本發(fā)明涉及溫控電路技術領域，特別是涉及一種鋰電池生產(chǎn)環(huán)節(jié)中所用真空烤箱的溫度控制電路。

背景技術：

目前，大多數(shù)的電子產(chǎn)品采用鋰電池為其提供電源，而在電子產(chǎn)品的使用過程中，通常會出現(xiàn)鋰電池發(fā)熱、發(fā)燙的問題，如果鋰電池內(nèi)部有存在水分因子，那么長時間的發(fā)熱會使鋰電池本身的熱量增加，讓其內(nèi)部水分蒸發(fā)空氣劇烈膨脹，導致鋰電池產(chǎn)生突起，更甚的是會導致鋰電池爆炸，因此，在鋰電池生產(chǎn)工序中需要采用真空烤箱對鋰電池的殼體進行烘干以盡可能的去除其水分，延長電池的使用壽命及降低電池爆炸的危險。

真空烤箱在對鋰電池的殼體進行烘烤的工程中，需要嚴格的控制溫度，現(xiàn)有真空烤箱的溫度控制電路如圖1所示，其由plc發(fā)送控制信號，控制信號控制固態(tài)繼電器的閉合和斷開，從而實現(xiàn)對電熱絲的加熱工作進行控制。而在對電熱絲的加熱過程中，固態(tài)繼電器容易被擊穿，擊穿后的固態(tài)繼電器相當于開關短路，不能對再電熱絲加熱工作進行控制，造成電熱絲處于持續(xù)的供電狀態(tài)，安全隱患大。另外，plc控制溫度算法固定，控制溫度精度差，需要現(xiàn)場反復調(diào)試。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種溫度控制電路，旨在解決現(xiàn)有技術中真空烤箱的溫度控制電路因固態(tài)繼電器被擊穿而出現(xiàn)較大安全隱患的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明溫度控制電路采用的技術方案是：所述溫度控制電路包括串聯(lián)有電熱絲的溫度控制主回路和控制溫度主回路通斷的繼電器控制電路，所述溫度控制電路還包括與所述繼電器的常開觸點串聯(lián)的可控硅控制電路，可控硅控制電路的輸入端與單片機相連以接受單片機發(fā)送的第一控制信號而控制可控硅的導通角；所述繼電器控制電路的輸入端與單片機相連以接受單片機發(fā)送的第二控制信號而控制繼電器的斷開和閉合。

所述第一控制信號通過光耦可控硅隔離的方式控制所述可控硅控制電路。

所述第二控制信號通過光耦可控硅的方式控制所述繼電器控制電路。

所述第一信號為根據(jù)交流過零信號進行控制的脈沖信號。

所述可控硅控制電路中連接有用于指示所述可控硅輸出狀態(tài)的第一激光二極管。

所述繼電器控制電路中連接有用于指示所述繼電器輸出狀態(tài)的第二激光二極管。

所述溫度主控制回路中連接有保險絲。

所述溫度主控制回路中連接有用于指示險絲熔斷的并與所述保險絲并聯(lián)的快速二極管。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的溫度控制電路包括由單片機控制的可控電路和繼電器控制電路，正常情況下，由單片機發(fā)出的第一控制信號和第二控制限號分別控制可控硅和繼電器而對電熱絲的加熱工作進行控制，即對溫度進行精度控制；當可控硅被擊穿后，則由單片機發(fā)出第二控制信號控制繼電器而單獨進行控溫；當繼電器被擊穿后，則由單片機發(fā)出第一控制信號控制可控硅而單獨進行控溫，從而可控硅和繼電器實現(xiàn)了雙重控溫，即可控硅和繼電器中的一個被擊穿后溫度控制電路還可以正?？販?，極大地提高了溫度控制電路的可靠性，有效解決了現(xiàn)有技術中溫度控制電路因固態(tài)繼電器被擊穿而出現(xiàn)較大安全隱患的問題。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術中溫度控制電路圖；

圖2是本發(fā)明溫度控制電路的電路圖；

圖3是單片機的接口電路圖；

圖4是rs485通訊電路圖；

圖5是風扇控制電路圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作進一步說明。

本發(fā)明溫度控制電路的實施例，如圖2所示，該溫度控制電路用于控制鋰電池生產(chǎn)環(huán)節(jié)中所用真空烤箱的溫度控制，其包括串聯(lián)有電熱絲的溫度控制主回路、控制溫度主回路通斷的繼電器控制電路和與繼電器k的常開觸點串聯(lián)的可控硅控制電路，可控硅控制電路的輸入端與單片機相連，單片機發(fā)送第一控制信號控制可控硅的導通角而對溫度進行控制；繼電器控制電路的輸入端與單片機相連，單片機發(fā)送第二控制信號控制繼電器的閉合和斷開而對溫度進行控制。

可控硅控制電路中串接有第一激光二極管ld1，第一激光二極管ld1用于指示可控硅的輸出狀態(tài),以便使用者觀察可控硅的工作情況。為了便于觀察繼電器k的輸出狀態(tài)，在繼電器電路中連接有指示繼電器輸出狀態(tài)的第二激光二極管ld2。

為防止溫度控制電路失去對電熱絲r0的加熱控制，造成對電熱絲r0持續(xù)供電而出現(xiàn)起火的現(xiàn)象，在溫度主控制回路中連接有保險絲f,保險絲f在大電流下被燒壞而及時切斷供電電源，有效防止了對電熱絲r0的過渡加熱。

溫度主控制回路中連接有與保險絲f并聯(lián)的快速二極管fd，快速二極管fd用于指示保險絲f的熔斷，根據(jù)快速二極管fd的指示可以判斷保險絲f是否熔斷，以便于檢修。

第一控制信號為根據(jù)交流過零信號進行控制的脈沖信號，且第一控制信號通過光耦可控硅隔離的方式控制可控硅控制電路；第二控制信號通過光耦可控硅的方式控制繼電器控制電路。

單片機的接口電路如3圖所示，其程序采用自適應的模糊控制算法，與plc控制溫度算法相比，控制精度高，不需要現(xiàn)場調(diào)試；同時，單片機采用rs485通訊模塊，rs485通訊電路如圖4所示，其一路用來采集真空烤箱內(nèi)的溫度數(shù)據(jù)，一路用來上傳溫度數(shù)據(jù)到主控模塊并接收控制指令。

當需要為電熱絲ro加熱時，繼電器k接受的單片機發(fā)送的第二控制信號，第二控制信號控制繼電器k吸合，此時，溫度主控制回路接通開始加熱電熱絲；同時，可控硅接受單片機發(fā)送的第一控制信號，第一控制信號控制可控硅動作；當可控硅被擊穿后，則由單片機發(fā)出第二控制信號控制繼電器k而單獨進行控溫；當繼電器k被擊穿后，則由單片機發(fā)出第一控制信號控制可控硅而單獨進行控溫，從而可控硅和繼電器k實現(xiàn)了雙重控溫，即可控硅和繼電器中的一個被擊穿后溫度控制電路還可以正?？販?，極大地提高了溫度控制電路的可靠性。

另外，由于加在可控硅控制極g1上的觸發(fā)脈沖的大小和時間改變，可以使可控硅導通電流隨之改變，可控硅接受第一控制信號，根據(jù)過零信號獲得脈沖控制信號，可以控制可控硅的導通角，即控制可控硅應該在過零后什么時刻導通，從而可以控制電熱絲的加熱功率，以實現(xiàn)精確控溫。

電路板上可以集成一個或一個以上的本發(fā)明溫度控制電路，即電路板上集成了一個或多個控制通道，其體積小于由plc控制的獨立的固態(tài)繼電器，同時線路采用插件安裝，大大降低了勞動強度，提高了生產(chǎn)效率，有效降低了成本。電路板上還集成了風扇控制電路，風扇控制電路圖如圖5所示。

在其他實施例中，所述第一控制信號可通過放大電路發(fā)送到可控硅的控制極電路；所述第二控制信號可通過放大電路發(fā)送給繼電器；溫度控制電路中也可不連接第一激光燈、第二激光燈、保險絲。

技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種鋰電池生產(chǎn)環(huán)節(jié)中所用真空烤箱的溫度控制電路，所述溫度控制電路包括串聯(lián)有電熱絲的溫度控制主回路、控制溫度主回路通斷的繼電器控制電路和與所述繼電器的常開觸點串聯(lián)的可控硅控制電路，可控硅控制電路的輸入端與單片機相連；所述繼電器控制電路的輸入端與單片機相連。正常情況下，由單片機分別控制可控硅和繼電器而對電熱絲的加熱工作進行控制，當可控硅被擊穿后，則由單片機控制繼電器而單獨進行控溫；當繼電器被擊穿后，則由單片機控制可控硅而單獨進行控溫，從而可控硅和繼電器實現(xiàn)了雙重控溫，即本發(fā)明溫度控制電路中的可控硅和繼電器的一個被擊穿后中還可以正?？販?，可靠性高，消除了安全隱患。

技術研發(fā)人員：楊占輝
受保護的技術使用者：河南迪天環(huán)保科技有限公司
技術研發(fā)日：2017.07.24
技術公布日：2017.09.26