專利名稱：記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記憶裝置結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是涉及一種記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，電子集成電路技術(shù)與材料進(jìn)步快速，其芯片(芯片即為晶片，以下均稱為芯片)的體積日益縮小，但功能卻日益強(qiáng)大，應(yīng)用的廣泛可謂無(wú)遠(yuǎn)無(wú)屆，因此利用電子集成電路所生產(chǎn)的產(chǎn)品已漸朝向輕薄短小的型態(tài)，舉凡電子辭典、數(shù)位相機(jī)及各種數(shù)位產(chǎn)品等等不勝枚舉。而且，因?yàn)樾酒庋b技術(shù)的日益成熟，市面上已有將單一芯片或多芯片封裝在厚度相當(dāng)薄的卡片中，藉由芯片內(nèi)可儲(chǔ)存大量數(shù)位資料的特性，形成一種比現(xiàn)行磁性記錄媒體的體積更小的可抽換式記憶體。此種電子媒體統(tǒng)稱為記憶卡。
請(qǐng)參閱圖1所示，是一種現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡的結(jié)構(gòu)。臺(tái)灣專利公告號(hào)556908揭露如圖1所示記憶卡100。此記憶卡100主要由一基板110、多個(gè)電子封裝元件120以及一封裝材料130所構(gòu)成。其中，基板110至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)112及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)114，對(duì)外接點(diǎn)112與內(nèi)部接點(diǎn)114經(jīng)由貫孔118而進(jìn)行電性連接。每一貫孔118內(nèi)塞有一填充體116，以避免外界濕氣由貫孔118進(jìn)入，而電子封裝元件120配置于基板110表面并分別與內(nèi)部接點(diǎn)114電性連接。此外，封裝材料130則包覆在整個(gè)基板110之上，以保護(hù)電子封裝元件120及對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)114。
如圖1所示，現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡100的封裝材料130是包覆整個(gè)基板110，由于封裝材料130售價(jià)較高，所以記憶卡100的成本也相對(duì)地提高，再加上每一貫孔118中內(nèi)塞有填充體116，使制程更復(fù)雜，而讓成本又提高許多。因此，如何降低封裝材料130的使用量是值得思考的問(wèn)題。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法在結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。
有鑒于上述現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的記憶卡結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以減少封裝材料的使用量，進(jìn)而降低記憶卡的制造成本，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的記憶卡制造方法存在的缺陷，而提供一種新的記憶卡制造方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可以減少封裝材料的使用量，進(jìn)而降低記憶卡的制造成本，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種記憶卡結(jié)構(gòu)，其包括一基板，至少具有多數(shù)個(gè)對(duì)外接點(diǎn)，及多數(shù)個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，該些對(duì)外接點(diǎn)與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；多數(shù)個(gè)電子封裝元件，配置于該基板表面，并分別與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；一封裝材料，包覆該些電子封裝元件及對(duì)應(yīng)的該些內(nèi)部接點(diǎn)；以及一塑膠成型材料，包覆該封裝材料及該基板，并暴露出該些對(duì)外接點(diǎn)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，包括一安全數(shù)位記憶卡。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的該些電子封裝元件包括記憶體封裝元件。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的該些電子封裝元件包括被動(dòng)元件。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括導(dǎo)線架型封裝。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括球格陣列式封裝。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的該些電子封裝元件是以表面焊接的方式與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的封裝材料包括環(huán)氧樹(shù)脂。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的封裝材料包括聚酰亞胺。
前述的記憶卡結(jié)構(gòu)法，其中所述的塑膠成型材料是選自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂(ABS)所組成的族群。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種記憶卡制造方法，其包括提供一基板，該基板至少具有多數(shù)個(gè)對(duì)外接點(diǎn)及多數(shù)個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，其中該些對(duì)外接點(diǎn)與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；將多數(shù)個(gè)電子封裝元件以表面焊接的方法，分別與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；進(jìn)行一封膠步驟，以一封裝材料包覆該些電子封裝元件與對(duì)應(yīng)的該些內(nèi)部接點(diǎn)；以及進(jìn)行一射出成型步驟，以一塑膠成型材料，包覆該封裝材料及該基板，并暴露出該些對(duì)外接點(diǎn)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的射出成型步驟完成后其外型符合安全數(shù)位記憶卡規(guī)格。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的封膠步驟的方法包括轉(zhuǎn)移鑄模(transfer molding)。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的封膠步驟的方法包括點(diǎn)膠(dispensing)。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的封膠步驟中，該封裝材料所包覆的面積僅涵蓋該基板的部分面積。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的該些電子封裝元件包括記憶體封裝元件。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的該些電子封裝元件包括被動(dòng)元件。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括導(dǎo)線架型封裝。
前述的記憶卡制造方法，其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括球格陣列式封裝。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種記憶卡結(jié)構(gòu)，此記憶卡結(jié)構(gòu)包括一基板、多個(gè)電子封裝元件、一封裝材料以及一塑膠成型材料。其中，基板至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，且對(duì)外接點(diǎn)與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接，而電子封裝元件配置于基板表面，并分別與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。另外，封裝材料包覆電子封裝元件及對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)，而塑膠成型材料則包覆封裝材料及基板，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)。
本發(fā)明的實(shí)施例中，記憶卡結(jié)構(gòu)例如是一安全數(shù)位記憶卡。此外，電子封裝元件可為記憶體封裝元件或被動(dòng)元件，而電子封裝元件的封裝型態(tài)可為導(dǎo)線架型封裝或球格陣列式封裝。另外，電子封裝元件是以表面焊接(Surface Mounted Technology，SMT)的方式與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。
在本發(fā)明的實(shí)施例所述的記憶卡結(jié)構(gòu)中，封裝材料例如為環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺。而且，塑膠成型材料例如是選自由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)或丙烯-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂(ABS)所組成的族群或其他合適的泛用型工程塑膠。
本發(fā)明提出一種記憶卡制造方法，此記憶卡制造方法包括以下所述步驟首先，提供一基板，此基板至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，其中對(duì)外接點(diǎn)與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。再來(lái)，將多個(gè)電子封裝元件以表面焊接的方法，分別與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。之后，進(jìn)行一封膠步驟，以一封裝材料包覆電子封裝元件與對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)。然后，進(jìn)行一射出成型步驟，以一塑膠成型材料，包覆封裝材料及基板，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)。
在本發(fā)明所述的記憶卡制造方法中，射出成型步驟完成后，記憶卡的外型例如是符合安全數(shù)位記憶卡規(guī)格。此外，封膠步驟的方法例如為轉(zhuǎn)移鑄模(transfer molding)或點(diǎn)膠(dispensing)。另外，在封膠步驟中，封裝材料所包覆的面積例如僅涵蓋基板的部分面積。
在本發(fā)明所述的記憶卡制造方法中，電子封裝元件例如為記憶體封裝元件或被動(dòng)元件。此外，電子封裝元件的封裝型態(tài)例如是導(dǎo)線架型封裝或球格陣列式封裝。
本發(fā)明因采用將封裝材料包覆電子封裝元件及對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)，及利用塑膠成型材料包覆封裝材料及基板，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)。因此，本發(fā)明能減少封裝材料的整體使用量，進(jìn)而降低記憶卡的制造成本，同時(shí)增加記憶卡整體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
經(jīng)上述可知，本發(fā)明是關(guān)于一種記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，該記憶卡結(jié)構(gòu)包括一基板、多個(gè)電子封裝元件、一封裝材料以及一塑膠成型材料。記憶卡在制作時(shí)，先提供基板，基板至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)以及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，其中對(duì)外接點(diǎn)與內(nèi)部接點(diǎn)是電性連接。之后，將電子封裝元件以表面焊接的方法，分別與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。接著，以封裝材料包覆電子封裝元件與對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)。然后，以一塑膠成型材料，包覆封裝材料及基板，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)。本發(fā)明的記憶卡結(jié)構(gòu)能減少封裝材料的使用量，進(jìn)而減少生產(chǎn)成本。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)(a)因封裝材料所包覆的面積僅涵蓋基板的部分面積，故可以減少封裝材料的使用量，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
(b)封膠步驟完成后，將塑膠成型材料與其他元件一并射出成型，可提高結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。
(c)電子封裝元件是以表面焊接的方法，分別與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接，因此可有效降低記憶卡的制造成本，并同時(shí)提高記憶卡的良率和可靠度。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的記憶卡結(jié)構(gòu)，可以減少封裝材料的使用量，進(jìn)而降低記憶卡的制造成本。本發(fā)明特殊的記憶卡制造方法，可以減少封裝材料的使用量，進(jìn)而降低記憶卡的制造成本。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品及制造方法中未見(jiàn)有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1繪示一種現(xiàn)有習(xí)知的記憶卡的結(jié)構(gòu)。
圖2繪示為本發(fā)明的一實(shí)施例的記憶卡結(jié)構(gòu)圖。
圖3A～圖3C繪示為圖2的記憶卡的制造方法。
100記憶卡 110基板112對(duì)外接點(diǎn)114內(nèi)部接點(diǎn)116填充體 118貫孔120電子封裝元件130封裝材料200記憶卡 210基板212對(duì)外接點(diǎn)214內(nèi)部接點(diǎn)220電子封裝元件222記憶體封裝元件224被動(dòng)元件230封裝材料240塑膠成型材料具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
圖2繪示為本發(fā)明的一實(shí)施例的記憶卡結(jié)構(gòu)圖。請(qǐng)參閱圖2所示，此記憶卡200主要由一基板210、多個(gè)電子封裝元件220、一封裝材料230以及一塑膠成型材料240所構(gòu)成。其中，基板210至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)212及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)214，對(duì)外接點(diǎn)212與內(nèi)部接點(diǎn)214例如可經(jīng)由基板210上的貫孔(圖中未示)進(jìn)行電性連接。電子封裝元件220配置于基板210表面，并分別與內(nèi)部接點(diǎn)214電性連接，而電子封裝元件220包括記憶體封裝元件222及被動(dòng)元件224。在本實(shí)施例中，電子封裝元件220的封裝型態(tài)可為球格陣列式封裝(Ball Grid Array，BGA)、導(dǎo)線架型封裝(LeadframeType Package，LTP)或其他合適的封裝型態(tài)。
如圖2所示，封裝材料230包覆電子封裝元件220及對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)214，封裝材料230例如為環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺。另外，塑膠成型材料240包覆封裝材料230及基板210，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)212，塑膠成型材料240例如選自由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)或丙烯-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂(ABS)所組成的族群或其他合適的泛用型工程塑膠。
圖3A～圖3C繪示圖2的記憶卡的制造方法。請(qǐng)先參閱圖3A所示，首先提供一基板210，該基板210至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)212及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)214，其中對(duì)外接點(diǎn)212與內(nèi)部接點(diǎn)214電性連接。再來(lái)，請(qǐng)參閱圖3B所示，電子封裝元件220(例如為記憶體封裝元件222或被動(dòng)元件224)以表面焊接(Surface Mounted Technology，SMT)的方法，分別與內(nèi)部接點(diǎn)214電性連接。
接著請(qǐng)參閱圖3C所示，進(jìn)行一封膠步驟，以一封裝材料230包覆電子封裝元件220與對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)214，且封裝材料230所包覆的面積僅涵蓋基板210的部分面積。此封膠步驟的方法包括轉(zhuǎn)移鑄模或點(diǎn)膠。之后，請(qǐng)配合參閱圖2所示，封膠步驟完成后進(jìn)行一射出成型步驟，以一塑膠成型材料240包覆封裝材料230及基板210，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)212。
在射出成型步驟完成后，此記憶卡200的外型例如是符合安全數(shù)位記憶卡(Secure Digital Memory Card)規(guī)格，此規(guī)格是由日本廠商?hào)|芝(Toshiba)及松下(Panasonic)在1997年所共同制訂的。但是，本實(shí)施例的記憶卡200的外型亦可以制作成符合其他種類的規(guī)格，例如CF記憶卡(Compact Flash Memory Card)、MS記憶卡(Memory Stick Card)、MS Duo記憶卡(Memory Stick Duo)、SM記憶卡(SmartMedia Card)、xD記憶卡(xDPicture Card)、MMC記憶卡(Multi Media Card)、RS MMC記憶卡(ReducedSize Multi Media Card)、Mini SD記憶卡(Mini Secure Digital Card)、μ記憶卡(μCard)、RSμ記憶卡(Reduced Size μCard)…等其他類似功能的小型記憶卡。
綜上所述，本發(fā)明的記憶卡采用將封裝材料包覆電子封裝元件及對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)，亦即僅涵蓋基板的部分面積，接著利用射出成型的方法將塑膠成型材料包覆封裝材料及基板，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)。此外，電子封裝元件是以表面焊接的方法，分別與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一基板，至少具有多數(shù)個(gè)對(duì)外接點(diǎn)，及多數(shù)個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，該些對(duì)外接點(diǎn)與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；多數(shù)個(gè)電子封裝元件，配置于該基板表面，并分別與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；一封裝材料，包覆該些電子封裝元件及對(duì)應(yīng)的該些內(nèi)部接點(diǎn)；以及一塑膠成型材料，包覆該封裝材料及該基板，并暴露出該些對(duì)外接點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一安全數(shù)位記憶卡。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件包括記憶體封裝元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件包括被動(dòng)元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括導(dǎo)線架型封裝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括球格陣列式封裝。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件是以表面焊接的方式與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的封裝材料包括環(huán)氧樹(shù)脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的封裝材料包括聚酰亞胺。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶卡結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的塑膠成型材料是選自于由聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)及丙烯-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂(ABS)所組成的族群。
11.一種記憶卡制造方法，其特征在于其包括提供一基板，該基板至少具有多數(shù)個(gè)對(duì)外接點(diǎn)及多數(shù)個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，其中該些對(duì)外接點(diǎn)與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；將多數(shù)個(gè)電子封裝元件以表面焊接的方法，分別與該些內(nèi)部接點(diǎn)電性連接；進(jìn)行一封膠步驟，以一封裝材料包覆該些電子封裝元件與對(duì)應(yīng)的該些內(nèi)部接點(diǎn)；以及進(jìn)行一射出成型步驟，以一塑膠成型材料，包覆該封裝材料以及該基板，并暴露出該些對(duì)外接點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的射出成型步驟完成后其外型符合安全數(shù)位記憶卡規(guī)格。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的封膠步驟的方法包括轉(zhuǎn)移鑄模(transfer molding)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的封膠步驟的方法包括點(diǎn)膠(dispensing)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的封膠步驟中，該封裝材料所包覆的面積僅涵蓋該基板的部分面積。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件包括記憶體封裝元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件包括被動(dòng)元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括導(dǎo)線架型封裝。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的記憶卡制造方法，其特征在于其中所述的該些電子封裝元件的封裝型態(tài)包括球格陣列式封裝。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種記憶卡結(jié)構(gòu)及其制造方法，該記憶卡結(jié)構(gòu)包括一基板、多個(gè)電子封裝元件、一封裝材料以及一塑膠成型材料。記憶卡在制作時(shí)，先提供基板，基板至少具有多個(gè)對(duì)外接點(diǎn)及多個(gè)內(nèi)部接點(diǎn)，其中對(duì)外接點(diǎn)與內(nèi)部接點(diǎn)是電性連接。之后，將電子封裝元件以表面焊接的方法，分別與內(nèi)部接點(diǎn)電性連接。接著，以封裝材料包覆電子封裝元件與對(duì)應(yīng)的內(nèi)部接點(diǎn)。然后，以一塑膠成型材料，包覆封裝材料及基板，并暴露出對(duì)外接點(diǎn)。本發(fā)明的記憶卡結(jié)構(gòu)能減少封裝材料的使用量，進(jìn)而減少生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G06K19/06GK1763769SQ20041008407
公開(kāi)日2006年4月26日 申請(qǐng)日期2004年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者郭正炫, 江明智, 虞正綱, 莊慧娟 申請(qǐng)人:菘凱科技股份有限公司