晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，包括自動測試設(shè)備，其自動測試設(shè)備包括第一電源、第二電源及第三電源。第一電源連接在待測晶體管的集電極與發(fā)射極之間，為待測晶體管的集電極?發(fā)射極的兩端提供預(yù)設(shè)恒定電壓；第二電源與待測晶體管的發(fā)射極連接，為發(fā)射極提供預(yù)設(shè)的電流源；第三電源與待測晶體管的基極連接；為基極提供電壓源，并測得基極電流，其中，第一電源、第二電源及第三電源均為精密測量單元，僅需一次測量就可以直接讀取發(fā)射極電流和基極電流，根據(jù)發(fā)射極電流與基極電流的比值，就可以快速得出待測晶體管的直流放大倍數(shù)，高效而且精確度高，同時操作也極其簡便。此外，還提供一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試方法。
【專利說明】
晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體分立器件，特別是涉及晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體管是一種常用的半導(dǎo)體分立器件，共發(fā)射極直流放大倍數(shù)(hFE)是其重要的一個參數(shù)，定義為指定集電極-發(fā)射極之間的電壓(UCE)下、指定集電極電流(ic)時，集電極電流(ic)和基極電流(iB)的比值。
[0003]自動測試設(shè)備(Automated Test Equipment，ATE)是一種由高性能計算機控制的測試儀器的集合體，是由測試儀和計算機組合而成的測試裝置，計算機通過運行測試程序的指令來控制測試硬件。用于分立器件測試的自動測試設(shè)備(ATE)主要由精密測量單元(Precis1n Measurement Unit，PMU)和繼電器(RELAY)控制構(gòu)成。其中，精密測量單元(PMU)又稱為V/1源(電壓/電流源)，它能夠施加電壓或電流，并依據(jù)精密測量單元(PMU)所連接的被測單元(簡稱DUT，Device under test)同時測量所得到的電壓或電流。
[0004]晶體管是電流控制型器件，為達到指定集電極電流(1C)，在測量時通常采用掃描法:借助自動測試設(shè)備(ATE)上的精密測量單元(PMU)的加流功能，逐步增加基極電流(iB)，測量集電極電流(ic)的值，當(dāng)?shù)竭_指定值時停止掃描，計算比值。但是，這種掃描法的采集速度慢，還需要進行復(fù)雜的參數(shù)設(shè)置，操作很繁瑣、效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對速度慢、操作繁瑣、效率低的問題，提供一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置及方法。
[0006]—種晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，用于測試待測晶體管的直流放大倍數(shù)，包括自動測試設(shè)備，所述自動測試設(shè)備包括第一電源、第二電源及第三電源；
[0007]所述第一電源連接在所述待測晶體管的集電極與發(fā)射極之間，為所述待測晶體管的集電極與發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電壓源，且使所述集電極與發(fā)射極兩端的電壓恒定；
[0008]所述第二電源與所述待測晶體管的發(fā)射極連接，用于為所述發(fā)射極提供預(yù)設(shè)的電流源；
[0009]所述第三電源與所述待測晶體管的基極連接；用于為所述基極提供電壓源，并測得所述基極的電流，其中，
[0010]所述第一電源、第二電源及第三電源均為精密測量單元。
[0011]在其中一個實施例中，所述第一電源、第二電源和第三電源均為浮動源精密測量單元。
[0012]在其中一個實施例中，所述浮動源精密測量單元包括用于傳輸電信號的高電位激勵線、低電位激勵線;還包括用于檢測測試點電信號的高電位檢測線、低電位檢測線；
[0013]所述第一電源的高電位激勵線、高電位檢測線均與所述待測晶體管的集電極連接;所述第一電源的低電位激勵線、低電位檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接；
[0014]所述第二電源的高電位激勵線、高電位檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接;所述第二電源的低電位激勵線、低電位檢測線均接地；
[0015]所述第三電源的高電位激勵線、高電位檢測線均與所述待測晶體管的基極連接；所述第三電源的低電位激勵線、低電位檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接。
[0016]在其中一個實施例中，所述第一電源、第二電源和第三電源均為共地源精密測量單元。
[0017]在其中一個實施例中，所述共地源精密測量單元包括用于傳輸電信號的激勵線、地激勵線；用于檢測測試點電信號的檢測線和地檢測線；
[0018]所述晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置還包括差分電路；
[0019]所述第一電源、第二電源、第三電源的地激勵線連接;所述第一電源、第二電源、第三電源的地檢測線連接；
[0020]所述第一電源的激勵線與所述待測晶體管的集電極連接;所述第一電源的檢測線經(jīng)所述差分電路與分別與所述待測晶體管的集電極、發(fā)射極連接；
[0021]所述第二電源的激勵線、檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接；
[0022]所述第三電源的激勵線、檢測線均與所述待測晶體管的基極連接。
[0023]在其中一個實施例中，所述差分電路包括第一運算放大器、第二運算放大器和第二運算放大器；
[0024]所述第一運算放大器的同相輸入端與所述第二運算放大器的輸出端連接;所述第一運算放大器的反相輸入端與所述第三放大器的輸出端連接;所述第一運算放大器的輸出端與所述第一電源的檢測線連接；
[0025]所述第二運算放大器的同相輸入端與所述待測晶體管的集電極連接;所述第二運算放大器的反相輸入端與所述第二運算放大器的輸出端連接；
[0026]所述第三運算放大器的同相輸入端與所述待測晶體管的發(fā)射極連接;所述第三運算放大器的反相輸入端與所述第三運算放大器的輸出端連接。
[0027]在其中一個實施例中，所述差分電路還包括第一電阻，所述第一電阻連接在所述第一電源的激勵線與檢測線之間。
[0028]在其中一個實施例中，所述差分電路還包括第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻；
[0029]所述第一運算放大器的同相輸入端經(jīng)所述第二電阻與所述第二運算放大器的輸出端連接;所述第一運算放大器的同相輸入端經(jīng)所述第三電阻接地;所述第一運算放大器的反相輸入端經(jīng)所述第四電阻與所述第三運算放大器的輸出端連接;所述第五電阻連接在所述第一運算放大器的反相輸入端與輸出端之間。
[0030]在其中一個實施例中，所述第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻的阻值大小均相等。
[0031]此外，還提供一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試方法，使用上述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，包括:
[0032]給所述待測晶體管的集電極-發(fā)射極的兩端提供恒定電壓源；
[0033]給所述待測晶體管的發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電流源；
[0034]給所述待測晶體管的基極提供電壓源并測試基極電流；
[0035]根據(jù)所述發(fā)射極的預(yù)設(shè)電流源的電流與所述基極電流的比值，計算所述待測晶體管的直流放大倍數(shù)。
[0036]上述晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，包括第一電源、第二電源及第三電源。第一電源連接在待測晶體管的集電極與發(fā)射極之間；第二電源與待測晶體管的發(fā)射極連接;第三電源與待測晶體管的基極連接。其中，第一電源為待測晶體管的集電極-發(fā)射極的兩端提供預(yù)設(shè)恒定電壓;第二電源為待測晶體管的發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電流源(iE);第三電源為待測晶體管的基極提供電壓源并檢測電流(iB)。通過設(shè)定第一電源、第二電源及第三電源的加壓測流模式或加流測壓模式，可以直接讀取發(fā)射極電流(iE)和基極電流(iB)。只需要計算發(fā)射極電流(iE)與基極電流(iB)的比值，僅需一次就可以快速測量出就可以得出待測晶體管的直流放大倍數(shù)，快速、高效而且精確度高，同時操作也極其簡便。
【附圖說明】
[0037]圖1為晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置框架圖；
[0038]圖2為開爾文測試電路原理圖；
[0039]圖3A為浮動源四線開爾文測試示意圖；
[0040]圖3B為共地源四線開爾文測試示意圖；
[0041 ]圖4為浮動源晶體管直流放大倍數(shù)測試原理電路圖；
[0042]圖5為共地源晶體管直流放大倍數(shù)測試原理電路圖；
[0043]圖6為晶體管測試方法流程圖。
【具體實施方式】
[0044]為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
[0045]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。
[0046]晶體管有兩大類:雙極型晶體管(BJT:bipolar junct1n transistor)和場效應(yīng)晶體管(FET:field-effeet transistor)。根據(jù)輸入輸出結(jié)構(gòu)的不同，晶體管基本放大電路有三種接法:共發(fā)射極、共集電極和共基極接法。共發(fā)射極輸出特性曲線是以基極電流(iB)為參變量，集電極電流(ic)與集電極-發(fā)射極之間的電壓(Uce)的關(guān)系曲線，S卩ic = f(ucE)/iB=常數(shù)。在放大區(qū)，基極電流(iB)對集電極電流(ic)有很強的控制作用，即基極電流(iB)有很小的變化量A iB時，集電極電流(ic)就會有很大的變化量△ ic。即，可用共發(fā)射極交流電流放大倍數(shù)來表示這種控制能力，定義為:
[0047]β= A ic/Δ iB =常數(shù)；
[0048]基于方便的原因，實際操作過程中，一般采用直流放大倍數(shù)(hFE)來表示:
[0049]hFE = ic/iB|ucE =常數(shù)
[0050]—般而言，直流放大倍數(shù)和交流放大倍數(shù)很接近。
[0051]在此，提供一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，用于測量待測晶體管的直流放大倍數(shù)。如圖1所示的為晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置框架圖，該測試裝置包括自動測試設(shè)備(圖中未示)，其中，自動測試設(shè)備包括第一電源110、第二電源120及第三電源130。
[0052]第一電源110連接在待測晶體管的集電極與發(fā)射極之間，為待測晶體管的集電極-發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電壓源，且使集電極-發(fā)射極兩端的電壓(uCE)恒定;第二電源120與待測晶體管的發(fā)射極連接，用于為發(fā)射極提供預(yù)設(shè)的電流源(iE);第三電源130與待測晶體管的基極連接;用于為基極提供電壓源，并測得基極的電流(iB)。其中，第一電源110、第二電源120及第三電源130均為精密測量單元(Precis1n Measurement Unit ,PMU) ο
[0053]精密測量單元(PMU)有兩種基本工作模式:加壓測流模式和加流測壓模式。在加壓測流模式下，可以把精密測量單元(PMU)看作一個電壓源，不僅可以設(shè)定輸出電壓，還可以設(shè)定限制電流(以保護測試器件)，甚至還可以設(shè)定電壓的增加速率及方式。在加流測壓模式下，可以把精密測量單元(PMU)當(dāng)成一個電流源，可以設(shè)定輸出電流，同時還可以設(shè)置限制(保護)電壓。
[0054]為了提升精密測量單元(PMU)驅(qū)動電壓的精確度，常使用4條線路的結(jié)構(gòu)(稱為開爾文結(jié)構(gòu))。如圖2所示的為開爾文測試電路原理圖，開爾文的連接對于每個測試點都有一條激勵線F(Force)和一條檢測線S(Sense)，二者嚴(yán)格分開，各自構(gòu)成獨立回路，同時要求檢測線S(Sense)必須接到一個有極高輸入阻抗的測試回路上，使流過檢測線S(Sense)的電流極小，近似為零。其中，r表示引線電阻。由于流過測試回路的電流為零，在r3、r4上的壓降也為零，而激勵電流i在rl、r2上的壓降不影響i在被測電阻上的壓降，所以電壓表可以準(zhǔn)確測出Rt兩端的電壓值，從而準(zhǔn)確測量出Rt的阻值。
[0055]精密測量單元(PMU)的接地方式有共地和浮動兩種，分別稱為浮動源和共地源(非浮動源)，其浮動源、共地源四線開爾文測試示意圖分別如圖3A、3B所示。
[0056]在其中一個實施例中，第一電源110、第二電源120和第三電源130均為浮動源精密測量單元。按照作用和電位的高低，浮動源精密測量單元包括用于傳輸電信號的高電位激勵線(HF)、低電位激勵線(LF);還包括用于檢測測試點電信號的高電位檢測線(HS)、低電位檢測線(LS)。
[0057]如圖4所示的為浮動源晶體管直流放大倍數(shù)測試原理電路圖，圖中第一電源PMUl的高電位激勵線(HF )、高電位檢測線(HS)均與待測晶體管的集電極連接;第一電源PMUI的低電位激勵線(LF)、低電位檢測線(LS)均與待測晶體管的發(fā)射極連接。第二電源PMU2的高電位激勵線(HF )、高電位檢測線均(HS)與待測晶體管的發(fā)射極連接;第二電源PMU2的低電位激勵線(LF)、低電位檢測線(LS)均接地。第三電源PMU3的高電位激勵線(HF)、高電位檢測線(HS)均與待測晶體管的基極連接；第三電源PMU3的低電位激勵線(LF)、低電位檢測線(LS)均與待測晶體管的發(fā)射極連接。
[0058]在測試的過程中，第一電源PMUl為待測晶體管的集電極-發(fā)射極的兩端提供預(yù)設(shè)恒定電壓(uCE);第二電源PMU2為待測晶體管的發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電流源(iE);第三電源PMU3設(shè)定為加壓測流模式，為待測晶體管的基極提供電壓源并檢測基極電流(iB)，其中，第三電源PMU3的電壓設(shè)置只要大于0.7V(保證發(fā)射結(jié)正偏置)就可以；當(dāng)電壓在0.7-10伏之間變化時，基極電流(iB)無明顯變化。根據(jù)晶體管的特性，發(fā)射極電流(iE)為基極電流(iB)與集電極電流(ic)之和，而在通常情況下，集電極電流(ic)遠大于基極電流(iB)，則可以近似認為發(fā)射極電流(iE)與集電極電流(ic)相等。在使用上述測試裝置時，只需要讀取第二電源PMU2的提供的發(fā)射極電流Ge)與第三電源PMU3測得的(iB)，通過直流放大倍數(shù)(hFE)的公式:hFE= ic/iB = iE/iB，即可計算出晶體管的直流放大倍數(shù)。通過上述測試裝置僅需要測試一次就能得出精確度高的放大倍數(shù)，其測試操作簡單、便捷，效率高。
[0059]在另一實施例中，第一電源110、第二電源120和第三電源130均為共地源精密測量單元。參考圖3B，按照作用和電位的高低，共地源精密測量單元包括用于傳輸電信號的激勵線F(Force)、地激勵線(AGND);用于檢測測試點電信號的檢測線S(Sense)和地檢測線(DGS)0
[0060]如圖5所示的為共地源晶體管直流放大倍數(shù)測試原理電路圖，晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置還包括差分電路210。第一電源PMUl ’、第二電源PMU2，、第三電源PMU3，的地激勵線(圖中未示)相互連接;第一電源PMU1’、第二電源PMU2’、第三電源PMU3’的地檢測線(圖中未示)相互連接。第一電源PMU1’的激勵線與待測晶體管的集電極連接;第一電源PMU1’的檢測線經(jīng)差分電路210與分別與待測晶體管的集電極、發(fā)射極連接。第二電源PMU2’的激勵線、檢測線均與待測晶體管的發(fā)射極連接。第三電源PMU3’的激勵線、檢測線均與待測晶體管的基極連接。
[0061 ]差分電路210包括第一運算放大器Ul、第二運算放大器U2和第三運算放大器U3。第一運算放大器Ul的同相輸入端(+ )與第二運算放大器U2的輸出端連接;第一運算放大器Ul的反相輸入端(-)與第三放大器U3的輸出端連接;第一運算放大器UI的輸出端與第一電源PMU1’的檢測線連接。第二運算放大器U2的同相輸入端(+ )與待測晶體管的集電極連接;第二運算放大器U2的反相輸入端(-)與第二運算放大器U2的輸出端連接。第三運算放大器U3的同相輸入端(+ )與待測晶體管的發(fā)射極連接;第三運算放大器U3的反相輸入端(-)與第三運算放大器U3的輸出端連接。
[0062]在本實施例中，第一運算放大器Ul、第二運算放大器U2和第三運算放大器U3均為場效應(yīng)管輸入型的運算放大器，其輸入的電流極小。同時，第二運算放大器U2和第三運算放大器U3用于提高輸入阻抗，第一運算放大器Ul用于對第二運算放大器U2和第三運算放大器U3輸出的電壓信號做差分處理，從而保證待測晶體管集電極-發(fā)射極兩端的電壓為第一電源PMUl ’所預(yù)設(shè)的電壓值，具有鉗位作用。
[0063]差分電路210還包括第一電阻Rl，第一電阻Rl連接在第一電源PMU1’的激勵線與檢測線之間。第一電阻Rl的作用是防止第一電源PMU1’的激勵線、檢測線開路時或第一電源PMUl，工作不穩(wěn)定時，第一電源PMUl，的激勵線輸出的電源電壓燒壞被測量的晶體管，對待測晶體管具有保護的作用。
[0064]差分電路210還包括第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5。第一運算放大器Ul的同相輸入端(+ )經(jīng)第二電阻R2與第二運算放大器U2的輸出端連接;第一運算放大器Ul的同相輸入端(+ )經(jīng)第三電阻R3接地;第一運算放大器Ul的反相輸入端(-)經(jīng)第四電阻R4與第三運算放大器U3的輸出端連接;第五電阻R5連接在第一運算放大器Ul的反相輸入端(_)與輸出端之間。其中，第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5的阻值大小均相等，可以為10K、20K、100K或其他阻值。
[0065]在測試的過程中，第一電源PMU1’和差分電路210為待測晶體管的集電極-發(fā)射極的兩端提供預(yù)設(shè)恒定電壓(uCE);第二電源PMU2’為待測晶體管的發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電流源Ge);第三電源PMU3’為待測晶體管的基極提供電壓源并檢測基極電流(iB)。其中，第三電源PMU3’的電壓設(shè)置只要大于0.7V(保證發(fā)射結(jié)正偏置)就可以；當(dāng)電壓在0.7-10伏之間變化時，基極電流(iB)無明顯變化。根據(jù)晶體管的特性，發(fā)射極電流(iE)為基極電流(iB)與集電極電流(ic)之和，而通常情況下，集電極電流(ic)遠大于基極電流(iB)，則可以近似認為發(fā)射極電流(iE)與集電極電流(ic)相等。在使用上述測試裝置時，只需要讀取第二電源PMU2’的提供的發(fā)射極電流Ge)與第三電源PMU3’測得的(iB)，通過直流放大倍數(shù)(hFE)的公式:hFE= ic/iB = iE/iB，即可計算出晶體管的直流放大倍數(shù)。通過上述測試裝置僅需要測試一次就能得出精確度高的放大倍數(shù)，其測試操作簡單、便捷，效率高。
[0066]使用上述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，還提供一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試方法，如圖6所示，包括如下步驟:
[0067]步驟S110:給待測晶體管的集電極-發(fā)射極的兩端提供恒定電壓源。
[0068]在測試過程中，第一電源110(精密測量單元PMU)連接在待測晶體管的集電極與發(fā)射極之間，為待測晶體管的集電極-發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電壓源，且使集電極-發(fā)射極兩端的電壓(UCE)恒定。
[0069]步驟S120:給待測晶體管的發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電流源。
[0070]第二電源120(精密測量單元PMU)與待測晶體管的發(fā)射極連接，用于為發(fā)射極提供預(yù)設(shè)的電流源，也即設(shè)定發(fā)射極電流(iE)。
[0071]步驟S130:給待測晶體管的基極提供電壓源并測試基極電流。
[0072 ]第三電源130 (精密測量單元PMU)與待測晶體管的基極連接;其中，第三電源130設(shè)定為加壓測流模式，用于為基極提供電壓源，其中，第三電源130的電壓設(shè)置只要大于0.7V(保證發(fā)射結(jié)正偏置)就可以，同時測得基極電流(iB)。
[0073]步驟S140:根據(jù)所述發(fā)射極的預(yù)設(shè)電流源與所述基極電流的比值，計算待測晶體管的直流放大倍數(shù)。
[0074]根據(jù)晶體管的特性，發(fā)射極電流(Ie)為基極電流(Ib)與集電極電流(IC)之和，根據(jù)晶體管的特性，發(fā)射極電流(iE)為基極電流(iB)與集電極電流(ic)之和。在通常情況下，集電極電流(ic)遠大于基極電流(iB)，則可以近似認為發(fā)射極電流(iE)與集電極電流(ic)相等。只需要-根據(jù)直流放大倍數(shù)(hFE)的公式:hFE = ic/iB = iE/iB，即可計算出晶體管的直流放大倍數(shù)。通過上述測試裝置及方法僅需要測試一次就能得出精確度高的放大倍數(shù)，其測試操作簡單、便捷，效率高。
[0075]以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認為是本說明書記載的范圍。
[0076]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，用于測試待測晶體管的直流放大倍數(shù)，包括自動測試設(shè)備，其特征在于，所述自動測試設(shè)備包括第一電源、第二電源及第三電源； 所述第一電源連接在所述待測晶體管的集電極與發(fā)射極之間，為所述待測晶體管的集電極與發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電壓源，且使所述集電極與發(fā)射極兩端的電壓恒定； 所述第二電源與所述待測晶體管的發(fā)射極連接，用于為所述發(fā)射極提供預(yù)設(shè)的電流源； 所述第三電源與所述待測晶體管的基極連接；用于為所述基極提供電壓源，并測得所述基極的電流，其中， 所述第一電源、第二電源及第三電源均為精密測量單元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述第一電源、第二電源和第三電源均為浮動源精密測量單元。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述浮動源精密測量單元包括用于傳輸電信號的高電位激勵線、低電位激勵線;還包括用于檢測測試點電信號的高電位檢測線、低電位檢測線； 所述第一電源的高電位激勵線、高電位檢測線均與所述待測晶體管的集電極連接;所述第一電源的低電位激勵線、低電位檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接； 所述第二電源的高電位激勵線、高電位檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接;所述第二電源的低電位激勵線、低電位檢測線均接地； 所述第三電源的高電位激勵線、高電位檢測線均與所述待測晶體管的基極連接;所述第三電源的低電位激勵線、低電位檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述第一電源、第二電源和第三電源均為共地源精密測量單元。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述共地源精密測量單元包括用于傳輸電信號的激勵線、地激勵線；用于檢測測試點電信號的檢測線和地檢測線； 所述晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置還包括差分電路； 所述第一電源、第二電源、第三電源的地激勵線連接;所述第一電源、第二電源、第三電源的地檢測線連接； 所述第一電源的激勵線與所述待測晶體管的集電極連接;所述第一電源的檢測線經(jīng)所述差分電路與分別與所述待測晶體管的集電極、發(fā)射極連接； 所述第二電源的激勵線、檢測線均與所述待測晶體管的發(fā)射極連接； 所述第三電源的激勵線、檢測線均與所述待測晶體管的基極連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述差分電路包括第一運算放大器、第二運算放大器和第三運算放大器； 所述第一運算放大器的同相輸入端與所述第二運算放大器的輸出端連接;所述第一運算放大器的反相輸入端與所述第三放大器的輸出端連接;所述第一運算放大器的輸出端與所述第一電源的檢測線連接； 所述第二運算放大器的同相輸入端與所述待測晶體管的集電極連接;所述第二運算放大器的反相輸入端與所述第二運算放大器的輸出端連接； 所述第三運算放大器的同相輸入端與所述待測晶體管的發(fā)射極連接;所述第三運算放大器的反相輸入端與所述第三運算放大器的輸出端連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述差分電路還包括第一電阻，所述第一電阻連接在所述第一電源的激勵線與檢測線之間。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述差分電路還包括第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻； 所述第一運算放大器的同相輸入端經(jīng)所述第二電阻與所述第二運算放大器的輸出端連接;所述第一運算放大器的同相輸入端經(jīng)所述第三電阻接地;所述第一運算放大器的反相輸入端經(jīng)所述第四電阻與所述第三運算放大器的輸出端連接;所述第五電阻連接在所述第一運算放大器的反相輸入端與輸出端之間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，其特征在于，所述第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻的阻值大小均相等。10.—種晶體管直流放大倍數(shù)的測試方法，其特征在于，使用如權(quán)利要求1?9任一項所述的晶體管直流放大倍數(shù)的測試裝置，包括: 給所述待測晶體管的集電極-發(fā)射極的兩端提供恒定電壓源； 給所述待測晶體管的發(fā)射極提供預(yù)設(shè)電流源； 給所述待測晶體管的基極提供電壓源并測試基極電流； 根據(jù)所述發(fā)射極的預(yù)設(shè)電流源的電流與所述基極電流的比值，計算所述待測晶體管的直流放大倍數(shù)。
【文檔編號】G01R31/26GK106019109SQ201610313320
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月11日
【發(fā)明人】顧漢玉
【申請人】華潤賽美科微電子(深圳)有限公司