地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在地震波的試驗(yàn)儀器或測試儀器中，對地震波的處理部分，需要對接受到的地震波進(jìn)行檢波解調(diào)，檢波解調(diào)電路的性能和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)就顯得非常重要。
[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路結(jié)構(gòu)示意圖，包括耦合電路101、檢波電路102和濾波比較電路103，所述的檢波電路102由5只NMOS晶體管麗1-MN5、三只PMOS晶體管MP1-MP3、電阻RO和電容C組成；其中，NMOS晶體管MNl的柵極和漏極與耦合電路的一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗2的柵極和漏極與耦合電路的另一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗I的源極和NMOS晶體管麗2的源極通過電阻R連接至濾波比較電路的輸入端，電容C 一端接地另一端接濾波比較電路的輸入端；NM0S晶體管麗5的漏極、PMOS晶體管MPl的源極和PMOS晶體管MP3的源極均與濾波比較電路的輸入端連接，PMOS晶體管MPl的柵極和漏極連接至PMOS晶體管MP2的源極，PMOS晶體管MP3的柵極和漏極連接至NMOS晶體管MN4的漏極，PMOS晶體管MP2的柵極和漏極連接至NMOS晶體管MN3的漏極，NMOS晶體管MN3的源極、NMOS晶體管MN4的源極和NMOS晶體管MN5的源極均接地，NMOS晶體管MN3的柵極、NMOS晶體管MN4的柵極和NMOS晶體管MN5的柵極均連接至偏置電壓VB0
[0004]NMOS晶體管麗I和NMOS晶體管麗2對接受到的地震波進(jìn)行初步的檢波的作用，NMOS晶體管MN3-MN5和PMOS晶體管MP1-MP3構(gòu)成三個(gè)電流的通路。濾波比較電路的輸入端連接電位有可能到零電平，這將影響地震波包絡(luò)的上升速度。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于:針對上述存在的問題，提供一種地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路。
[0006]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是這樣的:地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路，該電路包括耦合電路、檢波電路和濾波比較電路，所述檢波電路包括NOMS晶體管麗1、NM0S晶體管麗2、電阻R、電容C，NMOS晶體管麗I的柵極和漏極與耦合電路的一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗2的柵極和漏極與耦合電路的另一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗I的源極和NMOS晶體管MN2的源極通過電阻R連接至濾波比較電路的輸入端，電容C 一端接地另一端接濾波比較電路的輸入端；其特征在于，還包括電阻RO和NMOS晶體管MNO，NMOS晶體管MNO的柵極和漏極通過電阻RO接濾波比較電路的輸入端，NMOS晶體管MNO的源極接地。
[0007]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是:經(jīng)過初檢的待檢包絡(luò)來臨的時(shí)候，電流仍然會較大，NOMS晶體管MNO會將下降的包絡(luò)往下拉，增加后面濾波比較電路的電壓差，有利于解調(diào)電路的調(diào)節(jié)，且電路結(jié)構(gòu)簡單。
【附圖說明】
[0008]圖1是現(xiàn)有在地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路的電路原理示意圖。
[0009]圖2是本實(shí)用新型的地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路的電路原理示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型作詳細(xì)的說明。
[0011]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0012]如圖1所示，是本實(shí)用新型一種地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路的電路原理示意圖，該電路包括耦合電路、檢波電路和濾波比較電路，所述檢波電路包括NOMS晶體管麗1、NMOS晶體管麗2、電阻R、電容C，NMOS晶體管麗I的柵極和漏極與耦合電路的一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗2的柵極和漏極與耦合電路的另一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗I的源極和NMOS晶體管麗2的源極通過電阻R連接至濾波比較電路的輸入端，電容C 一端接地另一端接濾波比較電路的輸入端；其特征在于，還包括電阻RO和NMOS晶體管MN0，NM0S晶體管MNO的柵極和漏極通過電阻RO接濾波比較電路的輸入端，NMOS晶體管MNO的源極接地。
[0013]經(jīng)過初檢的待檢包絡(luò)來臨的時(shí)候，電流仍然會較大，NOMS晶體管MNO會將下降的包絡(luò)往下拉，增加后面濾波比較電路的電壓差，有利于解調(diào)電路的調(diào)節(jié)，且電路結(jié)構(gòu)簡單。
[0014]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路，該電路包括耦合電路、檢波電路和濾波比較電路，所述檢波電路包括NOMS晶體管麗1、NMOS晶體管麗2、電阻R、電容C，NMOS晶體管MNl的柵極和漏極與耦合電路的一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管MN2的柵極和漏極與耦合電路的另一個(gè)輸出端連接，NMOS晶體管麗I的源極和NMOS晶體管麗2的源極通過電阻R連接至濾波比較電路的輸入端，電容C 一端接地另一端接濾波比較電路的輸入端；其特征在于，還包括電阻RO和NMOS晶體管ΜΝ0，匪OS晶體管MNO的柵極和漏極通過電阻RO接濾波比較電路的輸入端，NMOS晶體管MNO的源極接地，且電路結(jié)構(gòu)簡單。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種地震波試驗(yàn)儀中對地震波進(jìn)行檢波解調(diào)的電路,該電路包括耦合電路、檢波電路和濾波比較電路，所述檢波電路包括NOMS MN1、NMOS MN2、電阻R、電容C，NMOS MN1的柵極和漏極與耦合電路的一個(gè)輸出端連接，NMOS MN2的柵極和漏極與耦合電路的另一個(gè)輸出端連接，NMOS MN1的源極和NMOS MN2的源極通過電阻R連接至濾波比較電路的輸入端，電容C一端接地另一端接濾波比較電路的輸入端；其特征在于，還包括電阻R0和NMOS MN0，NMOS MN0的柵極和漏極通過電阻R0接濾波比較電路的輸入端，NMOS MN0的源極接地。有益效果是：經(jīng)過初檢的待檢包絡(luò)來臨的時(shí)候，電流仍然會較大，NOMS晶體管MN0會將下降的包絡(luò)往下拉，增加后面濾波比較電路的電壓差，有利于解調(diào)電路的調(diào)節(jié)。
【IPC分類】G05F1-56, G01V1-18
【公開號】CN204557273
【申請?zhí)枴緾N201520184759
【發(fā)明人】唐雪松
【申請人】唐雪松
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年3月30日