本發(fā)明屬于半導體集成電路技術領域，具體涉及一種偏置電流產生電路。

背景技術：

偏置電流是模擬集成電路中的一種重要參考源，是系統(tǒng)中不可缺少的一部分。

傳統(tǒng)的偏置電流產生電路如圖1所示，包括：由第一pmos晶體管p1、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2構成的啟動電路以及第二pmos晶體管p2、第三pmos晶體管p3、第三nmos晶體管n3、第四nmos晶體管n4和電阻r1構成的偏置電流電路；第一pmos晶體管p1的源極接電源，柵極和漏極相連并與第一nmos晶體管n1的漏極和第二nmos晶體管n2的柵極相接；第一nmos晶體管n1的源極接地，柵極與第四nmos晶體管n4的柵極相接；第二nmos晶體管n2的源極接地，漏極接電壓輸出端uout；第二pmos晶體管p2的源極接電源，柵極接第三pmos管p3的柵極，柵極和漏極都接到電壓輸出端uout；第三pmos晶體管p3的源極接電源，漏極接第四nmos晶體管n4的漏極，柵極接輸出uout；第三nmos晶體管n3的漏極接輸出電壓uout，源極接地，柵極接第四nmos晶體管n4的柵極；第四nmos晶體管n4的漏極和柵極相連，源極接電阻r1的一端，電阻r1的另一端接地。

現(xiàn)有的偏置電流產生電路都存在不能啟動的問題，所以都需要額外的啟動電路，圖1中的第一pmos晶體管p1、第一nmos晶體管n1和第二nmos晶體管n2即為啟動電路。這種啟動電路需要耗費芯片的面積和功耗，給電路設計增加成本。

技術實現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有偏置電流產生電路耗費芯片的面積和功耗的技術問題，本發(fā)明提供了一種無需啟動電路的偏置電流產生電路。

一種偏置電流產生電路，包括：pmos晶體管p1、nmos晶體管n1、npn三極管q1、第一電阻r1和第二電阻r2；第一電阻r1一端接電源，另一端接nmos晶體管n1的柵極和npn三極管q1的集電極；npn三極管q1的發(fā)射極接地，基極接第二電阻r2的一端和nmos晶體管n1的源極；第二電阻r2的另一端接地；nmos晶體管n1的漏極接pmos晶體管p1的漏極；pmos晶體管p1的源極接電源，柵極和漏極都接到輸出端bias。

本發(fā)明的偏置電流產生電路利用三極管的基極和發(fā)射極的電壓差除以一個電阻，得到了一個既不需要啟動電路，也與電源電壓無關的偏置電流，大大提升了電路的性能。

附圖說明

圖1是傳統(tǒng)的偏置電流產生電路結構示意圖；

圖2是本發(fā)明實施方式提供的偏置電流產生電路結構示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面結合具體實施方式并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

為了減小偏置電流產生電路的面積及降低其功耗，本發(fā)明提供了一種無需啟動電路的偏置電流產生電路，如圖2所示，本發(fā)明提供的偏置電流產生電路包括：pmos晶體管p1、nmos晶體管n1、npn三極管q1、第一電阻r1和第二電阻r2；第一電阻r1一端接電源，另一端接nmos晶體管n1的柵極和npn三極管q1的集電極；npn三極管q1的發(fā)射極接地，基極接第二電阻r2的一端和nmos晶體管n1的源極；第二電阻r2的另一端接地；nmos晶體管n1的漏極接pmos晶體管p1的漏極；pmos晶體管p1的源極接電源，柵極和漏極都接到輸出端bias。

本發(fā)明的偏置電流產生電路利用三極管的基極和發(fā)射極的電壓差除以一個電阻，得到了一個不需要啟動電路，也與電源電壓無關的偏置電流，從而減小了偏置電流產生電路的面積，降低了功耗，大大提升了電路的性能。

應當理解的是，本發(fā)明的上述具體實施方式僅僅用于示例性說明或解釋本發(fā)明的原理，而不構成對本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。此外，本發(fā)明所附權利要求旨在涵蓋落入所附權利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內的全部變化和修改例。

技術特征：

技術總結
一種偏置電流產生電路，屬于半導體集成電路技術領域。該電路包括：PMOS晶體管、NMOS晶體管、NPN三極管、第一電阻和第二電阻；第一電阻一端接電源，另一端接NMOS晶體管的柵極和NPN三極管的集電極；NPN三極管的發(fā)射極接地，基極接第二電阻的一端和NMOS晶體管的源極；第二電阻的另一端接地；NMOS晶體管的漏極接PMOS晶體管的漏極；PMOS晶體管的源極接電源，柵極和漏極都接到輸出端。本發(fā)明的偏置電流產生電路利用三極管的基極和發(fā)射極的電壓差除以一個電阻，得到了一個不需要啟動電路，也與電源電壓無關的偏置電流，從而減小了偏置電流產生電路的面積，降低了功耗，大大提升了電路的性能。

技術研發(fā)人員：不公告發(fā)明人
受保護的技術使用者：長沙方星騰電子科技有限公司
技術研發(fā)日：2017.05.30
技術公布日：2017.08.04