本發(fā)明涉及用于控制機(jī)電系統(tǒng)的控制方法、光刻設(shè)備控制方法和光刻設(shè)備。
背景技術(shù):
1、光刻設(shè)備是一種被構(gòu)造為將所期望的圖案施加到襯底上的機(jī)器。例如,光刻設(shè)備可以用于集成電路(ic)的制造中。光刻設(shè)備可以例如將圖案形成裝置(例如,掩模)的圖案(也經(jīng)常被稱為“設(shè)計(jì)布局”或“設(shè)計(jì)”)投影到被設(shè)置在襯底(例如,晶片)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
2、隨著半導(dǎo)體制造過(guò)程持續(xù)進(jìn)步,幾十年來(lái),在電路元件的尺寸已經(jīng)不斷地減小的同時(shí)每器件的功能元件(諸如晶體管)的量已經(jīng)在穩(wěn)定地增加,這遵循著通常稱為“莫爾定律(moore’s?law)”的趨勢(shì)。為了跟上莫爾定律,半導(dǎo)體行業(yè)正在尋求能夠產(chǎn)生越來(lái)越小的特征的技術(shù)。為了將圖案投影到襯底上,光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長(zhǎng)確定在所述襯底上圖案化的特征的最小大小。當(dāng)前使用的典型的波長(zhǎng)是365nm(i線)、248nm、193nm和13.5nm。使用極紫外(euv)輻射(具有在4nm至20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng),例如6.7nm或13.5nm)的光刻設(shè)備可以被用于在襯底上形成與使用例如具有193nm波長(zhǎng)的輻射的光刻設(shè)備相比更小的特征。
3、在光刻設(shè)備中需要對(duì)機(jī)電系統(tǒng)的準(zhǔn)確控制。例如,晶片臺(tái)的位置待被準(zhǔn)確地控制,以便將圖案投影在襯底上的期望部位處。可以使用包含反饋控制器和前饋控制器的控制系統(tǒng)。前饋控制器的前饋傳遞函數(shù)可以考慮機(jī)電系統(tǒng)的預(yù)期性質(zhì)。然而,機(jī)電系統(tǒng)的性質(zhì)可以變化,諸如隨時(shí)間變化或隨其它變量(諸如晶片臺(tái)位置等)而變化。作為這種變化的結(jié)果,前饋控制器的前饋傳遞函數(shù)的準(zhǔn)確度可能較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、考慮到上述情況,本發(fā)明的目的是提供對(duì)機(jī)電系統(tǒng)的準(zhǔn)確控制。
2、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種用于控制機(jī)電系統(tǒng)的控制方法,所述方法包括:
3、a)提供所述機(jī)電系統(tǒng)的模型,所述模型包括擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù);
4、b)通過(guò)以下方式修改所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù):
5、-獲得所述機(jī)電系統(tǒng)的伺服誤差;
6、-獲得所述機(jī)電系統(tǒng)的設(shè)定點(diǎn),并且基于所述機(jī)電系統(tǒng)的包括擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)的模型以及所述設(shè)定點(diǎn)來(lái)確定所述機(jī)電系統(tǒng)的預(yù)測(cè)伺服誤差,
7、-基于所述伺服誤差與所述預(yù)測(cè)伺服誤差之間的相關(guān)性來(lái)修改所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù),
8、c)基于經(jīng)修改的擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)來(lái)更新所述機(jī)電系統(tǒng)的前饋結(jié)構(gòu)的前饋傳遞函數(shù),以及
9、d)使用經(jīng)更新的前饋傳遞函數(shù)連續(xù)地確定控制信號(hào)以控制所述機(jī)電系統(tǒng)。
10、根據(jù)本發(fā)明的另外的實(shí)施例,提供了一種光刻設(shè)備控制方法,包括根據(jù)依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法來(lái)控制所述光刻設(shè)備的機(jī)電系統(tǒng)。
11、根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例,提供了一種光刻設(shè)備,包括控制系統(tǒng),所述控制系統(tǒng)被配置成控制所述光刻設(shè)備的機(jī)電系統(tǒng),且所述控制系統(tǒng)被配置成根據(jù)依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的控制方法來(lái)控制所述機(jī)電系統(tǒng)。
1.一種用于控制機(jī)電系統(tǒng)的控制方法,所述方法包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制方法,其中,重復(fù)b)和c)以重復(fù)地更新所述前饋傳遞函數(shù),并且其中,在d)中,使用經(jīng)重復(fù)地更新的所述前饋傳遞函數(shù)來(lái)控制所述機(jī)電系統(tǒng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中,b)還包括基于所述經(jīng)修改的擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)來(lái)更新所述模型。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的控制方法,其中,基于在n次先前重復(fù)處所述伺服誤差與所述預(yù)測(cè)伺服誤差之間的相關(guān)性來(lái)修改所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù),n是大于1的自然數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制方法,其中,使用最小二乘法來(lái)組合在n次先前重復(fù)處的所述伺服誤差與所述預(yù)測(cè)伺服誤差之間的所述相關(guān)性。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中的任一項(xiàng)所述的控制方法,其中,所述n次先前重復(fù)的時(shí)間尺度被設(shè)置為超過(guò)重復(fù)模式的在所述設(shè)定點(diǎn)中的時(shí)間尺度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的控制方法,其中,所述控制信號(hào)是由所述前饋結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的并且表示所述機(jī)電系統(tǒng)的前饋力的前饋信號(hào),并且其中所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)被包括在所述前饋結(jié)構(gòu)的所述前饋傳遞函數(shù)中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的控制方法,其中,所述機(jī)電系統(tǒng)包括雙機(jī)電子系統(tǒng),其中所述機(jī)電系統(tǒng)的所述模型包括從所述機(jī)電子系統(tǒng)中的一個(gè)機(jī)電子系統(tǒng)到所述機(jī)電子系統(tǒng)中的另一個(gè)機(jī)電子系統(tǒng)的前饋結(jié)構(gòu),并且其中所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)被包括在所述前饋結(jié)構(gòu)的所述前饋傳遞函數(shù)中。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的控制方法,其中,所述機(jī)電系統(tǒng)包括致動(dòng)器,諸如電磁致動(dòng)器。
10.一種光刻設(shè)備控制方法,包括根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法控制所述光刻設(shè)備的機(jī)電系統(tǒng)。
11.一種光刻設(shè)備,包括控制系統(tǒng),所述控制系統(tǒng)被配置成控制所述光刻設(shè)備的機(jī)電系統(tǒng),所述控制系統(tǒng)被配置成根據(jù)依據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的控制方法來(lái)控制所述機(jī)電系統(tǒng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光刻設(shè)備,包括前饋結(jié)構(gòu),所述前饋結(jié)構(gòu)被配置成提供前饋力,并且其中所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)被包括在所述前饋結(jié)構(gòu)中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光刻設(shè)備,其中,所述機(jī)電系統(tǒng)包括被配置成保持襯底的襯底臺(tái),所述前饋結(jié)構(gòu)被配置成在所述襯底臺(tái)上提供所述前饋力。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任一項(xiàng)所述的光刻設(shè)備,其中,所述機(jī)電系統(tǒng)包括雙機(jī)電子系統(tǒng),所述光刻設(shè)備包括從所述機(jī)電子系統(tǒng)中的一個(gè)機(jī)電子系統(tǒng)到所述機(jī)電子系統(tǒng)中的另一個(gè)機(jī)電子系統(tǒng)的前饋結(jié)構(gòu),并且其中所述擾動(dòng)補(bǔ)償參數(shù)被包括在所述前饋結(jié)構(gòu)中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻設(shè)備,包括被配置成保持襯底的襯底臺(tái)以及用于支撐圖案形成裝置的支撐件,其中所述機(jī)電子系統(tǒng)中的一個(gè)機(jī)電子系統(tǒng)包括所述支撐件,并且所述機(jī)電子系統(tǒng)中的另一個(gè)機(jī)電子系統(tǒng)包括所述襯底臺(tái)。