低壓差穩(wěn)壓裝置以及緩沖級電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低壓差穩(wěn)壓裝置，包含運算放大器、緩沖級電路及功率晶體管，運算放大器用以接收參考電壓以及回授電壓，以產(chǎn)生第一電壓信號，緩沖級電路耦接至功率晶體管并用以緩沖所述第一電壓信號，以產(chǎn)生第二電壓信號，以及所述功率晶體管耦接至所述緩沖級電路，并用以根據(jù)所述第二電壓信號，產(chǎn)生輸出電壓，其中所述輸出電壓正比于所述回授電壓，以及所述緩沖級電路根據(jù)所述第一電壓信號，決定是否映像產(chǎn)生映像電流，以及當(dāng)所述映像電流產(chǎn)生時，根據(jù)所述映像電流，產(chǎn)生所述第二電壓信號，提供至所述功率晶體管以控制所述功率晶體管的開關(guān)。通過所述緩沖級電路中的原生型晶體管或電流鏡映像大電流，改善電壓轉(zhuǎn)換速率過低的現(xiàn)象。
【專利說明】低壓差穩(wěn)壓裝置以及緩沖級電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種低壓差穩(wěn)壓機制，特別有關(guān)于一種低壓差穩(wěn)壓裝置以及緩沖級電路。

【背景技術(shù)】
[0002]一般來說，在現(xiàn)有技術(shù)中，對于傳統(tǒng)的低壓差穩(wěn)壓電路，由于其功率晶體管的面積非常大，造成所述功率晶體管的柵極的電容值也會非常大，所以，當(dāng)流過所述功率晶體管的負載電流改變，例如是由低負載變換為高負載，或是由高負載變換為低負載時，因為較大電容值的關(guān)系，其柵極的電壓值常常無法實時改變，而導(dǎo)致傳統(tǒng)的低壓差穩(wěn)壓電路的輸出電壓產(chǎn)生電壓突然變化，例如，請參照圖5，圖5是傳統(tǒng)低壓差穩(wěn)壓電路的功率晶體管的柵極電壓V2、輸出電壓VOUT以及負載電流I的波形示意圖。如圖5所示，當(dāng)負載電流由低負載突然變換為高負載時，柵極電壓V2在實際上需要一段時間tl才能從高電平值降低至低電平值(功率晶體管是P型晶體管)，而所述段時間tl會導(dǎo)致在原先穩(wěn)定的輸出電壓VOUT產(chǎn)生了電壓突然變化Λ VUOTI，另外，當(dāng)負載電流由高負載突然變換為低負載時，柵極電壓V2在實際上也需要一段時間t2才能從低電平值提升至高電平值，而所述段時間t2也會導(dǎo)致在原先穩(wěn)定的輸出電壓VOUT產(chǎn)生了電壓突然變化Λ VU0T2，這樣的情形起因于現(xiàn)有設(shè)計的功率晶體管的面積非常大、電壓轉(zhuǎn)換速率過低，因此，如何改善現(xiàn)有設(shè)計的功率晶體管的電壓轉(zhuǎn)換速率過低問題實屬低壓差穩(wěn)壓電路領(lǐng)域的重大課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種低壓差穩(wěn)壓裝置以及相應(yīng)的緩沖級電路，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)所遇到的難題。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的實施例，其公開了一種低壓差穩(wěn)壓裝置。低壓差穩(wěn)壓裝置包含有一運算放大器、一緩沖級電路及一功率晶體管，運算放大器是用以接收一參考電壓以及一回授電壓，以產(chǎn)生一第一電壓信號。緩沖級電路是耦接至功率晶體管，并用以緩沖第一電壓信號，以產(chǎn)生一第二電壓信號。功率晶體管是耦接至緩沖級電路，并用以根據(jù)第二電壓信號，產(chǎn)生一輸出電壓，其中輸出電壓是正比于回授電壓。此外，緩沖級電路根據(jù)第一電壓信號，決定是否映像產(chǎn)生一映像電流，以及當(dāng)映像電流產(chǎn)生時，根據(jù)映像電流，產(chǎn)生第二電壓信號，提供至功率晶體管以控制功率晶體管的開關(guān)。
[0005]再者，根據(jù)本發(fā)明的實施例，其另公開了一種使用在低壓差穩(wěn)壓裝置的緩沖級電路。緩沖級電路耦接在一運算放大器與一功率晶體管之間，緩沖級電路包含有第一開關(guān)、電流鏡及第二開關(guān)。第一開關(guān)是用以接收運算放大器所產(chǎn)生的一第一電壓信號并決定是否啟動一電流鏡的操作。電流鏡是耦接至第一開關(guān)，并用以根據(jù)第一電壓信號映像產(chǎn)生映像電流。第二開關(guān)是耦接至電流鏡的一輸出端，并用以在電流鏡不映像產(chǎn)生映像電流時，提供一第二電壓信號給功率晶體管，以關(guān)閉功率晶體管；其中當(dāng)?shù)诙_關(guān)開啟時，電流鏡關(guān)閉，第二開關(guān)提供第二電壓信號至功率晶體管，以關(guān)閉功率晶體管；以及，當(dāng)?shù)诙_關(guān)關(guān)閉時，電流鏡開啟，電流鏡根據(jù)第一電壓信號映像產(chǎn)生映像電流，以產(chǎn)生一第二電壓信號來開啟功率晶體管。
[0006]本發(fā)明的優(yōu)點在于，通過緩沖級電路中的原生型晶體管或電流鏡映像大電流的方式，來改善功率晶體管的柵極電壓的電壓轉(zhuǎn)換速率過低的現(xiàn)象，以避免現(xiàn)有技術(shù)的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明優(yōu)選實施例的低壓差穩(wěn)壓裝置的電路示意圖。
[0008]圖2是圖1所示的緩沖級電路的電路示意圖。
[0009]圖3A至圖3C是當(dāng)P型功率晶體管的負載電流的電流值由低負載切換為高負載、現(xiàn)有技術(shù)與本案的柵極電壓的波形比較示意圖。
[0010]圖4A至圖4C是當(dāng)P型功率晶體管的負載電流的電流值由高負載切換為低負載、現(xiàn)有技術(shù)與本案的柵極電壓的波形比較示意圖。
[0011]圖5是現(xiàn)有低壓差穩(wěn)壓電路的功率晶體管的柵極電壓、輸出電壓以及負載電流的波形示意圖。
[0012]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0013]100 低壓差穩(wěn)壓裝置
[0014]105 帶差參考電路
[0015]110 運算放大器
[0016]115 緩沖級電路
[0017]120 功率晶體管
[0018]125 電流源
[0019]130 回授電路
[0020]1151 第一開關(guān)
[0021]1152 電流鏡
[0022]1153 第二開關(guān)

【具體實施方式】
[0023]請參照圖1，圖1是本發(fā)明優(yōu)選實施例的低壓差穩(wěn)壓裝置100的電路示意圖，低壓差穩(wěn)壓裝置100至少包含有一運算放大器110、一緩沖級電路115、一功率晶體管120 (晶體管ml )，此外也包含有一帶差參考電路105、一電流源125、一回授電路130，其中，帶差參考電路105是用以產(chǎn)生一參考電壓VREF，運算放大器110的反向輸入端是耦接至帶差參考電路105，非反向輸入端耦接至回授電壓VFB，輸出端耦接至下一級的緩沖級電路115，運算放大器110是用以接收參考電壓VREF與回授電壓VFB，并根據(jù)參考電壓VREF與回授電壓VFB產(chǎn)生一第一電壓信號VX，緩沖級電路115的輸入端是耦接于運算放大器110，輸出端耦接在功率晶體管120的柵極控制端(Gate )，緩沖級電路115是用以緩沖第一電壓信號VX以產(chǎn)生一第二電壓信號VY，本發(fā)明的實施例中，功率晶體管120是通過P型晶體管來實現(xiàn)，其柵極控制端是耦接在緩沖級電路115，源極端耦接在工作電壓VDD，漏極端耦接在電流源125，功率晶體管120是用以根據(jù)第二電壓信號VY產(chǎn)生一輸出電壓V0UT，輸出電壓VOUT通過回授電路130的分壓之后產(chǎn)生上述的回授電壓VFB，換句話說，回授電壓VFB的電壓值是正比于輸出電壓VOUT的電壓值，此外，緩沖級電路115設(shè)置在運算放大器110與功率晶體管120之間，目的是用來提升功率晶體管120的柵極電壓的電壓轉(zhuǎn)換速率，避免因為電壓轉(zhuǎn)換速率過低的關(guān)系而導(dǎo)致在穩(wěn)定的輸出電壓VOUT中形成電壓的突然改變，因此，本實施例的緩沖級電路115具有在負載電流Iltjad改變時快速提高或快速降低功率晶體管120的柵極電壓(也就是第二電壓信號VY )的功能與操作，使得整體的低壓差穩(wěn)壓裝置100具有足夠高的電壓轉(zhuǎn)換速率；對快速提高第二電壓信號VY的電壓值來說，緩沖級電路115通過導(dǎo)通原生型晶體管元件(Native Device )的方式，將第二電壓信號VY的電壓值從接地電平VGND快速拉高至相當(dāng)接近工作電壓VDD的電平，因為原生型晶體管元件的臨界電壓可極接近為零，所以等效上可視為緩沖級電路115將第二電壓信號VY的電壓值從接地電平VGND快速拉高至工作電壓VDD的電平，另一方面，對快速降低第二電壓信號VY的電壓值來說，緩沖級電路115通過電流鏡映像產(chǎn)生一個K2倍的大電流，以快速地降低第二電壓信號VY的電壓值，將第二電壓信號VY的電壓值從工作電壓VGND的電平快速降低至接地電平VGND，因此，就操作而言，可視為緩沖級電路115根據(jù)第一電壓信號VX來決定是否映像產(chǎn)生一映像電流，并且當(dāng)所述映像電流產(chǎn)生時，再根據(jù)映像電流產(chǎn)生第二電壓信號VY以提供至功率晶體管120，控制功率晶體管120的開關(guān)。緩沖級電路115的電路實施方式是描述于下。
[0024]請參照圖2,圖2是圖1所示的緩沖級電路115的電路示意圖。如圖2所示,緩沖級電路115包含有第一開關(guān)1151、電流鏡1152以及第二開關(guān)1153，第一開關(guān)1151通過晶體管mpl來實現(xiàn)，電流鏡1152包含有兩晶體管mnl、mn2,以及第二開關(guān)1153通過晶體管mn3來實現(xiàn)，其中晶體管mn3是一原生型晶體管，其臨界電壓接近為零，通過接近為零的臨界電壓，當(dāng)要關(guān)閉功率晶體管120時，(功率晶體管120在本實施例中是以P型晶體管實現(xiàn)之)，運算放大器110會輸出接近于工作電壓VDD的第一電壓信號VX給緩沖級電路115，此時，當(dāng)?shù)谝浑妷盒盘朧X是高電平時,第一開關(guān)1151被關(guān)閉、電流鏡1152被關(guān)閉,而第二開關(guān)1153被開啟，在這個情況下，第二電壓信號VY的電壓值可因為原生型晶體管的臨界電壓接近為零的關(guān)系，而被拉高至接近工作電壓VDD的電平，第二開關(guān)1153的晶體管mn3的功能可視為一個N型晶體管的源極隨耦器，具有相當(dāng)大的電壓轉(zhuǎn)換速率，且由于第二電壓信號VY接近于工作電壓VDD，所以，功率晶體管120會立刻被關(guān)閉。
[0025]此外，當(dāng)要開啟功率晶體管120時，(功率晶體管120在本實施例中是以P型晶體管實現(xiàn)之)，運算放大器I1所輸出給緩沖級電路115的第一電壓信號VX會快速下降，而因為第一電壓信號VX在此時降低為低電平的關(guān)系,所以,第一開關(guān)1151被開啟、電流鏡1152也被開啟，而第二開關(guān)1153被關(guān)閉，本實施例中，晶體管mnl、mn2的通道寬長比的關(guān)系是設(shè)計為1:K2的比例關(guān)系，Κ2為大于I的整數(shù)或正數(shù)，也就是說，假設(shè)流過晶體管mnl的電流(也就是通過第一開關(guān)1151的晶體管mpl的電流)為一倍的電流，則流過晶體管mn2的電流為K2倍的大電流，由于此時第二開關(guān)1153是關(guān)閉而斷開，因此，K2倍的大電流可以立刻把第二電壓信號VY的電壓值拉至接地電平VGND，使得功率晶體管120的柵極為低電平，而使功率晶體管120導(dǎo)通，因為是使用K2倍的映像電流來拉低VY的電壓值，所以，這樣的電路設(shè)計也具有相當(dāng)高的電壓轉(zhuǎn)換速率。
[0026]再者，第一開關(guān)1151的晶體管mpl與功率晶體管120的信道寬長比關(guān)系可以設(shè)計為1:K1的比例關(guān)系,這樣一來,流過晶體管mpl、mnl、mn2的相同或不同的電流值均會隨著通過功率晶體管120的電流值而變化，因此，當(dāng)通過功率晶體管120的負載電流的電流值由高負載電流變?yōu)榈拓撦d電流時，流過晶體管mpl、mnl、mn2的電流均會隨之變小，反過來說，當(dāng)通過功率晶體管120的負載電流的電流值由低負載電流變?yōu)楦哓撦d電流時，流過晶體管mpl、mnl、mn2的電流均會隨之變大，因此，達到較高的功率效率。
[0027]因此，由上可知，通過第二開關(guān)1153的原生型晶體管mn3的設(shè)計以及電流鏡1152的設(shè)計，可以使第二電壓信號VY快速地隨著第一電壓信號VX切換高/低電平而變化，因此，本發(fā)明的優(yōu)選實施例的低壓差穩(wěn)壓裝置100具有較高的電壓轉(zhuǎn)換速率，當(dāng)流過功率晶體管120的負載電流產(chǎn)生變化時，通過緩沖級電路115可以改善晶體管的柵極本身的電壓轉(zhuǎn)換速率過低的現(xiàn)象，達到快速改變柵極電壓的效果，這樣一來，可避免現(xiàn)有技術(shù)因為電壓轉(zhuǎn)換速率過低所造成的功率晶體管開關(guān)調(diào)整電流的速度過慢的問題，因而可避免在輸出電壓VOUT產(chǎn)生太大的電壓突變，達到穩(wěn)定輸出電壓VOUT的目的。
[0028]本發(fā)明的實施例中的功率晶體管120是以P型晶體管實現(xiàn)(然此并非是本發(fā)明的限制)，當(dāng)負載電流Iltjad改變時，所述P型晶體管也會因應(yīng)地改變導(dǎo)通程度，例如，當(dāng)負載電流I1-由低負載變換為高負載時，所述P型晶體管的導(dǎo)通程度會被快速提升，換句話說，所述P型晶體管的柵極瑞電壓應(yīng)由高電平降低為低電平。請搭配參照圖3A至圖3C，圖3A至圖3C均是當(dāng)功率晶體管的負載電流的電流值由低負載切換為高負載的示意圖，其中圖3A與圖3B均是目前采用不同現(xiàn)有技術(shù)方式所得到的功率晶體管的柵極電壓的示意圖，而圖3C則是本發(fā)明圖1所示的實施例中第二電壓信號VY (也就是功率晶體管120的柵極電壓)的示意圖，如圖所示，現(xiàn)有的兩種不同現(xiàn)有技術(shù)所得到的功率晶體管的柵極電壓，當(dāng)負載電流由低負載變換為高負載時，圖3A所示的功率晶體管的柵極電壓理想上應(yīng)如Vl曲線所示，由高電平立刻切換并降低至低電平，然而，實際上圖3A所采用的現(xiàn)有技術(shù)，所得到的功率晶體管的柵極電壓如V2所示，功率晶體管的柵極電壓并無法立刻切換至低電平，而必須通過一段時間逐步降低才能到達低電平，此外，圖3A所示的功率晶體管的柵極電壓實際上所能到的高電平也無法接近于工作電壓VDD，與工作電壓VDD有一段不小的電壓差距。另夕卜，如圖3B所示，當(dāng)負載電流由低負載變換為高負載時，圖3B所示的功率晶體管的柵極電壓理想上應(yīng)如Vl曲線所示，由高電平立刻切換并快速降低至低電平，然而，圖3B所采用的現(xiàn)有技術(shù)手段雖然可使功率晶體管的柵極電壓立刻降低電平，然而在通過一段時間后卻仍無法降低并接近于接地電平VGND。而圖3C所示的本發(fā)明的實施例則具有較多的優(yōu)點，當(dāng)負載電流由低負載變換為高負載時，圖3C所示的運算放大器110的輸出電壓VX由高電平立刻切換至低電平，緩沖級電路115可使得功率晶體管120的柵極電壓VY立刻快速降低并接近于接地電平VGND，此外，圖3C所示的功率晶體管120的柵極電壓VY在對應(yīng)于運算放大器110的輸出電壓VX為工作電壓VDD時，柵極電壓VY也是接近于工作電壓VDD。
[0029]再者，當(dāng)負載電流Iltjad改變時，例如，當(dāng)負載電流Iltjad由高負載變換為低負載時，所述P型晶體管的導(dǎo)通程度會被快速降低，換句話說，所述P型晶體管的柵極瑞電壓應(yīng)由低電平降低為高電平。請參照圖4A至圖4C，圖4A至圖4C均是當(dāng)功率晶體管的負載電流的電流值由高負載切換為低負載的示意圖，其中圖4A與圖4B均是目前采用不同現(xiàn)有技術(shù)方式所得到的功率晶體管的柵極電壓的示意圖，而圖4C則是本發(fā)明圖1所示的實施例中第二電壓信號VY (也就是功率晶體管120的柵極電壓)的示意圖，如圖所示，現(xiàn)有的兩種不同現(xiàn)有技術(shù)所得到的功率晶體管的柵極電壓，當(dāng)負載電流由高負載變換為低負載時，圖4A所示的功率晶體管的柵極電壓理想上應(yīng)如Vl曲線所示，由低電平立刻切換并提高至高電平，然而，實際上圖4A所采用的現(xiàn)有技術(shù)，雖然可使功率晶體管的柵極電壓立刻提升其電平，然而在通過一段時間后卻仍無法提升而接近于工作電壓VDD，提升后的電壓與工作電壓VDD仍有一段不小的電壓差距。另外，如圖4B所示，當(dāng)負載電流由高負載變換為低負載時，圖4B所示的功率晶體管的柵極電壓理想上應(yīng)如Vl曲線所示，由低電平立刻切換并快速提高至高電平，然而，實際上所得到的功率晶體管的柵極電壓如V2所示，功率晶體管的柵極電壓并無法立刻切換并提高至高電平，而必須通過一段時間逐步提高才能到達高電平，此外，圖4B所示的功率晶體管的柵極電壓實際上所能到的低電平也無法接近于接地電平VGND，所述低電平與接地電平VGND有一段不小的電壓差距。而圖4C所示的本發(fā)明的實施例則具有較多的優(yōu)點，當(dāng)負載電流由高負載變換為低負載時，圖4C所示的運算放大器110的輸出電壓VX由低電平立刻切換至高電平，緩沖級電路115可使得功率晶體管120的柵極電壓VY立刻快速提高并接近于工作電壓VDD，此外，圖4C所示的功率晶體管120的柵極電壓VY在對應(yīng)于運算放大器110的輸出電壓VX為接地電平VGND時，柵極電壓VY也是接近于接地電平 VGND。
[0030]再者，需注意的是，圖2所示的緩沖級電路115的設(shè)計僅是本發(fā)明的其中一種實施方式，在其它實施例中，也可采用不同類型的晶體管來實現(xiàn)第一開關(guān)、電流鏡以及第二開關(guān)的功能與操作，因此，緩沖級電路115的任何一種實現(xiàn)方式均落入本發(fā)明的范疇中。此外，本發(fā)明的緩沖級電路115的功用在于改善功率晶體管的柵極電壓的電壓轉(zhuǎn)換速率過低的現(xiàn)象，并通過快速提高或快速降低柵極電壓的技術(shù)手段來達成上述的目的，因此，任何一種通過快速提高或快速降低柵極電壓的技術(shù)手段來改善電壓轉(zhuǎn)換速率過低的實施方式均落入本案的范疇。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種低壓差穩(wěn)壓裝置，其特征在于，包含: 一運算放大器，用以接收參考電壓以及回授電壓，以產(chǎn)生第一電壓信號； 一緩沖級電路，耦接至功率晶體管，用以緩沖所述第一電壓信號，以產(chǎn)生第二電壓信號；以及 所述功率晶體管，耦接至所述緩沖級電路，用以根據(jù)所述第二電壓信號，產(chǎn)生輸出電壓，其中所述輸出電壓正比于所述回授電壓； 其中所述緩沖級電路根據(jù)所述第一電壓信號，決定是否映像產(chǎn)生映像電流，以及當(dāng)所述映像電流產(chǎn)生時，根據(jù)所述映像電流，產(chǎn)生所述第二電壓信號，提供所述第二電壓信號至所述功率晶體管以控制所述功率晶體管的開關(guān)。
2.如權(quán)利要求1所述的低壓差穩(wěn)壓裝置，其特征在于，所述緩沖級電路依據(jù)所述第一電壓信號，映像產(chǎn)生所述映像電流，以及所述功率晶體管根據(jù)所述映像電流相對應(yīng)產(chǎn)生的所述第二電壓信號而開啟，以及當(dāng)不映像產(chǎn)生所述映像電流時，所述功率晶體管關(guān)閉。
3.如權(quán)利要求2所述的低壓差穩(wěn)壓裝置，其特征在于，所述緩沖級電路包含有: 一第一開關(guān)，用以接收所述第一電壓信號并決定是否啟動電流鏡的操作； 所述電流鏡，耦接至所述第一開關(guān)，用以根據(jù)所述第一電壓信號映像產(chǎn)生所述映像電流； 一第二開關(guān)，耦接至所述電流鏡的輸出端，用以在所述電流鏡不映像產(chǎn)生所述映像電流時，提供所述第二電壓給所述功率晶體管，以關(guān)閉所述功率晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的低壓差穩(wěn)壓裝置，其特征在于，所述第二開關(guān)是通過原生晶體管實現(xiàn)，所述功率晶體管是P型晶體管，在所述電流鏡不映像產(chǎn)生所述映像電流時，所述原生晶體管導(dǎo)通而提供工作電壓至所述功率晶體管，以關(guān)閉所述功率晶體管。
5.如權(quán)利要求3所述的低壓差穩(wěn)壓裝置，其特征在于，當(dāng)所述第一開關(guān)接收所述第一電壓信號而導(dǎo)通流過第一電流時，所述電流鏡將所述第一電流放大K2倍以映像產(chǎn)生所述映像電流，其中K2是大于I的正實數(shù)。
6.如權(quán)利要求3所述的低壓差穩(wěn)壓裝置，其特征在于，所述第一開關(guān)是由第一晶體管實現(xiàn)，所述第一晶體管與所述功率晶體管具有特定信道寬長比關(guān)系，通過所述第一晶體管的電流及所述電流鏡的電流均與通過所述功率晶體管的電流具有正比關(guān)系。
7.一種使用在低壓差穩(wěn)壓裝置的緩沖級電路，所述緩沖級電路耦接在運算放大器與功率晶體管之間，其特征在于包含: 一第一開關(guān)，用以接收所述運算放大器所產(chǎn)生的第一電壓信號并決定是否啟動電流鏡的操作； 所述電流鏡，耦接至所述第一開關(guān)，用以根據(jù)所述第一電壓信號映像產(chǎn)生所述映像電流； 一第二開關(guān)，耦接至所述電流鏡的輸出端，用以在所述電流鏡不映像產(chǎn)生所述映像電流時，提供第二電壓信號給所述功率晶體管，以關(guān)閉所述功率晶體管； 其中當(dāng)所述第二開關(guān)開啟時，所述電流鏡關(guān)閉，所述第二開關(guān)提供所述第二電壓信號至所述功率晶體管，以關(guān)閉所述功率晶體管；以及，當(dāng)所述第二開關(guān)關(guān)閉時，所述電流鏡開啟，并根據(jù)所述第一電壓信號映像產(chǎn)生所述映像電流，以產(chǎn)生所述第二電壓信號來開啟所述功率晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的緩沖級電路，其特征在于，所述第二開關(guān)是通過原生晶體管實現(xiàn)，且所述功率晶體管是P型晶體管，在所述電流鏡不映像產(chǎn)生所述映像電流時，所述原生晶體管導(dǎo)通而提供工作電壓至所述功率晶體管，以關(guān)閉所述功率晶體管。
9.如權(quán)利要求7所述的緩沖級電路，其特征在于，當(dāng)所述第一開關(guān)接收所述第一電壓信號而導(dǎo)通流過第一電流時，所述電流鏡將所述第一電流放大K2倍以映像產(chǎn)生所述映像電流，其中K2是大于I的正實數(shù)。
10.如權(quán)利要求7所述的緩沖級電路，其特征在于，所述第一開關(guān)是由第一晶體管實現(xiàn)，所述第一晶體管與所述功率晶體管具有特定信道寬長比關(guān)系，通過所述第一晶體管的電流及所述電流鏡的電流均與通過所述功率晶體管的電流具有正比關(guān)系。
【文檔編號】G05F1/56GK104516382SQ201410009602
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年1月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月4日
【發(fā)明者】王巧星 申請人:慧榮科技股份有限公司