磁傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁傳感器,尤其是涉及包含磁阻元件的磁傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]作為公開有實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)檢測(cè)的各向同性的提高的磁傳感器的在先文獻(xiàn),具有日本特開平11-274598號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)、日本特開平9-102638號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)、國(guó)際公開第2013/171977號(hào)(專利文獻(xiàn)3)、日本特開2012-88225號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)以及日本特開2013-250182號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)5)。
[0003]在專利文獻(xiàn)I記載的磁傳感器中,磁阻元件的圖案呈螺旋狀。螺旋狀的圖案的兩端部各自形成在位于相反側(cè)的最外部。磁阻元件的圖案實(shí)質(zhì)上僅由彎曲部形成。
[0004]在專利文獻(xiàn)2記載的磁傳感器中,磁阻元件呈漩渦狀卷繞多卷而成為圓形狀,并且相對(duì)于外部磁場(chǎng)而等方位地成膜形成。
[0005]在專利文獻(xiàn)3記載的磁傳感器中,橋接電路的多個(gè)磁阻元件各自整體形成為電連接的彎彎曲曲狀,其中,沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多根部分以規(guī)定間隔平行排列,以依次折回的方式連結(jié),并且上述多根部分分別以沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多根部分以規(guī)定間隔平行排列且依次折回的方式連結(jié)。
[0006]專利文獻(xiàn)4記載的磁傳感器通過(guò)作為直徑不同的半圓弧狀的圖案連續(xù)相連的形狀的兩個(gè)磁阻元件以并聯(lián)的方式連接而構(gòu)成。
[0007]在專利文獻(xiàn)5記載的磁傳感器中,正八邊形的第一傳感檢測(cè)部的中心與正八邊形的第二傳感檢測(cè)部的中心一致,在第二傳感檢測(cè)部的外側(cè)配置有第一傳感檢測(cè)部。第二傳感檢測(cè)部的第二磁阻元件的線狀的布局相對(duì)于第一傳感檢測(cè)部的第一磁阻元件的線狀的布局傾斜22.5°。
[0008]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-274598號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)2:日本特開平9-102638號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)3:國(guó)際公開第2013/171977號(hào)
[0013]專利文獻(xiàn)4:日本特開2012-88225號(hào)公報(bào)
[0014]專利文獻(xiàn)5:日本特開2013-250182號(hào)公報(bào)
[0015]發(fā)明的概要
[0016]發(fā)明要解決的課題
[0017]在專利文獻(xiàn)1、2中,對(duì)于使用多個(gè)磁阻元件構(gòu)成磁傳感器的情況沒(méi)有記載及啟示。在專利文獻(xiàn)3?5記載的磁傳感器中,對(duì)于磁場(chǎng)檢測(cè)的各向同性具有能夠進(jìn)一步提高的余地。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0018]本發(fā)明是鑒于上述的問(wèn)題點(diǎn)而作出的,其目的在于提供一種提高磁場(chǎng)檢測(cè)的各向同性的磁傳感器。
[0019]用于解決課題的手段
[0020]基于本發(fā)明的磁傳感器是具備彼此電連接而構(gòu)成橋接電路的多個(gè)磁阻元件的磁傳感器。多個(gè)磁阻元件包含多個(gè)第一磁阻元件以及多個(gè)第二磁阻元件。多個(gè)第一磁阻元件各自的阻值變化率大于多個(gè)第二磁阻元件各自的阻值變化率。多個(gè)第一磁阻元件在俯視下分別具有雙重旋渦狀圖案。雙重旋渦狀圖案包含一方的旋渦狀圖案、另一方的旋渦狀圖案以及將一方的旋渦狀圖案與另一方的旋渦狀圖案在雙重旋渦狀圖案的中央部連結(jié)的S字狀圖案或者反S字狀圖案。多個(gè)第一磁阻元件各自以S字狀圖案或者反S字狀圖案的朝向彼此不同的方式,使雙重旋渦狀圖案在周向上的朝向不同。
[0021]在本發(fā)明的一方式中,磁傳感器作為多個(gè)第一磁阻元件而包含兩個(gè)第一磁阻元件。兩個(gè)第一磁阻元件各自以S字狀圖案或者反S字狀圖案的朝向彼此相差90°的方式,使雙重旋渦狀圖案在周向上的朝向相差90°。
[0022]在本發(fā)明的一方式中,雙重旋渦狀圖案在一方的旋渦狀圖案以及另一方的旋渦狀圖案的外周部分別具有雙重旋渦狀圖案的長(zhǎng)度調(diào)整用冗長(zhǎng)部。長(zhǎng)度調(diào)整用冗長(zhǎng)部通過(guò)一方的旋渦狀圖案以及另一方的旋渦狀圖案各自彎曲且折回而構(gòu)成。在一方的旋渦狀圖案上設(shè)置的長(zhǎng)度調(diào)整用冗長(zhǎng)部與在另一方的旋渦狀圖案上設(shè)置的長(zhǎng)度調(diào)整用冗長(zhǎng)部在雙重旋渦狀圖案的徑向上彼此位于相反側(cè)。
[0023]在本發(fā)明的一方式中,多個(gè)第二磁阻元件分別包含具有多個(gè)曲部且折回的至少一個(gè)單位圖案。單位圖案不包含?ο μ m以上長(zhǎng)度的直線狀延伸部。
[0024]在本發(fā)明的一方式中,單位圖案在多個(gè)曲部處分別折曲。
[0025]在本發(fā)明的一方式中,單位圖案在多個(gè)曲部處分別彎曲。
[0026]在本發(fā)明的一方式中,多個(gè)第二磁阻元件分別包含多個(gè)單位圖案。多個(gè)單位圖案配置在假想圓上且彼此連接。
[0027]在本發(fā)明的一方式中,多個(gè)第二磁阻元件分別包含多個(gè)單位圖案。多個(gè)單位圖案配置在假想多邊形上且彼此連接。
[0028]在本發(fā)明的一方式中,多個(gè)第二磁阻元件分別包含多個(gè)單位圖案。多個(gè)單位圖案配置在假想直線上且彼此連接。
[0029]發(fā)明效果
[0030]根據(jù)本發(fā)明,能夠提高磁場(chǎng)檢測(cè)的各向同性。
【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1是表示構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的橋接電路的四個(gè)磁阻元件的圖案的俯視圖。
[0032]圖2是本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的等效電路圖。
[0033]圖3是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的橋接電路中的磁阻元件與布線之間的連接部的層疊構(gòu)造的剖視圖。
[0034]圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的第一磁阻元件的圖案的俯視圖。
[0035]圖5是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的第二磁阻元件所具有的圖案的俯視圖。
[0036]圖6是表示本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的第二磁阻元件所具有的圖案中包含的單位圖案的俯視圖。
[0037]圖7是表示將相對(duì)于本實(shí)施方式的磁傳感器的外部磁場(chǎng)的施加方向在水平方向上以22.5°間隔從0°變化至337.5°而求出外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度與磁傳感器的輸出之間的關(guān)系的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0038]圖8是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的磁傳感器的第二磁阻元件具有的圖案的俯視圖。
[0039]圖9是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的磁傳感器的第二磁阻元件具有的圖案所包含的單位圖案的俯視圖。
[0040]圖10是表示本發(fā)明實(shí)施方式3的磁傳感器的第二磁阻元件具有的圖案的俯視圖。
[0041]圖11是表示本發(fā)明實(shí)施方式3的磁傳感器的第二磁阻元件具有的圖案所包含的單位圖案的俯視圖。
[0042]圖12是表示構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式4的磁傳感器的橋接電路的四個(gè)磁阻元件的圖案的俯視圖。
[0043]圖13是表示本發(fā)明實(shí)施方式4的磁傳感器的第二磁阻元件具有的圖案的俯視圖。
[0044]圖14是表示構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式5的磁傳感器的橋接電路的四個(gè)磁阻元件的圖案的俯視圖。
[0045]圖15是表TK本發(fā)明實(shí)施方式5的磁傳感器的第一磁阻兀件的圖案的俯視圖。
[0046]圖16是表示本發(fā)明實(shí)施方式5的磁傳感器的第二磁阻元件具有的圖案的俯視圖。
[0047]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0048]10 磁性體層,20 導(dǎo)電層,30 保護(hù)層,100、400、500 磁傳感器,110 基板,120,520雙重旋渦狀圖案,120a、120b、520a、520b第一磁阻元件,121,521 一方的旋渦狀圖案,122、522 另一方的旋渦狀圖案,123 反S字狀圖案,124、125、524、525 長(zhǎng)度調(diào)整用冗長(zhǎng)部,130、230、330、430、530 圖案,130a、130b、430a、430b、530a、530b 第二磁阻元件,140、141 中點(diǎn),145、146、147、148、149、150、151、152 布線,160 差動(dòng)放大器,161 溫度補(bǔ)償電路,162鎖開關(guān)電路,163 CMOS驅(qū)動(dòng)器,170、270、370、470單位圖案,170a、270a、370a,570a 始端部,170b、270b、370b、570b 終端部,523 S 字狀圖案,B1 ?B15 曲部,C1假想圓,C2假想矩形,C3假想直線,L作為布線發(fā)揮功能的區(qū)域,L1?L15直線狀延伸部,R作為磁阻元件發(fā)揮功能的區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0049]以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式的磁傳感器進(jìn)行說(shuō)明。在以下的實(shí)施方式的說(shuō)明中,對(duì)圖中的相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同附圖標(biāo)記而不重復(fù)該說(shuō)明。
[0050](實(shí)施方式I)
[0051]圖1是表示構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式I所涉及的磁傳感器的橋接電路的四個(gè)磁阻元件的圖案的俯視圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器的等效電路圖。
[0052]如圖1、2所示,本發(fā)明實(shí)施方式I的磁傳感器100具備彼此電連接而構(gòu)成惠斯登電橋型的橋接電路的四個(gè)磁阻元件。四個(gè)磁阻元件包含兩個(gè)第一磁阻元件120a、120b以及兩個(gè)第二磁阻元件130a、130b。<