一種低壓差線性穩(wěn)壓器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種低壓差線性穩(wěn)壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器如圖1，包括:輸入電壓Vref、輸出電壓Vout、電源VCC、P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P3、電阻R、低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)LD0_EN，由于低壓差線性穩(wěn)壓器應(yīng)用于閃存的比較器C0MP，為了節(jié)約功耗，比較器的電流一般比較小，帶寬比較低，所以低壓差線性穩(wěn)壓器的整個(gè)環(huán)路的建立時(shí)間比較長(zhǎng)，容易降低閃存的工作效率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型提供一種低壓差線性穩(wěn)壓器，以解決低壓差線性穩(wěn)壓器的整個(gè)環(huán)路的建立時(shí)間比較長(zhǎng)的問題。
[0004]為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器，包括:第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第一電阻、低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)、第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)和第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)；
[0005]其中，所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端與所述第一電阻的一端和所述第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端相連，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏端與所述第一電阻的另一端相連，所述第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏端與所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏端相連，所述第一P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)與所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端相連，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)與所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端相連；
[0006]所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)和第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)均由所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)產(chǎn)生，在所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)拉高時(shí)，在所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端產(chǎn)生低電壓，將所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通。
[0007]優(yōu)選地，還包括:第二電阻和輸出電壓，所述第二電阻與所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端和所述輸出電壓相連。
[0008]優(yōu)選地，所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端與電源相連，所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏端與所述輸出電壓相連。
[0009]優(yōu)選地，所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲預(yù)置時(shí)間并且反向得到延遲使能信號(hào)，所述低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)與所述延遲使能信號(hào)相與，產(chǎn)生所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)。
[0010]優(yōu)選地，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)為所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)的反向信號(hào)。
[0011]優(yōu)選地，拉高所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)，所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管同時(shí)導(dǎo)通，所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端電壓是所述第二P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和所述第一電阻的分壓。
[0012]優(yōu)選地，所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源端與電源相連。
[0013]優(yōu)選地，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏端與地相連。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0015]在傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器中增加場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)管，利用低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)產(chǎn)生兩個(gè)開關(guān)管的使能信號(hào)，在拉高低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)時(shí)，將P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端拉倒一個(gè)合適的低電壓，加速整個(gè)環(huán)路的建立過(guò)程，減少低壓差線性穩(wěn)壓器的電壓建立時(shí)間。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一中的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一中的低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)產(chǎn)生第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)和第一P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)的原理示意圖；
[0019]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一中的低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)與延遲使能信號(hào)的對(duì)照示意圖；
[0020]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一中的第一N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)與第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)的對(duì)照示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0022]在傳統(tǒng)的低壓差線性穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)上，增加了第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電阻。通過(guò)低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)產(chǎn)生第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使能信號(hào)和第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電阻的使能信號(hào)，在拉高低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)時(shí)，在第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵端產(chǎn)生合適的低電壓，使第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，加強(qiáng)了低壓差線性穩(wěn)壓器的環(huán)路建立過(guò)程。
[0023]下面通過(guò)列舉幾個(gè)具體的實(shí)施例詳細(xì)介紹本實(shí)用新型提供的一種低壓差線性穩(wěn)壓器。
[0024]實(shí)施例一
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例一提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器。
[0026]參照?qǐng)D2，示出了本實(shí)用新型實(shí)施例一中的一種低壓差線性穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]所述低壓差線性穩(wěn)壓器可以包括:第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P1、第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P2、第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P3、第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管N1、第一電阻R1、低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)LD0_EN、第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)ACC_ENB和第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)ACC_EN。
[0028]其中，低壓差線性穩(wěn)壓器使能信號(hào)LD0_EN與閃存比較器COMP的使能端EN相連，輸入電壓Vref和輸出電壓Vout分別與閃存比較器的輸入端+和輸出端_相連。
[0029]所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P3的柵端P3_gate與所述第一電阻Rl的一端和所述第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P2的源端相連，所述第三P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P3的源端與電源VCC相連，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NI的漏端與所述第一電阻Rl的另一端相連，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NI的漏端與地相連，所述第二 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管P2的漏端與所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管Pl的漏端相連，所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)ACC_ENB與所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管Pl的柵端相連，所述第一 P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管Pl的源端與電源VCC相連，所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管使能信號(hào)ACC_EN與所述第一 N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管NI的柵端相連。
[0030]優(yōu)選地，所述低壓差線性穩(wěn)壓器還可以包括:輸入電壓Vref、輸出電壓Vo