專(zhuān)利名稱(chēng)：電子接口裝置及其制造方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種也被稱(chēng)為"智能卡"的電子接口卡，更具 體地涉及一種具有接觸和/或無(wú)接觸功能的電子接口卡。
背景技術(shù)：
認(rèn)為以下美國(guó)專(zhuān)利代表了本領(lǐng)域的當(dāng)前狀態(tài) 7,278,580; 7,271,039; 7,269,021; 7,243,840; 7，240，847以及7,204,427。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明尋求提供一種改進(jìn)的電子接口卡及其制造方法。
由此根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式提供了 一種用于制造電子接口卡 的方法，包括在基底層中限定出一對(duì)孔隙；使天線(xiàn)與所述基底層 相關(guān)聯(lián)，從而使得所述天線(xiàn)的相對(duì)端部終止于所述孔隙；將金屬元 件放置在所述孔隙的每一個(gè)中；將所述天線(xiàn)的所述端部連接到所述 金屬元件；將所述基底層與頂部層和底部層層壓在一起；在所述頂 部層和所述基底層中形成凹部；將連接金屬絲的端部附接到所述金 屬元件；將所述連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊；以及將所 述芯片模塊密封在所述凹部中。
優(yōu)選地，該方法還包括在所述層壓之前，在所述基底層的底面上 設(shè)置第一附加基底層以及第二附加基底層。額外地或可替代地，所述 頂部層包括第一頂部基底層以及第二頂部基底層。額外地，該方法還 包括使所述第二頂部層靠近所述凹部的凹入表面露出，并且其中所述 密封包括在所述芯片模塊的底面上放置粘結(jié)劑；以及將所述芯片模 塊插入到所述凹部中，從而使得所述底面與所述凹入表面相掩^。優(yōu)選地，該方法還包括使所述金屬絲在所述芯片模塊下方折疊。 額外地或可替代地，該方法是自動(dòng)的。
優(yōu)選地，將連M屬絲的端部附接到所述金屬元件包括激光結(jié)合。 額外地或可替代地，所述將所述連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模 塊包括釬焊。
優(yōu)選地，所述金屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲在所述電子接口 卡中的名—目對(duì)端部之間的距離。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，還提供了一種用于制造電子
接口卡的方法，包括形成具有至少一個(gè)層的基底；在所述至少一個(gè) 層中形成天線(xiàn)；在所述至少一個(gè)層中形成凹部；在芯片模塊與所述天 線(xiàn)之間連接金屬絲；以及將所述芯片模塊安裝在所述凹部中。
優(yōu)選地，所述金屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲在所述電子接口 卡中的各相對(duì)端部之間的距離。額外地或可替代地，所述連接金屬絲 包括將所述天線(xiàn)連接到金屬元件以及將所述金屬絲連接到所述金屬元 件。額外地或可替代地，所述安裝包括使所述金屬絲在所述芯片模塊 下方折疊。
優(yōu)選地，該方法是自動(dòng)的。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，還提供了一種電子接口卡， 包括基底；與所述基底相關(guān)聯(lián)的線(xiàn)狀天線(xiàn)；安裝在形成于所述基底 中的凹部中的芯片模塊；以及在所述芯片模塊與所述線(xiàn)狀天線(xiàn)之間提 供電連接的金屬絲。
優(yōu)選地，芯片模塊包括封裝的智能卡芯片。額外地或可替代地， 所述金屬絲在所述凹部中的所述芯片模塊下方折疊。額外地或可替代 地，所述金屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲在所述電子接口卡中的各 相對(duì)端部之間的距離。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，還提供了一種基于電子接口 組件制造電子接口卡的系統(tǒng)，所述電子接口組件包括具有至少 一個(gè)層 的基底、線(xiàn)狀天線(xiàn)以及位于所述至少一個(gè)層中的至少兩個(gè)金屬元件， 所述線(xiàn)狀天線(xiàn)與所述基底相關(guān)聯(lián)并且其端部電聯(lián)接到所述至少兩個(gè)金 屬元件，所述系統(tǒng)包括:層壓機(jī)，所述層壓機(jī)能夠操作以將所述基底層與頂部層和底部層層壓在一起；凹部形成機(jī)，所述凹部形成機(jī)能夠操 作以在所述頂部層和所述基底層中形成凹部；第一金屬絲附接器，所 述第 一金屬絲附接器能夠操作以將連接金屬絲的端部附接到所述金屬 元件；第二金屬絲附接器，所述第二金屬絲附接器能夠操作以將所述 連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊；以及密封機(jī)，所述密封機(jī)能 夠操作以將所述芯片模塊密封在所述凹部中
優(yōu)選地，第一金屬絲附接器是激光結(jié)合金屬絲附接器。額外地或 可替代地，所述第二金屬絲附接器是釬焊金屬絲附接器。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，還提供了一種電子接口組件， 包括具有至少一個(gè)層的基底；位于所述至少一個(gè)層中的至少兩個(gè)金 屬元件；以及線(xiàn)狀天線(xiàn)，所述線(xiàn)狀天線(xiàn)與所述基底相關(guān)聯(lián)并且所述線(xiàn) 狀天線(xiàn)的端部電聯(lián)接到所述至少兩個(gè)金屬元件。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，還提供了一種用于電子接口 組件的制造的方法，包括提供具有至少一個(gè)基底層的基底；使天線(xiàn) 與所述至少一個(gè)基底層相關(guān)聯(lián)；以及將所述天線(xiàn)的相對(duì)端部連接到與 所述基底相關(guān)聯(lián)的金屬元件。
優(yōu)選地，該方法還包括在基底層中限定出一對(duì)孔隙從而使得所 述天線(xiàn)的相對(duì)端部終止于所述孔隙；以及在所述連接之前將所述金屬 元件安置在所述孔隙的每一個(gè)中。額外地或可替代地，該方法還包括 將基底層與頂部層和底部層層壓在一起。額外地，該方法還包括在所 述頂部層和所述基底層中形成凹部；將連接金屬絲的端部附接到所述 金屬元件；將所述連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊；以及將所 述芯片才莫塊密封到所述凹部中。
優(yōu)選地，將連接金屬絲的端部連接到所述金屬元件包括激光結(jié)合。 額外地或可替代地，將所述連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊包 括釬焊。
優(yōu)選地，該方法是自動(dòng)的。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式，還提供了一種電子接口組件， 包括具有至少一個(gè)層的基底；位于所述至少一個(gè)層中的至少兩個(gè)終 端；線(xiàn)狀天線(xiàn)，所述線(xiàn)狀天線(xiàn)與所述基底相關(guān)聯(lián)并且所述線(xiàn)狀天線(xiàn)的 端部電聯(lián)接到所述至少兩個(gè)終端；安裝在形成于所述基底中的凹部中的芯片模塊；以及在所述芯片模塊與所述線(xiàn)狀天線(xiàn)之間提供電連接的 金屬絲，所述金屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲的在所述電子接口組 件中的各相對(duì)端部之間的距離。
優(yōu)選地，芯片模塊包括封裝的智能卡芯片。額外地或可替代地， 金屬絲在所述凹部中的所述芯片模塊下方折疊。


根據(jù)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明將會(huì)得到更加充分 的理解和認(rèn)識(shí)，附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式構(gòu)造以及操作的具有接觸及無(wú) 接觸功能的電子接口卡的簡(jiǎn)圖及截面圖示；
圖2是圖1中的電子接口卡的制造中的初始步驟的筒示；
圖3A和3B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的進(jìn)一步步驟 的簡(jiǎn)圖和截面圖示；
圖4A和4B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的進(jìn)一步步驟 的簡(jiǎn)圖和截面圖示；
圖5A和5B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的進(jìn)一步步驟
的簡(jiǎn)圖和截面圖示；
圖6A和6B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的額外步驟的 簡(jiǎn)圖和截面圖示；
圖7A和7B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的進(jìn)一步額外 步驟的簡(jiǎn)圖和截面圖示；
圖8A和8B分別是圖1的電子接口卡的制造中的進(jìn)一步額外步 驟的簡(jiǎn)圖和截面圖示；
圖9A和9B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的進(jìn)一步附加 步驟的簡(jiǎn)圖和截面圖示；以及
圖10A和10B分別是圖1中的電子接口卡的制造中的最后步驟 的簡(jiǎn)圖和截面圖示。
具體實(shí)施例方式
下面參考圖l,其示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式構(gòu)造及操作的
具有接觸和/或無(wú)接觸功能的電子接口卡100。如圖1所示，電子接 口卡100優(yōu)選具有包括頂部保護(hù)層102及底部保護(hù)層104的多層基 底，所述頂部和底部保護(hù)層典型地由PVC (聚氯乙烯)制成，每個(gè) 典型地厚度為0.05mm?？商娲?，保護(hù)層102和104可由任意其 它適當(dāng)材料制成，其它適當(dāng)材料例如Teslin⑧、PET-G(乙二醇改性 -聚對(duì)苯二曱酸乙二酯)、PET-F (聚對(duì)苯二曱酸乙二酯薄膜)、聚 碳酸酯或ABS。
從兩個(gè)l呆護(hù)層102和104向內(nèi)i殳置的優(yōu)選為原圖層106和108， 典型地由PVC制成，每個(gè)層厚度典型為0.15mm，典型地帶有可以 透過(guò)各保護(hù)層102和104看到的原圖?？商娲兀瓐D層106和108 可由任意其它適當(dāng)材料形成，所述其它適當(dāng)材料例如Teslin⑧、 PET-G (乙二醇改性-聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PET-F (聚對(duì)苯二甲 酸乙二酯薄膜)、聚碳酸酯或ABS?？商娲?，原圖層106和108 可以省去。
從兩個(gè)原圖層106和108向內(nèi)i殳置的優(yōu)選為包括線(xiàn)狀天線(xiàn)112 的鑲嵌部110,該線(xiàn)狀天線(xiàn)112優(yōu)選具有O.lmm的線(xiàn)直徑并且嵌入 在第一鑲嵌層114中，該第一鑲嵌層114典型由PVC制成并且優(yōu)選 厚度為0.15mm。鑲嵌部110還包括第二鑲嵌層116及第三鑲嵌層 118，第二和第三鑲嵌層同樣優(yōu)選由PVC制成，各自厚度分別為 O.lmm和0.15mm?？商娲兀谝?、第二和第三鑲嵌層114、 116 和118可由任意其它適當(dāng)材料形成，所述其它適當(dāng)材料例如 Teslin⑧、PET-G (乙二醇改性—聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)、PET-F (聚 對(duì)苯二甲酸乙二酯薄膜)、聚碳酸酯或ABS。
芯片模塊120安裝在形成于電子接口卡100中的凹部122中。 芯片模塊優(yōu)選地包括封裝的智能卡芯片124,該智能卡芯片124具 有盤(pán)126和觸點(diǎn)陣列128并且厚度優(yōu)選為0.06mm?？商娲?，觸 點(diǎn)128可以省去，并且智能卡芯片124可提供無(wú)接觸功能。
芯片模塊120與嵌入的天線(xiàn)112之間的電連接由金屬絲130提供，其優(yōu)選厚度為0.1mm，該金屬絲130優(yōu)選地在其第一端釬焊到 盤(pán)126并且在其相對(duì)端激光結(jié)合到金屬元件132，該金屬元件132 結(jié)合到線(xiàn)狀天線(xiàn)112的各端。本發(fā)明的獨(dú)特特征在于盤(pán)126與各金 屬元件132之間的金屬絲130的長(zhǎng)度顯著大于在組裝的卡中的盤(pán) 126與金屬元件132之間的距離。這個(gè)特征提供了增強(qiáng)的可靠性。
設(shè)置在觸點(diǎn)陣列128底面周邊的熱融粘結(jié)劑層134通過(guò)與層106 的對(duì)應(yīng)的凹入周邊面向表面136相接合來(lái)將芯片模塊120保持在凹 部122中。
下面參考圖2，該圖為圖1中的電子接口卡的制造中的初始步驟 的簡(jiǎn)示，其中對(duì)層114進(jìn)行沖壓從而限定出一對(duì)孔隙150。如 在圖3A和3B中看到的，天線(xiàn)112例如通過(guò)公知的嵌入技術(shù)而與層 114相關(guān)聯(lián)，典型地采用從美國(guó)紐約的PCK Technology ， Inc. of Islip 公司購(gòu)得的超聲頭。天線(xiàn)112的相對(duì)端部152終止于孔隙150,如 在圖3A和3B中看到的。
可替代地，天線(xiàn)112可以是通過(guò)適當(dāng)印刷技術(shù)而形成在基底114 上的印刷天線(xiàn)，或者可以是通過(guò)任意適當(dāng)附接方法而附接到基底114 的天線(xiàn)。
下面轉(zhuǎn)到圖4A和4B,可以看出粘結(jié)盤(pán)154在孔隙150的對(duì)應(yīng) 邊緣156處安裝到層114。如圖5A和5B所示，金屬元件132放置 在孔隙150中并且在此通過(guò)粘結(jié)盤(pán)154而^皮保持在適當(dāng)位置。優(yōu)選 地，天線(xiàn)112的端部152通過(guò)熱壓結(jié)合或者任意其它適當(dāng)技術(shù)而連 接到金屬元件132。在這個(gè)連接步驟之后，不再需要用粘結(jié)盤(pán)154 將金屬元件132保持在適當(dāng)位置并且盤(pán)154被移除?？梢粤私猓?替代地，粘結(jié)盤(pán)154不需要被移除。
在這個(gè)階段，如在圖6A和6B中看到的，層116和118設(shè)置到 層114的底面上，并且層102、 104、 106和108全部與之層壓在一 起，所得到的層壓結(jié)構(gòu)在圖7A和7B中示出。
下面參考圖8A和8b,可以看出，凹部122形成在層102、 106 和114中，并且金屬元件132以及層106的凹入周邊面向表面136 露出，這優(yōu)選地通過(guò)銑削實(shí)現(xiàn)?？梢粤私猓商娲?，凹部可形成 在卡的相對(duì)表面上。如圖9A和9B所示，細(xì)金屬絲130優(yōu)選通過(guò)激光結(jié)合而附接到金屬元件132。對(duì)金屬絲130進(jìn)行修剪并且優(yōu)選設(shè) 置成大體垂直于層102延伸。
下面轉(zhuǎn)到圖IOA和IOB，可以看出，在將金屬絲130附接到芯 片模塊120的對(duì)應(yīng)盤(pán)126以及將熱融粘結(jié)劑134設(shè)置在陣列128底 面的周邊上之后，將芯片模塊120插入到凹部122中，從而使得陣 列128的周邊以密封方式與層106的凹入周邊面向表面136相接合。 這種插入方法使得金屬絲130在芯片模塊120的下方折疊，如圖1 所示。
可以了解，上面關(guān)于圖l-10B描述的方法優(yōu)選是高度自動(dòng)的。
可以了解，盡管這里描述的所示實(shí)施方式包括基底層102、 104、 106、 108、 114、 116和118，但是電子接口卡100的多層基底可包 括具有任意適當(dāng)厚度的任意適當(dāng)數(shù)量的層。
還可以了解，電子接口卡100的多層基底的各層中的任意層或 全部層可由上面所述任意材料或者任意其它適當(dāng)材料(例如復(fù)合材 料)制成。額外地，電子接口卡100的多層基底的各層不需要由相 同材料制成，并且每個(gè)層可由不同的一種或多種材料制成。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解，本發(fā)明的范圍并不局限于這里特別示 出及描述的內(nèi)容。實(shí)際上，發(fā)明包括上面所述各種特征的組合與子 組合以及其改進(jìn)和變型，所述改進(jìn)和變型是指本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱 讀前面的描述以及附圖之后想到的并且不包括在現(xiàn)有技術(shù)中的方 案。
權(quán)利要求
1.一種用于制造電子接口卡的方法，包括在基底層中限定出一對(duì)孔隙；使天線(xiàn)與所述基底層相關(guān)聯(lián)，從而使得所述天線(xiàn)的相對(duì)端部終止于所述孔隙；將金屬元件放置在所述孔隙的每一個(gè)中；將所述天線(xiàn)的所述端部連接到所述金屬元件；將所述基底層與頂部層和底部層層壓在一起；在所述頂部層和所述基底層中形成凹部；將連接金屬絲的端部附接到所述金屬元件；將所述連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊；以及將所述芯片模塊密封在所述凹部中。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括在所述層壓之前，在所述基底 層的底面上設(shè)置第一附加基底層以及第二附加基底層。
3. 如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其中所述頂部層包括第 一頂部基底層以及第二頂部基底層。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，還包括使所述第二頂部層靠近所述凹 部的凹Aj^面露出，并且其中所述密封包括在所述芯片模塊的底面上放置粘結(jié)劑；以及將所述芯片模塊插入到所述凹部中，從而使得所述底面與所述凹入 表面相M。
5. 如權(quán)利要求l-4中任一項(xiàng)所述的方法，還包括使所述金屬絲在所 述芯片模塊下方折疊。
6. 如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述方法是自動(dòng)的。
7. 如權(quán)利要求l-6中任一項(xiàng)所述的方法，其中將連M屬絲的端部 附接到所述金屬元件包括激光結(jié)合。
8. 如權(quán)利要求l-7中任一項(xiàng)所述的方法，其中將所述連接金屬絲的 相對(duì)端部附接到芯片模塊包括釬焊。
9. 如權(quán)利要求l-8中任一項(xiàng)所述的用于制造電子接口卡的方法，其 中所述金屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲在所述電子接口卡中的各相 對(duì)端部之間的多巨離。
10. —種用于制造電子接口卡的方法，包括 形成具有至少一個(gè)層的基底；在所述至少 一個(gè)層中形成天線(xiàn)； 在所述至少 一個(gè)層中形成凹部； 在芯片模塊與所述天線(xiàn)之間連接金屬絲；以及 將所述芯片模塊安裝在所述凹部中。
11. 如權(quán)利要求10所述的用于制造電子接口卡的方法，其中所述金 屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲在所述電子接口卡中的各相對(duì)端部之 間的多巨離。
12. 如權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的用于制造電子接口卡的方 法，其中所述連M屬絲包括將所述天線(xiàn)連接到金屬元件以及將所述金 屬絲連接到所述金屬元件。
13. 如權(quán)利要求10-12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述安裝包括使 所述金屬絲在所述芯片模塊下方折疊。
14. 如權(quán)利要求10-13中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述方法是自動(dòng)的。
15. —種電子接口卡，包括 基底；與所述基底相關(guān)聯(lián)的線(xiàn)狀天線(xiàn)； 安裝在形成于所述基底中的凹部中的芯片模塊；以及 在所述芯片模塊與所述線(xiàn)狀天線(xiàn)之間提供電連接的金屬絲。
16. 如權(quán)利要求15所述的電子接口卡，其中所述芯片模塊包括封裝 的智能卡芯片。
17. 如權(quán)利要求15或權(quán)利要求16所述的電子接口卡，其中所述金 屬絲在所述凹部中的所述芯片模塊下方折疊。
18. 如權(quán)利要求15-17中任一項(xiàng)所述的電子接口卡，其中所述金屬 絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲在所述電子接口卡中的各相對(duì)端部之間 的距離。
19. 一種基于電子接口組件制造電子接口卡的系統(tǒng)，所述電子接口 組件包括具有至少 一個(gè)層的基底、線(xiàn)狀天線(xiàn)以及位于所述至少 一個(gè)層中 的至少兩個(gè)金屬元件，所述線(xiàn)狀天線(xiàn)與所述基底相關(guān)聯(lián)并且其端部電聯(lián) 接到所述至少兩個(gè)金屬元件，所述系統(tǒng)包括層壓機(jī)，所述層壓機(jī)能夠操作以將所述基底層與頂部層和底部層層壓在一起；凹部形成機(jī)，所述凹部形成機(jī)能夠操作以在所述頂部層和所述^^底 層中形成凹部；第一金屬絲附接器，所述第一金屬絲附接器能夠操作以將連M屬 絲的端部附接到所述金屬元件；第二金屬絲附接器，所述第二金屬絲附接器能夠操作以將所述連接 金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊；以及密封機(jī)，所述密封機(jī)能夠操作以將所述芯片模塊密封在所述凹部中。
20.如權(quán)利要求19所述的用于制造電子接口卡的系統(tǒng)，其中所述第 一金屬絲附接器是激光結(jié)合金屬絲附接器。
21. 如權(quán)利要求19或權(quán)利要求20所述的用于制造電子接口卡的系 統(tǒng)，其中所述第二金屬絲附接器是釬焊金屬絲附接器。
22. —種電子接口組件，包括 具有至少一個(gè)層的基底；位于所述至少一個(gè)層中的至少兩個(gè)金屬元件；以及線(xiàn)狀天線(xiàn)，所述線(xiàn)狀天線(xiàn)與所述基底相關(guān)聯(lián)并且所述線(xiàn)狀天線(xiàn)的端 部電聯(lián)接到所述至少兩個(gè)金屬元件。
23. —種用于制造電子接口組件的方法，包括 提供具有至少一個(gè)基底層的基底； 使天線(xiàn)與所述至少一個(gè)基底層相關(guān)聯(lián)；以及將所述天線(xiàn)的相對(duì)端部連接到與所述基底相關(guān)聯(lián)的金屬元件。
24.如權(quán)利要求23所述的用于制造電子接口組件的方法，還包括在基底層中限定出一對(duì)孔隙從而使得所述天線(xiàn)的相對(duì)端部終止于 所述孔隙；以及在所述連接之前將所述金屬元件安置在所述孔隙的每一個(gè)中。
25.如權(quán)利要求23和24中任一項(xiàng)所述的用于制造電子接口組件的 方法，還包括將所述基底層與頂部層和底部層層壓在一起。
26.如權(quán)利要求25所述的用于制造電子接口組件的方法，還包括: 在所述頂部層和所述基底層中形成凹部； 將連接金屬絲的端部附接到所述金屬元件； 將所述連接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊；以及 將所述芯片才莫塊密封到所述凹部中。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述將連接金屬絲的端部連 接到所述金屬元件包括激光結(jié)合。
28.如權(quán)利要求26或權(quán)利要求27所述的方法，其中所述將所述連 接金屬絲的相對(duì)端部附接到芯片模塊包括釬焊。
29.如權(quán)利要求23-28中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述方法是自動(dòng)的。
30. —種電子接口組件，包括具有至少一個(gè)層的基底；位于所述至少一個(gè)層中的至少兩個(gè)終端；線(xiàn)狀天線(xiàn)，所述線(xiàn)狀天線(xiàn)與所述基底相關(guān)聯(lián)并且所述線(xiàn)狀天線(xiàn)的端部電聯(lián)接到所述至少兩個(gè)終端；安裝在形成于所iL^底中的凹部中的芯片模塊；以及在所述芯片模塊與所述線(xiàn)狀天線(xiàn)之間提供電連接的金屬絲，所述金 屬絲的長(zhǎng)度顯著大于所述金屬絲的在所述電子接口組件中的各相對(duì)端 部之間的距離。
31. 如權(quán)利要求30所述的電子接口組件，其中所述芯片模塊包括 封裝的智能卡芯片。
32. 如權(quán)利要求30或權(quán)利要求31所述的電子接口組件，其中所述 金屬絲在所述凹部中的所述芯片模塊下方折疊。
全文摘要
一種用于制造電子接口卡(100)的方法，包括在基底層(116)中限定出一對(duì)孔隙；使天線(xiàn)(112)與所述基底層(116)相關(guān)聯(lián)，從而使得所述天線(xiàn)(112)的相對(duì)端部終止于所述孔隙；將金屬元件放置在所述孔隙的每一個(gè)中；將所述天線(xiàn)的所述端部連接到所述金屬元件；將所述基底層與頂部層(114)和底部層(118)層壓在一起；在所述頂部層和所述基底層中形成凹部(122)；將連接金屬絲(130)的端部附接到所述金屬元件；將所述連接金屬絲(130)的相對(duì)端部附接到芯片模塊(120)；以及將所述芯片模塊密封在所述凹部(122)中。
文檔編號(hào)G06K19/00GK101689249SQ200780053470
公開(kāi)日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2007年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月24日
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