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電源負(fù)載測試裝置的制造方法

文檔序號:9921331閱讀:409來源:國知局
電源負(fù)載測試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電源負(fù)載測試裝置,尤其涉及一種用于電腦VRM的電源負(fù)載測試
目.ο
【背景技術(shù)】
[0002]電腦的電壓調(diào)節(jié)模塊(Voltage Regulator Module,VRM)在實際使用中,其所帶的負(fù)載一般是動態(tài)負(fù)載,即,VRM的負(fù)載是隨時變化的,相應(yīng)地,VRM的輸出電流也隨負(fù)載的變化而呈動態(tài)變化。例如,電腦在進(jìn)入某些游戲程序時,VRM所帶的負(fù)載會明顯增大,相應(yīng)地VRM的輸出電流也明顯增大。
[0003]在對VRM進(jìn)行動態(tài)測試時,一般在VRM的輸出端連接一個電子負(fù)載,所述電子負(fù)載通過模擬實際使用情況改變VRM的輸出電流實現(xiàn)對VRM的動態(tài)負(fù)載測試。VRM進(jìn)行動態(tài)測試時,其在電子負(fù)載的作用下,輸出電流的波形一般可簡化為圖1所示的方波波形,VRM的輸出電流從O上升到11的上升時間為11,其中,輸出電流的斜率,即電子負(fù)載的拉載斜率為:11與上升時間11的比值。根據(jù)負(fù)載的不同,VRM的拉載斜率也不同,有時,VRM需要較大的拉載斜率來驅(qū)動負(fù)載。
[0004]目前的電子負(fù)載的拉載斜率一般在IAAis左右,并且是固定的,無法滿足某些VRM對較大拉載斜率的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對上述問題,有必要提供一種可提供較大拉載斜率的電源負(fù)載測試裝置。
[0006]—種電源負(fù)載測試裝置,用于對一被測電源進(jìn)行動態(tài)負(fù)載測試,包括依次電性連接的主控制器、函數(shù)發(fā)生器、拉載電路以及電流檢測電路,所述函數(shù)發(fā)生器用于輸出一方波信號;所述拉載電路用于根據(jù)所述方波信號動態(tài)地改變所述被測電源的輸出電流,包括電壓跟隨器、第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、負(fù)載電阻,所述電壓跟隨器的同相輸入端電性連接至所述函數(shù)發(fā)生器的輸出端,用于接收所述方波信號,所述電壓跟隨器的輸出端電性連接至所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的柵極,所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的漏極電性連接至所述被測電源的輸出端,所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極通過所述負(fù)載電阻接地,且所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極與所述負(fù)載電阻之間的節(jié)點電性連接至所述電壓跟隨器的反相輸入端;所述電流檢測電路還電性連接至所述主控制器,其包括運(yùn)算放大器,所述運(yùn)算放大器的的同相輸入端電性連接至所述第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的源極與所述負(fù)載電阻之間的節(jié)點,所述運(yùn)算放大器的反相輸入端電性連接至所述負(fù)載電阻與地之間的節(jié)點,所述運(yùn)算放大器的輸出端電性連接至主控制器,所述運(yùn)算放大器用于將所述負(fù)載電阻上流過的所述輸出電流放大后轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓信號輸出至所述主控制器,所述主控制器根據(jù)該電壓信號相應(yīng)計算出所述輸出電流,從而根據(jù)所述輸出電流的變化判斷出所述輸出電流的斜率,所述電流檢測電路用于配合所述主控制器檢測所述輸出電流的斜率,所述主控制器用于將檢測到的所述輸出電流的斜率與一預(yù)設(shè)斜率值進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果相應(yīng)控制所述函數(shù)發(fā)生器調(diào)整所述方波信號,直到所述輸出電流的斜率與所述預(yù)設(shè)斜率值相等。
[0007]本發(fā)明中電源負(fù)載測試裝置通過主控制器控制函數(shù)發(fā)生器對方波信號的波形進(jìn)行調(diào)節(jié),從而可通過拉載電路相應(yīng)調(diào)節(jié)該電源負(fù)載測試裝置的拉載斜率,從而可根據(jù)需要獲得較大的拉載斜率。此外,根據(jù)鍵盤電路輸入的不同的預(yù)設(shè)斜率值,所述電源負(fù)載測試裝置還可相應(yīng)得到不同的拉載斜率,因此,具有較好的通用性。
【附圖說明】
[0008]圖1為現(xiàn)有VRM在進(jìn)行動態(tài)測試時的輸出電流波形圖。
[0009]圖2為本發(fā)明較佳實施方式的電源負(fù)載測試裝置的功能模塊圖。
[0010]圖3為圖2所示電源負(fù)載測試裝置的電路圖。
[0011]主要元件符號說明
[0012]電源負(fù)載測試裝置100
[0013]VRM200
[0014]主控制器10
[0015]函數(shù)發(fā)生器20
[0016]拉載電路30
[0017]電流檢測電路40
[0018]使能電路50
[0019]鍵盤電路60
[0020]顯示器70
[0021]輸出電流1
[0022]電流檢測引腳Pl
[0023]控制引腳P2
[0024]電壓跟隨器Ul
[0025]運(yùn)算放大器U2
[0026]第一MOSFETQl
[0027]NPN型三極管Q2
[0028]PNP型三極管Q3
[0029]第二MOSFETQ4
[0030]負(fù)載電阻RO
[0031]濾波電阻Rl
[0032]限流電阻R2_R8、R10
[0033]反饋電阻R9
[0034]濾波電容Cl
[0035]同相輸入端1、5
[0036]反相輸入端2、6
[0037]輸出端3、7
[0038]控制端4、8
[0039]柵極gl、g2
[0040]源極sl、s2[0041 ]漏極dl、d2
[0042]基極bl、b2
[0043]集電極cl、c2
[0044]發(fā)射極el、e2
[0045]如下【具體實施方式】將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。
【具體實施方式】
[0046]請參閱圖2,本發(fā)明較佳實施方式的電源負(fù)載測試裝置100用于對一被測電源進(jìn)行動態(tài)負(fù)載測試。在本實施方式中,以所述被測電源為一VRM200為例對本發(fā)明進(jìn)行說明。
[0047]電源負(fù)載測試裝置100包括主控制器10、函數(shù)發(fā)生器20、拉載電路30、電流檢測電路40、使能電路50、鍵盤電路60以及顯示器70。函數(shù)發(fā)生器20用于產(chǎn)生一方波信號;拉載電路30用于根據(jù)所述方波信號動態(tài)地改變VRM200的輸出電流;電流檢測電路40用于配合主控制器1檢測VRM200的輸出電流I ο,即負(fù)載電流,從而得到輸出電流I ο的斜率;所述主控制器10用于將輸出電流1的斜率與一預(yù)設(shè)斜率值進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果相應(yīng)控制函數(shù)發(fā)生器20調(diào)整所述方波信號的波形,直到輸出電流1的斜率與所述預(yù)設(shè)斜率值相等。
[0048]請一并參閱圖3,主控制器10包括電性連接至電流檢測電路40的電流檢測引腳Pl以及電性連接使能電路50的控制弓I腳P2。
[0049]拉載電路30包括電壓跟隨器Ul、第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,M0SFET)Q 1、負(fù)載電阻RO、濾波電阻Rl、限流電阻R2-R5以及濾波電容Cl。電壓跟隨器Ul包括同相輸入端1、反相輸入端2、輸出端3以及控制端4。電壓跟隨器Ul的同相輸入端I通過限流電阻R2電性連接至函數(shù)發(fā)生器20,用于接收所述方波信號;反相輸入端2依次通過濾波電阻Rl及濾波電容Cl電性連接至輸出端3;輸出端3通過限流電阻R3電性連接至第一MOSFET Ql的柵極gl;控制端4電性連接至使能電路50。第一MOSFET Ql的源極Si通過負(fù)載電阻RO接地,源極Si還電性連接至電壓跟隨器Ul的反相輸入端2;第一MOSFET Ql的漏極dl電性連接至VRM200的輸出端。在本實施方式中,源極Si通過限流電阻R5電性連接電壓跟隨器Ul的反相輸入端2。限流電阻R5用于防止電壓跟隨器Ul的反相輸入端2上的電流對VRM的輸出電流1的測試造成影響。
[0050]電壓跟隨器Ul的輸出端3上的電壓與其同相輸入端I上的電壓同相,且電壓跟隨器Ul的放大倍數(shù)近似為I,因此,電壓跟隨器Ul的輸出端3輸出的信號即為所述方波信號,所述方波信號驅(qū)動第一MOSFET Ql依次導(dǎo)通與截止,從而VRM200在負(fù)載電阻RO上產(chǎn)生一動態(tài)的電流,即VRM200的輸出電流I ο。
[0051]根據(jù)運(yùn)算放大器的虛斷特性,電壓跟隨器Ul的反相輸入端2的電流近似為零,因此,限流電阻R5上的壓降很小,第一MOSFET Ql的源極Si上的電位近似等于電壓跟隨器Ul的反相輸入端2的電位。根據(jù)運(yùn)算放大器的虛短特性,電壓跟隨器Ul的同相輸入端I的電位與反相輸入端2的電位相等,因此,第一MOSFET Ql的源極Si上的電位的幅值等于所述方波信號的幅值。而負(fù)載電阻RO上的電流,即輸出電流1的值等于源極Si上的電位與負(fù)載電阻RO的阻值之商,如此,通過改變所述方波信號的幅值,即可改變輸出電流1的大小,從而,在相同的上升時間的情況下,輸出電流1越大,則其斜率越大。此外,由于所述方波信號的幅值改變時,輸出電流1的幅值也隨之改變,因此,輸出電流1具有與所述方波信號相同的上升時間、下降時間、頻率以及占空比,通過改變所述方波信號的上升時間以及下降時間,也可相應(yīng)改變輸出電流1的上升時間及下降時間,在輸出電流1
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