制作全波段對比晶粒的方法及校正芯片測試機的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種制作全波段對比晶粒的方法，包括以下步驟：步驟A、確定波段數(shù)量和全波段對比晶粒的份數(shù)；步驟B、選取包含全波段的多個方片產(chǎn)品；步驟C、將第一個波段和最后一個波段的方片產(chǎn)品通過包括外圍晶粒的方法進行分檔，將第二個波段至倒數(shù)第二個波段的方片產(chǎn)品通過不包括外圍晶粒的方法進行分檔；步驟D、轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔；步驟E、采用分選機從多個方片產(chǎn)品上選取同一bin的晶粒放入新的方片上得到多份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。本發(fā)明方法工藝精簡，能快速、準確獲得多份全波段對比晶粒。本發(fā)明還提供一種采用上述全波段對比晶粒進行校正芯片測試機的方法，步驟精簡，能夠確保校正后的芯片測試機具有一致性對比效率。
【專利說明】
制作全波段對比晶粒的方法及校正芯片測試機的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及LED加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種制作全波段對比晶粒的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED的電特性參數(shù)主要包括電壓(VF)、亮度(LOP)、波長(WD)、逆向電流(IR)、抗靜電能力(ESD)、半波寬(Hff)、逆向電壓(VRD)等等，產(chǎn)品的這一系列電性參數(shù)需要利用當(dāng)前先進的芯片測試機測試得來。
[0003]因芯片測試機之間均存在一定的誤差，如果誤差偏大，那么同一批產(chǎn)品測試得到的結(jié)果不一，從而導(dǎo)致產(chǎn)品的電性異常。因此，LED行業(yè)需要芯片機測試機之間的誤差越小越好，這樣才能得到最準確的數(shù)據(jù)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了盡可能地降低芯片測試機之間各個波段的數(shù)據(jù)誤差，需要對各個芯片測試機進行對比，具體方法是采用每一波段分別進行校正的方法，校正速度慢，且準確度低。
[0005]綜上所述，急需一種能夠制作出全波段晶粒的方法用于校正芯片測試機以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的第一目的在于提供一種快速、準確的制作用于LED芯片測試機校正的全波段對比晶粒的方法，具體技術(shù)方案如下:
[0007]—種制作全波段對比晶粒的方法，包括以下步驟:
[0008]步驟A、確定全波段對比晶粒包括N個波段，需要制作M份全波段對比晶粒，其中:N為5-18，M為2-20;
[0009]步驟B、選取與波段數(shù)量相同的N個方片產(chǎn)品，一個方片產(chǎn)品包括一個波段的晶粒，且第一個波段的方片產(chǎn)品至第N個波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列，其中:第一個波段的方片產(chǎn)品和第N個波段的方片產(chǎn)品均至少包括600顆晶粒，第二個波段的方片產(chǎn)品至第N-1個波段的方片產(chǎn)品均至少包括200顆晶粒；
[0010]步驟C、將第一個波段的方片產(chǎn)品和第N個波段的方片產(chǎn)品通過包括外圍晶粒的方法進行分檔，將第二個波段的方片產(chǎn)品至第N-1個波段的方片產(chǎn)品通過不包括外圍晶粒的方法進行分檔;所述包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的三倍的數(shù)量為單位依次分為binl至binM;所述不包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的數(shù)量為單位依次分為bin I至binM;其中:P為每行所排列的晶粒的數(shù)量，取值為10-30顆；
[0011]步驟D、將第一個波段的方片產(chǎn)品或第N個波段的方片產(chǎn)品以及第二個波段的方片產(chǎn)品至第N-1個波段的方片產(chǎn)品中的任意一個轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔；
[0012]步驟E、采用分選機從N個方片產(chǎn)品上選取同一bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。
[0013]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述步驟D中轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔的方法是采用表達式I)和表達式2):
[0014]X = y I);
[0015]Y=Max(x)-x+l 2)；
[0016]其中:x為轉(zhuǎn)換前晶粒的橫坐標，y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標，X為轉(zhuǎn)換后晶粒的橫坐標，Y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標。
[0017]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述波段的獲得以2.5nm為跨度進行分段。
[0018]以上技術(shù)方案中優(yōu)選的，所述分選機為威控LS-368分選機。
[0019]應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，具有以下效果:
[0020](I)本發(fā)明全波段對比晶粒的制作方法簡單，且采用先分檔再轉(zhuǎn)檔的方式，便于分選機進行分選，一次能準確地制作多份全波段對比晶粒；(2)采用本發(fā)明的全波段對比晶粒，一次可以實現(xiàn)一臺芯片測試機全波段校正，與現(xiàn)有技術(shù)采用單波段進行校正的方法比較，大大縮短芯片測試機的校正時間；(3)多份全波段對比晶粒的制作，既可一次性完成多臺待校正芯片測試機的校正，又可留有足夠的全波段對比晶粒來作為備用。
[0021]本發(fā)明的第二目的在于提供一種校正芯片測試機的方法，包括以下步驟:
[0022]第一步、采用標準芯片測試機測試權(quán)利要求1-4任意一項所得全波段對比晶粒，得到標準參數(shù)數(shù)據(jù)；
[0023]第二步、采用待校正的新測試機測試權(quán)利要求1-4任意一項所得全波段對比晶粒，得到各個待校正芯片測試機的測試數(shù)據(jù)；
[0024]第三步、比較各個待校正芯片測試機的測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)，分別對各個待校正芯片測試機進行調(diào)整;采用校正后的各芯片測試機再次測試權(quán)利要求1-4任意一項所得全波段對比晶粒，得到再次測試數(shù)據(jù)；
[0025]第四步、判斷校正是否完成，具體是:若再次測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)相同，則完成校正;若再次測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)不同，則返回第三步。
[0026]采用本發(fā)明的校正方法，具體是:將制作好的全波段對比晶粒在最標準的芯片測試機上得出標準數(shù)據(jù)，再利用該產(chǎn)品協(xié)同標準數(shù)據(jù)對其它芯片測試機進行對比，使其他芯片測試機測試全波段對比晶粒的數(shù)據(jù)與標準數(shù)據(jù)一致，這樣在生產(chǎn)過程中就能大大減小各個芯片測試機之間的誤差，從而保證產(chǎn)品的數(shù)據(jù)正常，提升LED行業(yè)芯片測試機一致性對比效率。
[0027]除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點。下面將參照具體實施例，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
【具體實施方式】
[0028]以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細說明，但是本發(fā)明可以根據(jù)權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。
[0029]實施例1:
[0030]制作10份08mil*12mil芯片的全波段對比晶粒，要求:波段(WD)為447.5-470nm(以2.511111差值分為9檔)，11^(亮度)為11-19服(以2服差值分檔)，電壓(￥?)為2.8-3.6￥(以0.2￥
差值分檔)。
[0031 ]制作全波段對比晶粒的方法具體包括以下步驟:
[0032]步驟A、確定全波段對比晶粒包括9個波段(波段的數(shù)量取決于不同產(chǎn)品的波長范圍，一般以2.5nm為跨度進行分段)，需要制作10份全波段對比晶粒(全波段對比晶粒的份數(shù)取決于生產(chǎn)需求來定，假如機臺多，那么所需要的份數(shù)也就越多)；
[0033]步驟B、選取9個方片產(chǎn)品，一個方片產(chǎn)品包括一個波段的晶粒，且第一個波段的方片產(chǎn)品至第N個波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列(如第一方片產(chǎn)品中所有晶粒的波段均為447.5-450nm，第二方片產(chǎn)品中所有晶粒的波段均為450-452.5nm等等)，第一個波段的方片產(chǎn)品和第9個波段的方片產(chǎn)品均包括600顆晶粒，第二個波段的方片產(chǎn)品至第8個波段的方片產(chǎn)品均包括200顆晶粒；
[0034]步驟C、將第一個波段的方片產(chǎn)品和第9個波段的方片產(chǎn)品通過包括外圍晶粒的方法進行分檔，將第二個波段的方片產(chǎn)品至第8個波段的方片產(chǎn)品通過不包括外圍晶粒的方法進行分檔;所述包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的三倍的數(shù)量(即60顆)為單位依次分為binl至binlO;所述不包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的數(shù)量為單位依次分為binl至binl0(即分為10個檔)；其中:P為每行所排列的晶粒的數(shù)量，取值為20顆(也可以根據(jù)實際情況采用其他的數(shù)量，如25顆、30顆等等)；
[0035]步驟D、將第一個波段的方片產(chǎn)品和第二個波段的方片產(chǎn)品轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔，具體是:轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔的方法是采用表達式I)和表達式2)(將晶粒的坐標逆時針旋轉(zhuǎn)90°):
[0036]X = y I);
[0037]Y=Max(x)-x+l 2);
[0038]其中:x為轉(zhuǎn)換前晶粒的橫坐標，y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標，X為轉(zhuǎn)換后晶粒的橫坐標，Y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標；
[0039 ] 步驟E、采用分選機從9個方片產(chǎn)品上選取同一b in (如均選b in I的晶粒至一個新的方片上，均選bin2的晶粒至另一個新的方片上，bin指檔))的晶粒放入新的方片上得到10份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。
[0040]應(yīng)用本發(fā)明的全波段對比晶粒時，新的方片產(chǎn)品上最前和最后兩個波段均有兩排作為外圍晶粒，而其左右兩側(cè)可以除去位于兩端的兩顆(或其他數(shù)量)的晶粒作為外圍晶粒不用，確保不會出現(xiàn)邊緣晶粒因遮光不同而導(dǎo)致的電性不準確的現(xiàn)象發(fā)生，提高標準數(shù)據(jù)的可靠性。
[0041]應(yīng)用本發(fā)明所得包含全波段對比晶粒的方片產(chǎn)品進行芯片測試機校正，具體是:
[0042]第一步、采用最標準的芯片測試機測試方片產(chǎn)品得出標準參數(shù)數(shù)據(jù)；
[0043]第二步、再采用其他待校正的芯片測試機測試方片產(chǎn)品得出各待校正的芯片測試機測量數(shù)據(jù)；
[0044]第三步、將標準數(shù)據(jù)和測量數(shù)據(jù)進行對比，對待校正的芯片測試機進行校正，采用校正后的芯片測試機再次測試方片產(chǎn)品，得到再次測試數(shù)據(jù)；
[0045]第四步、判斷校正是否完成，具體是:若再次測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)相同，則完成校正;若再次測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)不同，則返回第三步重新測試，從而使得校正后的芯片測試機的測試數(shù)據(jù)與標準數(shù)據(jù)一致(此處，也可以根據(jù)實際情況確認無需要對芯片測試機進行參數(shù)微調(diào)，如誤差在一定允許的范圍之內(nèi)，即可不需再次微調(diào))。
[0046]采用本發(fā)明方法的校正方法能一次性將多個波段對比完成，無需目前單個波段一一對比，只需要現(xiàn)有技術(shù)中一個波段對比所有時間，提升了生產(chǎn)效率，并確保其他芯片測試機測試該全波段產(chǎn)品的數(shù)據(jù)與標準數(shù)據(jù)一致，大大減小各個芯片測試機之間的誤差，提升LED行業(yè)芯片測試機一致性對比效率。
[0047]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種制作全波段對比晶粒的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟A、確定全波段對比晶粒包括N個波段，需要制作M份全波段對比晶粒，其中:N為5-18，M為2-20; 步驟B、選取與波段數(shù)量相同的N個方片產(chǎn)品，一個方片產(chǎn)品包括一個波段的晶粒，且第一個波段的方片產(chǎn)品至第N個波段的方片中的晶粒的波段依次由低到高排列，其中:第一個波段的方片產(chǎn)品和第N個波段的方片產(chǎn)品均至少包括600顆晶粒，第二個波段的方片產(chǎn)品至第N-1個波段的方片產(chǎn)品均至少包括200顆晶粒； 步驟C、將第一個波段的方片產(chǎn)品和第N個波段的方片產(chǎn)品通過包括外圍晶粒的方法進行分檔，將第二個波段的方片產(chǎn)品至第N-1個波段的方片產(chǎn)品通過不包括外圍晶粒的方法進行分檔;所述包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的三倍的數(shù)量為單位依次分為binl至binM;所述不包括外圍晶粒的方法具體是:將全部晶粒以P的數(shù)量為單位依次分為binl至binM;其中:P為每行所排列的晶粒的數(shù)量，取值為10-30顆； 步驟D、將第一個波段的方片產(chǎn)品或第N個波段的方片產(chǎn)品以及第二個波段的方片產(chǎn)品至第N-1個波段的方片產(chǎn)品中的任意一個轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔； 步驟E、采用分選機從N個方片產(chǎn)品上選取同一 bin的晶粒放入新的方片上得到M份具有全波段晶粒的方片產(chǎn)品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作全波段對比晶粒的方法，其特征在于，所述步驟D中轉(zhuǎn)換為分選機識別的檔的方法是采用表達式I)和表達式2): X=y I); Y=Max(x)-x+l 2); 其中:X為轉(zhuǎn)換前晶粒的橫坐標，y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標，X為轉(zhuǎn)換后晶粒的橫坐標，Y為轉(zhuǎn)換前晶粒的縱坐標。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作全波段對比晶粒的方法，其特征在于，所述波段的獲得以2.5nm為跨度進行分段。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作全波段對比晶粒的方法，其特征在于，所述分選機為威控LS-368分選機。5.一種校正芯片測試機的方法，其特征在于:包括以下步驟: 第一步、采用標準芯片測試機測試權(quán)利要求1-4任意一項所得全波段對比晶粒，得到標準參數(shù)數(shù)據(jù)； 第二步、采用待校正的新測試機測試權(quán)利要求1-4任意一項所得全波段對比晶粒，得到各個待校正芯片測試機的測試數(shù)據(jù)； 第三步、比較各個待校正芯片測試機的測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)，分別對各個待校正芯片測試機進行調(diào)整;采用校正后的各芯片測試機再次測試權(quán)利要求1-4任意一項所得全波段對比晶粒，得到再次測試數(shù)據(jù)； 第四步、判斷校正是否完成，具體是:若再次測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)相同，則完成校正;若再次測試數(shù)據(jù)與標準參數(shù)數(shù)據(jù)不同，則返回第三步。
【文檔編號】G01R35/00GK106093819SQ201610364520
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年5月28日
【發(fā)明人】郭組福
【申請人】湘能華磊光電股份有限公司