專利名稱：一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置以及芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置以及芯片。
背景技術(shù)：
電壓電流雙環(huán)路控制裝置目前在過(guò)流保護(hù)電路、充電器電路中得到廣泛的應(yīng)用。 雙環(huán)路控制裝置在負(fù)反饋環(huán)路控制系統(tǒng)中，同時(shí)設(shè)置了電壓采樣模塊和電流采樣模塊，根據(jù)電壓采樣模塊或者電流采樣模塊的輸出結(jié)果，控制負(fù)反饋系統(tǒng)輸出恒壓或者輸出恒流， 從而實(shí)現(xiàn)雙環(huán)路控制?，F(xiàn)有技術(shù)中，電壓電流雙環(huán)路控制裝置，主要包括兩種控制方式。一種為數(shù)字控制方式，在輸出電流或電壓滿足一定條件時(shí)，強(qiáng)行切換至另一環(huán)路進(jìn)行控制。這種切換方式的缺點(diǎn)是電壓、電流環(huán)路切換不平滑，容易出現(xiàn)電壓尖峰或者電流尖峰，影響控制裝置的正常使用。另一種為模擬控制方式，通常是在多路運(yùn)算放大器輸出接二極管以隔離，進(jìn)行環(huán)路選擇，由于二極管的特性限制，對(duì)電壓電流雙環(huán)路控制裝置的性能有一定的影響。在現(xiàn)有技術(shù)中模擬形式的電壓電流雙環(huán)路控制裝置如圖1所示。除電壓電流雙環(huán)路控制裝置的負(fù)載101外，電壓電流雙環(huán)路控制裝置中包括電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電壓采樣單元103、比較放大單元104、選擇單元105以及壓控電阻106。其中電流采樣轉(zhuǎn)換單元102采樣通過(guò)負(fù)載101的電流獲得以電壓形式表現(xiàn)的電流采樣信號(hào)；電壓采樣單元103 采樣負(fù)載101兩端的電壓獲得電壓采樣信號(hào)；電壓采樣信號(hào)和以電壓形式表現(xiàn)的電流采樣信號(hào)輸入比較放大單元104 ；選擇單元105連接比較放大單元104的電壓輸出端和電流輸出端，選擇與基準(zhǔn)電壓比較放大后的電壓采樣信號(hào)和與基準(zhǔn)電壓比較放大后的電流采樣信號(hào)中較大的一個(gè)進(jìn)行處理并輸出至壓控電阻106 ；壓控電阻106連接在電路電壓源和負(fù)載 101之間，其控制壓控電阻106阻值的控制端連接選擇單元105的輸出端。具體的電流采樣轉(zhuǎn)換單元102連接負(fù)載101，對(duì)通過(guò)負(fù)載101的電流進(jìn)行采樣，并將得到的采樣信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，形成以電壓形式表現(xiàn)的電流采樣信號(hào)輸入比較放大單元104。電壓采樣單元103連接在負(fù)載101兩端，對(duì)負(fù)載兩端的電壓進(jìn)行采樣，并形成以電壓形式表現(xiàn)的電壓采樣信號(hào)輸入比較放大單元104。比較放大單元104將電壓采樣信號(hào)和電流采樣信號(hào)分別減去基準(zhǔn)電壓后進(jìn)行放大，輸出比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)。比較放大單元通常使用運(yùn)算放大器來(lái)實(shí)現(xiàn)。比較放大單元通常包括電流運(yùn)算放大器1041和電壓運(yùn)算放大器 1042。電流運(yùn)算放大器1041的兩個(gè)輸入端分別連接電流采樣信號(hào)和基準(zhǔn)電壓，輸出比較放大后的電流采樣信號(hào)；電壓運(yùn)算放大器1042的兩個(gè)輸入端分別連接電壓采樣信號(hào)和基準(zhǔn)電壓，輸出比較放大后的電壓采樣信號(hào)。選擇單元105連接比較放大單元，包括電流環(huán)路二極管1051、電壓環(huán)路二極管 1052以及電流沉1053。比較放大后的電流采樣信號(hào)接入電流環(huán)路二極管1051的正極，比較放大后的電壓采樣信號(hào)接入電壓環(huán)路二極管1052的正極，電流環(huán)路二極管1051和電壓環(huán)路二極管1052的負(fù)極相連，連接電流沉1053的正極并通過(guò)電流沉1053接地，以及連接壓控電阻106。壓控電阻106連接選擇單元105的輸出端和電壓源，壓控電阻106的輸出端連接負(fù)載101并輸出電壓。其中，由電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電流運(yùn)算放大器1041、電流環(huán)路二極管1051與壓控電阻106、負(fù)載101構(gòu)成電流環(huán)路；由電壓采樣單元103、電壓運(yùn)算放大器1042、電壓環(huán)路二極管1052與壓控電阻106、負(fù)載101構(gòu)成電壓環(huán)路。在選擇單元105中，由于電流環(huán)路二極管1051的負(fù)極和電壓環(huán)路二極管1052的負(fù)極連接起來(lái)，根據(jù)二極管的單向?qū)ㄐ再|(zhì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)較大電壓的選擇，從而將比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)中較大的電壓信號(hào)輸入到壓控電阻106中， 從而實(shí)現(xiàn)對(duì)壓控電阻106的控制。但是，為使得電流電壓突然變化時(shí)對(duì)信號(hào)的有效選擇，需要在二極管的負(fù)極連接電流沉1053。但是由于電流沉直接成為了比較放大單元104中的器件的負(fù)載，所以對(duì)比較放大單元104的輸出造成一定的失真，影響雙環(huán)路控制系統(tǒng)的精確性。同時(shí)，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于選擇單元中的二極管對(duì)信號(hào)沒(méi)有放大作用，也影響了雙環(huán)路控制系統(tǒng)的精確性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置以及芯片，以提高電壓電流雙環(huán)路控制裝置的控制精確性。一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置，包括比較放大單元、選擇單元以及壓控電阻，其中所述選擇單元具體包括選擇放大子單元和共模電平子單元；所述選擇放大子單元，用于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行放大，并將放大后的信號(hào)作為控制信號(hào)輸出給所述壓控電阻；所述共模電平子單元，用于為所述選擇放大子單元提供共模電平。進(jìn)一步，所述裝置還包括電流采樣轉(zhuǎn)換單元、電壓采樣單元；所述電流采樣轉(zhuǎn)換單元，用于采樣負(fù)載電流并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)輸出給所述比較放大單元；所述電壓采樣單元，用于采樣負(fù)載電壓并輸出給所述比較放大單元。更進(jìn)一步，所述比較放大單元包括基準(zhǔn)電壓源；所述比較放大單元，用于將所述電流采樣轉(zhuǎn)換單元輸出的電流采樣信號(hào)與基準(zhǔn)電壓比較后進(jìn)行放大并輸出，將所述電壓采樣單元輸出的電壓采樣信號(hào)與基準(zhǔn)電壓比較后進(jìn)行放大并輸出；所述壓控電阻連接在電路電壓源和負(fù)載之間。較佳的，所述選擇放大子單元具體包括電流環(huán)路MOS管、電壓環(huán)路MOS管；所述電流環(huán)路MOS管的柵極連接所述比較放大單元的電流輸出端；所述電壓環(huán)路MOS管的柵極連接所述比較放大單元的電壓輸出端；所述電流環(huán)路MOS管的源極和電壓環(huán)路MOS管的源極相連接；所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極相連接，并連接所述共模電平子單元；所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極作為輸出端連接所述壓控電阻的控制端。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種芯片，該芯片使用本發(fā)明實(shí)施例所提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置進(jìn)行電壓電流控制。本發(fā)明實(shí)施例提供一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置以及芯片，其選擇單元包括選擇放大子單元和共模子單元，選擇放大子單元用于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行放大，并作為控制信號(hào)輸出給所述壓控電阻，由于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行了放大，所以可以更加精確的控制壓控電阻的阻值，進(jìn)而提高電壓電流雙環(huán)路控制裝置的控制精確性。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖加為本發(fā)明實(shí)施例中采用PMOS管的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2b為本發(fā)明實(shí)施例中采用NMOS管的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為與本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施例一相對(duì)應(yīng)的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為與本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施例二相對(duì)應(yīng)的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為與本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施例三相對(duì)應(yīng)的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為與本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)施例四相對(duì)應(yīng)的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的電路結(jié)構(gòu)示意7a和圖7b為本發(fā)明實(shí)施例提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明實(shí)施例提供一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置以及芯片，其選擇單元包括選擇放大子單元和共模子單元，選擇放大子單元用于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行放大，并將放大后的信號(hào)作為控制信號(hào)輸出給所述壓控電阻，由于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行了放大，所以可以更加精確的控制壓控電阻的阻值，進(jìn)而提高電壓電流雙環(huán)路控制裝置的控制精確性。 并且，由于現(xiàn)有技術(shù)中二級(jí)管本身存在一定的壓降，當(dāng)比較放大單元的輸出趨近于0或者趨近于電路電壓源的電壓時(shí)，經(jīng)過(guò)選擇單元后，選擇單元輸出的信號(hào)是無(wú)法趨近于0或者趨近于電路電壓源的電壓的，所以在極端情況下，難以實(shí)現(xiàn)精確控制。而本發(fā)明實(shí)施例提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置，進(jìn)一步使用MOS電路來(lái)實(shí)現(xiàn)選擇單元，將比較放大單元輸出的信號(hào)連接至MOS管的柵極，由于MOS管的柵極電流為0，所以避免了為比較放大單元中的器件增加負(fù)載，同時(shí)通過(guò)MOS管的飽和特性和截止特性實(shí)現(xiàn)對(duì)比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)的選擇輸出，進(jìn)而提高雙環(huán)路控制系統(tǒng)的精確性。同時(shí)，使用了差分電路，充分利用MOS管的特性，當(dāng)比較放大單元的輸出趨近于電路電壓源的電壓值時(shí)，相應(yīng)的MOS管會(huì)完全導(dǎo)通，從而使得MOS管的漏極輸出也趨近于電路電壓源的電壓值；當(dāng)比較放大單元的輸出趨近于0時(shí)，相應(yīng)的MOS管截止，若比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)均趨近于0，MOS管的漏極輸出也趨近于0，從而又能實(shí)現(xiàn)極端情況的精確控制。如圖7a，本發(fā)明實(shí)施例提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置包括比較放大單元104， 選擇單元105以及壓控電阻106，其中選擇單元105具體包括選擇放大子單元1057和共模電平子單元1056 ；選擇放大子單元1057用于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中較大的信號(hào)進(jìn)行放大，并將放大后的信號(hào)作為控制信號(hào)輸出給壓控電阻106 ；共模電平子單元1056用于為選擇放大子單元1057提供共模電平。選擇放大子單元1057連接在電路電壓源和共模電平子單元1056之間，共模電平子單元1056另一端接地，或者，也可以如圖7b所示，選擇放大子單元1057連接在地和共模電平子單元1056之間，共模電平子單元1056另一端連接電路電壓源。電壓電流雙環(huán)路控制裝置中還包括電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電壓采樣單元103， 其中電流采樣轉(zhuǎn)換單元102用于采樣負(fù)載101的電流并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)輸出給比較放大單元104 ；電壓采樣單元103用于采樣負(fù)載101兩端的電壓并輸出給比較放大單元104。比較放大單元104中包括基準(zhǔn)電壓源，比較放大單元104用于將電流采樣轉(zhuǎn)換單元102輸出的電流采樣信號(hào)與基準(zhǔn)電壓比較后進(jìn)行放大并輸出，將電壓采樣單元103輸出的電壓采樣信號(hào)與基準(zhǔn)電壓比較后進(jìn)行放大并輸出；壓控電阻106連接在電路電壓源和負(fù)載101之間。本發(fā)明實(shí)施例提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置中，如圖加所示，包括電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電壓采樣單元103、比較放大單元104、選擇單元105以及壓控電阻106，并示出了雙環(huán)路控制電路的負(fù)載101。其中電流采樣轉(zhuǎn)換單元102對(duì)通過(guò)負(fù)載101的電流進(jìn)行采樣獲得以電壓形式表現(xiàn)的電流采樣信號(hào)，電壓采樣單元103對(duì)負(fù)載101兩端的電壓進(jìn)行采樣獲得電壓采樣信號(hào)，將電流采樣信號(hào)和電壓采樣信號(hào)輸入比較放大單元104 ；選擇單元105連接比較放大單元104的電壓輸出端和電流輸出端，從與基準(zhǔn)電壓比較放大后的電壓采樣信號(hào)和與基準(zhǔn)電壓比較放大后的電流采樣信號(hào)中選擇較大的一個(gè)信號(hào)進(jìn)行處理并輸出至壓控電阻106，壓控電阻106連接在電路電壓源和負(fù)載101之間，其控制壓控電阻阻值的控制端連接選擇單元105的輸出端，當(dāng)然，也可以采用其它具有類似功能的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電壓采樣單元103、比較放大單元104以及壓控電阻106的功能。如圖加所示，在本發(fā)明實(shí)施例提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置中比較放大單元104具體包括電流環(huán)路放大器1043、電壓環(huán)路放大器1044以及基準(zhǔn)電壓源1045。電流環(huán)路放大器1043的兩個(gè)輸入端分別接入電流采樣信號(hào)和基準(zhǔn)電壓，輸出端輸出比較放大后的電流采樣信號(hào)。電壓環(huán)路放大器1044的兩個(gè)輸入端分別接入電壓采樣信號(hào)和基準(zhǔn)電壓，輸出端輸出比較放大后的電壓采樣信號(hào)。比較放大后的電流采樣信號(hào)和比較放大后的電壓采樣信號(hào)通常為交流小信號(hào)。
電流環(huán)路放大器1043和電壓環(huán)路放大器1044既可以使用運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)，也可以使用單倍放大器。當(dāng)使用運(yùn)算放大器時(shí)，比較放大單元104包括電壓運(yùn)算放大器、電流運(yùn)算放大器和基準(zhǔn)電壓源。電壓運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接入電壓采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為比較放大單元的電壓輸出端。電流運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接入電流采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為比較放大單元的電流輸出端。基準(zhǔn)電壓源的負(fù)極接地。當(dāng)使用單倍放大器時(shí)，比較放大單元104包括電壓?jiǎn)伪斗糯笃?、電流單倍放大器和基?zhǔn)電壓源。電壓?jiǎn)伪斗糯笃鞯囊粋€(gè)輸入端接入電壓采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為比較放大單元的電壓輸出端。電流單倍放大器的一個(gè)輸入端接入電流采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為比較放大單元的電流輸出端?；鶞?zhǔn)電壓源的負(fù)極接地。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以使用其它具有比較放大功能的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。具體的，為進(jìn)一步在比較放大單元的輸出趨近于電路電壓源的電壓值或趨近于0 時(shí)，仍可以實(shí)現(xiàn)精確控制，可以使用MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)選擇放大子單元1057，此時(shí)，如圖加所示， 選擇放大子單元1057包括電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055。選擇單元105連接在電路電壓源與地之間，具體包括電流環(huán)路MOS管IOM、電壓環(huán)路MOS管1055和用于產(chǎn)生共模信號(hào)的共模電平子單元1056。比較放大單元104的電壓輸出端連接電壓環(huán)路MOS 管1055的柵極，比較放大單元104的電流輸出端連接電流環(huán)路MOS管IOM的柵極，電流環(huán)路MOS管IOM的源極和電壓環(huán)路MOS管1055的源極相連接、電流環(huán)路MOS管IOM的漏極和電壓環(huán)路MOS管1055的漏極相連接，并連接共模電平子單元，電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055的漏極作為輸出端連接壓控電阻。具體的，圖加中，電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055均使用PMOS管， 共模電平子單元1056的輸入端連接電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055的漏極， 共模電平子單元1056的輸出端接地，電流環(huán)路MOS管IOM的源極和電壓環(huán)路MOS管1055 的源極連接電路電壓源。這樣，電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電流環(huán)路放大器1043、電流環(huán)路MOS管IOM和負(fù)載 101、壓控電阻106便構(gòu)成了電流環(huán)路；電壓采樣單元103、電壓環(huán)路放大器1044、電壓環(huán)路 MOS管1055和負(fù)載101、壓控電阻106便構(gòu)成了電壓環(huán)路。當(dāng)然在實(shí)際使用中，還需要添加一些其它的輔助器件以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能，所添加的器件為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再贅述。當(dāng)電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055均使用NMOS管，本發(fā)明實(shí)施例提供的電壓電流雙環(huán)路控制裝置則如圖2b所示。同樣包括電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電壓采樣單元103、比較放大單元104、選擇單元105以及壓控電阻106，并示出了雙環(huán)路控制電路的負(fù)載101。其中電流采樣轉(zhuǎn)換單元102對(duì)通過(guò)負(fù)載101的電流進(jìn)行采樣獲得以電壓形式表現(xiàn)的電流采樣信號(hào)。電壓采樣單元103對(duì)負(fù)載101兩端的電壓進(jìn)行采樣獲得電壓采樣信號(hào)。將電流采樣信號(hào)和電壓采樣信號(hào)輸入比較放大單元104。選擇單元105連接比較放大單元104的電壓輸出端和電流輸出端，從與基準(zhǔn)電壓比較放大后的電壓采樣信號(hào)和與基準(zhǔn)電壓比較放大后的電流采樣信號(hào)中選擇較大的一個(gè)信號(hào)進(jìn)行處理并輸出至壓控電阻106，壓控電阻106連接在電路電壓源和負(fù)載101之間，其控制壓控電阻阻值的控制端連接選擇單元105的輸出端。當(dāng)然，也可以采用其它具有類似功能的電路結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電壓采樣單元103、比較放大單元104以及壓控電阻106的功能。其中比較放大單元104具體包括電流環(huán)路放大器1043、電壓環(huán)路放大器1044以及基準(zhǔn)電壓源1045。電流環(huán)路放大器1043的兩個(gè)輸入端分別接入電流采樣信號(hào)和基準(zhǔn)電壓，輸出端輸出比較放大后的電流采樣信號(hào)。電壓環(huán)路放大器1044的兩個(gè)輸入端分別接入電壓采樣信號(hào)和基準(zhǔn)電壓，輸出端輸出比較放大后的電壓采樣信號(hào)。比較放大后的電流采樣信號(hào)和比較放大后的電壓采樣信號(hào)通常為交流小信號(hào)。同樣，電流環(huán)路放大器1043和電壓環(huán)路放大器1044既可以使用運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)， 也可以使用單倍放大器。選擇單元105連接在電路電壓源與地之間，具體包括電流環(huán)路MOS管IOM、電壓環(huán)路MOS管1055和用于產(chǎn)生共模信號(hào)的共模電平子單元1056。比較放大單元104的電壓輸出端連接電壓環(huán)路MOS管1055的柵極，比較放大單元104的電流輸出端連接電流環(huán)路 MOS管IOM的柵極。電流環(huán)路MOS管IOM的源極和電壓環(huán)路MOS管1055的源極相連接。 電流環(huán)路MOS管IOM的漏極和電壓環(huán)路MOS管1055的漏極相連接，并連接共模電平子單元。電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055的漏極作為輸出端連接壓控電阻。具體的，圖2b中，電流環(huán)路MOS管IOM和電壓環(huán)路MOS管1055均使用匪OS管。 共模電平子單元1056的輸出端連接電流環(huán)路MOS管IOM的漏極和電壓環(huán)路MOS管1055 的漏極，共模電平子單元1056的輸入端連接電路電壓源，電流環(huán)路MOS管IOM的源極和電壓環(huán)路MOS管1055的源極接地。這樣，電流采樣轉(zhuǎn)換單元102、電流環(huán)路放大器1043、電流環(huán)路MOS管IOM和負(fù)載 101、壓控電阻106便構(gòu)成了電流環(huán)路。電壓采樣單元103、電壓環(huán)路放大器1044、電壓環(huán)路 MOS管1055和負(fù)載101、壓控電阻106便構(gòu)成了電壓環(huán)路。同樣在實(shí)際使用中，還需要添加一些其它的輔助器件以實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能，所添加的器件為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再贅述。共模電平子單元1056可以采用電流沉，也可以使用其它具有類似作用的電路結(jié)構(gòu)。下面通過(guò)幾個(gè)較佳的實(shí)施例具體進(jìn)行說(shuō)明實(shí)施例一、該實(shí)施例中電流環(huán)路MOS管30 和電壓環(huán)路MOS管3055使用PMOS管，并采用電流沉來(lái)實(shí)現(xiàn)共模電平子單元1056的功能。如圖3所示，此時(shí)，電路中選擇單元305中具體包括電流環(huán)路MOS管3054、電壓環(huán)路MOS管3055和電流沉3056，比較放大單元304的電壓輸出端連接電壓環(huán)路MOS管3055 的柵極，比較放大單元304的電流輸出端連接電流環(huán)路MOS管30M的柵極，電流環(huán)路MOS 管30M的源極和電壓環(huán)路MOS管3055的源極相連接，并連接電路電壓源，電流環(huán)路MOS管 3054的漏極和電壓環(huán)路MOS管3055的漏極相連接，并連接電流沉3056的正極，電流沉3056 的負(fù)極接地，電流環(huán)路MOS管30M的漏極和電壓環(huán)路MOS管3055的漏極作為輸出端連接壓控電阻306。當(dāng)負(fù)載301的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)大于負(fù)載301兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元305中的電流環(huán)路MOS管30M進(jìn)入飽和區(qū)，電壓環(huán)路MOS管3055進(jìn)入截止區(qū)，比較放大單元304輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電流采樣信號(hào)通過(guò)電流環(huán)路MOS管30M放大后控制壓控電阻306，從而將通過(guò)負(fù)載的電流穩(wěn)定在設(shè)定值。當(dāng)負(fù)載301的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)小于負(fù)載301兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元305中的電壓環(huán)路MOS管3055進(jìn)入飽和區(qū)，電流環(huán)路MOS管30M進(jìn)入截止區(qū)，比較放大單元304輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電壓采樣信號(hào)通過(guò)電壓環(huán)路MOS管3055放大后控制壓控電阻306，從而將負(fù)載兩端的電壓值穩(wěn)定在設(shè)定值。由于電壓環(huán)路和電流環(huán)路切換時(shí)是平滑的模擬過(guò)程，并且在比較放大單元304的輸出端沒(méi)有傳統(tǒng)的二極管，所以任意一個(gè)環(huán)路在工作時(shí)，都不會(huì)因器件的壓降而導(dǎo)致系統(tǒng)失調(diào)，同時(shí)，由于選擇單元305的輸出沒(méi)有擺幅限制，所以選擇單元305的輸出可以實(shí)現(xiàn)在電源和地之間浮動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)精確的調(diào)節(jié)。雖然電路中仍然有電流沉，但是由于MOS管的柵極沒(méi)有電流，所以比較放大單元 304沒(méi)有負(fù)載，所以選擇單元305中的器件不會(huì)影響比較放大單元304的性能。在該實(shí)施例中，比較放大單元304中使用運(yùn)算放大器較好，如果使用單倍放大器， 由于放大倍數(shù)較低，則需要較靈敏的壓控電阻。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用以及相關(guān)的器件來(lái)選擇合適的放大器和壓控電阻。實(shí)施例二、該實(shí)施例中電流環(huán)路MOS管40 和電壓環(huán)路MOS管4055使用匪OS管，并采用電流沉來(lái)實(shí)現(xiàn)共模電平子單元1056的功能。如圖4所示，此時(shí)，電路中選擇單元405中具體包括電流環(huán)路MOS管仙討、電壓環(huán)路MOS管4055和電流沉4056，比較放大單元404的電壓輸出端連接電壓環(huán)路MOS管4055 的柵極，比較放大單元404的電流輸出端連接電流環(huán)路MOS管40M的柵極，電流環(huán)路MOS 管40M的源極和電壓環(huán)路MOS管4055的源極相連接，并接地，電流環(huán)路MOS管40M的漏極和電壓環(huán)路MOS管4055的漏極相連接，并連接電流沉4056的負(fù)極，電流沉4056的正極連接電路電壓源，電流環(huán)路MOS管40M的漏極和電壓環(huán)路MOS管4055的漏極作為輸出端連接壓控電阻406。當(dāng)負(fù)載401的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)大于負(fù)載401兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元405中的電流環(huán)路MOS管40 進(jìn)入飽和區(qū)，電壓環(huán)路MOS管4055進(jìn)入截止區(qū)，比較放大單元404輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電流采樣信號(hào)通過(guò)電流環(huán)路MOS管40M放大后控制壓控電阻406，從而將通過(guò)負(fù)載的電流穩(wěn)定在設(shè)定值。當(dāng)負(fù)載401的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)小于負(fù)載401兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元405中的電壓環(huán)路MOS管4055進(jìn)入飽和區(qū)，電流環(huán)路MOS管40 進(jìn)入截止區(qū)，比較放大單元404輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電壓采樣信號(hào)通過(guò)電壓環(huán)路MOS管4055放大后控制壓控電阻406，從而將負(fù)載兩端的電壓值穩(wěn)定在設(shè)定值。由于電壓環(huán)路和電流環(huán)路切換時(shí)是平滑的模擬過(guò)程，并且在比較放大單元404的輸出端沒(méi)有傳統(tǒng)的二極管，所以任意一個(gè)環(huán)路在工作時(shí)，都不會(huì)因器件的壓降而導(dǎo)致系統(tǒng)失調(diào)，同時(shí)，由于選擇單元405的輸出沒(méi)有擺幅限制，所以選擇單元405的輸出可以實(shí)現(xiàn)在電源和地之間浮動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)精確的調(diào)節(jié)。雖然電路中仍然有電流沉，但是由于MOS管的柵極沒(méi)有電流，所以比較放大單元404沒(méi)有負(fù)載，所以選擇單元405中的器件不會(huì)影響比較放大單元404的性能。在該實(shí)施例中，同樣在比較放大單元404中的電流環(huán)路放大器4043和電壓環(huán)路放大器4044使用運(yùn)算放大器較好，如果使用單倍放大器，由于放大倍數(shù)較低，則需要較靈敏的壓控電阻。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用以及相關(guān)的器件來(lái)選擇合適的放大器和壓控電阻。以下實(shí)施例采用MOS管和電壓源來(lái)實(shí)現(xiàn)共模電平子單元1056的功能，其中電壓源用于提供共模電壓，該共模電平子單元1056還進(jìn)一步具有對(duì)比較放大單元104輸出的信號(hào)進(jìn)行放大的作用，所以此時(shí)，共模電平子單元1056還連接比較放大單元104的電流輸出端和電壓輸出端。實(shí)施例三、該實(shí)施例中電流環(huán)路MOS管50 和電壓環(huán)路MOS管5055使用PMOS管，并采用 MOS管和電壓源來(lái)實(shí)現(xiàn)共模電平子單元1056的功能。如圖5所示，此時(shí)，電路中選擇單元505中具體包括電流環(huán)路MOS管50M、電壓環(huán)路MOS管5055、第一放大MOS管5056、第二放大MOS管5057、第一電壓源5058和第二電壓源5059，其中，比較放大單元504的電壓輸出端連接電壓環(huán)路MOS管5055的柵極，比較放大單元504的電流輸出端連接電流環(huán)路MOS管50M的柵極，電流環(huán)路MOS管50M的源極和電壓環(huán)路MOS管5055的源極相連接，并連接電路電壓源，電流環(huán)路MOS管50M的漏極和電壓環(huán)路MOS管5055的漏極相連接，并連接第一放大MOS管5056的漏極，第一放大MOS 管5056的源極連接第二放大MOS管5057的漏極，第二放大MOS管5057的源極接地，第一放大MOS管5056的柵極連接第一電壓源5058的負(fù)極，第一電壓源5058的正極連接電流環(huán)路MOS管5051的柵極，第二放大MOS管5057的柵極連接第二電壓源5059的負(fù)極，第二電壓源5059的正極連接電壓環(huán)路MOS管5052的柵極。電流環(huán)路MOS管50M的漏極和電壓環(huán)路MOS管5055的漏極作為輸出端連接壓控電阻506。通常第一放大MOS管5056和第二放大MOS管5057使用NMOS管實(shí)現(xiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)負(fù)載501的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)大于負(fù)載501兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元505中的電流環(huán)路MOS管50 進(jìn)入飽和區(qū)，電壓環(huán)路MOS管5055進(jìn)入截止區(qū)，共模電平子單元5053中的第二放大MOS管5057進(jìn)入線性區(qū)，相當(dāng)于線性電阻。 比較放大單元504輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電流采樣信號(hào)通過(guò)電流環(huán)路MOS 管50M和第一放大MOS管5056放大后控制壓控電阻506，從而將通過(guò)負(fù)載的電流穩(wěn)定在設(shè)定值。當(dāng)負(fù)載501的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)小于負(fù)載501兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元505中的電壓環(huán)路MOS管5055進(jìn)入飽和區(qū)，電流環(huán)路MOS管50 進(jìn)入截止區(qū)，共模電平子單元5053中的第一放大MOS管5056進(jìn)入線性區(qū)，相當(dāng)于線性電阻。 比較放大單元504輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電壓采樣信號(hào)通過(guò)電壓環(huán)路MOS 管5055和第二放大MOS管5057放大后控制壓控電阻506，從而將負(fù)載兩端的電壓值穩(wěn)定在設(shè)定值。由于電壓環(huán)路和電流環(huán)路切換時(shí)是平滑的模擬過(guò)程，在比較放大單元504的輸出端和選擇單元505的輸出端均無(wú)負(fù)載電流，所以任意一個(gè)環(huán)路在工作時(shí)，都不會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)
1失調(diào)。因?yàn)檫x擇單元505的輸出沒(méi)有擺幅限制，所以選擇單元505的輸出可以在電源和地之間浮動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)精確的調(diào)節(jié)。并且該反饋環(huán)路為2級(jí)結(jié)構(gòu)，是穩(wěn)定的系統(tǒng)，不需要環(huán)路補(bǔ)償。并且，使用該這種電路結(jié)構(gòu)時(shí)，所需要的輔助器件也較少，實(shí)現(xiàn)電路時(shí)相對(duì)比較容易，降低了電路的復(fù)雜度。在該實(shí)施例中，由于第一放大MOS管5056或第二放大MOS管5057也起到放大作用，所以比較放大單元504中的電流環(huán)路放大器5043和電壓環(huán)路放大器5044使用單倍放大器較好，如果使用運(yùn)算放大器，由于放大倍數(shù)較高，則需要靈敏度較低的壓控電阻。當(dāng)然， 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用以及相關(guān)的器件來(lái)選擇合適的放大器和壓控電阻。實(shí)施例四、該實(shí)施例中電流環(huán)路MOS管60 和電壓環(huán)路MOS管6055使用NMOS管，并采用 MOS管和電壓源來(lái)實(shí)現(xiàn)共模電平子單元1056的功能。如圖6所示，此時(shí)，電路中選擇單元605中具體包括電流環(huán)路MOS管6(^4、電壓環(huán)路MOS管6055、第一放大MOS管6056、第二放大MOS管6057、第一電壓源6058和第二電壓源6059，其中，比較放大單元604的電壓輸出端連接電壓環(huán)路MOS管6055的柵極，比較放大單元604的電流輸出端連接電流環(huán)路MOS管60M的柵極，電流環(huán)路MOS管60M的源極和電壓環(huán)路MOS管6055的源極相連接，并接地，電流環(huán)路MOS管60M的漏極和電壓環(huán)路 MOS管6055的漏極相連接，并連接第二放大MOS管6057的源極，第二放大MOS管6057的漏極連接第一放大MOS管6056的源極，第一放大MOS管6056的漏極連接電路電壓源，第一放大MOS管6056的柵極連接第一電壓源6058的負(fù)極，第一電壓源6058的正極連接電流環(huán)路MOS管6051的柵極，第二放大MOS管6057的柵極連接第二電壓源6059的負(fù)極，第二電壓源6059的正極連接電壓環(huán)路MOS管6052的柵極。電流環(huán)路MOS管60M的漏極和電壓環(huán)路MOS管6055的漏極作為輸出端連接壓控電阻606。通常第一放大MOS管5056和第二放大MOS管5057使用NMOS管實(shí)現(xiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整。當(dāng)負(fù)載601的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)大于負(fù)載601兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元605中的電流環(huán)路MOS管60 進(jìn)入飽和區(qū)，電壓環(huán)路MOS管6055進(jìn)入截止區(qū)，共模電平子單元6053中的第二放大MOS管6057進(jìn)入線性區(qū)，相當(dāng)于線性電阻。 比較放大單元604輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電流采樣信號(hào)通過(guò)電流環(huán)路MOS 管60M和第一放大MOS管6056放大后控制壓控電阻606，從而將通過(guò)負(fù)載的電流穩(wěn)定在設(shè)定值。當(dāng)負(fù)載601的電流經(jīng)采樣轉(zhuǎn)化成的電壓信號(hào)小于負(fù)載601兩端的電壓采樣得到的電壓信號(hào)時(shí)，選擇單元605中的電壓環(huán)路MOS管6055進(jìn)入飽和區(qū)，電流環(huán)路MOS管60 進(jìn)入截止區(qū)，共模電平子單元6053中的第一放大MOS管6056進(jìn)入線性區(qū)，相當(dāng)于線性電阻。 比較放大單元604輸出的交流小信號(hào)形式的比較放大后的電壓采樣信號(hào)通過(guò)電壓環(huán)路MOS 管6055和第二放大MOS管6057放大后控制壓控電阻606，從而將負(fù)載兩端的電壓值穩(wěn)定在設(shè)定值。由于電壓環(huán)路和電流環(huán)路切換時(shí)是平滑的模擬過(guò)程，在比較放大單元604的輸出端和選擇單元605的輸出端均無(wú)負(fù)載電流，所以任意一個(gè)環(huán)路在工作時(shí)，都不會(huì)出現(xiàn)系統(tǒng)失調(diào)。因?yàn)檫x擇單元605的輸出沒(méi)有擺幅限制，所以選擇單元605的輸出可以在電源和地之間浮動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)精確的調(diào)節(jié)。并且該反饋環(huán)路為2級(jí)結(jié)構(gòu)，是穩(wěn)定的系統(tǒng)，不需要環(huán)路補(bǔ)償。并且，使用該這種電路結(jié)構(gòu)時(shí)，所需要的輔助器件也較少，實(shí)現(xiàn)電路時(shí)相對(duì)比較容易，降低了電路的復(fù)雜度。在該實(shí)施例中，由于第一放大MOS管6056或第二放大MOS管6057也起到放大作用，所以比較放大單元604中的電流環(huán)路放大器6043和電壓環(huán)路放大器6044使用單倍放大器較好，如果使用運(yùn)算放大器，由于放大倍數(shù)較高，則需要靈敏度較低的壓控電阻。當(dāng)然， 本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)電路的實(shí)際應(yīng)用以及相關(guān)的器件來(lái)選擇合適的放大器和壓控電阻。另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種芯片，該芯片使用本發(fā)明實(shí)施例中提供的電流電壓雙環(huán)路控制裝置進(jìn)行電流和電壓的控制，可以廣泛適用于充電設(shè)備等設(shè)備中，以使得在充電等過(guò)程中實(shí)現(xiàn)較佳的電流和電壓控制。本發(fā)明實(shí)施例提供一種電流電壓雙環(huán)路控制裝置以及芯片，使用MOS電路來(lái)實(shí)現(xiàn)選擇單元105，將比較放大單元104輸出的比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)分別連接到兩個(gè)MOS管的柵極，由于MOS管的柵極電流為0，所以避免了為比較放大單元104中的器件增加負(fù)載，同時(shí)通過(guò)MOS管的飽和特性和截止特性實(shí)現(xiàn)對(duì)比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)的選擇輸出，進(jìn)而提高雙環(huán)路控制系統(tǒng)的精確性。同時(shí)，使用了差分電路，充分利用MOS管的特性，當(dāng)比較放大單元的輸出趨近于電路電壓源的電壓值時(shí)，相應(yīng)的MOS管完全導(dǎo)通，從而使得MOS管的漏極輸出也趨近于電路電壓源的電壓值，當(dāng)比較放大單元的輸出趨近于0時(shí)，相應(yīng)的MOS管截止，若比較放大后的電壓采樣信號(hào)和比較放大后的電流采樣信號(hào)均趨近于0，MOS管的漏極輸出也趨近于0，從而實(shí)現(xiàn)極端情況的精確控制。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置，包括比較放大單元、選擇單元以及壓控電阻，其特征在于，所述選擇單元具體包括選擇放大子單元和共模電平子單元； 所述選擇放大子單元，用于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行放大，并將放大后的信號(hào)作為控制信號(hào)輸出給所述壓控電阻；所述共模電平子單元，用于為所述選擇放大子單元提供共模電平。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括電流采樣轉(zhuǎn)換單元、電壓采樣單元；所述電流采樣轉(zhuǎn)換單元，用于采樣負(fù)載電流并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)輸出給所述比較放大單元；所述電壓采樣單元，用于采樣負(fù)載電壓并輸出給所述比較放大單元。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述比較放大單元包括基準(zhǔn)電壓源；所述比較放大單元，用于將所述電流采樣轉(zhuǎn)換單元輸出的電流采樣信號(hào)與基準(zhǔn)電壓比較后進(jìn)行放大并輸出，將所述電壓采樣單元輸出的電壓采樣信號(hào)與基準(zhǔn)電壓比較后進(jìn)行放大并輸出；所述壓控電阻連接在電路電壓源和負(fù)載之間。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述選擇放大子單元具體包括電流環(huán)路MOS管、電壓環(huán)路MOS管； 所述電流環(huán)路MOS管的柵極連接所述比較放大單元的電流輸出端； 所述電壓環(huán)路MOS管的柵極連接所述比較放大單元的電壓輸出端； 所述電流環(huán)路MOS管的源極和電壓環(huán)路MOS管的源極相連接； 所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極相連接，并連接所述共模電平子單元；所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極作為輸出端連接所述壓控電阻的控制端。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述電流環(huán)路MOS管和電壓環(huán)路MOS管均為PMOS管； 所述共模電平子單元另一端接地；所述電流環(huán)路MOS管和電壓環(huán)路MOS管的源極連接電路電壓源。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于， 所述共模電平子單元具體為電流沉；所述電流沉的正極連接所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極，負(fù)極接地。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述共模電平子單元還連接所述比較放大單元的電壓輸出端和電流輸出端，用于對(duì)所述比較放大單元輸出的信號(hào)進(jìn)行放大。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述共模電平子單元具體包括第一放大MOS管、第二放大MOS管，第一電壓源和第二電壓源；其中，所述第一放大MOS管的漏極連接所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極；所述第一放大MOS管的源極連接所述第二放大MOS管的漏極； 所述第二放大MOS管的源極接地； 所述第一放大MOS管的柵極連接所述第一電壓源的負(fù)極； 所述第二放大MOS管的柵極連接所述第二電壓源的負(fù)極； 所述第一電壓源的正極連接所述電流環(huán)路MOS管的柵極； 所述第二電壓源的正極連接所述電壓環(huán)路MOS管的柵極。
9.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述電流環(huán)路MOS管和電壓環(huán)路MOS管均為NMOS管；所述共模電平子單元另一端連接電壓源；所述電流環(huán)路MOS管和電壓環(huán)路MOS管的源極接地。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于， 所述共模電平子單元具體為電流沉；所述電流沉的負(fù)極連接所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極，正極連接電壓源。
11.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述共模電平子單元還連接所述比較放大單元的電壓輸出端和電流輸出端，用于對(duì)所述比較放大單元輸出的信號(hào)進(jìn)行放大。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述共模電平子單元具體包括第一放大MOS管、第二放大MOS管，第一電壓源和第二電壓源，其中，所述第一放大MOS管的源極連接所述電流環(huán)路MOS管的漏極和電壓環(huán)路MOS管的漏極；所述第一放大MOS管的源極連接所述第二放大MOS管的漏極； 所述第二放大MOS管的源極連接所述電路電壓源； 所述第一放大MOS管的柵極連接所述第一電壓源的負(fù)極； 所述第二放大MOS管的柵極連接所述第二電壓源的負(fù)極； 所述第一電壓源的正極連接所述電流環(huán)路MOS管的柵極； 所述第二電壓源的正極連接所述電壓環(huán)路MOS管的柵極。
13.如權(quán)利要求3-10任一所述的裝置，其特征在于，所述比較放大單元具體包括電壓運(yùn)算放大器、電流運(yùn)算放大器和基準(zhǔn)電壓源；所述電壓運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接入電壓采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接所述基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為所述比較放大單元的電壓輸出端；所述電流運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接入電流采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接所述基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為所述比較放大單元的電流輸出端； 所述基準(zhǔn)電壓源的負(fù)極接地。
14.如權(quán)利要求3-10任一所述的裝置，其特征在于，所述比較放大單元具體包括電壓?jiǎn)伪斗糯笃?、電流單倍放大器和基?zhǔn)電壓源；所述電壓?jiǎn)伪斗糯笃鞯囊粋€(gè)輸入端接入電壓采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接所述基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為所述比較放大單元的電壓輸出端；所述電流單倍放大器的一個(gè)輸入端接入電流采樣信號(hào)，另一個(gè)輸入端連接所述基準(zhǔn)電壓源的正極，輸出端為所述比較放大單元的電流輸出端； 所述基準(zhǔn)電壓源的負(fù)極接地。
15. 一種芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-14任一所述的電壓電流雙環(huán)路控制裝置。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種電壓電流雙環(huán)路控制裝置以及芯片，涉及集成電路領(lǐng)域。由于本發(fā)明實(shí)施例提供的電流電壓雙環(huán)路控制裝置中，選擇單元包括選擇放大子單元和共模子單元，選擇放大子單元用于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行放大，并作為控制信號(hào)輸出給所述壓控電阻，由于對(duì)比較放大單元的輸出信號(hào)中電壓值較大的信號(hào)進(jìn)行了放大，所以可以更加精確的控制壓控電阻的阻值，進(jìn)而提高電壓電流雙環(huán)路控制裝置的控制精確性。
文檔編號(hào)G05F1/40GK102455725SQ20101052520
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月29日
發(fā)明者江力, 湯覓 申請(qǐng)人:炬力集成電路設(shè)計(jì)有限公司