一種高可靠性的并口sram掉電保存電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于單片機應用技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種高可靠性的并口SRAM掉電保存電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在八位單片機應用系統(tǒng)中，常常需要外部增加靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)來快速保存掉電數(shù)據(jù)，同時也能夠存儲一些臨時變量。單片機通過并口與SRAM進行數(shù)據(jù)讀寫操作，執(zhí)行速度快，實時性好。由于SRAM靜態(tài)功耗小，故一般采用紐扣鋰電池來保存掉電數(shù)據(jù)。目前很多工程師在設計的時候通過使用單片機的總線以及輸入輸出(I/O)接口直接和SRAM相連(如圖1所示)。這種設計方法在常規(guī)條件問題不大，單片機能夠正確讀寫數(shù)據(jù)，上電掉電時數(shù)據(jù)也能夠長時間正確保存。但是這種設計方法有一些缺點，尤其是在運行環(huán)境復雜、電磁兼容要求高的條件下會出現(xiàn)部分數(shù)據(jù)出現(xiàn)隨機異常，電池消耗過快等情況。究其原因是在設計的時候沒有充分考慮各種可能性，造成可靠性不是很好。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，提高了SRAM掉電數(shù)據(jù)的可靠性，同時也能夠降低SRAM的靜態(tài)功耗，能夠滿足電磁兼容要求高的環(huán)境下使用。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是:一種高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，包括SRAM芯片Ul、電壓監(jiān)控芯片U2、與非門U3和三極管Ql，所述電壓監(jiān)控芯片U2的第I引腳連接三極管Ql的基極，三極管Ql的發(fā)射極接地，三極管Ql的集電極分別與單片機Ul的第30引腳和通過電阻R2連接電源Vbat，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳接地，電壓監(jiān)控芯片U2的第3引腳通過電阻R3連接電源VCC，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳和第3引腳之間并聯(lián)電容C3，與非門U3的第I引腳和第2引腳連接輸入控制端CS0，與非門U3的第3引腳通過電阻R4連接電壓監(jiān)控芯片U2的第I引腳，與非門U3的第7引腳接地，與非門U3的第14引腳連接電源VCC。
[0005]進一步，所述SRAM芯片Ul采用型號為IS62WV5128BLL-70H2芯片。
[0006]進一步，所述電壓監(jiān)控芯片U2采用型號為XC61CN2502MR芯片。
[0007]進一步，所述與非門U3采用型號為MC74HC00AD芯片。
[0008]進一步，所述三極管Ql選用NPN三極管。
[0009]進一步，所述SRAM芯片Ul由LIR2450鋰電池保持供電狀態(tài)。
[0010]本實用新型具有的優(yōu)點和積極效果是:由于采用上述技術(shù)方案，其一，在SRAM芯片外部電源VCC頻繁掉電或上電以及電磁干擾時，使其數(shù)據(jù)無法進行讀寫操作，保證數(shù)據(jù)準確性。其二，在SRAM芯片外部電源VCC掉電后，保證其處于絕對靜態(tài)休眠狀態(tài)，大大降低靜態(tài)功耗。
【附圖說明】
[0011 ]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2是本實用新型電路連接結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本實用新型做詳細說明。
[0014]如圖2本實用新型電路連接結(jié)構(gòu)示意圖所示，本實用新型提供一種高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，包括SRAM芯片Ul、電壓監(jiān)控芯片U2、與非門U3和三極管Ql，所述電壓監(jiān)控芯片U2的第I引腳連接三極管Ql的基極，三極管Ql的發(fā)射極接地，三極管Ql的集電極分別與單片機Ul的第30引腳和通過電阻R2連接電源Vbat，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳接地，電壓監(jiān)控芯片U2的第3引腳通過電阻R3連接電源VCC，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳和第3引腳之間并聯(lián)電容C3，與非門U3的第I引腳和第2引腳連接輸入控制端CS0，與非門U3的第3引腳通過電阻R4連接電壓監(jiān)控芯片U2的第I引腳，與非門U3的第7引腳接地，與非門U3的第14引腳連接電源VCC。
[0015]所述SRAM芯片Ul采用型號為IS62WV5128BLL-70H2芯片。所述電壓監(jiān)控芯片U2采用型號為XC61CN2502MR芯片。所述與非門U3采用型號為MC74HC00AD芯片。所述三極管Ql選用NPN三極管。所述SRAM芯片Ul由LIR2450鋰電池保持供電狀態(tài)。
[0016]本實例的工作過程:其中電壓監(jiān)控芯片U2，當電源電壓VCC小于2.5V時，電壓監(jiān)控芯片U2的I腳輸出低電平，不管輸入控制端CSO的電平幅度如何，三極管Ql的基極電平始終為低電平，通過三極管Ql小信號快速開關(guān)，三極管Ql選用NPN三極管，輸出到SRAM芯片Ul的CE端都是高電平Vbat，這就保護了當電源電壓VCC頻繁上電掉電時SRAM芯片Ul不允許外部對其進行讀寫，從而避免了電源電壓未穩(wěn)定時對SRAM芯片Ul讀寫造成數(shù)據(jù)錯誤。
[0017]當電源電壓VCC穩(wěn)定時，電壓監(jiān)控芯片U2輸出端高阻開路狀態(tài)，此時三極管Ql的基極電平由輸入控制端CSO來決定。當輸入控制端CSO為高電平時，通過與非門U3反相輸出低電平到三極管Ql的基極，三極管Ql不導通，CE端為高電平；當輸入控制端CSO為低電平時，通過與非門U3反相輸出高電平到三極管Ql的基極，三極管Ql導通，CE端為低電平;輸入控制端CSO和CE之間的邏輯關(guān)系和原有直接相連的邏輯關(guān)系一致，故不會影響單片機對SRAM芯片Ul的操作和實時性。
[0018]當電源電壓VCC掉電后，SRAM芯片Ul由LIR2450鋰電池保持供電狀態(tài)，此時電源電壓VCC小于2.5V，故SRAM芯片Ul的選通端CE為高電平，這樣就能夠保證SRAM芯片Ul —直處于絕對靜態(tài)休眠狀態(tài)，靜態(tài)功耗大大減低。
[0019]以上對本實用新型的一個實施例進行了詳細說明，但所述內(nèi)容僅為本實用新型的較佳實施例，不能被認為用于限定本實用新型的實施范圍。凡依本實用新型申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本實用新型的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種高可靠性的并口 SRAM掉電保存電路，其特征在于:包括SRAM芯片Ul、電壓監(jiān)控芯片U2、與非門U3和三極管Ql，所述電壓監(jiān)控芯片U2的第I引腳連接三極管Ql的基極，三極管Ql的發(fā)射極接地，三極管Ql的集電極分別與單片機Ul的第30引腳和通過電阻R2連接電源Vbat，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳接地，電壓監(jiān)控芯片U2的第3引腳通過電阻R3連接電源VCC，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳和第3引腳之間并聯(lián)電容C3，與非門U3的第I引腳和第2引腳連接輸入控制端CSO，與非門U3的第3引腳通過電阻R4連接電壓監(jiān)控芯片U2的第I引腳，與非門U3的第7引腳接地，與非門U3的第14引腳連接電源VCC。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，其特征在于:所述SRAM芯片Ul采用型號為IS62WV5128BLL-70H2芯片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，其特征在于:所述電壓監(jiān)控芯片U2采用型號為XC61CN2502MR芯片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，其特征在于:所述與非門U3采用型號為MC74HC00AD芯片。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，其特征在于:所述三極管Ql選用NPN三極管。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，其特征在于:所述SRAM芯片Ul由LIR2450鋰電池保持供電狀態(tài)。
【專利摘要】本實用新型提供一種高可靠性的并口SRAM掉電保存電路，包括SRAM芯片U1、電壓監(jiān)控芯片U2、與非門U3和三極管Q1，所述電壓監(jiān)控芯片U2的第1引腳連接三極管Q1的基極，三極管Q1的發(fā)射極接地，三極管Q1的集電極分別與單片機U1的第30引腳和通過電阻R2連接電源Vbat，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳接地，電壓監(jiān)控芯片U2的第3引腳通過電阻R3連接電源VCC，電壓監(jiān)控芯片U2的第2引腳和第3引腳之間并聯(lián)電容C3，與非門U3的第1引腳和第2引腳連接輸入控制端CS0，與非門U3的第3引腳通過電阻R4連接電壓監(jiān)控芯片U2的第1引腳，與非門U3的第7引腳接地，與非門U3的第14引腳連接電源VCC。本實用新型的有益效果是降低SRAM的靜態(tài)功耗，能夠滿足電磁兼容要求高的環(huán)境下使用。
【IPC分類】G05B19/042
【公開號】CN205334140
【申請?zhí)枴緾N201521076150
【發(fā)明人】蔡椿軍, 王亮
【申請人】天津斯巴克瑞汽車電子股份有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月18日