專利名稱：電路設(shè)計(jì)輔助方法及系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
此發(fā)明涉及一種設(shè)計(jì)支持(design support)技術(shù)，特別是涉及一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)通常會(huì)借重設(shè)計(jì)工具來(lái)輔助設(shè)計(jì)。最常用的設(shè)計(jì)工具包括集成電路暨仿真程序(simulated-program-with-integrated-circuit-emphasis；SPICE)以及高階裝置仿真器(fast device level simulators)，諸如Star-Sim、ATS、MACHTA以及TIMEMILL。通常，設(shè)計(jì)工具使用導(dǎo)線連導(dǎo)線(line-by-line)方式，描述個(gè)別的裝置以及其連接方式。舉例來(lái)說(shuō)，裝置包括電阻、電容、電感、雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor；MOSFET)。于一設(shè)計(jì)工具中，每一條導(dǎo)線通常還含有裝置描述，或被稱為一裝置規(guī)格實(shí)體(device specification instance)。
設(shè)計(jì)工具所產(chǎn)生的netlist通常包含三個(gè)部分電路描述(circuitdescription)、模型(model selection)以及分析(analysis)。于一集成電路，電路描述部分包含每一裝置和局部電路(sub-circuits)的描述，以及裝置間和局部電路間的連接描述。模型部分則包含裝置和局部電路的行為描述。通常，模型部分包括一設(shè)計(jì)庫(kù)，設(shè)計(jì)庫(kù)的內(nèi)容包含模型參數(shù)(modelparameter)、模型參數(shù)值(parameter value)以及模型公式(modelequation)。一般而言，每一種型態(tài)的裝置行為可被至少一模型公式所仿真，而模型公式包含數(shù)個(gè)模型參數(shù)。分析部分通常包括使用電路描述以及模型兩部分的信息，用以仿真裝置、局部電路或電路，例如，一段時(shí)間的電流輸出。
集成電路設(shè)計(jì)的過(guò)程通常分為三個(gè)階段電路圖設(shè)計(jì)(schematicdesign)、電路仿真以及布局圖設(shè)計(jì)(layout design)。通常，設(shè)計(jì)好的電路圖須經(jīng)歷一連串的仿真，并證明其功能可正常工作后，才進(jìn)行布局圖設(shè)計(jì)，反之，則必須修正原先設(shè)計(jì)好的電路圖。在傳統(tǒng)的模擬階段中，通常會(huì)進(jìn)行正常仿真以及邊界仿真(corner simulation)。正常仿真的目的是讓電路圖在正常狀態(tài)下進(jìn)行仿真，檢驗(yàn)電路是否可正常工作。而在電路布局時(shí)由于生產(chǎn)廠商不同，或是因?yàn)闇囟壬祵?duì)組件參數(shù)的影響，傳統(tǒng)的邊界仿真使用成對(duì)的模型參數(shù)來(lái)表示制作的極端狀況，通常以“快/慢(fast/slow)”或“高/低(high/low)”來(lái)表示邊界。此方法可用以易于預(yù)期在當(dāng)某些參數(shù)高于指定值時(shí)，會(huì)讓結(jié)果變更好或變更糟。
由于設(shè)計(jì)者在進(jìn)行電路圖設(shè)計(jì)時(shí)，并不了解其所選擇的裝置類型(device type)在各式各樣的邊界條件下電性參數(shù)的變化情形。因此，所設(shè)計(jì)出來(lái)的電路圖往往無(wú)法通過(guò)邊界仿真，而需要回到電路圖設(shè)計(jì)階段，重新執(zhí)行電路仿真，增加電路設(shè)計(jì)的時(shí)間。因此，需要一個(gè)電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)及方法，用以減少修改設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，縮短電路設(shè)計(jì)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)及方法，用以減少修改設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，縮短電路設(shè)計(jì)時(shí)間。
本發(fā)明披露一種電路設(shè)計(jì)輔助方法，由一處理單元加載并執(zhí)行。首先，取得一個(gè)組件實(shí)體識(shí)別碼。顯示一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面，其包括至少一個(gè)輸入字段，用以輸入相應(yīng)于組件實(shí)體識(shí)別碼的至少一個(gè)制造參數(shù)值。其中的組件實(shí)體識(shí)別碼相應(yīng)于一個(gè)組件類型。將組件類型、制造參數(shù)值、最高案例條件以及最低案例條件帶入一個(gè)仿真模型，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值的變化區(qū)間。最后，將電性數(shù)值的變化區(qū)間顯示于組件規(guī)格畫(huà)面，以提供電路設(shè)計(jì)者再作電路設(shè)計(jì)時(shí)參考。
于較佳的情況下，此方法還包括顯示一個(gè)包含組件實(shí)體識(shí)別碼的電路設(shè)計(jì)圖。
本發(fā)明還披露了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序用以加載至一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中并且使得該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行如上所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法。
本發(fā)明還披露了一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其包括一個(gè)存儲(chǔ)裝置、一個(gè)顯示裝置以及一個(gè)組件規(guī)格處理單元。組件規(guī)格處理單元用以取得一個(gè)組件實(shí)體識(shí)別碼。組件規(guī)格處理單元輸出一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面至顯示裝置，其中包括至少一個(gè)輸入字段，用以輸入相應(yīng)于組件實(shí)體識(shí)別碼的至少一個(gè)制造參數(shù)值。組件實(shí)體識(shí)別碼相應(yīng)于一個(gè)組件類型。組件規(guī)格處理單元由存儲(chǔ)裝置取得一個(gè)仿真模型，將組件類型、制造參數(shù)值、最高案例條件以及最低案例條件帶入仿真模型，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值的變化區(qū)間，并且將電性數(shù)值的變化區(qū)間顯示于組件規(guī)格畫(huà)面。
于較佳的情況下，此系統(tǒng)還包括一個(gè)電路設(shè)計(jì)處理單元，用以輸出一個(gè)電路設(shè)計(jì)圖至顯示裝置，其中包含相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的組件實(shí)體。
于較佳的情況下，電性數(shù)值的變化區(qū)間包括電性數(shù)值的高值、低值以及正常值。而最佳案例條件可為一個(gè)最大電阻值、一個(gè)最大電流值、一個(gè)最大電壓值、一個(gè)最大功率值、一個(gè)最低溫度或以上的任意組合，并且最差案例條件可為一個(gè)最小電阻值、一個(gè)最小電流值、一個(gè)最小電壓值、一個(gè)最小功率值、一個(gè)最高溫度或以上的任意組合。


圖1示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)的硬件架構(gòu)圖。
圖2示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的方法流程圖。
圖3示出了范例的電路設(shè)計(jì)圖。
圖4a、4b示出了范例的組件規(guī)格畫(huà)面。
圖5示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)的系統(tǒng)架構(gòu)圖。
圖6示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的存儲(chǔ)介質(zhì)示意圖。
附圖符號(hào)說(shuō)明10～電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)；11～處理單元；12～存儲(chǔ)器；13～存儲(chǔ)裝置；14～顯示裝置；15～輸入裝置；16～總線；S211、S221、...、S242、S243～流程步驟；31～npn型的雙極性結(jié)型晶體管的組件實(shí)體；40a、40b～組件規(guī)格畫(huà)面；411～組件類型選擇字段；412～發(fā)射極長(zhǎng)度輸入字段；413～發(fā)射極寬度輸入字段；414～按鈕；421～電流增益(current gain)的變化區(qū)間；422～截止頻率(cut-off frequency)的變化區(qū)間；423～電流增益的變化區(qū)間；424～截止頻率的變化區(qū)間；111～電路設(shè)計(jì)處理單元；112～組件規(guī)格處理單元；60～存儲(chǔ)介質(zhì)；620～電路設(shè)計(jì)輔助計(jì)算機(jī)程序；621～顯示電路設(shè)計(jì)圖邏輯；622～取得組件實(shí)體識(shí)別碼邏輯；623～顯示組件規(guī)格畫(huà)面邏輯；624～取得制造參數(shù)值邏輯；625～計(jì)算電性數(shù)值的變化區(qū)間邏輯；626～顯示電性數(shù)值的變化區(qū)間于組件規(guī)格畫(huà)面邏輯。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的目的是提供一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)及方法，用以減少修改設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，縮短電路設(shè)計(jì)時(shí)間。
圖1示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)的硬件架構(gòu)圖。依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)10包括一處理單元11、一存儲(chǔ)器12、一存儲(chǔ)裝置13、一顯示裝置14、一輸入裝置15，并使用總線16將其連結(jié)再一起。除此之外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可將本發(fā)明實(shí)施于其它計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)(configuration)上，例如，手持式設(shè)備(hand-held devices)、多處理器系統(tǒng)、以微處理器為基礎(chǔ)或可程序化的消費(fèi)性電子產(chǎn)品(microprocessor-based or programmable consumer electronics)、網(wǎng)絡(luò)計(jì)算機(jī)、迷你計(jì)算機(jī)、大型主機(jī)以及類似的設(shè)備。處理單元11可包含一單一中央處理單元(central-processing unit；CPU)或者是關(guān)連于平行運(yùn)算環(huán)境(parallel processing environment)的多個(gè)平行處理單元。存儲(chǔ)器12包含只讀存儲(chǔ)器(read only memory；ROM)、閃存(flash ROM)以及/或動(dòng)態(tài)存取存儲(chǔ)器(random aceess memory；RAM)，用以存儲(chǔ)可供處理單元11執(zhí)行的程序模塊。一般而言，程序模塊包含常序(routines)、程序(program)、對(duì)象(object)、組件(component)等，用以執(zhí)行電路設(shè)計(jì)輔助功能。本發(fā)明亦可以實(shí)施于分布式運(yùn)算環(huán)境，其運(yùn)算工作被一連結(jié)于通訊網(wǎng)路的遠(yuǎn)程處理設(shè)備所執(zhí)行。在分布式環(huán)境中，電路設(shè)計(jì)輔助功能的執(zhí)行也許由本地以及多部遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)系統(tǒng)共同完成。存儲(chǔ)裝置13包含硬盤裝置、軟盤裝置、光盤裝置或隨身盤裝置。
存儲(chǔ)裝置13用以存儲(chǔ)組件規(guī)格庫(kù)(device library)以及仿真模型(simulation model)。組件規(guī)格庫(kù)擁有多個(gè)組件類型(device type)的數(shù)據(jù)(data)，例如，npn型的雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor；BJT)的數(shù)據(jù)。仿真模型依據(jù)特定組件類型、制造參數(shù)值、最高案例條件(thehighest condition)以及最低案例條件(the lowest condition)等參數(shù)，計(jì)算出最高電性數(shù)值(the best electrical characteristic value)以及最低電性數(shù)值(the worst electrical characteristic value)。仿真模型為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，并且僅在此簡(jiǎn)略描述。
本實(shí)施例披露一電路設(shè)計(jì)輔助方法，本方法由處理單元11所執(zhí)行。圖2示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的方法流程圖。此方法開(kāi)始于步驟S211，顯示一電路設(shè)計(jì)圖(schematic diagram)。此電路設(shè)計(jì)圖包含多個(gè)組件實(shí)體(device instance)，舉例來(lái)說(shuō)，組件實(shí)體包含電阻、電容、電感、雙極性結(jié)型晶體管(bipolar juinction transistor)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor；MOSFET)或其它。圖3示出了范例的電路設(shè)計(jì)圖。范例電路設(shè)計(jì)圖中包含一個(gè)npn型的雙極性結(jié)型晶體管的組件實(shí)體31。如步驟S221，接收相應(yīng)于電路設(shè)計(jì)圖中的一個(gè)組件實(shí)體的識(shí)別碼。
如步驟S231，顯示一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面(device specification screen)。組件規(guī)格輸入畫(huà)面包括相應(yīng)于組件實(shí)體識(shí)別碼的制造參數(shù)值(deviceprocess parameter value)的輸入字段，用以讓使用者挑選一個(gè)組件類型以及輸入制造參數(shù)值，諸如發(fā)射極長(zhǎng)度值(emitter length value)、發(fā)射極寬度值(emitter width value)或其它相似的參數(shù)值。圖4a以及圖4b示出了范例的組件規(guī)格畫(huà)面。參考圖4a，組件規(guī)格畫(huà)面40a包括一個(gè)組件類型選擇字段411、一個(gè)發(fā)射極長(zhǎng)度輸入字段412、一個(gè)發(fā)射極寬度輸入字段413以及一個(gè)按鈕414。如步驟S241，通過(guò)組件規(guī)格畫(huà)面接收制造參數(shù)值。如步驟S242，使用一仿真模型，在給定接收到的組件類型、制造參數(shù)值、一個(gè)最高案例條件(例如最大電阻值、最大電流值、最大電壓值、最大功率值、最高溫度或上述的任意組合)以及一個(gè)最低案例條件(例如最小電阻值、最小電流值、最小電壓值、最小功率值、最低溫度或上述的任意組合)，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值(例如電流增益、截止頻率或其它)的變化區(qū)間。如步驟S243，將電性數(shù)值(例如電流增益、截止頻率或其它)的變化區(qū)間顯示于組件規(guī)格畫(huà)面。參考圖4b，組件規(guī)格畫(huà)面40b包含考慮制程條件下的電流增益(currentgain)的變化區(qū)間421以及截止頻率(cut-off frequency)的變化區(qū)間422，以及考慮溫度條件下的電流增益(current gain)的變化區(qū)間423以及截止頻率(cut-off frequency)的變化區(qū)間424。
依據(jù)上述目的，本發(fā)明還披露一個(gè)電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，本系統(tǒng)被處理單元11所加載并執(zhí)行。圖5示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)的系統(tǒng)架構(gòu)圖。此電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)包括一個(gè)電路設(shè)計(jì)處理單元111以及一個(gè)組件規(guī)格處理單元112。
電路設(shè)計(jì)處理單元111用以輸出一個(gè)電路設(shè)計(jì)圖(schematic diagram)至顯示裝置14。此電路設(shè)計(jì)圖包含多個(gè)組件實(shí)體(device instance)，舉例來(lái)說(shuō)，組件實(shí)體包含電阻、電容、電感、雙極性半結(jié)型晶體管(bipolarjunction transistor)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(metal oxidesemiconductor field effect transistor；MOSFET)或其它。
組件規(guī)格處理單元112用以通過(guò)輸入裝置15，接收相應(yīng)于電路設(shè)計(jì)圖中的一組件實(shí)體的識(shí)別碼。組件規(guī)格處理單元112輸出一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面至顯示裝置14，組件規(guī)格輸入畫(huà)面包括相應(yīng)于組件實(shí)體識(shí)別碼的制造參數(shù)值(device process parameter value)的輸入字段，用以讓使用者挑選一個(gè)組件類型以及輸入制造參數(shù)值，諸如發(fā)射極長(zhǎng)度值(emitter length value)、發(fā)射極寬度值(emitter width value)或其它相似的參數(shù)值。組件規(guī)格處理單元112由輸入裝置15接收相應(yīng)于組件規(guī)格畫(huà)面中的制造參數(shù)值，并且由存儲(chǔ)裝置13接收一個(gè)仿真模型。組件規(guī)格處理單元112使用仿真模型，在給定制造參數(shù)值、一個(gè)最佳案例條件(例如最佳制程條件、最低溫度或其它)以及一個(gè)最差案例條件(例如最最差制程條件、最高溫度或其它)，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值(例如電流增益、截止頻率或其它)的變化區(qū)間。組件規(guī)格處理單元112將電性數(shù)值(例如電流增益、截止頻率或其它)的變化區(qū)間，顯示于組件規(guī)格畫(huà)面。
再者，本發(fā)明提出一種存儲(chǔ)介質(zhì)，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序，上述計(jì)算機(jī)程序用以實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)輔助方法，此方法會(huì)執(zhí)行如上所述的步驟。
圖6示出了依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路設(shè)計(jì)輔助方法的存儲(chǔ)介質(zhì)示意圖。此存儲(chǔ)介質(zhì)60，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序620，其計(jì)算機(jī)程序包含六個(gè)邏輯，分別為顯示電路設(shè)計(jì)圖邏輯621、取得組件實(shí)體識(shí)別碼邏輯622、顯示組件規(guī)格畫(huà)面邏輯623、取得制造參數(shù)值邏輯624、計(jì)算電性數(shù)值的變化區(qū)間邏輯625以及顯示電性數(shù)值的變化區(qū)間于組件規(guī)格畫(huà)面邏輯626。
雖然本發(fā)明的實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可做若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電路設(shè)計(jì)輔助方法，被一處理單元加載并執(zhí)行，其方法包括下列步驟取得一個(gè)組件實(shí)體識(shí)別碼；顯示一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面，上述組件規(guī)格畫(huà)面包括至少一個(gè)輸入字段，上述輸入字段用以輸入相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的至少一個(gè)制造參數(shù)值，上述組件實(shí)體識(shí)別碼相應(yīng)于一個(gè)組件類型；將上述組件類型、上述制造參數(shù)值、一個(gè)最高案例條件以及一個(gè)最低案例條件帶入一個(gè)仿真模型，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值的變化區(qū)間；以及將上述電性數(shù)值的變化區(qū)間顯示于上述組件規(guī)格畫(huà)面。
2.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，還包括一步驟，顯示一個(gè)電路設(shè)計(jì)圖，上述電路設(shè)計(jì)圖包含相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的組件實(shí)體。
3.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間包括上述電性數(shù)值的高值以及上述電性數(shù)值的低值。
4.如權(quán)利要求3所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間還包括上述電性數(shù)值的正常值。
5.如權(quán)利要求1所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述最佳案例條件為一個(gè)最大電阻值、一個(gè)最大電流值、一個(gè)最大電壓值、一個(gè)最大功率值、一個(gè)最低溫度或以上的任意組合，其中上述最差案例條件為一個(gè)最小電阻值、一個(gè)最小電流值、一個(gè)最小電壓值、一個(gè)最小功率值、一個(gè)最高溫度或以上的任意組合。
6.如權(quán)利要求5所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，還包括一步驟，顯示一個(gè)電路設(shè)計(jì)圖，上述電路設(shè)計(jì)圖包含相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的組件實(shí)體。
7.如權(quán)利要求6所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間包括上述電性數(shù)值的高值以及上述電性數(shù)值的低值。
8.如權(quán)利要求7所述的電路設(shè)計(jì)輔助方法，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間還包括上述電性數(shù)值的正常值。
9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，用以存儲(chǔ)一計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序用以加載至一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中并且使得該計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行一電路設(shè)計(jì)輔助方法，其方法包括下列步驟取得一個(gè)組件實(shí)體識(shí)別碼；顯示一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面，上述組件規(guī)格畫(huà)面包括至少一個(gè)輸入字段，上述輸入字段用以輸入相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的至少一個(gè)制造參數(shù)值，上述組件實(shí)體識(shí)別碼相應(yīng)于一個(gè)組件類型；將上述組件類型、上述制造參數(shù)值、一個(gè)最高案例條件以及一個(gè)最低案例條件帶入一個(gè)仿真模型，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值的變化區(qū)間；以及將上述電性數(shù)值的變化區(qū)間顯示于上述組件規(guī)格畫(huà)面。
10.一種電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其包括一個(gè)存儲(chǔ)裝置；一個(gè)顯示裝置；以及一個(gè)組件規(guī)格處理單元，用以取得一個(gè)組件實(shí)體識(shí)別碼，輸出一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面至上述顯示裝置，上述組件規(guī)格畫(huà)面包括至少一個(gè)輸入字段，上述輸入字段用以輸入相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的至少一個(gè)制造參數(shù)值，上述組件實(shí)體識(shí)別碼相應(yīng)于一個(gè)組件類型，上述組件規(guī)格處理單元由上述存儲(chǔ)裝置取得一個(gè)仿真模型，將上述組件類型、上述制造參數(shù)值、一個(gè)最高案例條件以及一個(gè)最低案例條件帶入上述仿真模型，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值的變化區(qū)間，將上述電性數(shù)值的變化區(qū)間顯示于上述組件規(guī)格畫(huà)面。
11.如權(quán)利要求10所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，還包括一個(gè)電路設(shè)計(jì)處理單元，用以輸出一個(gè)電路設(shè)計(jì)圖至上述顯示裝置，上述電路設(shè)計(jì)圖包含相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的組件實(shí)體。
12.如權(quán)利要求10所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間包括上述電性數(shù)值的高值以及上述電性數(shù)值的低值。
13.如權(quán)利要求12所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間還包括上述電性數(shù)值的正常值。
14.如權(quán)利要求10所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述最佳案例條件為一個(gè)最大電阻值、一個(gè)最大電流值、一個(gè)最大電壓值、一個(gè)最大功率值、一個(gè)最低溫度或以上的任意組合，其中上述最差案例條件為一個(gè)最小電阻值、一個(gè)最小電流值、一個(gè)最小電壓值、一個(gè)最小功率值、一個(gè)最高溫度或以上的任意組合。
15.如權(quán)利要求14所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，還包括一個(gè)電路設(shè)計(jì)處理單元，用以輸出一個(gè)電路設(shè)計(jì)圖至上述顯示裝置，上述電路設(shè)計(jì)圖包含相應(yīng)于上述組件實(shí)體識(shí)別碼的組件實(shí)體。
16.如權(quán)利要求15所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間包括上述電性數(shù)值的高值以及上述電性數(shù)值的低值。
17.如權(quán)利要求16所述的電路設(shè)計(jì)輔助系統(tǒng)，其中上述電性數(shù)值的變化區(qū)間還包括上述電性數(shù)值的正常值。
全文摘要
一種電路設(shè)計(jì)輔助方法，由一處理單元加載并執(zhí)行。首先，取得一個(gè)組件實(shí)體識(shí)別碼。顯示一個(gè)組件規(guī)格畫(huà)面，其包括至少一個(gè)輸入字段，用以輸入相應(yīng)于組件實(shí)體識(shí)別碼的至少一個(gè)制造參數(shù)值。其中的組件實(shí)體識(shí)別碼相應(yīng)于一個(gè)組件類型。將組件類型、制造參數(shù)值、最高案例條件以及最低案例條件帶入一個(gè)仿真模型，計(jì)算出至少一個(gè)電性數(shù)值的變化區(qū)間。最后，將電性數(shù)值的變化區(qū)間顯示于組件規(guī)格畫(huà)面。
文檔編號(hào)G06F17/50GK1746895SQ200410077058
公開(kāi)日2006年3月15日 申請(qǐng)日期2004年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月10日
發(fā)明者張心蘭, 陳升佑 申請(qǐng)人:絡(luò)達(dá)科技股份有限公司