專利名稱：一種靜態(tài)損耗均衡的方法、裝置和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種靜態(tài)損耗均衡的方法、裝置和 系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
固態(tài)硬盤的存儲介質(zhì)分為兩種SLC( Single Level Cell,單層式存儲單元)、 MLC (Multi Level Cell,多層式存儲單元)。MLC技術(shù)能夠讓單個存儲單元 保存兩倍的數(shù)據(jù)量。兩種存儲介質(zhì)都存在擦寫壽命問題SLC大約IO萬次， MLC大約1萬次。超過了最大可擦寫次數(shù)，閃存的可擦寫塊就會成為壞塊。為 了避免某個擦寫塊被過度擦寫，以至于它先于其他的擦寫塊達(dá)到最大可擦寫 次數(shù)，應(yīng)該在盡量小的影響性能的前提下，把擦寫操作均勻的分布在每個擦 寫塊上。因此，如何將數(shù)據(jù)均勻的寫入每個閃存顆?？刹翆憠K，平均每個閃 存顆?？刹翆憠K的擦除次數(shù)成為延長固態(tài)硬盤使用壽命的關(guān)鍵。損耗均衡技術(shù)使用映射的方法，把要寫入的固態(tài)硬盤的邏輯地址映射到 固態(tài)硬盤中寫入次數(shù)最少的區(qū)塊上面去，使得閃存顆粒上各處的單元擦寫次 數(shù)盡量保持一致，進(jìn)而延長固態(tài)硬盤的使用壽命。損耗均衡技術(shù)分為靜態(tài)均 ff和動態(tài)均^f兩種其中，靜態(tài)均衡強制搬移固態(tài)硬盤的靜態(tài)數(shù)據(jù)到擦寫次數(shù)更少的區(qū)塊 中去，從而大幅度增加使用壽命和可靠性。在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題針對 固態(tài)硬盤內(nèi)部存儲介質(zhì)的損耗均衡技術(shù)的操作單位是閃存的可擦寫塊，只對 固態(tài)硬盤內(nèi)部的存儲介質(zhì)進(jìn)行損耗均衡。在目前的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，沒 有以固態(tài)硬盤為單位，根據(jù)不同硬盤類型的不同特性進(jìn)行損耗均衡的技術(shù)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實施例提供一種靜態(tài)損耗均衡的方法、裝置和系統(tǒng)，以在包括不 同類型固態(tài)硬盤的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)靜態(tài)損耗均衡。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實施例一方面提供一種靜態(tài)損耗均衡的方法，包括獲取數(shù)據(jù)單元的寫才乘作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型； 當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將所述數(shù)據(jù)單元的寫操 作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，所述固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；根據(jù)對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種存儲系統(tǒng)控制器，包括 獲取模塊，用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型；對比模塊，用于當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將所述 數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，所述固態(tài)硬盤存 儲系統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；確定模塊，用于根據(jù)所述對比模塊的對比結(jié)果和所述獲取模塊獲取的數(shù) 據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。再一方面，本發(fā)明實施例還提供一種固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)，包括固態(tài)硬盤 和硬盤接口控制器，還包括存儲系統(tǒng)控制器，用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元所在 的硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)空閑時，將所述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和 預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，并根據(jù)對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在 的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型，并通過所述硬盤接口控制 器將所述數(shù)據(jù)單元存儲至對應(yīng)的所述固態(tài)硬盤。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過本發(fā)明實施例，存儲系統(tǒng)控制器獲取數(shù)據(jù)單元的 寫操作頻率和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)空閑時， 將數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，并根據(jù)對比結(jié)
果和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定存儲數(shù)據(jù)單元的硬盤類型。從而在 包括不同類型固態(tài)硬盤的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)了靜態(tài)損耗均衡。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所 需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā) 明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前 提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例一種靜態(tài)損耗均衡的方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實施例固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明實施例另一種靜態(tài)損耗均衡的方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實施例靜態(tài)損耗均衡的具體實現(xiàn)流程圖；圖5為本發(fā)明實施例一種存儲系統(tǒng)控制器的結(jié)構(gòu)圖；圖6為本發(fā)明實施例另一種存儲系統(tǒng)控制器的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例， 而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有 做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實施例提供一種靜態(tài)損耗均衡的方法，用于在包括不同類型固態(tài) 硬盤的SSD (Solid State Disk,固態(tài)硬盤)存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)靜態(tài)損耗均衡。如圖1所示，為本發(fā)明實施例一種靜態(tài)損耗均衡的方法的流程圖，包括步驟S 101,獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。 具體可以為在固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)寫數(shù)據(jù)時，以數(shù)據(jù)塊或文件為單位，將待寫入數(shù)據(jù) 寫入固態(tài)硬盤，并記錄被寫入的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和該數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所 在的硬盤類型。當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)啟動時，存儲系統(tǒng)控制器讀取記錄的每
個數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和每個數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。該硬盤類型可以包括SLC固態(tài)硬盤和MLC固態(tài)硬盤。步驟S102，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將數(shù)據(jù)單元 的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率闊值進(jìn)行對比。該固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)至少 包括兩種硬盤類型。其中，固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件具體可以為該固態(tài)硬 盤存儲系統(tǒng)空閑，或者，該固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)發(fā)出強制執(zhí)行命令。當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)發(fā)出強制執(zhí)行命令時，即使該固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)處 于非空閑狀態(tài)，存儲系統(tǒng)控制器也可以將每個數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè) 的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比。上述強制執(zhí)行命令可以是固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)自 定義的一些命令，保存在該固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，通過特定的軟件，該固態(tài) 硬盤存儲系統(tǒng)可以發(fā)出這些強制執(zhí)行命令。步驟S103,根據(jù)對比結(jié)果和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定數(shù)據(jù)單 元存儲的硬盤類型。假設(shè)數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型為MLC固態(tài)硬盤，當(dāng)MLC固態(tài)硬盤 的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值時，確定將寫操作頻率 大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到SLC固態(tài)硬盤。假設(shè)數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型為SLC固態(tài)硬盤，當(dāng)SLC固態(tài)硬盤的數(shù) 據(jù)單元的寫操作頻率小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值時，確定將寫操作頻率小于 預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到MLC固態(tài)硬盤。如果MLC固態(tài)硬盤的一個數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率 閾值，則說明該數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率較高，而MLC固態(tài)硬盤的可擦寫次數(shù) 小于SLC固態(tài)硬盤的可擦寫次數(shù)，因此為了提高M(jìn)LC固態(tài)硬盤的使用壽命， 減小MLC固態(tài)硬盤的損耗，要將該數(shù)據(jù)單元存儲到SLC固態(tài)硬盤上。如果SLC固態(tài)硬盤的一個數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率 閾值，則說明該數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率較低，而SLC固態(tài)硬盤的可擦寫次數(shù)遠(yuǎn) 大于MLC固態(tài)硬盤的可擦寫次數(shù)，因此SLC固態(tài)硬盤可以承受較高的寫操作 頻率，為了提高使用效率，可以將SLC固態(tài)硬盤上小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值 的數(shù)據(jù)單元存儲到MLC固態(tài)硬盤。上述靜態(tài)損耗均衡的方法，存儲系統(tǒng)控制器獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率 和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條 件時，將數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，并根據(jù) 對比結(jié)果和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。 從而在包括不同硬盤類型固態(tài)硬盤的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)了靜態(tài)損耗 均衡。如圖2所示，為本發(fā)明實施例固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖，該固態(tài)硬盤 存儲系統(tǒng)包括存儲系統(tǒng)控制器21、主機接口控制器22、主機23、硬盤接口 控制器24和固態(tài)硬盤25，其中，固態(tài)硬盤25,用于存儲數(shù)據(jù)單元；硬盤接口控制器24，用于接入固態(tài)硬盤25;存儲系統(tǒng)控制器21,用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和數(shù)據(jù)單元所在的 硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將數(shù)據(jù)單元的寫 操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，并根據(jù)對比結(jié)果和數(shù)據(jù)單元當(dāng) 前所在的硬盤類型，確定數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型，并通過硬盤接口控制器 24將數(shù)據(jù)單元存儲至對應(yīng)的固態(tài)硬盤25 。本發(fā)明實施例中，存儲系統(tǒng)控制器21使用主機接口控制器22接收主機23 發(fā)送的命令，例如讀寫命令，在固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)寫數(shù)據(jù)時，存儲系統(tǒng)控制 器21以數(shù)據(jù)塊或文件為單位，將待寫入數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬盤25,并記錄被寫入 的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和該數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。當(dāng)固態(tài)硬盤存 儲系統(tǒng)啟動時，存儲系統(tǒng)控制器21讀取記錄的每個數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和 每個數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，以獲取每個數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和每個數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型。其中，固態(tài)硬盤25包括MLC固態(tài)硬盤和SLC固態(tài)硬盤。 上述固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)，存儲系統(tǒng)控制器21獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率 和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)空閑時，將數(shù)據(jù)單元 的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，并根據(jù)對比結(jié)果和數(shù)據(jù)單
元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。從而在包括不同硬盤 類型固態(tài)硬盤的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)了靜態(tài)損耗均衡。如圖3所示，為本發(fā)明實施例另一種靜態(tài)損耗均衡的方法的流程圖，具體包括步驟S301,固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)寫數(shù)據(jù)時，存儲系統(tǒng)控制器21記錄被寫入 的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所在的硬盤類型。具體可以為固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)寫數(shù)據(jù)時，存儲系統(tǒng)控制器21以一個數(shù)據(jù)塊或一個文 件為一個數(shù)據(jù)單元，將數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬盤25。并記錄被寫入的數(shù)據(jù)單元的寫 操作頻率和所在的硬盤類型，該硬盤類型可以為SLC固態(tài)硬盤或MLC固態(tài)硬 盤。步驟S302，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)啟動時，存儲系統(tǒng)控制器21讀取該存儲 系統(tǒng)控制器21記錄的數(shù)據(jù)單元(數(shù)據(jù)塊或文件)的寫操作頻率和當(dāng)前所在的 硬盤類型。步驟S303,當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，存儲系統(tǒng)控 制器21根據(jù)讀取的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型，在SLC 固態(tài)硬盤和MLC固態(tài)硬盤之間進(jìn)行靜態(tài)損耗均衡，其中，固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng) 滿足靜態(tài)均衡啟動條件具體可以為該固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)空閑、或者該固態(tài) 硬盤存儲系統(tǒng)發(fā)出強制執(zhí)行命令。具體流程圖可以如圖4所示，包括步驟S401，存儲系統(tǒng)控制器21判斷下一個數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型。如 果下一個數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型為MLC固態(tài)硬盤，則執(zhí)行步驟S402和步驟 S403;如果下一個數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型為SLC固態(tài)硬盤，則執(zhí)行步驟S404 和步驟S405。步驟S402，判斷MLC固態(tài)硬盤的上述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率是否大于預(yù) 設(shè)的寫操作頻率閾值。如果大于，則執(zhí)行步驟S403;如果MLC固態(tài)硬盤的上 述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率不大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值，則存儲系統(tǒng)控制器 21執(zhí)行步驟S406。步驟S403 ，存儲系統(tǒng)控制器21將該數(shù)據(jù)單元從MLC固態(tài)硬盤存儲到SLC 固態(tài)硬盤，執(zhí)行步驟S406。
步驟S404,判斷SLC固態(tài)硬盤的上述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率是否小于預(yù)設(shè) 的寫操作頻率閾值。如果小于，則執(zhí)行步驟S405;如果SLC固態(tài)硬盤的上述數(shù) 據(jù)單元的寫操作頻率不小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值，則存儲系統(tǒng)控制器21執(zhí) 行步驟S406。步驟S405 ，存儲系統(tǒng)控制器21將該數(shù)據(jù)單元從SLC固態(tài)硬盤存儲到MLC 固態(tài)硬盤。步驟S406,存儲系統(tǒng)控制器21判斷是否遍歷完所有數(shù)據(jù)單元的寫操作頻 率和硬盤類型。如果存儲系統(tǒng)控制器21遍歷完所有數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和 硬盤類型，則退出本次流程；如果存儲系統(tǒng)控制器21尚未遍歷完所有數(shù)據(jù)單 元的寫操作頻率和硬盤類型，則返回執(zhí)行步驟S401，存儲系統(tǒng)控制器21判斷 下一個數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。上述靜態(tài)損耗均衡的方法，在SLC固態(tài)硬盤和MLC固態(tài)硬盤之間進(jìn)行損 耗均衡的SSD存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)了經(jīng)常讀寫的數(shù)據(jù)被存儲控制器21存放在使用 壽命長、讀寫速度快的SLC固態(tài)硬盤上；不經(jīng)常讀寫的數(shù)據(jù)被存儲控制器21 存放在成本低、存儲單元容量大的MLC固態(tài)硬盤上。如圖5所示，為本發(fā)明實施例一種存儲系統(tǒng)控制器的結(jié)構(gòu)圖，包括獲取模塊211,用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬 盤類型；對比模塊212,用于當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將數(shù) 據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，該固態(tài)硬盤存儲系 統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；確定模塊213，用于根據(jù)對比模塊212的對比結(jié)果和獲取模塊211獲取的 數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。在本發(fā)明另 一實施例中，當(dāng)硬盤類型包括SLC固態(tài)硬盤和MLC固態(tài)硬 盤時，如圖6所示，確定模塊213可以包括第一確定子模塊2131,用于當(dāng)數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型為MLC固 態(tài)硬盤，且MLC固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾 值時，確定將寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到SLC 固態(tài)硬盤。第二確定子模塊2132,用于當(dāng)數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型為SLC固態(tài)硬 盤，且SLC固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值時， 確定將寫操作頻率小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到MLC固態(tài)硬 盤。其中，獲取模塊211可以包括寫入子模塊2111，用亍以數(shù)據(jù)塊或文件為單位，將待寫入數(shù)據(jù)寫入固態(tài) 硬盤；記錄子模塊2112,用于在寫入子模塊2111將待寫入數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬盤之 后，記錄被寫入的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和該數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型；讀取子模塊2113,用于讀取記錄子模塊2112記錄的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻 率和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。上述存儲系統(tǒng)控制器，獲取模塊211獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和數(shù)據(jù) 單元當(dāng)前所在的硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時， 對比模塊212將數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比， 確定模塊213根據(jù)對比結(jié)果和數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定存儲數(shù)據(jù) 單元的硬盤類型。從而在包括不同類型固態(tài)硬盤的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，實 現(xiàn)了靜態(tài)損耗均衡。通過以上的實施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本發(fā) 明可以通過硬件實現(xiàn)，也可以借助軟件加必要的通用硬件平臺的方式來實現(xiàn)。 基于這樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該軟 件產(chǎn)品可以存儲在一個非易失性存儲介質(zhì)(可以是CD-ROM, U盤，移動硬 盤等)中，包括若干指令用以使得一臺計算機設(shè)備(可以是個人計算機，服 務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述的方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解附圖只是一個優(yōu)選實施例的示意圖，附圖中的 模塊或流程并不一定是實施本發(fā)明所必須的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解實施例中的裝置中的模塊可以按照實施例描述 進(jìn)行分布于實施例的裝置中，也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實施例的一 個或多個裝置中。上述實施例的模塊可以合并為一個模塊，也可以進(jìn)一步拆分成多個子模塊。上述本發(fā)明實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優(yōu)劣。 以上公開的僅為本發(fā)明的幾個具體實施例，但是，本發(fā)明并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種靜態(tài)損耗均衡的方法，其特征在于，包括獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型；當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將所述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，所述固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；根據(jù)對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。
2、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述硬盤類型包括單層式 存儲單元SLC固態(tài)硬盤和多層式存儲單元MLC固態(tài)硬盤。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類 型為MLC固態(tài)硬盤，所述根據(jù)所述對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定存儲 所述數(shù)據(jù)單元的硬盤類型具體包括當(dāng)所述MLC固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾 值時，確定將所述寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到 SLC固態(tài)硬盤。
4、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類 型為SLC固態(tài)硬盤，所述根據(jù)所述對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定存儲 所述數(shù)據(jù)單元的硬盤類型具體包括當(dāng)所述SLC固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾 值時，確定將所述寫操作頻率小于所述預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存 儲到MLC固態(tài)》更盤。
5、 如權(quán)利要求1至4任意一項所述的方法，其特征在于，所述獲取數(shù)據(jù)單 元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型具體包括以數(shù)據(jù)塊或文件為單位，將待寫入數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬盤，并記錄被寫入的 數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型；讀取記錄的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。
6、 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件包括所述固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)空閑，或者，所述固態(tài)硬盤 存儲系統(tǒng)發(fā)出強制執(zhí)行命令。
7、 一種存儲系統(tǒng)控制器，其特征在于，包括獲取模塊，用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的 硬盤類型；對比模塊，用于當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將所述 數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，所述固態(tài)硬盤存 儲系統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；確定模塊，用于根據(jù)所述對比模塊的對比結(jié)果和所述獲取模塊獲取的數(shù) 據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。
8、 如權(quán)利要求7所述存儲系統(tǒng)控制器，其特征在于，所述硬盤類型包括 SLC固態(tài)硬盤和MLC固態(tài)硬盤。
9、 如權(quán)利要求8所述存儲系統(tǒng)控制器，其特征在于，所述確定模塊包括 第一確定子模塊，用于當(dāng)數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型為MLC固態(tài)硬盤，且所述MLC固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾 值時，確定將所述寫操作頻率大于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到 SLC固態(tài)硬盤。
10、 如權(quán)利要求8所述存儲系統(tǒng)控制器，其特征在于，所述確定模塊包括第二確定子模塊，用于當(dāng)數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型為SLC固態(tài)硬盤， 且所述SLC固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率小于預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值時， 確定將所述寫操作頻率小于所述預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值的數(shù)據(jù)單元存儲到 MLC固態(tài)硬盤。
11、 如權(quán)利要求7-10任意一項所述存儲系統(tǒng)控制器，其特征在于，所述獲 取模塊包括寫入子模塊，用于以數(shù)據(jù)塊或文件為單位，將待寫入數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬盤； 記錄子模塊，用于在所述寫入子模塊將所述待寫入數(shù)據(jù)寫入固態(tài)硬盤之后，記錄被寫入的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元所在的硬盤類型；讀取子模塊，用于讀取所述記錄子模塊記錄的數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和 所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型。
12、 一種固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)，其特征在于，包括 固態(tài)硬盤，用于存儲數(shù)據(jù)單元； 硬盤接口控制器，用于接入所述固態(tài)硬盤；存儲系統(tǒng)控制器，用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元所在 的硬盤類型，當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)空閑時，將所述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和 預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，并根據(jù)對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在 的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型，并通過所述硬盤接口控制 器將所述數(shù)據(jù)單元存儲至對應(yīng)的所述固態(tài)硬盤。
13、 如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲系統(tǒng)控制器包括 獲取模塊，用于獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型；對比模塊，用于當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將所述 數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，所述固態(tài)硬盤存 儲系統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；確定模塊，用于根據(jù)所述對比模塊的對比結(jié)果和所述獲取模塊獲取的數(shù) 據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定所述數(shù)據(jù)單元存儲的硬盤類型。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種靜態(tài)損耗均衡的方法、裝置和系統(tǒng)，該方法包括獲取數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型；當(dāng)固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)滿足靜態(tài)均衡啟動條件時，將所述數(shù)據(jù)單元的寫操作頻率和預(yù)設(shè)的寫操作頻率閾值進(jìn)行對比，所述固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)至少包括兩種硬盤類型；根據(jù)對比結(jié)果和所述數(shù)據(jù)單元當(dāng)前所在的硬盤類型，確定存儲所述數(shù)據(jù)單元的硬盤類型。本發(fā)明實施例在包括SLC固態(tài)硬盤和MLC固態(tài)硬盤的固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)中，實現(xiàn)了靜態(tài)損耗均衡。
文檔編號G06F12/02GK101398749SQ200810177508
公開日2009年4月1日 申請日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月13日
發(fā)明者君 徐, 陳云昊 申請人:成都市華為賽門鐵克科技有限公司