專利名稱：一種可調電流大小的電流源裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種應用于電源領域的電流源裝置，尤其是涉及一種可調電流大小的 電流源裝置。
背景技術：
在模擬集成電路芯片的電源設計領域，為了使模擬集成電路芯片的應用范圍更加廣泛，經常會將內部的一些電流源設計成可改變的，由模擬集成電路芯片的應用者根據自 身需要通過改變外接電阻來對電流源的電流大小進行調節(jié)，通常采用的方法是先用一個帶 隙基準產生一個穩(wěn)定的電平，然后利用一個運算放大器作為一個跟隨器，跟隨這個穩(wěn)定的 電平，再調節(jié)外接電阻，就可以實現(xiàn)一個可調電流大小的電流源。圖1給出了典型的可調電流大小的電流源裝置的電路圖，其包括固定電壓提供電 路VDC、運算放大器OPl、PMOS晶體管Pl、NMOS晶體管Ml及外接電阻Rl，固定電壓提供電 路VDC與運算放大器OPl的正輸入端相連接，為運算放大器OPl提供一個穩(wěn)定的固定電壓 Vref，運算放大器OPl的負輸入端與外接電阻Rl的第一端相連接，外接電阻Rl的第二端接 電源地GND，運算放大器OPl的輸出端與NMOS晶體管Ml的柵極相連接，NMOS晶體管Ml的 源極與外接電阻Rl的第一端相連接，NMOS晶體管Ml的漏極與PMOS晶體管Pl的源極相連 接，PMOS晶體管Pl的柵極與PMOS晶體管Pl的源極相連接，PMOS晶體管Pl的漏極接電源 電壓VDD。在該電流源裝置中，固定電壓提供電路VDC可以是通過帶隙基準調整得到的基 準電壓，也可以是一個齊納二極管，固定電壓提供電路VDC提供一個相對穩(wěn)定的固定電平 Vref,通過運算放大器OPl和NMOS晶體管Ml的跟隨作用，使得A節(jié)點處的電壓等于固定電 壓Vref，而流過外接電阻Rl的電流則是Vref/札，其中R1為外接電阻Rl的電阻值，從而可 得到流過PMOS晶體管Pl的電流12，I2 = VrefVR1，這樣就可以通過改變外接電阻Rl的電 阻值R1實現(xiàn)對電流I2的大小的改變，需要電流的時候可以通過電流鏡的方式對PMOS晶體 管Pl鏡像得到需要的電流。這種電流源裝置雖然能夠通過改變外接電阻的電阻值的大小 較好地實現(xiàn)電流大小的調節(jié)，但由于運算放大器的應用，使得該電流源裝置存在器件多、功 耗大、設計復雜、由設計復雜引起的可靠性低等缺點。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種器件少、功耗小、工作可靠性高的可調電 流大小的電流源裝置。本發(fā)明解決上述技術問題所采用的技術方案為一種可調電流大小的電流源裝 置，包括電流提供/限制電路、固定電壓提供電路、PMOS晶體管、第一三極管、第二三極管和 外接電阻，所述的電流提供/限制電路具有第一連接端和第二連接端，所述的固定電壓提 供電路具有第三連接端和第四連接端，所述的電流提供/限制電路的第一連接端接電源電 壓，所述的電流提供/限制電路的第二連接端與所述的第一三極管的集電極相連接，所述 的第一三極管的發(fā)射極與所述的固定電壓提供電路的第三連接端相連接，所述的第一三極管的基極分別與所述的第一三極管的集電極和所述的第二三極管的基極相連接，所述的第 二三極管的集電極與所述的PMOS晶體管的漏極相連接，所述的PMOS晶體管的柵極與所述 的PMOS晶體管的漏極相連接，所述的PMOS晶體管的源極接電源電壓，所述的第二三極管的 發(fā)射極與所述的外接電阻的第一端相連接，所述的外接電阻的第二端和所述的固定電壓提 供電路的第四連接端均接電源地。所述的電流提供/限制電路包括一個電阻，所述的電阻的第一端接電源電壓，所 述的電阻的第二端與所述的第一三極管的集電極相連接；或所述的電流提供/限制電路 包括一個通過鏡像方式從其他電流源裝置得到的微小電流，所述的微小電流流向所述的第
一三極管的集電極。所述的固定電壓提供電路包括一個齊納二極管，所述的齊納二極管的陰極與所述 的第一三極管的發(fā)射極相連接，所述的齊納二極管的陽極接電源地；或所述的固定電壓提 供電路包括一個通過帶隙基準調整得到的基準電壓，所述的基準電壓的正端與所述的第 一三極管的發(fā)射極相連接，所述的基準電壓的負端接電源地。所述的第一三極管和所述的第二三極管均為NPN型的三極管。所述的第一三極管和所述的第二三極管構成對管結構，所述的第一三極管和所述 的第二三極管均工作在線性區(qū)時，所述的PMOS晶體管工作在飽和區(qū)。一種可調電流大小的電流源裝置，包括電流提供/限制電路、固定電壓提供電路、 NMOS晶體管、第一三極管、第二三極管和外接電阻，所述的電流提供/限制電路具有第一連 接端和第二連接端，所述的固定電壓提供電路具有第三連接端和第四連接端，所述的固定 電壓提供電路的第三連接端接電源電壓，所述的固定電壓提供電路的第四連接端與所述的 第一三極管的發(fā)射極相連接，所述的第一三極管的集電極與所述的電流提供/限制電路的 第一連接端相連接，所述的第一三極管的基極分別與所述的第一三極管的集電極和所述的 第二三極管的基極相連接，所述的第二三極管的發(fā)射極與外接電阻的第一端相連接，所述 的外接電阻的第二端接電源電壓，所述的第二三極管的集電極與所述的NMOS晶體管的漏 極相連接，所述的NMOS晶體管的柵極與所述的NMOS晶體管的漏極相連接，所述的NMOS晶 體管的源極與所述的電流提供/限制電路的第二連接端均接電源地。所述的固定電壓提供電路包括一個齊納二極管，所述的齊納二極管的陰極接電源 電壓，所述的齊納二極管的陽極與所述的第一三極管的發(fā)射極相連接；或所述的固定電壓 提供電路包括一個通過帶隙基準調整得到的基準電壓，所述的基準電壓的正端接電源電 壓，所述的基準電壓的負端與所述的第一三極管的發(fā)射極相連接。所述的電流提供/限制電路包括一個電阻，所述的電阻的第一端與所述的第一三 極管的集電極相連接，所述的電阻的第二端接電源地；或所述的電流提供/限制電路包括 一個通過鏡像方式從其他電流源裝置得到的微小電流，所述的微小電流流向電源地。所述的第一三極管和所述的第二三極管均為PNP型的三極管。所述的第一三極管和所述的第二三極管構成對管結構，所述的第一三極管和所述 的第二三極管均工作在線性區(qū)時，所述的NMOS晶體管工作在飽和區(qū)。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于1)、本發(fā)明的電流源裝置主要由電流提供/限制電路、固定電壓提供電路、MOS晶 體管、兩個三極管及外接電阻組成，其無需使用現(xiàn)有的電流源裝置中的運算放大器對穩(wěn)定的固定電壓進行跟隨，即可通過調節(jié)外接電阻的電阻值的大小實現(xiàn)對流過MOS晶體管的偏置電流的大小，且由于無需使用運算放大器，大大減少了電流源裝置的器件，同時有效降低 了功耗，且設計簡單，工作可靠性高。2)、比較利用本發(fā)明的電流源裝置與現(xiàn)有的電流源裝置通過改變外接電阻的電阻 值獲得流過MOS晶體管的偏置電流，本發(fā)明的電流源裝置雖然在偏置電流的精度上有略微 的降低，但本發(fā)明的電流源裝置相對于現(xiàn)有的電流源裝置具有能夠縮小芯片面積，節(jié)省成 本，還不需要額外的電路給運算放大器提供偏置信號，不用考慮運算放大器的相位補償?shù)?優(yōu)點。


圖1為現(xiàn)有的可調電流大小的電流源裝置的電路圖；圖2為本發(fā)明具體實施例一的電流源裝置的電路圖；圖3為利用本發(fā)明的電流源裝置和圖1所示的電流源裝置通過改變外接電阻的電 阻值獲得的偏置電流I2的仿真結果示意圖；圖4為本發(fā)明具體實施例二的電流源裝置的電路圖。
具體實施例方式以下結合附圖實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。實施例一一種可調電流大小的電流源裝置，如圖2所示，其包括電流提供/限制電路IDC、固 定電壓提供電路VDC、PMOS晶體管P1、第一 NPN型三極管QNl、第二 NPN型三極管QN2和外 接電阻Rl，電流提供/限制電路IDC具有第一連接端1和第二連接端2，固定電壓提供電路 VDC具有第三連接端3和第四連接端4，電流提供/限制電路IDC的第一連接端1接電源電 壓VDD，電流提供/限制電路IDC的第二連接端2與第一 NPN型三極管QNl的集電極相連 接，第一 NPN型三極管QNl的發(fā)射極與固定電壓提供電路VDC的第三連接端3相連接，第一 NPN型三極管QNl的基極分別與第一 NPN型三極管QNl的集電極和第二 NPN型三極管QN2 的基極相連接，第二 NPN型三極管QN2的集電極與PMOS晶體管Pl的漏極相連接，PMOS晶 體管Pl的柵極與PMOS晶體管Pl的漏極相連接，PMOS晶體管Pl的源極接電源電壓VDD，第 二 NPN型三極管QN2的發(fā)射極與外接電阻Rl的第一端相連接，外接電阻R2的第二端和固 定電壓提供電路VDC的第四連接端4均接電源地GND。在此具體實施例中，電流提供/限制電路IDC主要用于提供一個穩(wěn)定的微小電流 或者用于限制電流提供/限制電路IDC所在支路在一個較小的電流狀態(tài)下工作即用于限制 電流的大小，該電流提供/限制電路IDC可以只包括一個電阻，電阻的第一端接電源電壓 VDD，電阻的第二端與第一 NPN型三極管QNl的集電極相連接，通過該電阻可得到一個微小 電流I1 ；或者該電流提供/限制電路IDC可只包括一個通過鏡像方式從其他電流源裝置得 到的微小電流I1，該微小電流I1流向第一 NPN型三極管QNl的集電極，在此，通過鏡像方式 從其他電流源裝置得到的微小電流I1可以通過修改鏡像管(M0S晶體管)的寬長比來選擇 微小電流I1的大小，一般可調整鏡像管的寬長比選取一個最大的電流，再調整鏡像管的寬 長比選取一個最小的電流，再根據最大的電流和最小的電流的乘積開方后的值調整鏡像管的寬長比來獲取微小電流，該微小電流不需要很精確。在此具體實施例中，固定電壓提供電路VDC主要用于提供一個能夠有一定的電流 下拉能力的穩(wěn)定電壓，該固定電壓提供電路VDC可以只包括一個齊納二極管，齊納二極管 的陰極與第一 NPN型三極管QNl的發(fā)射極相連接，齊納二極管的陽極接電源地GND，通過該 齊納二極管可得到一個固定電壓，將該固定電壓作為基準電壓Vl ；或者該固定電壓提供電 路VDC可以只包括一個通過帶隙基準調整得到的基準電壓VI，基準電壓Vl的正端與第一 NPN型三極管QNl的發(fā)射極相連接，基準電壓Vl的負端接電源地GND。在此，基準電壓Vl 的大小可以通過預先計算可調電流的范圍，根據可調電流的范圍在該范圍內選擇一個合適 的但不需要很精確的穩(wěn)定的固定電壓作為基準電壓。在此具體實施例中，第一 NPN型三極管QNl和第二 NPN型三極管QN2構成對管結 構，當?shù)谝?NPN型三極管QNl和第二 NPN型三極管QN2均工作在線性區(qū)時，PMOS晶體管Pl 則工作在飽和區(qū)，此時通過改變外接電阻Rl的電阻值R1的大小就可以得到一個和外接電 阻Rl的電阻值R1成反比的流過PMOS晶體管Pl的偏置電流12，然后可通過對PMOS晶體管 Pl鏡像得到所需要的電流。在此，偏置電流I2與其他參數(shù)沒有任何關系，只和外接電阻Rl 的電阻值R1成反比，這樣調節(jié)外接電阻Rl的電阻值R1即可實現(xiàn)調節(jié)偏置電流12。如圖2所示，根據電流提供/限制電路IDC提供或者限制的微小電流I1,流 經PMOS晶體管Pl的偏置電流12，及具有電流下拉能力的固定電壓提供電路VDC提供
的穩(wěn)定電壓VI，可得到I0Q1+^1CQ1+"^I2 =I1，其中，I。Q1為第一 NPN型三極管QNl的集
電極電流，由于第一 NPN型三極管QNl和第二 NPN型三極管QN2為對管結構，因此第一 NPN型三極管和第二 NPN型三極管QN2的直流電流增益相同，β表示第一 NPN型
三極管和第二 NPN型三極管QN2的直流電流增益。根據Icg1+^IeQ1+^I2 =I1可得
fJIcQ1 = J^,-吾I2)，又因為 VbeQ2 = VT In^ = Vt 和 VbeQ1 = Vt In^-，其中，Vbe01,
Vbe02分別表示第一 NPN型三極管QNl和第二 NPN型三極管QN2的be結電壓，從而可得到
<formula>formula see original document page 7</formula> 其中，AVbe 表不第一 NPN
型三極管QNl的be結電壓與第二 NPN型三極管QN2的be結電壓的差值。在使用本發(fā)明的電流源裝置時，通過鏡像方式從其他電流源裝置得到的微小電流
I1可以通過修改鏡像管(M0S晶體管)的寬長比來選擇微小電流I1的大小，一般可調整鏡
像管的寬長比選取一個最大的電流，再調整鏡像管的寬長比選取一個最小的電流，再根據
最大的電流和最小的電流的乘積開方后的值調整鏡像管的寬長比來獲取微小電流，可使得
微小電流I1和偏置電流I2在相同的數(shù)量級，這樣第一 NPN型三極管QNl的be結電壓與第
二 NPN型三極管QN2的be結電壓的差值AVbe就很小，由于第一 NPN型三極管QNl的基極
與第二 NPN型三極管QN2的基極相連接，因此這樣也就有A節(jié)點和B節(jié)點的電壓近似相等Vb = Va = VI，這樣就可以近似的得到<formula>formula see original document page 7</formula>，得到的偏置電流I2與通過圖1所示的電流源裝置得到的偏置電流的結果基本一致。圖3給出了利用本發(fā)明的電流源裝置和圖1所示的電流源裝置通過改變外接電阻Rl的電阻值獲得流過PMOS晶體管Pl的偏置電流I2的仿真結果，其中，倒三角表示的曲線 表示圖1所示的電流源裝置獲得的偏置電流I2的仿真結果，正三角表示的曲線表示本發(fā)明 的電流源裝置獲得的偏置電流I2的仿真結果，圖3中橫坐標表示外接電阻的電阻值，單位 為ohm (歐姆)，縱坐標表示偏置電流12，單位為A (安培)，K表示數(shù)量級1000，u表示數(shù)量 級10_6。從圖3可以看出，利用本發(fā)明的電流源裝置和圖1所示的電流源裝置通過改變外 接電阻Rl的電阻值獲得流過PMOS晶體管Pl的偏置電流I2的仿真結果的曲線幾乎相重合， 足以說明本發(fā)明的電流源裝置可以有效確保獲得的偏置電流的精度。與現(xiàn)有的電流源裝置 相比，本發(fā)明的電流源裝置雖然在偏置電流的精度上有略微的降低，但本發(fā)明的電流源裝 置的綜合性能比現(xiàn)有的電流源裝置要好，且結構簡單、器件少、功耗小、工作可靠性高。實施例二一種可調電流大小的電流源裝置，如圖4所示，其包括電流提供/限制電路IDC、 固定電壓提供電路VDC、NMOS晶體管Ni、第一 PNP型三極管QPl、第二 PNP型三極管QP2和 外接電阻Rl，電流提供/限制電路IDC具有第一連接端1和第二連接端2，固定電壓提供電 路VDC具有第三連接端3和第四連接端4，固定電壓提供電路VDC的第三連接端3接電源電 壓VDD，固定電壓提供電路VDC的第四連接端4與第一 PNP型三極管QPl的發(fā)射極相連接， 第一 PNP型三極管QPl的集電極與電流提供/限制電路IDC的第一連接端1相連接，第一 PNP型三極管QPl的基極分別與第一 PNP型三極管QPl的集電極和第二 PNP型三極管QP2 的基極相連接，第二 PNP型三極管QP2的發(fā)射極與外接電阻Rl的第一端相連接，外接電阻 Rl的第二端接電源電壓VDD，第二 PNP型三極管QP2的集電極與NMOS晶體管Ml的漏極相 連接，NMOS晶體管Ml的柵極與NMOS晶體管Ml的漏極相連接，NMOS晶體管Ml的源極與電 流提供/限制電路IDC的第二連接端2均接電源地GND。在此具體實施例中，固定電壓提供電路VDC主要用于提供一個能夠有一定的電流 下拉能力的穩(wěn)定電壓，該固定電壓提供電路VDC可以只包括一個齊納二極管，齊納二極管 的陰極接電源電壓VDD，齊納二極管的陽極與第一 PNP型三極管QPl的發(fā)射極相連接，通過 該齊納二極管可得到一個固定電壓，將該固定電壓作為基準電壓Vl ；或者該固定電壓提供 電路VDD可以只包括一個通過帶隙基準調整得到的基準電壓Vl，基準電壓Vl的正端接電源 電壓VDD，基準電壓Vl的負端與第一 PNP型三極管QPl的發(fā)射極相連接。在此，基準電壓 Vl的大小可以通過預先計算可調電流的范圍，根據可調電流的范圍在該范圍內選擇一個合 適的但不需要很精確的穩(wěn)定的固定電壓作為基準電壓。在此具體實施例中，電流提供/限制電路IDC主要用于提供一個穩(wěn)定的微小電流 或者用于限制電流提供/限制電路IDC所在支路在一個較小的電流狀態(tài)下工作即用于限 制電流的大小，該電流提供/限制電路IDC可以只包括一個電阻，電阻的第一端與第一 PNP 型三極管QPl的集電極相連接，電阻的第二端接電源地GND，通過該電阻可得到一個微小電 流I1 ；或者該電流提供/限制電路IDC可以只包括一個通過鏡像方式從其他電流源裝置得 到的微小電流I1，微小電流I1流向電源地GND，在此，通過鏡像方式從其他電流源裝置得到 的微小電流I1可以通過修改鏡像管(M0S晶體管)的寬長比來選擇微小電流I1的大小，一 般可調整鏡像管的寬長比選取一個最大的電流，再調整鏡像管的寬長比選取一個最小的電流，再根據最大的電流和最小的電流的乘積開方后的值調整鏡像管的寬長比來獲取微小電流，該微小電流不需要很精確。 在此具體實施例中，第一 PNP型三極管QPl和第二 PNP型三極管QP2構成對管結 構，第一 PNP型三極管QPl和第二 PNP型三極管QP2均工作在線性區(qū)時，NMOS晶體管Ml則 工作在飽和區(qū)，此時通過改變外接電阻Rl的電阻值R1的大小就可以得到一個和外接電阻 Rl的電阻值R1成反比的流過NMOS晶體管Ml的偏置電流12，然后可通過對NMOS晶體管Ml 鏡像得到所需要的電流。在此，偏置電流I2與其他參數(shù)沒有任何關系，只和外接電阻Rl的 電阻值R1成反比，這樣調節(jié)外接電阻Rl的電阻值R1即可實現(xiàn)調節(jié)偏置電流12。
權利要求
一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于包括電流提供/限制電路、固定電壓提供電路、PMOS晶體管、第一三極管、第二三極管和外接電阻，所述的電流提供/限制電路具有第一連接端和第二連接端，所述的固定電壓提供電路具有第三連接端和第四連接端，所述的電流提供/限制電路的第一連接端接電源電壓，所述的電流提供/限制電路的第二連接端與所述的第一三極管的集電極相連接，所述的第一三極管的發(fā)射極與所述的固定電壓提供電路的第三連接端相連接，所述的第一三極管的基極分別與所述的第一三極管的集電極和所述的第二三極管的基極相連接，所述的第二三極管的集電極與所述的PMOS晶體管的漏極相連接，所述的PMOS晶體管的柵極與所述的PMOS晶體管的漏極相連接，所述的PMOS晶體管的源極接電源電壓，所述的第二三極管的發(fā)射極與所述的外接電阻的第一端相連接，所述的外接電阻的第二端和所述的固定電壓提供電路的第四連接端均接電源地。
2.根據權利要求1所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的電流提 供/限制電路包括一個電阻，所述的電阻的第一端接電源電壓，所述的電阻的第二端與所 述的第一三極管的集電極相連接；或所述的電流提供/限制電路包括一個通過鏡像方式從 其他電流源裝置得到的微小電流，所述的微小電流流向所述的第一三極管的集電極。
3.根據權利要求1或2所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的固 定電壓提供電路包括一個齊納二極管，所述的齊納二極管的陰極與所述的第一三極管的發(fā) 射極相連接，所述的齊納二極管的陽極接電源地；或所述的固定電壓提供電路包括一個通 過帶隙基準調整得到的基準電壓，所述的基準電壓的正端與所述的第一三極管的發(fā)射極相 連接，所述的基準電壓的負端接電源地。
4.根據權利要求3所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的第一三 極管和所述的第二三極管均為NPN型的三極管。
5.根據權利要求4所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的第一三 極管和所述的第二三極管構成對管結構，所述的第一三極管和所述的第二三極管均工作在 線性區(qū)時，所述的PMOS晶體管工作在飽和區(qū)。
6.一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于包括電流提供/限制電路、固定電壓 提供電路、NMOS晶體管、第一三極管、第二三極管和外接電阻，所述的電流提供/限制電路 具有第一連接端和第二連接端，所述的固定電壓提供電路具有第三連接端和第四連接端， 所述的固定電壓提供電路的第三連接端接電源電壓，所述的固定電壓提供電路的第四連接 端與所述的第一三極管的發(fā)射極相連接，所述的第一三極管的集電極與所述的電流提供/ 限制電路的第一連接端相連接，所述的第一三極管的基極分別與所述的第一三極管的集電 極和所述的第二三極管的基極相連接，所述的第二三極管的發(fā)射極與外接電阻的第一端相 連接，所述的外接電阻的第二端接電源電壓，所述的第二三極管的集電極與所述的NMOS晶 體管的漏極相連接，所述的NMOS晶體管的柵極與所述的NMOS晶體管的漏極相連接，所述的 NMOS晶體管的源極與所述的電流提供/限制電路的第二連接端均接電源地。
7.根據權利要求6所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的固定電 壓提供電路包括一個齊納二極管，所述的齊納二極管的陰極接電源電壓，所述的齊納二極 管的陽極與所述的第一三極管的發(fā)射極相連接；或所述的固定電壓提供電路包括一個通過 帶隙基準調整得到的基準電壓，所述的基準電壓的正端接電源電壓，所述的基準電壓的負 端與所述的第一三極管的發(fā)射極相連接。
8.根據權利要求6或7所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的電 流提供/限制電路包括一個電阻，所述的電阻的第一端與所述的第一三極管的集電極相連 接，所述的電阻的第二端接電源地；或所述的電流提供/限制電路包括一個通過鏡像方式 從其他電流源裝置得到的微小電流，所述的微小電流流向電源地。
9.根據權利要求8所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的第一三 極管和所述的第二三極管均為PNP型的三極管。
10.根據權利要求9所述的一種可調電流大小的電流源裝置，其特征在于所述的第 一三極管和所述的第二三極管構成對管結構，所述的第一三極管和所述的第二三極管均工 作在線性區(qū)時，所述的NMOS晶體管工作在飽和區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可調電流大小的電流源裝置，其主要由電流提供/限制電路、固定電壓提供電路、MOS晶體管、兩個三極管及外接電阻組成，其無需使用現(xiàn)有的電流源裝置中的運算放大器對穩(wěn)定的固定電壓進行跟隨，即可通過調節(jié)外接電阻的電阻值的大小實現(xiàn)對流過MOS晶體管的偏置電流的大小，且由于無需使用運算放大器，大大減少了電流源裝置的器件，同時有效降低了功耗，且設計簡單，工作可靠性高。
文檔編號G05F1/56GK101825910SQ20101016585
公開日2010年9月8日 申請日期2010年5月6日 優(yōu)先權日2010年5月6日
發(fā)明者孫騰達 申請人:日銀Imp微電子有限公司