專利名稱：雙向可控硅新型調(diào)控器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種雙向可控硅調(diào)節(jié)控制電路裝置。
目前，如岑賢鴻、袁光明在《實用雙向硅應用500例》中所述，已有多種雙向可控硅調(diào)節(jié)控制電路裝置。但在實用中，其接口電路輸出線性差，至使可控硅輸出負載特性差，性價比低，總之其電路結(jié)構上還存在著不同方面、不同程度的不足之處。
本實用新型目的是提供一種結(jié)構簡單、使用接口方便靈活、線性良好、輸出負載特性好，性價比較高的雙向可控硅新型調(diào)節(jié)控制器件裝置。它可方便的實現(xiàn)雙向可控硅搖控、手控信號的接口輸入及器件集成化、模塊化技術。
本實用新型目的是這樣實現(xiàn)的本設計由調(diào)控電路，消滯后電路、脈沖形成門控電路組成，在調(diào)控電路中，其前端調(diào)控電路由光電二極管D1和光敏電阻MG及限流電阻R1串連組成；其后級調(diào)控電路由電位器W，電阻R4串連組成，兩調(diào)控電路并聯(lián)后經(jīng)抗干擾電容G1濾波、經(jīng)光敏電阻MG、三級管BG1、BG2、電位器W、電容C1的公共接點③和電阻R4、R1、雙向硅BG3陽極、壓敏電阻Ry、電容C4、負載RL的公共接點④，輸入至消滯后電路中的PNP型和NPN型三極管BG1、BG2的基極，經(jīng)消滯后處理。經(jīng)消滯后電路處理的調(diào)控信號經(jīng)電容C2移相、又經(jīng)雙向觸發(fā)管DB門限控制后在電阻R2上形成觸發(fā)脈沖信號，加至雙向可控硅BG3的控制結(jié)上，控制可控硅的異通角以達調(diào)節(jié)控制之目的。
由于采用上述方案，本實用新型有如下優(yōu)點1、具有線性良好和方便的光偶隔商接口電路，可方便的實現(xiàn)各類信號的搖控調(diào)節(jié)、手動調(diào)節(jié)和無極調(diào)節(jié)。
2、良好的輸出特性(1)調(diào)節(jié)線性良好，無滯后現(xiàn)象；全工作范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸出平滑無寄生之諧振現(xiàn)象。
(2)對負載適應性強，輸出電壓可調(diào)范圍寬(在220伏標準電壓工作時輸出為0～213伏可調(diào))。
3、性價比高、電路簡潔、易制易產(chǎn)且性能可靠。
附

圖1為電原理圖。附圖2為本實用新型應用電原理框圖。對其電原理作如下解析圖1中從由接點①、②輸入的前端調(diào)控電壓，經(jīng)光電二極管D1轉(zhuǎn)換為光控信號，并偶合給光敏電阻MG，再進行轉(zhuǎn)換還原成電壓調(diào)控信號。光敏電阻MG和限流電阻R1串連后再與W、R4串連組成的后級調(diào)控電路并聯(lián)接于調(diào)控輸入端③、④。當調(diào)節(jié)手動無極調(diào)控電位器W或是當接點①、②輸入調(diào)控信號時，光電二極管D1發(fā)光強度隨信號變化而變化，因此光敏電阻阻值也變化，則后級調(diào)控輸入點③的信號電壓亦隨之變化。此信號電壓加至滯后消除電路中PNP型三極管和NPN型三極管BG1、BG2的基極。經(jīng)由三極管BG1、BG2、二級管D1、D2和抗干擾電容C1組成的滯后消除電路處理的調(diào)控信號電壓由三極管BG1、BG2發(fā)射極輸出，再加至電容C2進行移相，當電容C2上電壓充至雙向觸發(fā)二極管DB的觸發(fā)門限電壓時，雙向觸發(fā)管DB導通，在電阻R2兩端形成觸發(fā)控制電壓，經(jīng)接點⑦送入雙向可控硅控制極，以控制雙向硅BG3的導通角；同時，二極管D2、D3為消滯后電路三極管BG1、BG2的同步供電二極管。以保證可控硅工作在過零點與電網(wǎng)同步。本電路中接點④與雙向硅陽極連接，為輸出負載連接點。接點⑤與雙向硅陰極連接，為負載及后級接地公共連接端。接點⑥為三極管BG1、BG2發(fā)射極、電容C2和雙向觸發(fā)管DB的連接端。本電路中電容C1、C3為諧波抑制吸收抗干抗元件；電容C4、電阻R3串連后與壓敏電阻Ry并聯(lián)接于雙向可控硅陽極和陰極以保護雙向可控硅。
附圖2為本雙向可控硅新型調(diào)控器應用接線電連接原理圖。其中(1)為前端調(diào)控信號源。(2)是雙向可控硅新型調(diào)控器裝置，RL是其所控制的負載。K為電源開關。接點A和B為交流220伏電輸入端。接點①、②為本實用新型調(diào)控輸入端；接點④、⑤為本實用新型負載連接端。
權利要求1.一種雙向可控硅新型調(diào)控器電路裝置，由調(diào)控電路、消滯后電路、脈沖形成門控電路連結(jié)組成；其特征是由發(fā)光二極管D1，光敏電阻MG和限流電阻R1串連所組成的光偶隔離前端調(diào)控電路與電位器W和限流電阻R4串連所組成的后級調(diào)控電路相并聯(lián)，經(jīng)抗干擾電容C1濾波后，將調(diào)控信號送至接點③、④輸入消滯后電路中。
2.根據(jù)權利要求1所述的雙向可控硅新型調(diào)控器，其特征是接點③為光敏電阻MG、電位器W，濾波電容C1和三極管BG1、BG2基極的公共輸入接點；接點④為可控硅負載RL、可控硅BG3陽極及保護電容C4、壓敏電阻Ry的一端的公共接點。
專利摘要一種雙向可控硅新型調(diào)控器裝置,由調(diào)控電路,消滯后電路、脈沖形成門控電路連結(jié)組成。其前端調(diào)控電路由光電二極D
文檔編號G05F1/00GK2390228SQ9722916
公開日2000年8月2日 申請日期1997年10月9日 優(yōu)先權日1997年10月9日
發(fā)明者楊繼良 申請人:楊繼良