本申請(qǐng)要求基于提交于2014年12月9日的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2014-0175970的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施例大體上涉及一種電壓生成裝置，并且更具體地涉及一種配置為包括電壓泵和電壓調(diào)節(jié)器的用于生成內(nèi)部電壓的電壓生成裝置。

背景技術(shù)：

電子設(shè)備可以包括電壓生成電路，所述電壓生成電路配置為基于兩個(gè)或多個(gè)外部電壓來(lái)生成內(nèi)部電壓。電壓生成電路可以基于相應(yīng)的外部電壓來(lái)生成內(nèi)部電壓。如果多個(gè)電壓生成單元生成一個(gè)內(nèi)部電壓，可能需要至少兩個(gè)單元用以感測(cè)內(nèi)部電壓的幅度。然而，在外部電壓之間流動(dòng)的穿越電流(through-current)導(dǎo)致了不必要功耗的發(fā)生。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以提供一種電壓生成裝置。所述電壓生成裝置可以包括外部電壓感測(cè)電路，配置為通過(guò)感測(cè)第一外部電壓的幅度和第二外部電壓的幅度而生成第一開始信號(hào)和第二開始信號(hào)。所述電壓生成裝置可以包括內(nèi)部電壓感測(cè)電路，配置為通過(guò)對(duì)內(nèi)部電壓和目標(biāo)電壓進(jìn)行比較而生成電壓生成信號(hào)。所述電壓生成裝置可以包括電壓泵送電路，配置為響應(yīng)于第一開始信號(hào)而被激活，配置為基于電壓生成信號(hào)而執(zhí)行泵送操作，以及配置為生成內(nèi)部電壓。所述電壓生成裝置可以包括電壓調(diào)節(jié)電路，配置為響應(yīng)于第一開始信號(hào)和第二開始信號(hào)而被激活，并且配置為基于電壓生成信號(hào)而生成內(nèi)部電壓。

附圖說(shuō)明

圖1為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置的實(shí)例的表示的框圖；

圖2為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的外部電壓感測(cè)電路的實(shí)例的表示的框圖；

圖3為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第一開始信號(hào)生成器的實(shí)例的表示的電路圖；

圖4A和圖4B為描述了包含在第一開始信號(hào)生成器中的加電重置單元的操作的實(shí)例的表示的時(shí)間-電壓圖；

圖5為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第二開始信號(hào)生成器的實(shí)例的表示的電路圖；

圖6為描述了圖1所描述的電壓泵送電路的實(shí)例的表示的框圖；

圖7為描述了圖6所描述的泵送激活單元的實(shí)例的表示的電路圖；

圖8為描述了包含在圖6所描述的泵送激活單元中的初始化單元的實(shí)例的表示的框圖；

圖9為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)電路的實(shí)例的表示的框圖；

圖10為描述了圖9所描述的調(diào)節(jié)激活單元的實(shí)例的表示的電路圖；

圖11為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的適應(yīng)性調(diào)節(jié)器的實(shí)例的表示的電路圖；

圖12描述了采用根據(jù)上面參照?qǐng)D1-圖11所討論的各種實(shí)施例的電壓生成裝置的系統(tǒng)的表示的實(shí)例的框圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)參照實(shí)施例，其中的實(shí)例在附圖中進(jìn)行描述。只要可能，貫穿附圖所使用的相同的參考標(biāo)號(hào)指代相同或是相似的部分。

結(jié)合實(shí)施例，特定的結(jié)構(gòu)以及功能性的描述僅用于示意性的目的而公開，實(shí)施例可以各種方式來(lái)實(shí)施。

各種實(shí)施例可以針對(duì)提供一種實(shí)質(zhì)上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題的電壓生成裝置。

實(shí)施例可以針對(duì)一種電壓生成裝置，其配置為當(dāng)基于兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓來(lái)生成內(nèi)部電壓時(shí)檢測(cè)每個(gè)外部電壓正常施加的特定時(shí)間，由此穩(wěn)定地生成內(nèi)部電壓。

實(shí)施例可以針對(duì)一種電壓生成裝置，其配置為當(dāng)基于兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓來(lái)生成內(nèi)部電壓時(shí)切斷流經(jīng)兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓的泄露電流路徑，使得功率損耗可以最小化。

圖1為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置的實(shí)例的表示的框圖。

參照?qǐng)D1，電壓生成裝置10可以包括內(nèi)部電壓感測(cè)電路100、外部電壓感測(cè)電路200以及電壓泵送電路300。電壓生成裝置10可以包括電壓調(diào)節(jié)電路400。

內(nèi)部電壓感測(cè)電路100可以生成電壓生成信號(hào)DET?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)目標(biāo)電壓VTG與 從電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400中的至少一個(gè)生成的內(nèi)部電壓VINT進(jìn)行比較而生成電壓生成信號(hào)DET。當(dāng)內(nèi)部電壓VINT沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)電壓VTG電平時(shí)，內(nèi)部電壓感測(cè)電路100可以激活電壓生成信號(hào)DET。

電壓生成裝置10可以允許電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400共享內(nèi)部電壓感測(cè)電路100。電壓生成裝置10可以配置為使得電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400二者都耦接到內(nèi)部電壓感測(cè)電路100。如果根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置10共享內(nèi)部電壓感測(cè)電路100，則相較于其他實(shí)施例、即電壓泵送電路300包括額外的內(nèi)部電壓感測(cè)單元并且電壓調(diào)節(jié)電路400包括額外的內(nèi)部電壓感測(cè)單元，電壓生成裝置10的尺寸減小。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400可以檢測(cè)不同的內(nèi)部電壓VINT，使得可以降低導(dǎo)致操作開始定時(shí)失配的可能性。

外部電壓感測(cè)電路200對(duì)第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2進(jìn)行比較。外部電壓感測(cè)電路200基于第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2之間的比較結(jié)果而生成第一開始信號(hào)VST1和第二開始信號(hào)VST2。外部電壓感測(cè)電路200可以根據(jù)第一外部電壓VEXT1的幅度和第二外部電壓VEXT2的幅度來(lái)激活或去激活第一開始信號(hào)VST1和第二開始信號(hào)VST2。

例如，外部電壓感測(cè)電路200可以在第一外部電壓VEXT1達(dá)到希望的參考電壓并且第二外部電壓VEXT2達(dá)到希望的參考電壓時(shí)激活第一開始信號(hào)VST1。

然而，包含在外部電壓感測(cè)電路200中的用于激活第一開始信號(hào)VST1的電路可以由第一外部電壓VEXT1來(lái)驅(qū)動(dòng)。

因此，外部電壓感測(cè)電路200還可以生成第二開始信號(hào)VST2而不依賴于第一開始信號(hào)VST1的生成。

接下來(lái)參照?qǐng)D2-圖5來(lái)描述允許外部電壓感測(cè)電路200生成第一開始信號(hào)VST1和第二開始信號(hào)VST2的方法。

電壓泵送電路300可以基于電壓生成信號(hào)DET和第一開始信號(hào)VST1進(jìn)行操作。例如，電壓泵送電路300可以響應(yīng)于第一開始信號(hào)VST1而被激活，并且可以基于電壓生成信號(hào)DET來(lái)執(zhí)行泵送操作，使得電壓泵送電路300可以生成內(nèi)部電壓VINT。

電壓泵送電路300可以基于第一外部電壓VEXT1而被驅(qū)動(dòng)以生成內(nèi)部電壓VINT。當(dāng)?shù)谝煌獠侩妷篤EXT1異常地提供時(shí)，不需要執(zhí)行泵送操作。

在響應(yīng)于第一開始信號(hào)VST1而正常施加第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓 VEXT2的情況下，電壓泵送電路300可以在內(nèi)部電壓VINT沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)電壓VTG時(shí)響應(yīng)于電壓生成信號(hào)DET執(zhí)行泵送操作。

電壓調(diào)節(jié)電路400可以響應(yīng)于第一開始信號(hào)VST1和第二開始信號(hào)VST2而被激活。電壓調(diào)節(jié)電路400可以線性地控制內(nèi)部電壓VINT。

電壓調(diào)節(jié)電路400可以基于第二外部電壓VEXT2而被驅(qū)動(dòng)以生成內(nèi)部電壓VINT。與在電壓泵送電路300中的方式相同，當(dāng)?shù)诙獠侩妷篤EXT2異常提供時(shí)，不需要執(zhí)行電壓調(diào)節(jié)操作。

例如，由于電壓調(diào)節(jié)電路400基于第二外部電壓VEXT2而被驅(qū)動(dòng)，因此當(dāng)?shù)谝煌獠侩妷篤EXT1和第二外部電壓VEXT2正常施加時(shí)需要執(zhí)行調(diào)節(jié)操作。相應(yīng)地，電壓調(diào)節(jié)電路400可以響應(yīng)于第一開始信號(hào)VST1而被激活，以及還可以響應(yīng)于第二開始信號(hào)VST2而被激活，所述第二開始信號(hào)VST2用于正確地檢測(cè)異常施加第二外部電壓VEXT2的實(shí)例。

下面將描述用于線性地生成電壓調(diào)節(jié)電路400的內(nèi)部電壓VINT的方法。電壓調(diào)節(jié)電路400可以包括與例如MOS晶體管的傳輸開關(guān)串聯(lián)耦接的電阻。當(dāng)接收到如圖9到圖11所示的基于電壓生成信號(hào)DET生成的調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN時(shí)，MOS晶體管可以提供第二外部電壓VEXT2到達(dá)電阻所沿的路徑。根據(jù)MOS晶體管的柵極-源極電壓Vgs特性，內(nèi)部電壓VINT和調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN之間的關(guān)系由二次方曲線來(lái)表示，電壓調(diào)節(jié)電路400包括電阻，使得電壓調(diào)節(jié)電路400可以線性地控制內(nèi)部電壓VINT。

以下參照?qǐng)D9-圖11描述電壓調(diào)節(jié)電路400。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，電壓生成裝置10可以包括控制電路500?？刂齐娐?00可以配置為生成控制信號(hào)CTRL1、CTRL2和CTRL3。控制信號(hào)CTRL1、CTRL2和CTRL3可以用來(lái)控制內(nèi)部電壓感測(cè)電路100、電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400。

控制電路500可以控制內(nèi)部電壓感測(cè)電路100、電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400?？刂齐娐?00可以被包括在諸如例如但不限于外部主機(jī)的設(shè)備中，也可以被包括在電壓生成裝置10中，用以生成多個(gè)控制信號(hào)CTRL1、CTRL2和CTRL3。

參照?qǐng)D1，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置10包括基于第一外部電壓VEXT1而驅(qū)動(dòng)的電壓泵送電路300以及基于第二外部電壓VEXT2而驅(qū)動(dòng)的電壓調(diào)節(jié)電路400以生成內(nèi)部電壓VINT。在生成內(nèi)部電壓VINT時(shí)，電壓生成裝置10配置為僅在第一外部電壓VEXT1以及第二外部電壓VEXT2正常地達(dá)到參考電壓時(shí)才執(zhí)行泵送操作或調(diào)節(jié)操作，使得電壓生成裝置10可以穩(wěn)定地生成內(nèi)部電壓VINT。

圖2為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的外部電壓感測(cè)電路的實(shí)例的表示的框圖。

參照?qǐng)D2，外部電壓感測(cè)電路200可以包括第一開始信號(hào)生成器210和第二開始信號(hào)生成器220。

第一開始信號(hào)生成器210可以確定第一外部電壓VEXT1是否達(dá)到第一參考電壓VREF1以及第二外部電壓VEXT2是否達(dá)到第二參考電壓VREF2，使得第一開始信號(hào)生成器210可以生成第一開始信號(hào)VST1。

當(dāng)?shù)谝煌獠侩妷篤EXT1和第二外部電壓VEXT2中的每個(gè)等于或高于閾值時(shí)，第二開始信號(hào)生成器220可以激活第二開始信號(hào)VST2。

圖3為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第一開始信號(hào)生成器的實(shí)例的表示的電路圖。圖4A和圖4B為描述了被包含在第一開始信號(hào)生成器中的加電重置單元的操作的實(shí)例的表示的時(shí)間-電壓圖。

參照?qǐng)D3，第一開始信號(hào)生成器210可以包括加電重置單元211以及多個(gè)邏輯運(yùn)算器LO1和LO2。

加電重置單元211可以在第一外部電壓VEXT1達(dá)到第一參考電壓VREF1時(shí)初始化第一凈信號(hào)NET1，以及可以在第二外部電壓VEXT2達(dá)到第二參考電壓VREF2時(shí)初始化第二凈信號(hào)NET2。

加電重置單元211可以包括第一加電重置單元POR1和第二加電重置單元POR2。第一加電重置單元POR1可以基于第一外部電壓VEXT1而被驅(qū)動(dòng)。當(dāng)?shù)谝煌獠侩妷篤EXT1達(dá)到第一參考電壓VREF1時(shí)，第一加電重置單元POR1可以生成初始化的第一凈信號(hào)NET1。

為了理解第一加電重置單元POR1的操作，現(xiàn)在參照?qǐng)D4A。在圖4A所描述的每個(gè)圖中，X軸可以表示時(shí)間，Y軸可以表示電壓的幅度。

在圖4A中，第一加電重置單元POR1響應(yīng)于第一外部電壓VEXT1而在特定的時(shí)間t₁初始化第一凈信號(hào)NET1。

當(dāng)?shù)诙獠侩妷篤EXT2達(dá)到第二參考電壓VREF2時(shí)，第二加電重置單元POR2可以初始化第二凈信號(hào)NET2。

參照?qǐng)D4B，第二加電重置單元POR2可以在第二外部電壓VEXT2到達(dá)第二參考電壓VREF2的特定時(shí)間t₂初始化第二凈信號(hào)NET2。

配置為執(zhí)行第一凈信號(hào)NET1和第二凈信號(hào)NET2的邏輯運(yùn)算的邏輯運(yùn)算器LO1和LO2可以分別是或非運(yùn)算器LO1和反相器LO2。由于運(yùn)算單元LO1和LO2執(zhí)行邏輯“或”運(yùn)算，當(dāng)?shù)谝粌粜盘?hào)NET1和第二凈信號(hào)NET2中的至少一個(gè)被激活時(shí)，運(yùn)算單元LO1和LO2可以提供激活的第一開始信號(hào)VST1。

第一開始信號(hào)生成器210可以檢測(cè)第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2分別等于或高于第一參考電壓VREF1和第二參考電壓VREF2的實(shí)例。當(dāng)如上所述執(zhí)行邏輯運(yùn)算時(shí)，第一開始信號(hào)VST1可以在第一外部電壓VEXT1等于或高于第一參考電壓VREF1以及第二外部電壓VEXT2等于或高于第二參考電壓VREF2時(shí)對(duì)應(yīng)于邏輯低狀態(tài)。

邏輯運(yùn)算器LO1和LO2可以基于第一外部電壓VEXT1而被驅(qū)動(dòng)。當(dāng)不考慮加電重置單元211而不提供第一外部電壓VEXT1時(shí)，第一開始信號(hào)VST1也可以對(duì)應(yīng)于邏輯低狀態(tài)。

如果不提供第一外部電壓VEXT1，可能無(wú)法操作基于第一外部電壓VEXT1而驅(qū)動(dòng)的所有電路。例如，當(dāng)不提供第一外部電壓VEXT1時(shí)，第一開始信號(hào)VST1對(duì)應(yīng)于邏輯低狀態(tài)。即使第一開始信號(hào)VST1具有與正常提供第一開始信號(hào)VST1的實(shí)例中相同的值，也可以不發(fā)生問(wèn)題。例如，由第一外部電壓VEXT1驅(qū)動(dòng)的電壓泵送電路300可以在第一開始信號(hào)VST1位于邏輯低狀態(tài)的實(shí)例中被激活。假設(shè)第一開始信號(hào)VST1位于邏輯低狀態(tài)，這意味著第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2正常地施加。但是，即使在沒(méi)有施加第一外部電壓VEXT1時(shí)電壓泵送電路300因?yàn)榈谝婚_始信號(hào)VST1位于邏輯低狀態(tài)而被激活，也不提供能夠驅(qū)動(dòng)電壓泵送電路300的第一外部電壓VEXT1，使得電壓泵送電路300不操作。相應(yīng)地，電壓泵送電路300可以不發(fā)生誤操作。

然而，即使異常提供了第一外部電壓VEXT1，由第二外部電壓VEXT2驅(qū)動(dòng)的電路也可以操作。這樣，如果電路僅僅基于第一開始信號(hào)VST1來(lái)配置，則電路有可能潛在地誤操作。因此，為了防止發(fā)生這種誤操作，外部電壓感測(cè)電路200可以包括第二開始信號(hào)生成器220。

圖5為描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的第二開始信號(hào)生成器的實(shí)例的表示的電路圖。

參照?qǐng)D5，第二開始信號(hào)生成器220可以包括多個(gè)晶體管LT1、LT2、HT1以及HT2，以及多個(gè)邏輯運(yùn)算器LO3和LO4。

第一低晶體管LT1和第二低晶體管LT2可以串聯(lián)耦接在第一外部電壓VEXT1和接地電壓VSS之間。例如，第一外部電壓VEXT1可以對(duì)應(yīng)于外部低電壓VDDL，第二外 部電壓VEXT2可以對(duì)應(yīng)于外部高電壓VDDH。

在這個(gè)實(shí)例中，可以理解的是第一低晶體管LT1和第二低晶體管LT2中的每個(gè)是能夠基于相對(duì)較低的第一外部電壓VEXT1而操作的低電壓晶體管。

低晶體管LT1可以是PMOS晶體管。低晶體管LT1可以包括耦接到第一外部電壓VEXT1的第一端子，接收接地電壓VSS的柵極端子，以及耦接到第一節(jié)點(diǎn)ND1的第二端子。第二低晶體管LT2可以是NMOS晶體管。第二低晶體管LT2可以包括耦接到接地電壓VSS端子的第一端子，接收接地電壓VSS的柵極端子，以及耦接到第一節(jié)點(diǎn)ND1的第二端子。

第一低晶體管LT1和第二低晶體管LT2可以與由第一外部電壓VEXT1驅(qū)動(dòng)的反相器基本上相同的方式而操作，使得第一外部電壓VEXT1施加到第一節(jié)點(diǎn)ND1。

第一高晶體管HT1和第二高晶體管HT2可以串聯(lián)耦接在第二外部電壓VEXT2和接地電壓VSS之間。

可以理解的是第一高晶體管HT1和第二高晶體管HT2中的每個(gè)是能夠基于相對(duì)較高的第二外部電壓VEXT2而操作的高電壓晶體管。例如，第一高晶體管HT1的閾值電壓可以低于第一低晶體管LT1的閾值電壓。例如，第二高晶體管HT2的閾值電壓可以高于第二低晶體管LT2的閾值電壓。

第一高晶體管HT1可以對(duì)應(yīng)于PMOS晶體管。第一高晶體管HT1可以包括耦接到第二外部電壓VEXT2的第一端子，并且也可以包括共同耦接到第二節(jié)點(diǎn)ND2的柵極端子和第二端子。

當(dāng)?shù)诙獠侩妷篤EXT2高于第一高晶體管HT1的閾值電壓時(shí)，第一高晶體管HT1可以導(dǎo)通。

第二高晶體管HT2可以包括NMOS晶體管。第二高晶體管HT2可以包括耦接到接地電壓VSS的第一端子，耦接到第一節(jié)點(diǎn)ND1的柵極端子，以及耦接到第二節(jié)點(diǎn)ND2的第二端子。

當(dāng)?shù)谝煌獠侩妷篤EXT1高于第二高晶體管HT2的閾值電壓時(shí)，第二高晶體管HT2可以導(dǎo)通。

在經(jīng)過(guò)由第二外部電壓VEXT2驅(qū)動(dòng)的邏輯運(yùn)算器LO3和LO4之后，施加到第二節(jié)點(diǎn)ND2的電壓提供作為第二開始信號(hào)VST2。可以理解的是，對(duì)應(yīng)于第二節(jié)點(diǎn)ND2 的邏輯狀態(tài)的值移位到第二外部電壓VEXT2的電平，使得相對(duì)應(yīng)的值提供作為第二開始信號(hào)VST2。

例如，第二節(jié)點(diǎn)ND2的邏輯狀態(tài)可以對(duì)應(yīng)于第二開始信號(hào)VST2的邏輯狀態(tài)，或反之亦然。下面將描述根據(jù)第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2的分配給第二節(jié)點(diǎn)ND2電壓的邏輯狀態(tài)。

如果第一外部電壓VEXT1低于第二高晶體管HT2的閾值電壓并且第二外部電壓VEXT2低于第一高晶體管HT1的閾值電壓，則第一高晶體管HT1和第二高晶體管HT2可以關(guān)斷。由于第二外部電壓VEXT2低于第一高晶體管HT1的閾值電壓，邏輯運(yùn)算器LO3和LO4不被驅(qū)動(dòng)，使得第二開始信號(hào)VST2可對(duì)應(yīng)于邏輯低狀態(tài)。

如果第一外部電壓VEXT1低于第二高晶體管HT2的閾值電壓并且第二外部電壓VEXT2高于第一高晶體管HT1的閾值電壓，則第一高晶體管HT1關(guān)斷并且第二高晶體管HT2導(dǎo)通。因此，第二外部電壓VEXT2施加到第二節(jié)點(diǎn)ND2，并且第二開始信號(hào)VST2可以對(duì)應(yīng)于邏輯高狀態(tài)。

為了防止由圖3和圖4所示的第一開始信號(hào)生成器210生成的第一開始信號(hào)VST1引起的誤操作的發(fā)生，第二開始信號(hào)生成器220可以檢測(cè)在異常提供第一外部電壓VEXT2的情況下僅提供第二外部電壓VEXT2的實(shí)例。因此，上面提到的實(shí)例可以表示第二開始信號(hào)VST2處于邏輯高狀態(tài)。

如果第一外部電壓VEXT1高于第二高晶體管HT2的閾值電壓并且第二外部電壓VEXT2低于第一高晶體管HT1的閾值電壓，則第一高晶體管HT1可以導(dǎo)通并且第二高晶體管HT2可以關(guān)斷。接地電壓VSS被施加到第二節(jié)點(diǎn)ND2，使得第二開始信號(hào)VST2可以對(duì)應(yīng)于邏輯低狀態(tài)。

在第一外部電壓VEXT1高于第二高晶體管HT2的閾值電壓并且第二外部電壓VEXT2高于第一高晶體管HT1的閾值電壓的實(shí)例中，第一高晶體管HT1和第二高晶體管HT2導(dǎo)通。在這個(gè)實(shí)例中，第一高晶體管HT1和第二高晶體管HT2沖突，使得第二開始信號(hào)VST2可以對(duì)應(yīng)于邏輯低狀態(tài)。

因此，如果第二開始信號(hào)VST2處于邏輯高狀態(tài)，則第一外部電壓VEXT1異常提供而第二外部電壓VEXT2正常提供。因此，雖然由于沒(méi)有提供第一外部電壓VEXT1而使得第一開始信號(hào)VST2處于邏輯低狀態(tài)，但電壓調(diào)節(jié)電路400可以僅在通過(guò)第二開始信號(hào)VST2正常提供第二外部電壓VEXT2時(shí)操作。

圖6為描述了圖1所示的電壓泵送電路的實(shí)例的表示的框圖。

參照?qǐng)D6，電壓泵送電路300可以包括泵送激活單元310、充電泵送單元320以及初始化單元330。

泵送激活單元310可以在第一開始信號(hào)VST1和電壓生成信號(hào)DET之間執(zhí)行邏輯運(yùn)算，并且可以生成泵送激活信號(hào)PEN。

上面所述的第一開始信號(hào)VST1處于邏輯低狀態(tài)的實(shí)例可以表示正常提供了第一外部電壓VEXT1。如上所述，即使當(dāng)不提供第一外部電壓VEXT1時(shí)，第一開始信號(hào)VST1也處于邏輯低狀態(tài)。然而，可能無(wú)法操作基于第一外部電壓VEXT1來(lái)操作的電壓泵送電路300，并且照此關(guān)于其的詳細(xì)描述在下文中省略。相應(yīng)地，當(dāng)?shù)谝婚_始信號(hào)VST1處于邏輯低狀態(tài)并且電壓生成信號(hào)DET被激活時(shí)，泵送激活單元310激活泵送激活信號(hào)PEN，使得充電泵送單元320可以通過(guò)執(zhí)行充電泵送操作來(lái)生成內(nèi)部電壓VINT。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，泵送激活單元310從圖1所描述的控制電路500接收第二控制信號(hào)CTRL2從而控制激活或去激活。

充電泵送單元320可以包括電容器和開關(guān)，并且可以響應(yīng)于泵送激活信號(hào)PEN來(lái)執(zhí)行充電泵送操作。充電泵送單元320可以在結(jié)構(gòu)上與傳統(tǒng)的充電泵相似，照此為了描述方便起見在下文中將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。

如果第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2中的至少一個(gè)異常施加到電壓生成裝置10，即如果第一開始信號(hào)VST1處于邏輯高狀態(tài)，則初始化單元330提供第一外部電壓VEXT1作為內(nèi)部電壓VINT，并且由此初始化內(nèi)部電壓VINT(參見圖8)。

由于內(nèi)部電壓VINT被初始化單元330初始化，因此當(dāng)異常提供外部電源電壓時(shí)，由于泵送操作或電壓調(diào)節(jié)操作而增加的內(nèi)部電壓VINT可以被初始化。

圖7是描述了圖6所示的泵送激活單元的實(shí)例的表示的電路圖。

參照?qǐng)D7，泵送激活單元310可以包括第五到第七邏輯運(yùn)算器LO5、LO6以及LO7。

第五邏輯運(yùn)算器LO5可以是反相器。第五邏輯運(yùn)算器LO5可以將第一開始信號(hào)VST1反相并且將反相的第一開始信號(hào)VST1提供到第六邏輯運(yùn)算器LO6。

第六邏輯運(yùn)算器LO6可以是與非運(yùn)算器，并且可以利用反相的第一開始信號(hào)VST1以及電壓生成信號(hào)DET和第二控制信號(hào)CTRL2中的至少一個(gè)來(lái)執(zhí)行與非運(yùn)算。

第七邏輯運(yùn)算器LO7可以是反相器。第七邏輯運(yùn)算器LO7可以將第六邏輯運(yùn)算器LO6的輸出信號(hào)反相并且提供反相的輸出信號(hào)作為泵送激活信號(hào)PEN。

以與圖6中相同的方式，僅當(dāng)?shù)谝婚_始信號(hào)VST1處于邏輯低狀態(tài)并且電壓生成信號(hào)DET被激活時(shí)，泵送激活單元310激活泵送激活信號(hào)PEN。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，泵送激活單元310也可以僅當(dāng)電壓生成信號(hào)DET和第二控制信號(hào)CTRL2被激活時(shí)激活泵送激活信號(hào)PEN。

圖8為描述了包含在圖6所描述的泵送激活單元中的初始化單元的實(shí)例的表示的框圖。

參照?qǐng)D8，初始化單元330可以包括電平移位器331和第三高晶體管HT3。

如在上面的實(shí)施例中所描述的，第一開始信號(hào)VST1可以由第一外部電壓VEXT1驅(qū)動(dòng)。第一開始信號(hào)VST1處于邏輯高狀態(tài)的實(shí)例可以等同于第一開始信號(hào)VST1具有與第一外部電壓VEXT1相同的值的實(shí)例。

因此，電平移位器331基于第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2，使得電平移位器331可以將第一開始信號(hào)VST1的對(duì)應(yīng)于邏輯高狀態(tài)的電壓電平增加到第二外部電壓VEXT2。

如果第一開始信號(hào)VST1處于邏輯高狀態(tài)，則第三高晶體管HT3接收對(duì)應(yīng)于第二外部電壓VEXT2的電壓并且提供第一外部電壓VEXT1作為內(nèi)部電壓VINT。

參照?qǐng)D3、圖4A和圖4B，如果第一開始信號(hào)VST1處于邏輯高狀態(tài)，這意味著第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2中的至少一個(gè)為異常施加。如果兩個(gè)外部電壓VEXT1、VEXT2中的至少一個(gè)異常施加，則初始化單元330可以初始化內(nèi)部電壓VINT以防止內(nèi)部電壓VINT異常地增加。

圖9為描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓調(diào)節(jié)電路的實(shí)例的表示的框圖。

參照?qǐng)D9，電壓調(diào)節(jié)電路400可以包括調(diào)節(jié)激活單元410和適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420。

調(diào)節(jié)激活單元410可以響應(yīng)于電壓生成信號(hào)DET而被激活。調(diào)節(jié)激活單元410可以執(zhí)行第一開始信號(hào)VST1和第二開始信號(hào)VST2之間的邏輯運(yùn)算，并且可以生成調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN。

調(diào)節(jié)激活單元410可以反映當(dāng)?shù)谝婚_始信號(hào)生成器210和第二開始信號(hào)生成器220檢測(cè)第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2的正常施加狀態(tài)時(shí)所獲得的結(jié)果，使得調(diào)節(jié)激活單元410可以生成調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN。

當(dāng)?shù)谝煌獠侩妷篤EXT1和第二外部電壓VEXT2中的至少一個(gè)異常施加時(shí)，從第 一開始信號(hào)生成器210生成的第一開始信號(hào)VST1可以位于邏輯高狀態(tài)。然而，第一開始信號(hào)生成器210由第一外部電壓VEXT1驅(qū)動(dòng)。如果第一外部電壓VEXT1異常施加，則第一開始信號(hào)VST1可以處于邏輯低狀態(tài)，無(wú)論第二外部電壓VEXT2的值如何。

為了解決上述問(wèn)題，第一開始信號(hào)生成器220檢測(cè)第一外部電壓VEXT1低于高晶體管的閾值電壓并且第二外部電壓VEXT2高于高晶體管的閾值電壓的實(shí)例，使得第一開始信號(hào)生成器220生成第二開始信號(hào)VST2。

雖然基于第一開始信號(hào)VST1和第二開始信號(hào)VST2正常施加了第一外部電壓VEXT1和第二外部電壓VEXT2，然而調(diào)節(jié)激活單元410可以響應(yīng)于電壓生成信號(hào)DET僅在需要增加內(nèi)部電壓VINT時(shí)激活泵送激活信號(hào)PEN。

適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420可以響應(yīng)于調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN來(lái)線性地提供內(nèi)部電壓VINT。下面將參照?qǐng)D11描述允許適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420提供內(nèi)部電壓VINT的方法。

圖10是描述了圖9所示的調(diào)節(jié)激活單元的實(shí)例的表示的電路圖。

參照?qǐng)D10，調(diào)節(jié)激活單元410可以包括第八到第十邏輯運(yùn)算器LO8、LO9、LO10以及電平移位器411。

第八邏輯運(yùn)算器LO8可以是反相器，使得第八邏輯運(yùn)算器LO8對(duì)第一開始信號(hào)VST1反相并且將反相的第一開始信號(hào)VST1提供到第九邏輯運(yùn)算器LO9。第九邏輯運(yùn)算器LO9可以對(duì)反相的第一開始信號(hào)VST1和電壓生成信號(hào)DET執(zhí)行與非運(yùn)算，并且可以將與非運(yùn)算結(jié)果提供給電平移位器411。

電平移位器411可以將第九邏輯運(yùn)算器LO9的輸出信號(hào)的電壓電平增加到第二外部電壓VEXT2的電平，并且可以將增加的結(jié)果提供到第十邏輯運(yùn)算器LO10。

第十邏輯運(yùn)算器LO10可以利用電平移位器411的輸出信號(hào)和第二開始信號(hào)VST2執(zhí)行或非運(yùn)算，并且可以將或非運(yùn)算結(jié)果提供作為調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN。

通過(guò)上面提及的操作過(guò)程，調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN僅在第一開始信號(hào)VST1處于邏輯低狀態(tài)并且第二開始信號(hào)VST2處于邏輯高狀態(tài)時(shí)被激活，使得可以執(zhí)行電壓調(diào)節(jié)操作。

圖11是描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的適應(yīng)性調(diào)節(jié)器的實(shí)例的表示的電路圖。

參照?qǐng)D11，適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420可以包括傳輸開關(guān)單元421和電阻單元R。雖然為了便于描述在圖11中僅示出了一個(gè)傳輸開關(guān)單元421和一個(gè)電阻單元R，但是實(shí)施例卻并不限于此，如果必要也可以使用多個(gè)適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420。在這個(gè)實(shí)例中，用于激活每個(gè) 適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420的獨(dú)立的控制信號(hào)可以通過(guò)圖1的控制電路500來(lái)提供。

提供自控制電路500的控制信號(hào)可以被包括在圖1的第三控制信號(hào)CTRL3中，并且可以實(shí)施為通過(guò)經(jīng)由調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN的邏輯運(yùn)算來(lái)控制每個(gè)適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420。

為了便于描述和更好地理解實(shí)施例，下面將給出關(guān)于單個(gè)適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420的詳細(xì)描述。

參照?qǐng)D11，傳輸開關(guān)單元421可以包括NMOS晶體管。NMOS晶體管可以包括耦接到第三節(jié)點(diǎn)ND3的第一端子、接收調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN的柵極端子，以及耦接到第二外部電壓VEXT2的第二端子。NMOS晶體管可以包括接收接地電壓VSS的主體。

傳輸開關(guān)單元421可以響應(yīng)于調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN而執(zhí)行路徑的連接，通過(guò)該路徑將第二外部電壓VEXT2提供作為內(nèi)部電壓VINT。例如，第三節(jié)點(diǎn)ND3和第二外部電壓VEXT2之間的路徑可以通過(guò)傳輸開關(guān)單元421電連接。

在這個(gè)實(shí)例中，從傳輸開關(guān)單元421流向電阻單元R的電流的幅度可以根據(jù)傳輸開關(guān)單元421的柵極端子和第一端子之間的電壓的幅度和用在NMOS晶體管中的柵極-源極電壓的幅度而確定。一般地，響應(yīng)于柵極-源極電壓在傳輸開關(guān)單元421中流動(dòng)的電流的幅度可以不線性地增加，而是可以曲線地增加。換句話說(shuō)，電流的幅度可以根據(jù)柵極-源極電壓的幅度而突然增加。在這個(gè)實(shí)例中，可能難于控制內(nèi)部電壓VINT。

然而，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420包括電阻單元R，使得適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420可以線性地提供內(nèi)部電壓VINT。響應(yīng)于柵極-源極電壓的幅度而確定的電流也可以流入電阻單元R。

如果內(nèi)部電壓VINT降低，則柵極-源極電壓增加，使得在電阻單元R中流動(dòng)的電流的幅度可能突然增加。傳輸開關(guān)單元421的驅(qū)動(dòng)能力響應(yīng)于增加電流而增加，使得內(nèi)部電壓VINT可能不可避免地增加。然而，如果內(nèi)部電壓VINT增加，則由電阻單元R生成的電壓降不可避免地增加，使得內(nèi)部電壓VINT的幅度再次降低。

例如，內(nèi)部電壓VINT的幅度可以由于傳輸開關(guān)單元421的增加的驅(qū)動(dòng)能力以及由電阻單元R引發(fā)的電壓降而被線性地控制。適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420可以防止電流與第二外部電壓VEXT2以及內(nèi)部電壓VINT的平方根成比例地增加，并且可以控制電流主要與第二外部電壓VEXT2和內(nèi)部電壓VINT成比例地增加。

接地電壓VSS施加到傳輸開關(guān)單元421中包含的主體，使得當(dāng)傳輸開關(guān)單元421不操作時(shí)泄露電流可以最小化。

即使當(dāng)響應(yīng)于調(diào)節(jié)激活信號(hào)REN而提供第二外部電壓VEXT2時(shí)，適應(yīng)性調(diào)節(jié)器420也線性地提供內(nèi)部電壓VINT，使得可以穩(wěn)定地生成內(nèi)部電壓VINT。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置10可以包括可基于兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓而驅(qū)動(dòng)的電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400，使得電壓生成裝置10可以適應(yīng)地生成內(nèi)部電壓。在使用兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓的實(shí)例中，電壓生成裝置10可以分配外部電壓的電流的使用。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置10可以共享內(nèi)部電壓感測(cè)電路100，因此電壓生成信號(hào)DET施加到電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400中的每個(gè)，使得導(dǎo)致多個(gè)電路之間的失配的概率更低。

此外，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置10可以包括外部電壓感測(cè)電路200，以消除當(dāng)使用了兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓時(shí)可生成的泄露電流，使得電壓生成裝置可以控制電壓泵送電路300和電壓調(diào)節(jié)電路400的操作激活。

根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的電壓生成裝置被配置為執(zhí)行泵送操作和調(diào)節(jié)操作，使得該電壓生成裝置可以穩(wěn)定地生成內(nèi)部電壓。

根據(jù)各種實(shí)施例的電壓生成裝置可以利用兩個(gè)或更多個(gè)外部電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)電壓泵送電路和電壓調(diào)節(jié)電路，可以改善生成內(nèi)部電壓的生成能力，并且可以切斷可通過(guò)兩個(gè)操作電路而生成的泄露電流，使得功耗可以最小化并且有效地生成電壓。

上面所討論的電壓生成裝置(參照?qǐng)D1-圖11)尤其適用于存儲(chǔ)器設(shè)備、處理器和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。例如，參照?qǐng)D12，描述了采用根據(jù)各種實(shí)施例的電壓生成裝置的系統(tǒng)的框圖，并且整體上用附圖標(biāo)記1000來(lái)指代。系統(tǒng)1000可以包括一個(gè)或更多個(gè)處理器或中央處理單元(CPU)1100。CPU 1100可以單獨(dú)地使用或與其他的CPU結(jié)合使用。雖然CPU 1000將主要以單數(shù)來(lái)提及，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，可以實(shí)施具有任意數(shù)目的物理或邏輯CPU的系統(tǒng)。

芯片組1150可操作地耦接到CPU 1100。芯片組1150是用于CPU 1100與系統(tǒng)1000的其他組件之間的信號(hào)的通信通道，所述其他組件可以包括存儲(chǔ)器控制器1200、輸入/輸出(I/O)總線1250以及盤驅(qū)動(dòng)控制器1300。取決于系統(tǒng)的配置，若干不同信號(hào)中的任何一種可以通過(guò)芯片組1150來(lái)傳輸，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解，信號(hào)貫穿系統(tǒng)1000的路徑選擇可以在不改變系統(tǒng)的基本性質(zhì)的情況下容易地加以調(diào)整。

如上所述，存儲(chǔ)器控制器1200可操作地耦接到芯片組1150。存儲(chǔ)器控制器1200可以包括參照?qǐng)D1-圖11所討論的至少一個(gè)電壓生成裝置。因此，存儲(chǔ)器控制器1200可以 通過(guò)芯片組1150接收提供自CPU 1100的請(qǐng)求。在替代的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器1200可以集成到芯片組1150中。存儲(chǔ)器控制器1200可操作地耦接到一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器設(shè)備1350。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器設(shè)備1350可以包括上面參照?qǐng)D1-圖11所討論的至少一個(gè)電壓生成裝置，存儲(chǔ)器設(shè)備1350可以包括用于限定多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)字線和多個(gè)位線。存儲(chǔ)器設(shè)備1350可以是若干業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器類型中的任何一種，包括但不限于單列直插存儲(chǔ)器模塊(“SIMM”)以及雙列直插存儲(chǔ)器模塊(“DIMM”)。此外，存儲(chǔ)器設(shè)備1350可以通過(guò)存儲(chǔ)指令以及數(shù)據(jù)二者而便利于將外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備安全移除。

芯片組1150還可以耦接到I/O總線1250。I/O總線1250可以用作從芯片組1150到I/O設(shè)備1410、1420以及1430的信號(hào)的通信路徑。I/O設(shè)備1410、1420以及1430可以包括鼠標(biāo)1410、視頻播放器1420或鍵盤1430。I/O總線1250可以采用多種通信協(xié)議中的任一種以與I/O設(shè)備1410、1420以及1430進(jìn)行通信。此外，I/O總線1250可以集成到芯片組1150中。

盤驅(qū)動(dòng)控制器1450(即，內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器)也可以可操作地耦接到芯片組1150。盤驅(qū)動(dòng)控制器1450可以用作芯片組1150與一個(gè)或更多個(gè)內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450之間的通信路徑。內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450通過(guò)存儲(chǔ)指令以及數(shù)據(jù)二者而便利于將外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備斷開。盤驅(qū)動(dòng)控制器1300和內(nèi)部盤驅(qū)動(dòng)器1450可以利用包括上面關(guān)于I/O總線所提及的所有通信協(xié)議中的幾乎任意類型來(lái)彼此通信或與芯片組1150通信。

重要的是要注意到上面參照?qǐng)D12所描述的系統(tǒng)1000僅僅是采用參照?qǐng)D1-圖11所討論的電壓生成裝置的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例。在替代的實(shí)施例中，例如蜂窩電話或是數(shù)字相機(jī)中，組件可以與圖12所描述的實(shí)施例有所不同。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解，可以在不脫離本申請(qǐng)的精神和主要特性的情況下與這里所列舉的特定方式不同的其他特定方式來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施例。上面的實(shí)施例的實(shí)例因此在各個(gè)方面被理解為示意性而非限制性。

在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的組件部分和/或布置中，可存在各種變形和修改，除了組件部分和/或布置中的變形和修改之外，替代性的使用對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也是明顯的。

通過(guò)以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。

技術(shù)方案1.一種電壓生成裝置，包括：

外部電壓感測(cè)電路，配置為通過(guò)感測(cè)第一外部電壓的幅度和第二外部電壓的幅度而生成第一開始信號(hào)和第二開始信號(hào)；

內(nèi)部電壓感測(cè)電路，配置為通過(guò)對(duì)內(nèi)部電壓和目標(biāo)電壓進(jìn)行比較而生成電壓生成信 號(hào)；

電壓泵送電路，配置為響應(yīng)于所述第一開始信號(hào)而被激活，配置為基于所述電壓生成信號(hào)而執(zhí)行泵送操作，以及配置為生成所述內(nèi)部電壓；以及

電壓調(diào)節(jié)電路，配置為響應(yīng)于所述第一開始信號(hào)和所述第二開始信號(hào)而被激活，以及配置為基于所述電壓生成信號(hào)而生成所述內(nèi)部電壓。

技術(shù)方案2.根據(jù)技術(shù)方案1所述的電壓生成裝置，其中，所述外部電壓感測(cè)電路包括：

第一開始信號(hào)生成器，配置為確定所述第一外部電壓是否達(dá)到第一參考電壓以及所述第二外部電壓是否達(dá)到第二參考電壓，以及配置為生成所述第一開始信號(hào)；以及

第二開始信號(hào)生成器，配置為當(dāng)所述第一外部電壓低于第一閾值電壓以及所述第二外部電壓高于第二閾值電壓時(shí)激活所述第二開始信號(hào)。

技術(shù)方案3.根據(jù)技術(shù)方案2所述的電壓生成裝置，其中，所述電壓調(diào)節(jié)電路包括：

調(diào)節(jié)激活單元，配置為響應(yīng)于所述電壓生成信號(hào)而被激活，配置為利用所述第一開始信號(hào)和所述第二開始信號(hào)執(zhí)行邏輯運(yùn)算，以及配置為生成調(diào)節(jié)激活信號(hào)；以及

適應(yīng)性調(diào)節(jié)器，配置為響應(yīng)于所述調(diào)節(jié)激活信號(hào)而線性地提供所述內(nèi)部電壓。

技術(shù)方案4.根據(jù)技術(shù)方案3所述的電壓生成裝置，其中，所述適應(yīng)性調(diào)節(jié)器包括：

傳輸開關(guān)單元，配置為在接收到所述調(diào)節(jié)激活信號(hào)時(shí)提供所述第二外部電壓作為所述內(nèi)部電壓；以及

電阻單元，具有耦接到所述傳輸開關(guān)單元的一端，以及配置用于提供所述內(nèi)部電壓的另一端。

技術(shù)方案5.根據(jù)技術(shù)方案4所述的電壓生成裝置，

其中，所述傳輸開關(guān)單元包括NMOS晶體管；以及

其中，所述NMOS晶體管包括耦接到所述電阻單元的所述一端的第一端子、配置用于接收所述第二外部電壓的第二端子、以及配置用于接收接地電壓作為輸入的主體。

技術(shù)方案6.根據(jù)技術(shù)方案5所述的電壓生成裝置，其中，所述NMOS晶體管包括配置用于接收所述調(diào)節(jié)激活信號(hào)的柵極。

技術(shù)方案7.根據(jù)技術(shù)方案4所述的電壓生成裝置，其中，所述適應(yīng)性調(diào)節(jié)器包括至少兩個(gè)或更多個(gè)所述傳輸開關(guān)單元，以及至少兩個(gè)或更多個(gè)所述電阻單元，以及

其中每個(gè)適應(yīng)性調(diào)節(jié)器分別耦接到電阻單元，

所述電壓生成裝置還包括：

控制電路，配置為激活每個(gè)傳輸開關(guān)單元和每個(gè)電阻單元。

技術(shù)方案8.根據(jù)技術(shù)方案3所述的電壓生成裝置，其中，所述內(nèi)部電壓感測(cè)電路和所述電壓泵送電路基于所述第一外部電壓而被驅(qū)動(dòng)，所述電壓調(diào)節(jié)電路基于所述第二外部電壓而被驅(qū)動(dòng)。

技術(shù)方案9.根據(jù)技術(shù)方案8所述的電壓生成裝置，其中，所述調(diào)節(jié)激活單元還包括：

電平移位器，配置為增加所述電壓生成信號(hào)的電壓電平。

技術(shù)方案10.根據(jù)技術(shù)方案8所述的電壓生成裝置，其中，所述調(diào)節(jié)激活單元還包括：

反相器，配置為接收所述第一開始信號(hào)；

與非門，配置為接收所述反相器的輸出以及所述電壓生成信號(hào)；

電平移位器，配置為接收所述與非門的輸出并且將所述與非門的輸出的電平增加到所述第二外部電壓的電平；以及

或非門，配置為接收所述電平移位器的輸出以及所述第二開始信號(hào)，并且輸出所述調(diào)節(jié)激活信號(hào)。

技術(shù)方案11.根據(jù)技術(shù)方案2所述的電壓生成裝置，其中，所述第一開始信號(hào)生成器包括：

加電重置單元，配置為當(dāng)所述第一外部電壓達(dá)到所述第一參考電壓時(shí)初始化第一凈信號(hào)，以及當(dāng)所述第二外部電壓達(dá)到所述第二參考電壓時(shí)初始化第二凈信號(hào)；以及

邏輯運(yùn)算器，配置為當(dāng)所述第一凈信號(hào)和所述第二凈信號(hào)中的至少一個(gè)被激活時(shí)激活所述第一開始信號(hào)。

技術(shù)方案12.根據(jù)技術(shù)方案3所述的電壓生成裝置，其中，所述電壓泵送電路包括：

泵送激活單元，配置為在所述第一開始信號(hào)和所述電壓生成信號(hào)之間執(zhí)行邏輯運(yùn)算以生成泵送激活信號(hào)；

充電泵送單元，配置為通過(guò)響應(yīng)于所述泵送激活信號(hào)而執(zhí)行充電泵送操作來(lái)生成所述內(nèi)部電壓；以及

初始化單元，配置為響應(yīng)于所述第一開始信號(hào)而提供所述第一外部電壓作為所述內(nèi)部電壓。

技術(shù)方案13.根據(jù)技術(shù)方案3所述的電壓生成裝置，其中，所述泵送激活單元包括：

反相器，配置為接收所述第一開始信號(hào)；

與非門，配置為接收所述電壓生成信號(hào)或所述第二控制信號(hào)以及所述反相器的輸出；以及

另一反相器，配置為接收所述與非門的輸出并且輸出所述泵送激活信號(hào)。

技術(shù)方案14.根據(jù)技術(shù)方案12所述的電壓生成裝置，其中：

當(dāng)所述第一開始信號(hào)對(duì)應(yīng)于第一狀態(tài)并且所述激活信號(hào)被激活時(shí)，所述泵送激活單元激活所述泵送激活信號(hào)，以及

當(dāng)所述第一開始信號(hào)對(duì)應(yīng)于與所述第一狀態(tài)不同的第二狀態(tài)時(shí)，所述初始化單元提供所述第一外部電壓作為所述內(nèi)部電壓。

技術(shù)方案15.根據(jù)技術(shù)方案1所述的電壓生成裝置，其中，所述第一外部電壓對(duì)應(yīng)于外部低電壓，所述第二外部電壓對(duì)應(yīng)于外部高電壓。

技術(shù)方案16.根據(jù)技術(shù)方案15所述的電壓生成裝置，其中，所述第二外部電壓高于所述第一外部電壓。