一種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)控制運行保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及潮濕環(huán)境下高壓直流輸電系統(tǒng)可控硅電子設(shè)備的加壓試驗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高壓直流工程的可控硅電子設(shè)備(簡稱TE板)位于換流閥塔上，每塊TE板對應(yīng)一個可控硅級。TE板承擔(dān)閥內(nèi)串聯(lián)可控硅級的直流均壓，同時又要檢測每個可控硅級以下幾種狀態(tài):可控硅級是否正常;可控硅是否建立正向門檻電壓(正電壓建立)；可控硅電流是否過零(負(fù)電壓建立)；可控硅是否由于承受的電壓變化率du/dt過高，或過電壓保護(hù)(BOD)回路動作觸發(fā)。
[0003]然而目前的TE板未采用封閉式設(shè)計，若TE板表面污穢嚴(yán)重且環(huán)境濕度較大，就可能造成TE板誤發(fā)觸發(fā)信號，導(dǎo)致直流備用轉(zhuǎn)閉鎖操作過程中發(fā)生換流閥誤導(dǎo)通故障，在直流系統(tǒng)產(chǎn)生過電壓與過電流，直接威脅直流主設(shè)備安全，嚴(yán)重情況下可造成換流閥元件損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明提出一種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，以在高濕度環(huán)境下利用高壓電源在TE板上施加電壓，監(jiān)視TE板關(guān)鍵信號以及TE板送可控硅的觸發(fā)信號，檢驗TE板在高污高濕情況下的工作性能。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]—種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，包括以下步驟:
[0007](a)將待試驗的TE板放置在溫濕度控制箱內(nèi)，并在溫濕度控制箱外調(diào)制好TE板加壓試驗的高壓交流電源；
[0008](b)將阻尼電阻和阻尼電容串聯(lián)后，一端連接至高壓交流電源，另一端連接至TE板的Xl端口的管腳5，搭建TE板的取能回路，用于獲取TE板TE板電子回路的工作電源；
[0009](C)分別將TE板X2端口接入交流電源高壓端、Xl端口的管腳3接入低壓端，搭建TE板的加壓回路，用于獲取TE板兩端的電壓；
[0010](d)分別將可控硅的陽極經(jīng)限流電阻與高壓交流電源的高壓端和TE板的X2端口相連，陰極與高壓交流電源的低壓端和TE板Xl端口的管腳I相連，門極與TE板Xl端口的管腳2相連，搭建可控硅的觸發(fā)回路，用于發(fā)送脈沖信號至可控硅門極觸發(fā)可控硅；
[0011](e)在可控硅兩端并聯(lián)設(shè)置在溫濕度控制箱外的交流分壓器，并分別將該交流分壓器、TE板過電壓保護(hù)回路中的保護(hù)電容的低壓端連入設(shè)置在溫濕度控制箱外的示波器，監(jiān)測可控硅兩端電壓和保護(hù)電容低壓端電壓。
[0012]所述高壓交流電源包括220V交流電源，該220V交流電源依次連接容量為lOkVA、調(diào)節(jié)范圍為O?250V的調(diào)壓變壓器及變比為150V/10kV的升壓變壓器，且所述220V電源的一端接地。
[0013]從所述溫濕度控制箱引出的連接線上包裹有絕緣套管。
[0014]本發(fā)明的優(yōu)點是:能夠?qū)E板在高濕度環(huán)境下承受高電壓時的響應(yīng)情況進(jìn)行測試，得到TE板在不同電壓水平下TE板承受電壓、保護(hù)電容電壓、觸發(fā)脈沖信號等關(guān)鍵電氣量的變化情況，反映出TE板經(jīng)過長時間運行后，表面積污嚴(yán)重和高濕環(huán)境下TE板性能是否下降，由此及時展開必要的檢修維護(hù)工作，避免誤發(fā)觸發(fā)信號，避免換流閥誤導(dǎo)通。
【附圖說明】
[0015]圖1為TE板試驗回路示意圖；
[0016]圖2為信號監(jiān)測示意圖；
[0017]附圖標(biāo)記說明:1、TE板;2、溫濕度控制箱;3、220V交流電源;4、調(diào)壓變壓器;5、升壓變壓器;6、示波器。
【具體實施方式】
[0018]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖1、2和【具體實施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0019]實施例
[0020]如圖1、圖2所示，
[0021]—種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，包括:
[0022]步驟1、將待試驗的TE板I放置在溫濕度控制箱2內(nèi)，并在溫濕度控制箱2外調(diào)制好TE板I加壓試驗的高壓交流電源；
[0023]在本實施例中，為TE板I加壓的高壓交流電源，利用220V交流電源3，連接容量為lOkVA、調(diào)節(jié)范圍為O?250V的調(diào)壓變壓器4，再經(jīng)過變比為150V/10kV升壓變壓器5，并將電源一端接地，通過調(diào)節(jié)調(diào)壓變壓器4可以改變施加在TE板I的電壓；
[0024]步驟2、將阻尼電阻和阻尼電容串聯(lián)后，一端連接至高壓交流電源，另一端連接至TE板I的Xl端口的管腳5，搭建TE板I的取能回路，用于獲取TE板TE板電子回路的工作電源；
[0025]步驟3、分別將TE板1X2端口接入交流電源高壓端、Xl端口的管腳3接入低壓端，搭建TE板I的加壓回路，用于獲取TE板兩端的電壓；
[0026]步驟4、分別將可控硅的陽極經(jīng)限流電阻與高壓交流電源的高壓端和TE板I的X2端口相連，陰極與高壓交流電源的低壓端和TE板1X1端口的管腳I相連，門極與TE板1X1端口的管腳2相連，搭建可控硅的觸發(fā)回路，用于發(fā)送脈沖信號至可控硅門極觸發(fā)可控硅；
[0027]步驟5、在可控硅兩端并聯(lián)設(shè)置在溫濕度控制箱2外的交流分壓器，并分別將該交流分壓器、TE板I過電壓保護(hù)回路中的保護(hù)電容的低壓端連入設(shè)置在溫濕度控制箱2外的示波器6，監(jiān)測可控硅兩端電壓和保護(hù)電容低壓端電壓；
[0028]利用示波器6監(jiān)測TE板I信號，一方面用于監(jiān)視施加在可控硅兩端的實際電壓，另一方面通過電壓跌落判斷可控硅是否導(dǎo)通;TE板I的C57電容位于過電壓保護(hù)回路中，即為所述的保護(hù)電容，該C57電容高壓端與X2端口相連，當(dāng)?shù)蛪憾穗娢淮笥?V時，過電壓保護(hù)動作，可導(dǎo)致TE板I誤發(fā)觸發(fā)信號，因此需要監(jiān)視C57電容低壓端電壓;監(jiān)視TE板1X1端口管腳2的電壓信號，則用于判斷TE板I是否發(fā)出觸發(fā)信號。
[0029]此外，TE板I放置在溫濕度控制箱2內(nèi)，升壓變壓器5、調(diào)壓變壓器4、交流分壓器、示波器6放置在溫濕度控制箱2外，從控制箱引出的連接線要用絕緣套管包裹，增加與控制箱外殼的絕緣距離。其中，TE板I的Xl端口管腳I與管腳4并連，與可控硅陰極相連;Xl端口的管腳2輸出TE板I的觸發(fā)脈沖;Xl端口的管腳3與外部接地點相連;Xl端口管腳5與交流電壓相連。
[0030]總得來說，本發(fā)明提供了一種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，包括提供為TE板加壓的高壓交流電源、搭建TE板取能回路、搭建TE板的加壓回路、搭建可控硅觸發(fā)回路、利用示波器監(jiān)測TE板信號等步驟，且TE板放置在溫濕度控制箱內(nèi)，其它設(shè)備通過控制箱引出的連接線設(shè)置在箱體外，從而在高濕度環(huán)境下利用高壓電源在TE板上施加電壓，監(jiān)視TE板關(guān)鍵信號以及TE板送可控硅的觸發(fā)信號，檢驗TE板在高污高濕情況下的工作性能，有效避免了誤觸發(fā)事故，保障電網(wǎng)設(shè)備安全。
[0031]上列詳細(xì)說明是針對本發(fā)明可行實施例的具體說明，該實施例并非用以限制本發(fā)明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明所為的等效實施或變更，均應(yīng)包含于本案的專利范圍中。
【主權(quán)項】
1.一種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，其特征在于，包括以下步驟: (a)將待試驗的TE板放置在溫濕度控制箱內(nèi)，并在溫濕度控制箱外調(diào)制好TE板加壓試驗的高壓交流電源； (b)將阻尼電阻和阻尼電容串聯(lián)后，一端連接至高壓交流電源，另一端連接至TE板的Xl端口的管腳5，搭建TE板的取能回路，用于獲取TE板TE板電子回路的工作電源； (c)分別將TE板X2端口接入交流電源高壓端、Xl端口的管腳3接入低壓端，搭建TE板的加壓回路，用于獲取TE板兩端的電壓； (d)分別將可控硅的陽極經(jīng)限流電阻與高壓交流電源的高壓端和TE板的X2端口相連，陰極與高壓交流電源的低壓端和TE板Xl端口的管腳I相連，門極與TE板Xl端口的管腳2相連，搭建可控硅的觸發(fā)回路，用于發(fā)送脈沖信號至可控硅門極觸發(fā)可控硅； (e)在可控硅兩端并聯(lián)設(shè)置在溫濕度控制箱外的交流分壓器，并分別將該交流分壓器、TE板過電壓保護(hù)回路中的保護(hù)電容的低壓端連入設(shè)置在溫濕度控制箱外的示波器，監(jiān)測可控硅兩端電壓和保護(hù)電容低壓端電壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，其特征在于，所述高壓交流電源包括220V交流電源，該220V交流電源依次連接容量為lOkVA、調(diào)節(jié)范圍為O?250V的調(diào)壓變壓器及變比為150V/10kV的升壓變壓器，且所述220V電源的一端接地。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，其特征在于，從所述溫濕度控制箱引出的連接線上包裹有絕緣套管。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種潮濕環(huán)境下可控硅電子設(shè)備加壓試驗方法，包括提供為TE板加壓的高壓交流電源、搭建TE板取能回路、搭建TE板的加壓回路、搭建可控硅觸發(fā)回路、利用示波器監(jiān)測TE板信號等步驟，且TE板放置在溫濕度控制箱內(nèi)，其它設(shè)備通過控制箱引出的連接線設(shè)置在箱體外，從而在高濕度環(huán)境下利用高壓電源在TE板上施加電壓，監(jiān)視TE板關(guān)鍵信號以及TE板送可控硅的觸發(fā)信號，檢驗TE板在高污高濕情況下的工作性能，有效避免了誤觸發(fā)事故，保障電網(wǎng)設(shè)備安全。
【IPC分類】G01R31/26
【公開號】CN105676100
【申請?zhí)枴緾N201610035377
【發(fā)明人】黃義隆, 唐金昆, 霍立海, 李晉偉
【申請人】中國南方電網(wǎng)有限責(zé)任公司超高壓輸電公司檢修試驗中心
【公開日】2016年6月15日
【申請日】2016年1月19日