專利名稱：形成于其上形成多數(shù)載體組件條帶或面板之不導(dǎo)電基板的制作方法
載體組件系為如EP 0 671 705 A2之第八、九圖所示之基板所裁切而得，在該出版品中之該載體組件系意欲于并入藉一些接觸窗而進(jìn)行接觸以及藉天線線圈，舉例而言，藉由變壓器耦接，而不需要接觸的芯片中。而芯片之載體組件系用以機(jī)械性地保證半導(dǎo)體芯片之安全并亦具有芯片之電結(jié)合(bonding)所需要之接觸面積，他們可用于僅具有接觸型態(tài)之芯片中，所以對(duì)于半導(dǎo)體芯片之存取僅在經(jīng)由接觸面積時(shí)為可能，也可用于已知之組合卡(combined cards)中，其中系藉由在卡中及/或在載體或半導(dǎo)體芯片上之導(dǎo)體回路而使額外地非接觸存取成為可能。為了這個(gè)目的，導(dǎo)體回路系連接至半導(dǎo)體芯片之線圈終端。
載體組件經(jīng)常都不是個(gè)別加以產(chǎn)生，而是在以非導(dǎo)電材質(zhì)所制成之長條帶或大面積之面板上大量地加以產(chǎn)生，此條帶(下稱基板)或面板系額外地進(jìn)行構(gòu)型，舉例而言，藉由蝕刻，因此個(gè)別載體組件之接觸面積系可以形成。所有的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在一開始仍然藉由窄帶(narrowlines)而以電導(dǎo)通之方式連接至彼此，以使表面經(jīng)歷電鍍處理。
半導(dǎo)體芯片系依附于基板與接觸面積相對(duì)之一側(cè)，并藉由透過圖案(cutouts)而形成之結(jié)合線而電連接至接觸面積，而在半導(dǎo)體芯片仍在條帶或面板中時(shí)所舉行之功能性測(cè)試之前，窄帶系藉由穿孔(punch)而成形，因此接觸面系彼此電隔離。
在EP 0 671 705 A2之載體組件的例子中，半導(dǎo)體芯片以及接觸面積間之電接觸系藉由線接觸(接合線)而加以實(shí)現(xiàn)，當(dāng)芯片卡藉由郵寄而遞送時(shí)，其系以字母分類設(shè)備(letter sorting installation)而加以運(yùn)送及分類，所以在此程序中，位于芯片卡中之載體組件系承受由在字母分類設(shè)備中方向改變所造成之高程度機(jī)械彎曲壓力。再者，由于高生產(chǎn)率，經(jīng)由通常具有大約40mm直徑之移動(dòng)式滾筒產(chǎn)生之經(jīng)常性方向改變，以及字母分類設(shè)備的其它設(shè)計(jì)特征，所以載體組件亦承受非常高之動(dòng)能力(kinetic force)。
而在個(gè)別例子中，所發(fā)生之力則可能會(huì)在芯片卡通過字母分類設(shè)備時(shí)被引入受損之半導(dǎo)體芯片或線連接，因此習(xí)慣上是藉由增加半導(dǎo)體芯片及線連接之面積之模塊彎曲阻抗以中和所發(fā)生的力。而為了避免傷害半導(dǎo)體芯片，DE 298 28 829 U1提出了在真正之半導(dǎo)體面積外之芯片卡上施加面積覆蓋涂層(area-covering coating)，以避免將字母分類設(shè)備之運(yùn)送滾筒之彈性施壓壓力傳遞至芯片面積之上。
二者擇一地，習(xí)知技術(shù)亦有使用具有高彈力模數(shù)(high modulus ofelasticity)之硬覆蓋組成(hard covering compositions)，以環(huán)繞于在載體組件之半導(dǎo)體芯片以及線連接的周圍。而為了增加模塊彎曲阻抗以中和在半導(dǎo)體芯片及線面積所發(fā)生之力，亦可以使用已知之熱熔性膠黏劑。膠黏劑之彈性特質(zhì)可以有效地支持上述之手段，而且其更可藉由三明治式的結(jié)構(gòu)而更進(jìn)一步地加強(qiáng)。另一種手段是，導(dǎo)入預(yù)先決定之彎曲點(diǎn)以及抵抗導(dǎo)入半導(dǎo)體芯片及線連接面積之力的障礙物(barriers)，而在預(yù)定之彎曲點(diǎn)，載體組件會(huì)彎曲，因而避免在線連接之撕裂或半導(dǎo)體芯片之破裂。
因此本案之目的系在于提供一載體組件，其系產(chǎn)生于一基板上并可提供良好機(jī)械穩(wěn)定度，特別是在該載體組件上有彎曲之負(fù)荷的情況下。而形成于一非導(dǎo)電條帶或面板上之該載體組件系同時(shí)具有高體積制程之的最佳布局構(gòu)型。
此目的藉由根據(jù)申請(qǐng)專利范圍第一項(xiàng)之內(nèi)容而達(dá)成，其系為一種形成為一條帶(strip)或一面板(panel)并有多數(shù)載體組件形成于其上之非導(dǎo)電性基板，其系意欲于，特別是，被并入一芯片卡中并且藉由一邊界線而加以形成，其中該基板系具有一接觸側(cè)以及與該接觸側(cè)位置相對(duì)之一插入側(cè)，該插入側(cè)系提供有一導(dǎo)電插入金屬側(cè)，而該插入金屬側(cè)系以一電連接可藉由該插入金屬側(cè)以及稍后將被施加至該插入側(cè)之一集成電路之接觸點(diǎn)間之覆晶結(jié)合(flip-chip bonding)而發(fā)生之方式而加以形成。
本案系使得無接觸之芯片模塊(contactless chip module)成為可能，而可承受機(jī)械負(fù)荷。事實(shí)僅是，已知之覆晶結(jié)合(flip-chipbonding)系藉由結(jié)合線(bonding wires)大量地增加一載體組件之機(jī)械負(fù)荷承受能力以及因此增加穩(wěn)定度，而用以取代習(xí)慣上使用之在集成電路(半導(dǎo)體芯片)以及插入金屬側(cè)間之電連接，另外，在生產(chǎn)期間之產(chǎn)率亦有重大的增加，因?yàn)楫?dāng)集成電路系施加至該基板之插入側(cè)時(shí)，所有的電連接已經(jīng)可以在一個(gè)且相同之時(shí)間加以建立。另一方面，在習(xí)知藉由結(jié)合線而電連接之例子中，每一個(gè)結(jié)合線系必須藉由線結(jié)合機(jī)器而分開地加以產(chǎn)生。因?yàn)樘峁┰诓迦虢饘賯?cè)以及集成電路之接觸點(diǎn)間之焊接塊系可以在彎曲負(fù)荷出現(xiàn)時(shí)提供彈性補(bǔ)償，所以覆晶結(jié)合在機(jī)械上亦較線連接更為穩(wěn)定。
在每條邊界線的范圍內(nèi)，該插入金屬側(cè)系具有復(fù)數(shù)接觸組件，其系至少部分提供作為與該集成電路之覆晶接觸結(jié)合之用，換言之，這就表示，在一構(gòu)型中，每個(gè)接觸組件可被配置于集成電路之一接觸點(diǎn)，然而，在該處亦較佳地可以是與集成電路之接觸點(diǎn)沒有電連接之接觸組件，這則使得該機(jī)底可以藉由這些接觸組件而機(jī)械上地被穩(wěn)定。在模塊彎曲阻抗的增加系藉由沒有接觸之接觸組件而加以達(dá)成。
若一接觸金屬側(cè)系相反地被停工于該基板之接觸測(cè)上，則可以實(shí)現(xiàn)純接觸型態(tài)或混合之芯片模式，其亦可經(jīng)由該插入金屬側(cè)而連接至一芯片卡的天線線圈。
其較佳地是，該接觸金屬側(cè)系在每條邊界線范圍內(nèi)包含復(fù)數(shù)彼此電隔離之接觸面積。其中，較佳之構(gòu)型是該接觸金屬側(cè)之該接觸面積形成為ISO接觸面積。
該接觸金屬側(cè)之該接觸面積系具有至少部分與該插入金屬側(cè)之該接觸組件之一電連接，藉此，信號(hào)路徑系產(chǎn)生于外部可接近之接觸面積以及該集成電路之間。該電連接系較佳地在每個(gè)例子中藉由穿透該基板之電路穿透孔而加以建立。
在此，該電鍍穿透孔無法形成在任何所需接觸面積或接觸組件的點(diǎn)，這是因?yàn)橐?guī)定之ISO標(biāo)準(zhǔn)必須遵守，并且，其規(guī)定一清楚定義之區(qū)域必須要保持凈空。結(jié)果使得電鍍穿透孔之位置受限。因此，該電鍍穿透孔較佳地系在每個(gè)例子中被配置于并非打算與一外接讀取器(ISO區(qū)域)結(jié)合之該接觸金屬側(cè)之一電鍍穿透區(qū)域。
在一較佳之構(gòu)型中，該接觸金屬側(cè)系在每條邊界線之范圍內(nèi)具有在稍后施加之該集成電路區(qū)域中引起一已增加之阻抗力矩的區(qū)域。這些區(qū)域較佳地是以區(qū)域覆蓋(area-covering)的形式并且至少部分延伸覆蓋該集成電路之一側(cè)邊緣的長度。而該引起一已增加之阻抗力矩之該區(qū)域系用于在載體組件之范圍內(nèi)定義預(yù)定之彎曲線的目的，而在此例子中之該預(yù)定之彎曲線系超過該集成電路所配置之區(qū)域之外側(cè)。該預(yù)定之彎曲線系較佳地進(jìn)行延伸而與該集成電路之側(cè)邊緣平行。
為了定義這些預(yù)定之彎曲線，具有一已增加之阻抗力矩之該區(qū)域系橫跨形成在該接觸金屬側(cè)之彼此位置相對(duì)的接觸面積間之一對(duì)稱線。
位于該邊界線范圍內(nèi)之該插入金屬側(cè)之該接觸組件系較佳地以相互連接之形式而制成，而該相互連接系分別具有一第一端以及一第二端。根據(jù)本案，該相互連接之該第一端系與該電路穿透孔的其中之一重疊，并與其電性連接。而另一方面，該第二端系具有用于與該集成電路之一接觸點(diǎn)進(jìn)行電結(jié)合之一第一接觸面積。
在一具有優(yōu)勢(shì)的構(gòu)型中，至少一些該相互連接系具有至少一另一接觸面積，以直接、或經(jīng)由連接至該第一接觸面積之該相互連接之部分而與該相互連接之該第一接觸面積進(jìn)行電性接觸，或是經(jīng)由一相互連接分支而與該相互連接進(jìn)行電性接觸，該另一接觸面積系分別提供作為與該集成電路之一接觸點(diǎn)進(jìn)行電性結(jié)合之用。該插入金屬側(cè)之一接觸組件，較佳地是形成為一相互連接，因此可以在該第二端之鄰近區(qū)域或之中具有多于一個(gè)之接觸面積，然而，通常盡這些接觸面積的其中之一與該集成電路之接觸點(diǎn)相連接。
提供多個(gè)接觸面積則使得可以考慮集成電路的不同接觸點(diǎn)布局，而這使得在后勤(logistics)或儲(chǔ)存之消耗支出可以維持在低的程度，因?yàn)樵瓌t上盡需要一個(gè)基板被提供以連接不同之集成電路。接觸組件之兩個(gè)或更多之接觸面積系在此例子中系直接被放置為彼此接近，也就是說，彼此合并，并因此形成一較大表面積之接觸面積。然而，該接觸面積亦可以彼此間以空間相隔，并藉由相互連接部分或相互連接分支，亦即，相互連接之分岔，而彼此電連接。
一更進(jìn)一步之發(fā)展系加以提供，該插入金屬側(cè)之一接觸組件之該接觸面積以及該另一接觸面積系以其在該集成電路被施加時(shí)作為控制標(biāo)記之方式而加以設(shè)計(jì)，其中該接觸面積系稍微突出該集成電路之側(cè)邊緣。這則使得將集成電路之正確性記錄能迅速地以視覺檢查，因?yàn)橐弧边m當(dāng)之”放置操作時(shí)，一接觸組件之部分接觸面積總是超過集成電路之側(cè)邊緣，該接觸面積系因此變得較實(shí)際需要的大。該較大之接觸面積則額外地同時(shí)在放置操作期間增加集成電路之接觸點(diǎn)的”擊中面積(hit area)”，在不可能有這些接觸面積擴(kuò)大的點(diǎn)，在接觸組件之接觸面積之外，其它金屬結(jié)構(gòu)亦可以被引入其中。
一更進(jìn)一步之發(fā)展系提供有接觸組件之至少一些該相互連接，以作為增加該基板之彎曲剛性。將該接觸組件形成作為相互連接系首先具有一開始僅在定義該載體組件之邊界線范圍內(nèi)之小部分表面積系加以金屬化之效果，在該載體組件之該插入側(cè)上之金屬化面積越大，則該載體組件在彎曲關(guān)系(flexural terms)中變的更為堅(jiān)硬。結(jié)果，藉由此構(gòu)型則可以確保以金屬化而有較大或較小之兩側(cè)范圍的基板。以此法形成之一載體組件之剛性則亦可以藉由插入金屬側(cè)或接觸金屬側(cè)的厚度而受到控制。該面積金屬覆蓋在此例子中系較佳地形成于一載體組件之個(gè)別邊界線范圍內(nèi)。
為了避免短路，連接至該插入金屬側(cè)之相互連接之該面積金屬覆蓋系提供于稍后將被施加之該集成電路之外側(cè)區(qū)域。
于其上形成有載體組件之基板在生產(chǎn)期間通常具有指示孔，該指示孔系被在該插入側(cè)及/或該接觸側(cè)上之金屬所包圍。這則使得在生產(chǎn)期間對(duì)基板之掌握可以獲得改善。
在一具優(yōu)勢(shì)的構(gòu)型中，該基板系另外提供有放置機(jī)械之定位的調(diào)整標(biāo)記，該調(diào)整標(biāo)記系構(gòu)成該插入金屬側(cè)及/或該接觸金屬側(cè)之部分，并較佳地位于個(gè)別邊界線的外側(cè)區(qū)域。該調(diào)整標(biāo)記亦可以連接至在個(gè)別邊界線范圍內(nèi)之接觸面積金屬之接觸面積。
為了更增加機(jī)底之剛性，并因此有更好之掌握度，該基板系位于構(gòu)成該插入金屬側(cè)及/或該接觸金屬側(cè)之部分之相鄰的載體組件橫向網(wǎng)狀組織之間。
在一更進(jìn)一步具有優(yōu)勢(shì)的構(gòu)型中，在稍后將被施加之集成電路之區(qū)域中，該插入金屬側(cè)系包括確保該集成電路以及該基板之該插入側(cè)間之平面平行(plane-parallelism)之間隙。這些間隙，其同樣的可以是但不一定要是該插入金屬側(cè)之部分，系于該載體組件被施加時(shí)可停止該集成電路。這同樣有利于正如已知之”未填滿(underfill)”之應(yīng)用。在填滿通常發(fā)生在壓力下之該未填滿的期間，彎曲因此可以被避免。
在一另一構(gòu)型中，一韌化框架(stiffening frame)系配置于該基板之該插入側(cè)之上，并且圍繞稍后將被該集成電路施加之區(qū)域。該韌化框架系較佳地為該插入金屬側(cè)之部分，而此框架在穿越或重疊之該插入金屬側(cè)之接觸組件的區(qū)域中，系具有中斷，以避免短路。然而，該韌化框架亦可以包括一非導(dǎo)電性材料，并完全圍繞稍后將被該集成電路施加之區(qū)域。
基板通常包括一環(huán)氧載體條帶，其具有110μm之厚度，并且在其上系施加有膠黏劑，而該金屬系施加于頂面。藉由在兩側(cè)之金屬，基板變的非常堅(jiān)硬，但亦相對(duì)地非常昂貴，因此，該基板較佳地包括PEN、PET、PI或紙，而其系根據(jù)前述之構(gòu)型而加以金屬化并作為電鍍穿透孔之用。當(dāng)使用前述材料其中之一時(shí)，該插入金屬側(cè)以及該接觸金屬側(cè)則不需要由薄片組成，但相反地可以成長增加之方式。這則可以省掉膠黏劑并使得金屬更薄。藉由成長增加制程(growing-on process)所產(chǎn)生之接觸側(cè)以及插入金屬側(cè)系可以獲得少于5μm之厚度，該基板具有上述材料其中之一于其上之厚度系大約為50至125μm。然而，無庸置疑地，其它的厚度亦可行，只要對(duì)掌控而言是有利的。對(duì)于環(huán)氧載體積底之取代大體上可以獲得一更薄之載體組件。
藉由其它材料而取代該環(huán)氧基板系僅藉由覆晶結(jié)合才有可能達(dá)成，因此在此例子中，最大制程溫度大約發(fā)生在140℃，反之，在習(xí)知藉由結(jié)合線而電連接之芯片模塊之例子中，溫度約發(fā)生在230℃，因此僅有使用覆晶技術(shù)才能利用更先進(jìn)且成本較少之材料，此系具有很大之意義，尤其是對(duì)高體積生產(chǎn)制程而言。
本發(fā)明系藉由附圖
之幫助而于之后以數(shù)較佳實(shí)施例為基礎(chǔ)而更詳細(xì)地加以解釋，其中第1圖其系顯示根據(jù)本案第一實(shí)施例之基板條帶之詳細(xì)接觸側(cè)示意圖；第2圖其系顯示根據(jù)本案第一實(shí)施例之基板條帶之詳細(xì)插入側(cè)示意圖；第3圖其系顯示根據(jù)本案第二實(shí)施例之基板條帶之詳細(xì)接觸側(cè)示意圖；第4圖其系顯示根據(jù)本案第二實(shí)施例之基板條帶之詳細(xì)插入側(cè)示意圖；第5圖其系顯示根據(jù)本案第二實(shí)施例之載體組件之接觸側(cè)的更詳細(xì)圖式；第6圖其系顯示根據(jù)本案第二實(shí)施例之載體組件之插入側(cè)的更詳細(xì)圖式；第7圖其系顯示根據(jù)本案第三實(shí)施例之基板條帶之詳細(xì)接觸側(cè)示意圖；第8圖其系顯示根據(jù)本案第三實(shí)施例之基板條帶之詳細(xì)插入側(cè)示意圖；第9圖其系顯示根據(jù)本案第三實(shí)施例之載體組件之接觸側(cè)的更詳細(xì)圖式；以及第10圖其系顯示根據(jù)本案第三實(shí)施例之載體組件之插入側(cè)的更詳細(xì)圖式。
第1圖系詳細(xì)顯示一條帶1，并且有四個(gè)載體組件成對(duì)的形成于其上，然而，亦可以在該條帶1上配置多于兩個(gè)之彼此相鄰之載體組件11。該條帶1系包含一非導(dǎo)電基板10，其系可使用，舉例而言，玻璃纖維強(qiáng)化環(huán)氧樹酯(glass-fibre-reinforced epoxy resin)、PEN、PET、PI或紙，做為材料，而使用后者材料之優(yōu)點(diǎn)是，其厚度比起環(huán)氧樹酯減少了一半。
該基板10在沿著兩端處系具有指示孔16，而該指示孔16系可藉由結(jié)合于其中之驅(qū)動(dòng)器而更進(jìn)一步之運(yùn)送之作，舉例而言，在集成電路配置于該條帶之上的期間，每一個(gè)載體組件之輪廓系分別藉由虛線之邊界線12而指示出來。一旦于其上之構(gòu)件配置完成之后，該載體組件會(huì)因被進(jìn)行穿孔而脫離該條帶或以其它方法而被切下，沿著該些邊界線12。
本案之第1圖系顯示該基板10之接觸側(cè)。該非導(dǎo)電基板10系被制成薄片，舉例而言，以金屬箔的方式，較佳地是銅箔。藉由接續(xù)之蝕刻，此金屬箔會(huì)被進(jìn)行構(gòu)型，因此在邊界線12范圍內(nèi)之接觸面積31以及位于載體組件之邊界線12外之另外的接觸區(qū)會(huì)加以產(chǎn)生，接觸區(qū)31以及另外的接觸區(qū)系皆以已知之窄帶(narrow line)之方式而連接至彼此，此電性短路在該接觸面積31以及該另外之接觸面積經(jīng)歷電鍍表面處理時(shí)是必須的。
當(dāng)PEN、PET、PI或紙被用作為該基板材料以取代環(huán)氧樹酯時(shí)，該接觸面積31則不需要于其上被制成薄片，相反地，可以應(yīng)用于成長增加制程(growing-on process)。為了這個(gè)目的，首先幾微米厚之金屬層，舉例而言，銅，系被濺鍍于該基板之上，而在電鍍穿透孔(plated-through hole)的穿孔之后，則會(huì)舉行藉由電鍍程序之鞏固，因此，一開始提供在整個(gè)表面面積之金屬系具有幾μm之厚度。在下一個(gè)步驟中，金屬系以所需之形式而加以建構(gòu)，并且提呈至電鍍表面處理，舉例而言，以鎳或銅，該電鍍表面處理亦可以在無電流(currentless)程序中執(zhí)行，藉此，在接觸面積及另外之接觸面積之間即不需要電短路。根據(jù)本案之程序系使得省掉施加金屬之膠黏劑之使用，再者，接觸側(cè)之金屬可以做的更薄，而使得成本之節(jié)省成為可能，然后，該接觸側(cè)之金屬系具有僅少于40μm之厚度，基板或基板之厚度可以依照操作之需要而加以適應(yīng)。習(xí)慣上，基板厚度系介于50至125μm之間，雖然，無庸置疑，其它的厚度也是可行。
提供于指示孔16周圍的是金屬35，而其系藉由網(wǎng)狀組織而彼此連接，該金屬35系可以改善剛性，并且因此改善該基板10或該條帶1之掌握。
第2圖系顯示該基板10之其它側(cè)(也就是插入側(cè))，而集成電路(未顯示)系設(shè)置于其上。施加于插入側(cè)14上并包括導(dǎo)體結(jié)構(gòu)26、24、22、28、17、18之插入金屬側(cè)20系可以藉由以金屬箔制成薄片以及蝕刻而加以產(chǎn)生。二者擇一地，正如關(guān)于第1圖所已經(jīng)敘述，插入金屬側(cè)亦可以藉由成長增加制程(growing-on process)而加以產(chǎn)生。
該基板10相對(duì)而言系為可彎曲。在一芯片卡中，設(shè)置于其上之一集成電路系將被呈交至相當(dāng)大量之彎曲負(fù)荷，相對(duì)而言，大的半導(dǎo)體芯片甚至可能破裂。為了這個(gè)理由，一鞏固框架(未顯示于第2圖中)系施加于該載體組件之插入側(cè)，在集成電路之面積周圍，該鞏固框架系較佳地以金屬制造，但其亦可以包括一些其它材料。因?yàn)樵撦d體組件系經(jīng)常依附地結(jié)合進(jìn)入該芯片卡，所以該鞏固框架系就沿著構(gòu)成部分插入金屬側(cè)20之接觸面積24之區(qū)域的外面。一相對(duì)應(yīng)之示范性實(shí)施例系顯示于第10圖中。
該插入金屬側(cè)以及接觸金屬側(cè)之具體結(jié)構(gòu)構(gòu)型系于之后進(jìn)行討論。
該插入金屬側(cè)系具有復(fù)數(shù)接觸組件21，其在根據(jù)第2圖之本實(shí)施例中系分別作為之后與集成電路之接觸點(diǎn)的電結(jié)合之用，該接觸組件21系以，在每個(gè)例子中，具一第一端22以及一第二端23之相互連接26之形式而制成。該第一端23系具有，舉例而言，在每個(gè)例子中，環(huán)形之形狀，其中心系連接至一電鍍穿透孔(plate-through hole)，原則上，該第一端22可以是任何所需之形狀，舉例而言，矩形、橢圓形、多邊形等，而該電鍍穿透孔15系延伸穿過該基板而到達(dá)相對(duì)應(yīng)之接觸面積31。該第二端23系分別接觸面積24之用，在此，大約為正方形之形狀。在此例子中，接觸面積24之配置系對(duì)應(yīng)于在此未顯示之半導(dǎo)體芯片之接觸點(diǎn)之配置。插入金屬側(cè)之接觸組件相關(guān)于接觸金屬側(cè)之接觸面積31而進(jìn)行配置之方法亦藉由第1圖而加以揭示，在本實(shí)施例中，該插入金屬側(cè)之該接觸面積24位于一中心區(qū)域34中，以形成為該接觸金屬側(cè)之一接觸面積。在此中心區(qū)域中，則配置有該集成電路(第1圖中無法看見)。
在第1圖之右上半部之載體組件中，可以看見藉由依ISO標(biāo)準(zhǔn)所定義之區(qū)域37，藉由參考符號(hào)37所辨識(shí)之區(qū)域的范圍內(nèi)，讀取器之接觸接腳系位于此。規(guī)則規(guī)定ISO區(qū)域37所占用之區(qū)域必須遠(yuǎn)離電鍍穿透孔，因此，僅有位于該ISO區(qū)域37外側(cè)之每個(gè)接觸區(qū)域31之那些區(qū)域被列入作為電鍍穿透孔區(qū)域33之考慮。在第1圖之示范性實(shí)施例中，當(dāng)從該接觸面積31的方向觀看時(shí)，該電鍍穿透孔區(qū)域33系位于接近該邊界線12之位置，然而，較佳地是，若從該接觸面積31的方向觀看時(shí)，電鍍穿透孔區(qū)域33能處于中心區(qū)域34之方向。
另外，接觸金屬側(cè)系具有區(qū)域32，其系引起在稍后將被設(shè)置之集成電路之區(qū)域中已增加之阻抗力矩(increased moment)，結(jié)果，該載體組件11之彎曲剛性系被增加。在此例子中，該區(qū)域32系被以大約與該中心區(qū)域34相同寬度之方式而加以設(shè)計(jì)，在此例子中之區(qū)域32系延伸覆蓋該載體組件11之對(duì)稱線40。該區(qū)域32之寬度大約與該中心區(qū)域34寬度重疊之事時(shí)系表示，有兩條預(yù)定之彎曲線43與對(duì)稱線40平行，并沿著載體組件可以在過量彎曲負(fù)荷之情形下彎曲之處。而這則確保沒有彎曲之負(fù)荷會(huì)作用在集成電路上。
插入金屬側(cè)之部分的金屬17、18、28系具有優(yōu)勢(shì)地用以穩(wěn)定該基板10，該金屬28系在該指示孔16之周圍，并透過網(wǎng)狀組織而連接至彼此。在本示范性實(shí)施例中，橫向之網(wǎng)狀組織(webs)18系位在相鄰之載體組件11之間并沿著該條帶1之邊緣而延伸。調(diào)整標(biāo)記17系構(gòu)成橫向網(wǎng)狀組織18之部分，該橫向網(wǎng)狀組織18除了穩(wěn)定之外沒有任何其它之作用，反之，該調(diào)整標(biāo)記17卻可以被用于光學(xué)辨識(shí)系統(tǒng)。在本示范性實(shí)施例中，該調(diào)整標(biāo)記17系形成正方形之形狀，而根據(jù)需求，該調(diào)整標(biāo)記憶可以被設(shè)計(jì)為十字形、圓形、矩形或一些其它形狀。該調(diào)整標(biāo)記17亦沒有必要一定得是橫向網(wǎng)狀組織之部分。
第3圖及第4圖系顯示一第二示范性實(shí)施例，基板之接觸側(cè)之詳細(xì)系顯示于第3圖，而基板之插入側(cè)之詳細(xì)系顯示于第4圖。第5圖及第6圖系分別顯示根據(jù)本案第二示范性實(shí)施例之載體組件之接觸側(cè)及插入側(cè)之放大圖式。該第二示范性實(shí)施例之該接觸金屬側(cè)系不同于第一實(shí)施例，其中，該中心區(qū)域34系不形成為較該集成電路占用較大表面積之矩形，而在本實(shí)施例中，該中心區(qū)域34系為圓形，并比起施加于插入側(cè)之該集成電路系占用較小之表面積，此構(gòu)型具有之優(yōu)勢(shì)為，該接觸面積31在接著可以被用作為電鍍穿透孔之中心區(qū)域之方向可具有一較大之表面積，另外，該區(qū)域32系以已增加之阻抗力矩而被擴(kuò)大，在此例子中之?dāng)U大系在該中心區(qū)域之方向涉及一較大范圍，藉此，該載體組件之該模塊彎曲阻抗系被增加。第3圖之該區(qū)域32之寬度系相對(duì)應(yīng)于在第1圖中之寬度，伴隨著預(yù)定彎曲線43系藉由末端而加以定義。當(dāng)該載體組件4或芯片模塊出現(xiàn)彎曲時(shí)，該中心接觸面積31系真的會(huì)被彎曲，但該集成電路則位于預(yù)定彎曲線43范圍內(nèi)之區(qū)域并因此受到保護(hù)。
正如可由第3圖之右上半部之載體組件11看出，該接觸面積31系滿足了ISO標(biāo)準(zhǔn)7816-2之需求，該ISO區(qū)域37之配置以及該讀取器之該接觸接腳與該接觸面積31相遇之位置36系對(duì)應(yīng)于第1圖之構(gòu)型。
實(shí)質(zhì)上，該第二示范性實(shí)施例之插入金屬側(cè)之構(gòu)型系對(duì)應(yīng)于該第一示范性實(shí)施例之構(gòu)型。然而，該插入金屬側(cè)之不同在于該相互連接26之第二端23系分別具有一另一接觸面積25，正如可由第6圖中看出。該接觸面積24以及該接觸面積25在此例子中可彼此合并，或接由一相互連接部分26而彼此相連，該接觸面積24系對(duì)應(yīng)于一第一集成電路之接觸點(diǎn)之布局，同時(shí)，該另一接觸面積25之配置系相對(duì)于一另一集成電路之接觸點(diǎn)之布局，因此，是有可能一單一的基板考慮到不同集成電路之接觸點(diǎn)布局。原則上，亦可以想象使用接觸面積24或另一接觸面積25作為結(jié)合墊。
第7圖及第8圖系分別顯示根據(jù)本案一第三示范性實(shí)施例之載體基板的接觸側(cè)及插入側(cè)之圖式，而該插入金屬側(cè)之布局則放大顯示于第9圖中。根據(jù)第7圖之接觸金屬側(cè)之布局在此系相對(duì)應(yīng)于根據(jù)第3圖及第5圖之該第二實(shí)施例之該接觸金屬側(cè)之布局。
根據(jù)第8圖之該插入金屬側(cè)系代表根據(jù)第6圖之該第二示范性實(shí)施例之布局之延伸。該相互連接26系在此提供作為占用載體組件11之大部分表面積之面積金屬覆蓋27之用，而僅該集成電路將被施加之區(qū)域已經(jīng)自該面積金屬覆蓋27被刪掉，該接觸面積24以及該另一接觸面積25之配置系不同地相對(duì)應(yīng)于根據(jù)第6圖之該第二示范性實(shí)施例之配置。無庸置疑地，個(gè)別相互連接27之面積金屬覆蓋27并不具有彼此之電接觸，而該面積金屬覆蓋27系主要地用以更進(jìn)一步增加該載體組件之剛性，在基板10之兩側(cè)上金屬系產(chǎn)生較大之剛性，而使得利用較薄之基板材質(zhì)，舉例而言，PEN、PET、PI或紙，成為可能。
正如先前已進(jìn)一步闡明，這些材料使得金屬可以成長增加，并且省掉用于該金屬與該基板之連接之膠黏劑。
最后，第10圖系顯示部分之該插入金屬側(cè)，并可從一韌化框架41之配置看出。正如本實(shí)施例所示，該韌化框架41可以是該插入金屬側(cè)之部分，在跨越該接觸組件21之相互連接或區(qū)域的點(diǎn)，該韌化框架41系具有中斷42以避免短路，一另一鞏固框架可被設(shè)置于該韌化框架41之上，而彼此間之依附可，舉例而言，藉由一非導(dǎo)電膠黏劑而加以實(shí)施。
另外，從第10圖中亦可以看出，該接觸面積24如何在該集成電路施加時(shí)作為控制標(biāo)記，稍后將被施加之一集成電路之側(cè)邊緣系藉由參考符號(hào)51而加以辨識(shí)，若該集成電路系理想地施加至該基板時(shí)，部分該接觸面積24總是會(huì)以第10圖所顯示之方式而突出側(cè)邊緣51。理想地，該集成電路之該側(cè)邊緣51以及該接觸面積之邊緣系彼此平行排列，因此，有可能實(shí)現(xiàn)一視覺檢查以確定該集成電路之覆晶結(jié)合(flip-chip bonding)以及該插入金屬側(cè)之接觸面積是否被正確地執(zhí)行。
符號(hào)列表1 strip 條帶
10 substrate基板11 carrier element 載體組件12 boundary line邊界線13 contact side 接觸側(cè)14 insertion side 插入側(cè)15 plated-through hole 電鍍穿透孔16 indexing hole指示孔17 adjusting mark 調(diào)整標(biāo)記18 transverse web 橫向網(wǎng)狀組織20 insertion-side metallization 插入金屬側(cè)21 contact elements 接觸組件23 first end第一端24 contact area 接觸面積25 contact area 接觸面積26 interconnect 相互連接27 area-covering metallization 面積金屬覆蓋28 metallization(around indexing hole) 金屬(環(huán)繞指示孔)30 contact-side metallization 接觸金屬側(cè)31 contact area 接觸面積32 metallization region 金屬區(qū)域33 plated-through region電鍍穿透區(qū)域34 central region 中心區(qū)域35 metallization(around indexing hole) 金屬(環(huán)繞指示孔)36 ISO bonding position ISO結(jié)合位置37 ISO contact zone ISO接觸區(qū)域40 line of symmetry 對(duì)稱線41 stiffening frame 韌化框架42 interruption 中斷43 predetermined bending line 預(yù)定彎曲線
50 integrated circuit 集成電路51 side edges(of the integrated circuit)(集成電路之)側(cè)邊緣
權(quán)利要求
1.一種形成為一條帶(strip)或一面板(panel)并有多數(shù)載體組件形成于其上之非導(dǎo)電性基板(10)，其系意欲于，特別是，被并入一芯片卡中并且藉由一邊界線(12)而加以形成，其中該基板(10)系具有一接觸側(cè)(13)以及與該接觸側(cè)位置相對(duì)之一插入側(cè)(14)，而該插入側(cè)系提供有一導(dǎo)電插入金屬側(cè)(20)，其特征在于，該插入金屬側(cè)(20)系以一電連接可藉由稍后將被施加至該插入側(cè)以及該插入金屬側(cè)之一集成電路之接觸點(diǎn)間之覆晶結(jié)合(flip-chip bonding)而發(fā)生之方式而加以形成。
2.如申請(qǐng)專利范圍第一項(xiàng)所述之基板，其特征在于，在每條邊界線(12)的范圍內(nèi)，該插入金屬側(cè)(20)系具有復(fù)數(shù)接觸組件(21)，其系至少部分提供作為與該集成電路之覆晶接觸結(jié)合之用。
3.如申請(qǐng)專利范圍第一或第二項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該基板(10)之該接觸側(cè)(13)系提供有一接觸金屬側(cè)。
4.如申請(qǐng)專利范圍第三項(xiàng)所述之基板，其特征在于，在電穿孔結(jié)束后，該接觸金屬側(cè)(30)系在每條邊界線(12)范圍內(nèi)包含復(fù)數(shù)彼此電隔離之接觸面積(31)。
5.如申請(qǐng)專利范圍第四項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該接觸金屬側(cè)(30)之該接觸面積(31)系形成為ISO接觸面積。
6.如申請(qǐng)專利范圍第四或第五項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該接觸金屬側(cè)(30)之該接觸面積(31)系具有至少部分與該插入金屬側(cè)(20)之該接觸組件(21)之一電連接。
7.如申請(qǐng)專利范圍第六項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該電連接系藉由穿透該基板(10)之電鍍穿透孔(15)而建立。
8.如申請(qǐng)專利范圍第七項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該電鍍穿透孔(plated-through holes)(15)系在每個(gè)例子中被配置于并非打算與一外接讀取器(ISO區(qū)域)結(jié)合之該接觸金屬側(cè)(30)接觸面積(31)之一電鍍穿透區(qū)域(plated-through region)中(33)。
9.如申請(qǐng)專利范圍第三至第八項(xiàng)其中之一所述之基板，其特征在于，該接觸金屬側(cè)(30)系在每條邊界線(12)之范圍內(nèi)具有在該集成電路區(qū)域中引起一已增加之阻抗力矩的區(qū)域(32)。
10.如申請(qǐng)專利范圍第九項(xiàng)所述之基板，其特征在于，具有一已增加之阻抗力矩之該區(qū)域(32)系橫跨形成在該接觸金屬側(cè)(30)之彼此位置相對(duì)的接觸面積(31)間之一對(duì)稱線(40)。
11.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，該插入金屬側(cè)(20)之該接觸組件(21)系以相互連接(26)之形式而制成，而該相互連接(26)系分別具有一第一端(22)以及一第二端(23)。
12.如申請(qǐng)專利范圍第十一項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該相互連接(26)之該第一端(22)系與該電路穿透孔(15)其中之一重疊，并與其電性連接。
13.如申請(qǐng)專利范圍第十一或第十二項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該第二端(23)系具有用于與該集成電路之一覆晶接觸進(jìn)行電結(jié)合之一第一接觸面積(24)。
14.如申請(qǐng)專利范圍第十一至第十三項(xiàng)其中之一所述之基板，其特征在于，至少一些該相互連接(26)系具有至少一另一接觸面積(25)，以直接、或經(jīng)由連接至該第一接觸面積(24)之該相互連接(26)之部分(26a)，而與該相互連接之該第一接觸面積(24)進(jìn)行電性接觸，或是經(jīng)由一相互連接分支而與該相互連接進(jìn)行電性接觸，該另一接觸面積系分別提供作為與該集成電路之一覆晶接觸進(jìn)行電性結(jié)合之用。
15.如申請(qǐng)專利范圍第十四項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該接觸面積(24)以及該另一接觸面積(25)系以其在該集成電路被施加時(shí)作為控制標(biāo)記(control marks)之方式而加以設(shè)計(jì)，其中該接觸面積(24、25)系稍微突出該集成電路(50)之側(cè)邊緣(51)。
16.如申請(qǐng)專利范圍第十一至第十五項(xiàng)其中之一所述之基板，其特征在于，至少一些該相互連接(26)系提供有面積金屬覆蓋(27)，而該面積金屬覆蓋(27)系用以增加該基板(10)之彎曲剛性。
17.如申請(qǐng)專利范圍第十六項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該面積金屬覆蓋(27)系形成于一載體組件(11)之個(gè)別該邊界線(12)之范圍內(nèi)。
18.如申請(qǐng)專利范圍第十六或第十七項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該面積金屬覆蓋(27)系提供于稍后將被施加之該集成電路之外側(cè)區(qū)域。
19.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，該基板(10)系具有用以使該基板韌化(stiffen)之指示孔(16)，其系被位在該插入側(cè)(14)及/或該接觸側(cè)(13)上之金屬(28、35)所包圍。
20.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，該基板系提供有調(diào)整標(biāo)記(adjusting marks)(17)，以定位放置機(jī)械，該標(biāo)記系構(gòu)成該插入金屬側(cè)(20)及/或該接觸金屬側(cè)(21)之部分。
21.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，該基板系位于相鄰之載體組件(11)橫向網(wǎng)狀組織(18)之間，而其系構(gòu)成該插入金屬側(cè)(20)及/或該接觸金屬側(cè)(21)之部分。
22.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，在稍后將被施加之集成電路之區(qū)域中，該插入金屬側(cè)(20)系包括確保該集成電路以及該基板(10)之該插入側(cè)(14)間之平面平行(plane-parallelism)之間隙。
23.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，一韌化框架系配置于該基板(10)之該插入側(cè)(14)之上，并且圍繞稍后將被該集成電路施加之區(qū)域。
24.如申請(qǐng)專利范圍第二十三項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該韌化框架(41)系為該插入金屬側(cè)(20)之部分。
25.如申請(qǐng)專利范圍第二十三或第二十四項(xiàng)所述之基板，其特征在于，在該韌化框架(41)穿越或重疊之該插入金屬側(cè)(20)之接觸組件的區(qū)域中，系具有中斷(42)，以避免短路。
26.如申請(qǐng)專利范圍第二十四或第二十五項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該韌化框架(41)系包括一非導(dǎo)電性材料。
27.如申請(qǐng)專利范圍第二十六項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該韌化框架(41)系完全圍繞稍后將被該集成電路施加之區(qū)域。
28.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，該基板系包括PEN、PET、PI或紙。
29.如申請(qǐng)專利范圍第二十八項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該基板之厚度系大約為50至125μm。
30.如前述申請(qǐng)專利范圍其中之一所述之基板，其特征在于，該接觸金屬側(cè)(30)以及該插入金屬側(cè)(20)系藉由一成長增加制程(growing-on process)而加以產(chǎn)生。
31.如申請(qǐng)專利范圍第三十項(xiàng)所述之基板，其特征在于，該接觸金屬側(cè)(30)以及該插入金屬側(cè)(20)系具有小于40μm之厚度。
全文摘要
本案系提出一種形成為一條帶或一面板并有多數(shù)載體組件形成于其上之非導(dǎo)電性基板，其系意欲于，特別是，被并入一芯片卡中并且藉由一邊界線而分別加以形成，其中該基板系具有一接觸側(cè)以及與該接觸側(cè)位置相對(duì)之一插入側(cè)，該插入側(cè)系提供有一導(dǎo)電插入金屬側(cè)，并且該插入金屬側(cè)系以一電連接可藉由稍后將被施加至該插入側(cè)以及該插入金屬側(cè)之一集成電路之接觸點(diǎn)間之覆晶結(jié)合(flip－chip bonding)而發(fā)生之方式而加以形成。
文檔編號(hào)G06K19/077GK1555577SQ02818221
公開日2004年12月15日 申請(qǐng)日期2002年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月17日
發(fā)明者B·巴奇曼恩, E·海內(nèi)曼恩, J·海茨爾, F·佩斯納, B 巴奇曼恩, 畝, 諑, 鼓 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司