專利名稱：驅(qū)動二極管的電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于驅(qū)動光電二極管的驅(qū)動器，特別是涉及一種驅(qū)動便攜式電池裝置中的光電二極管的電路和方法。
背景技術(shù)：
便攜式電池裝置通過一個控制器來調(diào)節(jié)對電池能量的使用，從而驅(qū)動光電二極管。現(xiàn)有方式是以一個固定電壓來驅(qū)動光電二極管，并且通過一個可控制的電流槽或電流源來控制流過光電二極管的電流。然而，在二極管電流較小時，使用電流槽會造成電池能量的大量浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種驅(qū)動便攜式電池裝置中的光電二極管的電路和方法，在光電二極管電流較小時，節(jié)省電池功耗。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明驅(qū)動二極管的電路包括光電二極管，電流調(diào)整器，反饋電路和直流/直流轉(zhuǎn)換器。電流調(diào)整器與所述光電二極管連接，以控制所述光電二極管的電流。反饋電路接收一個表示所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號。直流/直流轉(zhuǎn)換器與一個外部電源和所述反饋電路連接，以驅(qū)動所述光電二極管并且控制所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)至預(yù)定值。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，所述第一二極管是光電二極管。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，進(jìn)一步包括誤差放大模塊，用來比較所述反饋信號與所述預(yù)定值以確定傳輸給所述第一二極管的電能。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，所述誤差放大模塊包括比較器，將所述反饋信號與所述預(yù)定值進(jìn)行比較后輸出誤差放大信號以確定傳輸給所述第一二極管的電能；及開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，在所述誤差信號大于一個固定值時，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)禁止所述比較器并且輸出該固定值。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，進(jìn)一步包括第二二極管；與所述第二二極管連接的第二電流調(diào)整器，以控制所述第二二極管的電流；及選擇電路，與所述第一電流調(diào)整器和第二電流調(diào)整器連接，并且產(chǎn)生表示所述第一電流調(diào)整器和第二電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，所述反饋信號是所述第一電流調(diào)整器和第二電流調(diào)整器的電壓中的較小值。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，所述第一電流調(diào)整器是一個電流槽。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，進(jìn)一步包括與所述電流槽連接用來驅(qū)動所述電流槽的偏壓控制器。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的電路，所述偏壓控制器包括第一MOSFET，其柵極與所述電流槽的柵極連接，該第一MOSFET與所述電流槽工作在線性區(qū)；及第二MOSFET，其柵極連接至所述反饋信號。
本發(fā)明驅(qū)動二極管的方法，包括將一個電流調(diào)整器連接至一個光電二極管以控制該二極管的電流；產(chǎn)生一個表示所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號；及根據(jù)所述反饋信號，提供電能給所述光電二極管，以將所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)調(diào)節(jié)至預(yù)定值。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，所述二極管是光電二極管。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，進(jìn)一步包括比較所述反饋信號與所述預(yù)定值以確定傳輸給所述二極管的電能。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，所述驅(qū)動若干個二極管的方法包括將若干個電流調(diào)整器分別連接至若干個二極管以控制各個二極管的電流；產(chǎn)生一個表示所述若干個電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號；及根據(jù)所述反饋信號，提供電能給所述若干個二極管，將所述若干個電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)調(diào)節(jié)至預(yù)定值。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，所述二極管是光電二極管。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，所述產(chǎn)生反饋信號的步驟包括從所述若干個電流調(diào)整器的電壓中選擇一個最小的電壓；及產(chǎn)生一個表示所述最小電壓的所述反饋信號。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，進(jìn)一步包括比較所述反饋信號與所述預(yù)定值以確定傳輸給所述若干個二極管的電能。
本發(fā)明所述的驅(qū)動二極管的方法，所述電流調(diào)整器是電流槽。
本發(fā)明還提供一種驅(qū)動若干個二極管的電路，所述驅(qū)動若干個二極管的電路包括若干個電流調(diào)整器，分別與若干個二極管連接以控制各個二極管的電流；與所述若干個電流調(diào)整器連接的選擇電路，從所述若干個電流調(diào)整器的壓降電壓中選擇一個最小的電壓；反饋電路，產(chǎn)生一個表示所述最小電壓的反饋信號；及與外部電源和所述反饋電路連接的直流/直流轉(zhuǎn)換器，以提供電能給所述若干個二極管并且控制所述各個電流調(diào)整器的壓降電壓至預(yù)定值。
本發(fā)明所述的驅(qū)動若干個二極管的電路，所述選擇電路包括若干個并行連接的晶體管，其基極分別與所述的若干個電流調(diào)整器連接，集電極電壓相同且表示所述若干個電流調(diào)整器的壓降電壓中的最小電壓。
本發(fā)明所述的驅(qū)動若干個二極管的電路，進(jìn)一步包括與所述直流/直流轉(zhuǎn)換器和所述反饋電路連接的誤差放大模塊，該誤差放大模塊將所述反饋電壓的所述最小電壓和預(yù)定電壓比較，以產(chǎn)生表示所述最小電壓和所述預(yù)定電壓之差的輸出信號，從而確定提供給所述若干個二極管的所述電能。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本發(fā)明利用表示電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號來控制直流/直流轉(zhuǎn)換器對光電二極管的驅(qū)動。因此，在二極管電流較小時，通過該反饋信號來調(diào)節(jié)電流調(diào)整器的壓降使其達(dá)到最小值。


圖1是本發(fā)明一個實(shí)施例的光電二極管驅(qū)動電路的框圖；圖2是本發(fā)明一個實(shí)施例的偏壓控制器的電路圖；圖3是本發(fā)明一個實(shí)施例的電流數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器的電路圖；圖4是本發(fā)明一個實(shí)施例的電壓選擇邏輯電路的電路圖；圖5是本發(fā)明一個實(shí)施例的誤差放大模塊的電路圖；圖6是本發(fā)明一個實(shí)施例的驅(qū)動若干個光電二極管的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的其它特性和優(yōu)點(diǎn)將在以下詳細(xì)描述并結(jié)合圖示的說明中更為明顯，其中相同數(shù)字表示相同元件。
下面將依據(jù)本發(fā)明的最佳實(shí)施例對光電二極管的驅(qū)動電路和方法進(jìn)行描述。雖然本發(fā)明將針對最佳實(shí)施例進(jìn)行描述，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到這些實(shí)施例并不是對本發(fā)明的限制。相反，本發(fā)明旨在涵蓋各種包括在本發(fā)明權(quán)利要求所定義的精神和范圍內(nèi)的一些修改、變動及等同物。
此外，在接下來對發(fā)明的詳細(xì)描述中，闡述的多個特定條件只是便于全面理解本發(fā)明。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到本發(fā)明也可以在脫離這些特定條件下實(shí)現(xiàn)。為了避免掩蓋本發(fā)明點(diǎn)，下面的描述中未對已知的方法、程序、元件及電路作詳細(xì)地描述。
如圖1所示是本發(fā)明一個實(shí)施例的光電二極管驅(qū)動電路100。該驅(qū)動電路100用來驅(qū)動三個光電二極管101、102、103。對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說所述三個光電二極管101、102、103可以分別是紅、綠、藍(lán)三種光電二極管，用來作為白光源。進(jìn)一步地，驅(qū)動電路100可以用來驅(qū)動一個或多個光電二極管。應(yīng)當(dāng)理解，驅(qū)動電路100也可以用來驅(qū)動一個或多個二極管。
一個輸入電壓源Vin連接至DC/DC轉(zhuǎn)換器，如升壓型轉(zhuǎn)換器110。該升壓型轉(zhuǎn)換器110與所述光電二極管101、102、103連接，以提供一個電壓用來驅(qū)動所述光電二極管101、102、103。
三個N型金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)用作電流調(diào)整器，也就是，電流槽121、122、123。N型MOSFET 121、122、123的漏極分別與光電二極管101、102、103耦合。N型MOSFET 121、122、123的源極耦合至接地端。N型MOSFET121、122、123的柵極分別與三個偏壓控制器131、132、133耦合。MOSFET 121、122、123的漏極電壓信號Vds1、Vds2、Vds3分別輸入至所述三個偏壓控制器131、132、133。內(nèi)置集成電路(Inter-Integrated Circuit，I2C)控制器146與三個電流數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)141、142、143連接。所述三個電流DAC 141、142、143分別與所述三個偏壓控制器131、132、133連接。
對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，驅(qū)動電路100變更為使用三個P型MOSFET作為電流源來代替電流槽121、122、123是顯而易見的。
兩個電流控制信號，時鐘信號Scl和數(shù)據(jù)信號Sdata輸入至I2C控制器146，從而I2C控制器146提供電流設(shè)置信息，例如，3比特數(shù)字信息，給電流DAC 141、142、143。基于所述的電流設(shè)置信息，電流DAC 141、142、143產(chǎn)生三個電流信號Iset1、Iset2、Iset3，分別傳送給所述的三個偏壓控制器131、132、133。
偏壓控制器131、132、133分別控制電流槽121、122、123的漏極電流，也就是汲入電流。反饋信號，如電流槽121、122、123的漏極電壓分別輸入到偏壓控制器131、132、133。根據(jù)電流DAC 141、142、143輸出的電流信號和電流槽121、122、123的漏極電壓，偏壓控制器131、132、133分別給MOSFET 121、122、123的柵極提供電壓，以精確調(diào)節(jié)MOSFET 121、122、123的漏極電流大小，從而控制光電二極管101、102、103的亮度。
MOSFET 121、122、123的漏極電壓傳送至電壓選擇邏輯電路160。電壓設(shè)置信號Vset是為電流槽的低壓降電壓而設(shè)置的電壓，并且傳送至電壓選擇邏輯電路160。電壓選擇邏輯電路160用來從MOSFET 121、122、123的漏極電壓中選擇一個最小的電壓。所述最小的電壓和所述電壓設(shè)置信號在電壓選擇邏輯電路160中經(jīng)過同樣的處理程序后，電壓選擇邏輯電路160對應(yīng)所述最小的電壓輸出一個最小電壓信號S_out1，對應(yīng)所述電壓設(shè)置信號輸出一個設(shè)置電壓信號S_out2。
最小電壓信號S_out1和設(shè)置電壓信號S_out2傳送至誤差放大模塊150。誤差放大模塊150放大最小電壓信號S_out1和設(shè)置電壓信號S_out2之間的誤差電壓。誤差放大模塊150具有一個引腳EA_out，其連接至外部電容器和電阻器組成的網(wǎng)絡(luò)152，以對誤差放大模塊150的輸出EA進(jìn)行補(bǔ)償，也就是說補(bǔ)償放大電壓。由于電壓充放電速率的變化，電容器和電阻器組成的網(wǎng)絡(luò)152還具有自啟功能。誤差放大模塊150可進(jìn)一步提供限制輸入。例如，在一個實(shí)施例中，限制輸入可以是一個限制電壓，如圖1中所示的1.88V，從而限制誤差放大模塊150的輸出電壓值為限制電壓，1.88V。誤差放大模塊150的輸出作為電壓反饋信號傳送至升壓轉(zhuǎn)換器110，用來控制升壓轉(zhuǎn)換器110的輸出電壓。
升壓轉(zhuǎn)換器110的輸出電壓用來驅(qū)動光電二極管101、102、103。光電二極管101、102、103的輸出電壓或電流槽121、122、123的電壓壓降，也就是MOSFET 121、122、123的漏極電壓，被傳送至電壓選擇邏輯電路160，然后傳送至誤差放大模塊150產(chǎn)生電壓反饋信號。MOSFET 121、122、123的漏極電壓會被調(diào)節(jié)至電壓設(shè)置信號Vset的電壓，如0.1V。
如圖2所示是本發(fā)明一個實(shí)施例的偏壓控制器200的電路圖。該偏壓控制器200可以在驅(qū)動電路100中作為偏壓控制器131、132或133使用。來自電流DAC的電流信號輸入至偏壓控制器200用來設(shè)定電流值。
例如，偏壓控制器200在驅(qū)動電路100中作為偏壓控制器131使用。在本實(shí)施例中，MOSFET 121的漏極電壓Vds1經(jīng)由電阻226傳送至運(yùn)算放大器204的一個輸入端。運(yùn)算放大器204的輸出與MOSFET 212的柵極連接，MOSFET 210的漏極與運(yùn)算放大器204的另一個輸入端連接，從而使MOSFET 210的漏極電壓被調(diào)節(jié)至MOSFET 121的漏極電壓。如前面所描述的，MOSFET 121的漏極電壓接近設(shè)置電壓，如0.1V，其相當(dāng)?shù)停虼薓OSFET 121和MOSFET 210工作在三極管區(qū)或線性區(qū)。
此外，偏壓控制器200的運(yùn)算放大器202的一個輸入端與電流信號Iset1連接，其另一輸入端經(jīng)由兩個電阻222、224與電流信號Iset1連接。電阻238和電容236連接在運(yùn)算放大器202和204的輸出端以補(bǔ)償運(yùn)算放大器202和204。運(yùn)算放大器202的輸出端連接至N型MOSFET 210的柵極。運(yùn)算放大器202將MOSFET 210的漏極電流調(diào)節(jié)至設(shè)置電流。
值得注意的是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，MOSFET 210的柵極與電流槽121的柵極連接，從而形成電流鏡。電流槽121的漏極電流與MOSFET 210的漏源電流成比例。例如，若MOSFET 121是MOSFET 210的500倍，則MOSFET 121的漏極電流是MOSFET 210的漏極電流，也就是設(shè)置電流的500倍。
如圖3所示是本發(fā)明一個實(shí)施例的電流DAC 300的電路圖。該電流DAC 300可以在驅(qū)動電路100中作為電流DAC 141、142或143使用。電流DAC 300的解碼器310接收電流設(shè)置信息。在一個實(shí)施例中，電流設(shè)置信息是由3比特數(shù)字信息組成的。電流DAC300還包括8個開關(guān)314和分別與該8個開關(guān)314連接的8個電流源312。解碼器310解碼電流設(shè)置信息以獨(dú)立地控制所述8個開關(guān)314的導(dǎo)通或斷開并且產(chǎn)生電流信號Iset1。在一個實(shí)施例中，電流信號是與處于導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)314相連接的電流源312的電流之和。
如圖4所示是本發(fā)明一個實(shí)施例的電壓選擇邏輯電路400的電路圖。該電壓選擇邏輯電路400可以在驅(qū)動電路100中作為電壓選擇邏輯電路160使用。電壓選擇邏輯電路400包括電流源410，3個P型MOSFET 412、414、416，3個晶體管421、422、423和一個設(shè)置電壓晶體管428。設(shè)置電壓晶體管428的基極接收電壓設(shè)置信號Vset。3個晶體管421、422、423的基極分別與MOSFET 121、122、123的漏極連接。對應(yīng)于MOSFET 121、122、123漏極電壓中的最小電壓輸出的最小電壓信號S_out1等于晶體管421、422、423的基射電壓加上MOSFET 121、122、123漏極電壓中的最小電壓。設(shè)置電壓S_out2等于晶體管428的基射電壓加上電壓設(shè)置信號的電壓。應(yīng)當(dāng)理解，MOSFET 414、416用作電流匹配，晶體管428的大小是晶體管421、422、423的3倍。
如圖5所示是本發(fā)明一個實(shí)施例的誤差放大模塊500的電路圖。該誤差放大模塊500可以在驅(qū)動電路100中作為誤差放大模塊150使用。誤差放大模塊500包括誤差放大器512。誤差放大器512的兩個輸入端分別接收最小電壓信號S_out1和設(shè)置電壓信號S_out2，并且根據(jù)最小電壓信號S_out1和設(shè)置電壓信號S_out2之間的誤差輸出一個放大信號。一個引腳524連接至補(bǔ)償電路，如外部電容器和電阻器組成的網(wǎng)絡(luò)152，還連接至誤差放大器512的輸出端以補(bǔ)償誤差放大模塊500的輸出。
誤差放大模塊500的限制輸入540傳送至比較器514和開關(guān)536。誤差放大模塊500包括開關(guān)538、開關(guān)532及開關(guān)534。誤差放大器512的輸出通過開關(guān)538傳送至誤差放大模塊500的輸出端EA。誤差放大器512的一個輸入端通過開關(guān)532與設(shè)置電壓信號S_out2連接，該輸入端還通過開關(guān)534與接地端連接。開關(guān)532由開關(guān)538控制，開關(guān)534由開關(guān)536控制。若誤差放大器512的輸出電壓小于限制輸入540的電壓，例如1.88V，比較器514的輸出為低電平。在這種情況下，開關(guān)536處于斷開狀態(tài)，開關(guān)538處于導(dǎo)通狀態(tài)。此外，開關(guān)534處于斷開狀態(tài)，開關(guān)532處于導(dǎo)通狀態(tài)。若誤差放大器512的輸出電壓大于限制輸入540的電壓，例如1.88V，比較器514的輸出為高電平。在這種情況下，開關(guān)536和534處于導(dǎo)通狀態(tài)，開關(guān)538和532處于斷開狀態(tài)。誤差放大模塊500的輸出EA是限制輸入540的電壓，例如1.88V。
如圖6所示是本發(fā)明一個實(shí)施例的驅(qū)動若干個光電二極管的流程圖。在步驟610，光電二極管準(zhǔn)備被驅(qū)動。在步驟612，將若干個電流調(diào)整器，例如用作電流槽的MOSFET或晶體管，連接至若干個光電二極管。電流槽是描述本發(fā)明實(shí)施例的一個示例性電流調(diào)整器。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解電流槽可以由MOSFET或晶體管組成的電流源代替。一個外部電源在電流槽的調(diào)節(jié)下對光電二極管供電。
在步驟614，采樣電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)是電壓。在步驟616，選擇一個電氣狀態(tài)表示電流槽的整個電氣狀態(tài)并且作為反饋信號。在步驟618，將反饋信號和預(yù)定值比較獲得反饋信號與預(yù)定值之間的差值。在步驟620，控制提供給光電二極管的電能，使電流槽的電氣狀態(tài)調(diào)節(jié)至預(yù)定值。
雖然前面是針對本發(fā)明最佳實(shí)施例的描述，應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本發(fā)明權(quán)利要求所定義的精神和范圍內(nèi)可以做各種修改、替換及增加。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到可以對本發(fā)明實(shí)施中使用的形式、結(jié)構(gòu)、布局、比例、材料、元件、成份及其他進(jìn)行各種修改，以適應(yīng)特定環(huán)境和操作條件，而不會脫離本發(fā)明原理。本發(fā)明揭示的實(shí)施例應(yīng)該作為示例性來考慮而不應(yīng)當(dāng)作為對本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由隨附的權(quán)利要求來確定，而不應(yīng)當(dāng)限制于前面的描述。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，所述驅(qū)動二極管的電路包括第一二極管；與所述第一二極管連接的第一電流調(diào)整器，以控制所述第一二極管的電流；反饋電路，其接收表示所述第一電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號；及與外部電源和所述反饋電路連接的直流/直流轉(zhuǎn)換器，以驅(qū)動所述第一二極管并且控制所述第一電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)至預(yù)定值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，所述第一二極管是光電二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，進(jìn)一步包括誤差放大模塊，用來比較所述反饋信號與所述預(yù)定值以確定傳輸給所述第一二極管的電能。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，所述誤差放大模塊包括比較器，將所述反饋信號與所述預(yù)定值進(jìn)行比較后輸出誤差放大信號以確定傳輸給所述第一二極管的電能；及開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，在所述誤差信號大于一個固定值時，所述開關(guān)網(wǎng)絡(luò)禁止所述比較器并且輸出該固定值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，進(jìn)一步包括第二二極管；與所述第二二極管連接的第二電流調(diào)整器，以控制所述第二二極管的電流；及選擇電路，與所述第一電流調(diào)整器和第二電流調(diào)整器連接，并且產(chǎn)生表示所述第一電流調(diào)整器和第二電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，所述反饋信號是所述第一電流調(diào)整器和第二電流調(diào)整器的電壓中的較小值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，所述第一電流調(diào)整器是一個電流槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，進(jìn)一步包括與所述電流槽連接用來驅(qū)動所述電流槽的偏壓控制器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動二極管的電路，其特征在于，所述偏壓控制器包括第一金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其柵極與所述電流槽的柵極連接，該第一金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管與所述電流槽工作在線性區(qū)；及第二金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其柵極連接至所述反饋信號。
10.一種驅(qū)動二極管的方法，其特征在于，所述驅(qū)動二極管的方法包括將一個電流調(diào)整器連接至一個二極管以控制該二極管的電流；產(chǎn)生一個表示所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號；及根據(jù)所述反饋信號，提供電能給所述二極管，將所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)調(diào)節(jié)至預(yù)定值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的驅(qū)動二極管的方法，其特征在于，所述二極管是光電二極管。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的驅(qū)動二極管的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括比較所述反饋信號與所述預(yù)定值以確定傳輸給所述二極管的電能。
13.一種驅(qū)動若干個二極管的方法，其特征在于，所述驅(qū)動若干個二極管的方法包括將若干個電流調(diào)整器分別連接至若干個二極管以控制各個二極管的電流；產(chǎn)生一個表示所述若干個電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號；及根據(jù)所述反饋信號，提供電能給所述若干個二極管，將所述若干個電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)調(diào)節(jié)至預(yù)定值。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的驅(qū)動若干個二極管的方法，其特征在于，所述二極管是光電二極管。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的驅(qū)動若干個二極管的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生反饋信號的步驟包括從所述若干個電流調(diào)整器的電壓中選擇一個最小的電壓；及產(chǎn)生一個表示所述最小電壓的所述反饋信號。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的驅(qū)動若干個二極管的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括比較所述反饋信號與所述預(yù)定值以確定傳輸給所述若干個二極管的電能。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的驅(qū)動若干個二極管的方法，其特征在于，所述電流調(diào)整器是電流槽。
18.一種驅(qū)動若干個二極管的電路，其特征在于，所述驅(qū)動若干個二極管的電路包括若干個電流調(diào)整器，分別與若干個二極管連接以控制各個二極管的電流；與所述若干個電流調(diào)整器連接的選擇電路，從所述若干個電流調(diào)整器的壓降電壓中選擇一個最小的電壓；反饋電路，產(chǎn)生一個表示所述最小電壓的反饋信號；及與外部電源和所述反饋電路連接的直流/直流轉(zhuǎn)換器，以提供電能給所述若干個二極管并且控制所述各個電流調(diào)整器的壓降電壓至預(yù)定值。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的驅(qū)動若干個二極管的電路，其特征在于，所述選擇電路包括若干個并行連接的晶體管，其基極分別與所述的若干個電流調(diào)整器連接，集電極電壓相同且表示所述若干個電流調(diào)整器的壓降電壓中的最小電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的驅(qū)動若干個二極管的電路，其特征在于，進(jìn)一步包括與所述直流/直流轉(zhuǎn)換器和所述反饋電路連接的誤差放大模塊，該誤差放大模塊將所述反饋電壓的所述最小電壓和預(yù)定電壓比較，以產(chǎn)生表示所述最小電壓和所述預(yù)定電壓之差的輸出信號，從而確定提供給所述若干個二極管的所述電能。
全文摘要
本發(fā)明提供一種驅(qū)動二極管的電路及方法，具體涉及一種驅(qū)動光電二極管的電路和方法。該電路包括反饋電路、電流調(diào)整器和直流/直流轉(zhuǎn)換器。電流調(diào)整器與光電二極管連接以控制光電二極管的電流。反饋電路接收一個表示所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號。直流/直流轉(zhuǎn)換器與一個外部電源和所述反饋電路連接用來驅(qū)動所述光電二極管以控制所述電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)至預(yù)定值。本發(fā)明利用表示電流調(diào)整器的電氣狀態(tài)的反饋信號來控制直流/直流轉(zhuǎn)換器對光電二極管的驅(qū)動。因此，在二極管電流較小時，通過該反饋信號來調(diào)節(jié)電流調(diào)整器的壓降使其達(dá)到最小值。
文檔編號G05F1/56GK1805638SQ20051012424
公開日2006年7月19日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月29日
發(fā)明者王佛賢, 法拉·坡貝斯庫-斯塔內(nèi)斯緹, 韓洺光, 侯曉華, 林春喜 申請人:美國凹凸微系有限公司