本發(fā)明涉及電源領(lǐng)域，具體而言，涉及一種二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)的斜坡補(bǔ)償技術(shù)主要為固定斜坡補(bǔ)償，此方案雖然能實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償?shù)哪康?穩(wěn)定電流環(huán)路)，但是這種斜坡補(bǔ)償機(jī)制普遍采用單一斜率的補(bǔ)償斜坡，補(bǔ)償量相對固定，容易造成小占空比下的過量補(bǔ)償。過量補(bǔ)償限制了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)以及最大帶載能力，造成系統(tǒng)瞬態(tài)響應(yīng)變差，影響系統(tǒng)的正常工作。

2、在此基礎(chǔ)上，如何實(shí)現(xiàn)較小占空比下有較小的補(bǔ)償電流，而當(dāng)占空比增加時(shí)會使補(bǔ)償電流迅速增加，成為了困擾本領(lǐng)域技術(shù)人員的難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路及電子設(shè)備，以改善上述問題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：

3、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路包括：一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊、第一電流拉取模塊、第二電流拉取模塊以及二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊；

4、所述一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊與所述第一電流拉取模塊連接，所述第一電流拉取模塊與所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊連接，所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊還與所述第二電流拉取模塊連接；

5、所述一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊用于根據(jù)接收到的開關(guān)信號生成對應(yīng)的一次斜坡補(bǔ)償電流，以使所述第一電流拉取模塊從所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊中拉取第一參考電流，所述第一參考電流與所述一次斜坡補(bǔ)償電流對應(yīng)；

6、所述第二電流拉取模塊用于向所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊提供第二參考電流；

7、所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊用于根據(jù)所述第一參考電流和所述第二參考電流輸出二次斜坡補(bǔ)償電流，所述二次斜坡補(bǔ)償電流與所述一次斜坡補(bǔ)償電流之間滿足對應(yīng)的二次項(xiàng)關(guān)系。

8、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電子設(shè)備，包括上述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路。

9、相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路及電子設(shè)備，二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路包括：一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊、第一電流拉取模塊、第二電流拉取模塊以及二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊；一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊與第一電流拉取模塊連接，第一電流拉取模塊與二次斜坡補(bǔ)償電流連接，二次斜坡補(bǔ)償電流還與第二電流拉取模塊連接；一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊用于根據(jù)接收到的開關(guān)信號生成對應(yīng)的一次斜坡補(bǔ)償電流，以使第一電流拉取模塊從二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊中拉取第一參考電流，第一參考電流與一次斜坡補(bǔ)償電流對應(yīng)；第二電流拉取模塊用于向二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊提供第二參考電流；二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊用于根據(jù)第一參考電流和第二參考電流輸出二次斜坡補(bǔ)償電流，二次斜坡補(bǔ)償電流與一次斜坡補(bǔ)償電流之間滿足對應(yīng)的二次項(xiàng)關(guān)系。將固定斜率的斜坡電流改變?yōu)槎涡托逼卵a(bǔ)償電流，使斜坡電流的補(bǔ)償在占空比較小的情況下對電感最大峰值電流的影響較小，改善了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)以及最大帶載能力。

10、為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

技術(shù)特征：

1.一種二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路包括：一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊、第一電流拉取模塊、第二電流拉取模塊以及二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊；

2.如權(quán)利要求1所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、輸出單元以及反饋單元；

3.如權(quán)利要求2所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述反饋單元包括第六nmos管和第七nmos管；

4.如權(quán)利要求3所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊還包括第八nmos管和/或由第九pmos管、第十pmos管組成的電流鏡結(jié)構(gòu)；

5.如權(quán)利要求2所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述第一pmos管的寬長比和所述第二pmos管的寬長比為4:1；

6.如權(quán)利要求2所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述第一電流拉取模塊包括第十一pmos管、第十二pmos管、第十三nmos管以及第十四nmos管；

7.如權(quán)利要求2所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述第二電流拉取模塊包括第十五nmos管、第十六nmos管、第十七pmos管、第十八pmos管以及第十九nmos管；

8.如權(quán)利要求7所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述第二電流拉取模塊還包括第二十pmos管；

9.如權(quán)利要求2所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路，其特征在于，所述一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊包括第一pnp三極管、第二npn三極管、第一電阻以及第二十一nmos管；

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出一種二次斜坡補(bǔ)償電流生成電路及電子設(shè)備，一次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊根據(jù)接收到的開關(guān)信號生成對應(yīng)的一次斜坡補(bǔ)償電流，以使第一電流拉取模塊從二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊中拉取第一參考電流，第一參考電流與一次斜坡補(bǔ)償電流對應(yīng)；第二電流拉取模塊向二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊提供第二參考電流；二次斜坡補(bǔ)償電流生成模塊根據(jù)第一參考電流和第二參考電流輸出二次斜坡補(bǔ)償電流，二次斜坡補(bǔ)償電流與一次斜坡補(bǔ)償電流之間滿足對應(yīng)的二次項(xiàng)關(guān)系。將固定斜率的斜坡電流改變?yōu)槎涡托逼卵a(bǔ)償電流，使斜坡電流的補(bǔ)償在占空比較小的情況下對電感最大峰值電流的影響較小，改善了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)以及最大帶載能力。

技術(shù)研發(fā)人員：胥文興,鄭晨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9