一控制信號的有效區(qū)間；判斷有效區(qū)間是否大于預(yù)定區(qū)間；若其中一個有效區(qū)間小于預(yù)定區(qū)間，則對控制信號進(jìn)行參數(shù)調(diào)整；若有效區(qū)間大于預(yù)定區(qū)間，對其中兩個控制信號之間進(jìn)行相位極限測試；若控制信號未通過相位極限測試，則對控制信號的有效區(qū)間進(jìn)行相位調(diào)整；以及根據(jù)調(diào)整后的控制信號驅(qū)動存儲器。文檔編號G06F11/22GK101996115SQ200910171040公開日2011年3月30日申請日期2009年8月26日優(yōu)先權(quán)日2009年8月26日發(fā)明者張權(quán)德,林雍倫,羅楠焜申請人:華碩電腦股份有限公司