一種可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于芯片的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及芯片電壓檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]數(shù)模混合芯片一般都有內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，為了保證參考電壓的絕對(duì)精度和一致性，芯片出廠時(shí)都會(huì)在量產(chǎn)測試中進(jìn)行參考電壓校準(zhǔn)。雖然芯片本身參考電壓可以校準(zhǔn)到精度很高，但由于芯片與測試機(jī)臺(tái)接觸情況會(huì)影響測試精度，所以高精度基準(zhǔn)電壓校準(zhǔn)是受限于芯片與測試機(jī)臺(tái)的接觸情況。接觸情況體現(xiàn)在接觸電阻不同，從而影響電壓校準(zhǔn)精度。
[0003]專利申請(qǐng)201210312733.X公開了一種芯片內(nèi)部電源輸出電壓測量系統(tǒng)及方法。該芯片內(nèi)部電源輸出電壓測量系統(tǒng)包括:測試機(jī)以及探針卡；其中所述測試機(jī)通過所述探針卡連接至待測芯片；其中，所述測試機(jī)包括驅(qū)動(dòng)電壓施加單元以及電源管理單元；而且其中，所述驅(qū)動(dòng)電壓施加單元用于向內(nèi)部電源供電以確保電源供給的準(zhǔn)確性；所述電源管理單元用于所述向所述待測芯片施加驅(qū)動(dòng)電流，以量測所述待測芯片的內(nèi)部電源輸出電壓；并且其中，所述測試機(jī)的第一通道和第二通道在輸出端相互短接并連接至所述探針卡的一個(gè)輸入端口 ；而且，所述探針卡的所述輸入端口對(duì)應(yīng)于所述待測芯片的一個(gè)引腳。。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法，該方法提供一種可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法，可對(duì)被測芯片和測量設(shè)備不同的接觸情況進(jìn)行電壓補(bǔ)償來提高電壓測量精度。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下。
[0006]一種可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法，其特征在于該方法通過兩次測量疊加在地線的電流值可測量得到兩次測量電壓，測試設(shè)備也可獲得的兩次電壓測試值，由此得到地線的接觸電阻，之后算出被測芯片輸出的電壓值，即進(jìn)行電壓補(bǔ)償后的電壓值，該方法排除了由于接觸不良導(dǎo)致接觸電阻不同引起的不良影響，能夠準(zhǔn)確地測量電壓，提高電壓測量的精度。
[0007]所述方法，第一次測試設(shè)備測量被測芯片的參考電壓為VBC，而被測芯片實(shí)際輸出的參考電壓為VEF，由于測試設(shè)備的地引腳與測試設(shè)備的地引腳CF地線之間存在接觸電阻，可得到以下表達(dá)式:
[0008]VBC = VEF+I1*(R0+R0X)......(I)
[0009]第二次測試時(shí)，測試設(shè)備需在測試設(shè)備供給被測芯片的電源引腳A端供電，同時(shí)額外增加被測芯片的普通輸入輸出引腳12的驅(qū)動(dòng)電流，則測試設(shè)備供給被測芯片的電源弓丨腳與被測芯片的電源引腳AD的電流為11+12 ；
[0010]同時(shí)，測試設(shè)備需在測試設(shè)備的可給電流激勵(lì)的引腳H端通過被測芯片的被測芯片的普通輸入輸出引腳I端給被測芯片灌入電流12，則測試設(shè)備的地引腳與測試設(shè)備的地引腳CF的電流為11+12，測試設(shè)備測量被測芯片的參考電壓為VBC2，而被測芯片實(shí)際輸出的參考電壓為VEF，可得到以下表達(dá)式:[0011 ] VBC2 = VEF+ (11+12) * (R0+R0X)......(2)
[0012]由公式(I), (2)可得
[0013](RO+ROX) = (VBC2-VBC)/I2......(3)
[0014]VEF = VBC-11*(VBC2-VBC)/I2......(4)
[0015]由兩次測試的結(jié)果，則公式⑷就可精確得出芯片輸出的參考電壓值，其中II* (VBC2-VBC)/12為接觸電阻補(bǔ)償回來的電壓值。
[0016]本發(fā)明通過對(duì)被測芯片的兩次電壓測量，獲得兩次電壓測試值，由此得到地線的接觸電阻，之后進(jìn)行電壓補(bǔ)償，算出被測芯片輸出的電壓值。該方法排除了由于接觸不良導(dǎo)致接觸電阻不同引起的不良影響，能夠準(zhǔn)確地測量電壓，提高電壓測量的精度。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明所實(shí)施的電路圖。
[0018]圖2是本發(fā)明另一所種實(shí)施方式的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]參考圖1和圖2，D為被測芯片的電源引腳，F(xiàn)為測試設(shè)備的地引腳，E為被測芯片的參考電壓輸出引腳，I為被測芯片的普通輸入輸出引腳洫為測試設(shè)備供給被測芯片的電源引腳，C為測試設(shè)備的地引腳，B為測試測試測量電壓的引腳，H為測試設(shè)備的可給電流激勵(lì)的引腳。
[0021]RO為測試設(shè)備和被測芯片地線接觸良好時(shí)的電阻，ROX為測試設(shè)備和被測芯片地線接觸不良時(shí)的增加阻值。
[0022]Rl為測試設(shè)備和被測芯片內(nèi)部參考電壓線接觸良好時(shí)的電阻，RlX為測試設(shè)備和被測芯片參考電壓線接觸不良時(shí)的增加阻值。
[0023]R2為測試設(shè)備和被測芯片電源線接觸良好時(shí)的電阻，R2X為測試設(shè)備和被測芯片電源線接觸不良時(shí)的增加阻值。
[0024]R3為測試設(shè)備和被測芯片1 口接觸良好時(shí)的電阻，R3X為測試設(shè)備和被測芯片1口接觸不良時(shí)的增加阻值。
[0025]由于BE兩端的阻抗非常大，所以電流可忽略。
[0026]針對(duì)圖1的(A)，測試設(shè)備A端口給被測芯片D端供電，Il為芯片的工作電流(可由測試設(shè)備測量得到)；對(duì)圖2的㈧，測試設(shè)備H端輸入高阻輸入，則HI不走電流。
[0027]第一次測試設(shè)備測量被測芯片的參考電壓為VBC，而被測芯片實(shí)際輸出的參考電壓為VEF，由于CF地線之間存在接觸電阻，可得到以下表達(dá)式:
[0028]VBC = VEF+I1*(R0+R0X)......(I)
[0029]第二次測試時(shí)，對(duì)圖1的⑶來說，測試設(shè)備需在A端供電，同時(shí)額外增加12的驅(qū)動(dòng)電流，則AD的電流為11+12 ;對(duì)圖2的⑶來說，測試設(shè)備需在H端通過被測芯片的I端給被測芯片灌入電流12，則CF的電流為11+12，測試設(shè)備測量被測芯片的參考電壓為VBC2，而被測芯片實(shí)際輸出的參考電壓為VEF，可得到以下表達(dá)式:
[0030]VBC2 = VEF+(I1+I2)*(R0+R0X)......(2)
[0031]由公式(I)，(2)可得
[0032](R0+R0X) = (VBC2-VBC)/I2......(3)
[0033]VEF = VBC-1I*(VBC2-VBC)/12......(4)
[0034]由兩次測試的結(jié)果，則公式(4)就可精確得出芯片輸出的參考電壓值，II* (VBC2-VBC)/12為接觸電阻補(bǔ)償回來的電壓值。
[0035]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法，其特征在于該方法通過兩次測量疊加在地線的電流值可測量得到兩次測量電壓，測試設(shè)備也可獲得的兩次電壓測試值，由此得到地線的接觸電阻，之后算出被測芯片輸出的電壓值。2.如權(quán)利要求1所述的可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法，其特征在于第一次測試設(shè)備測量被測芯片的參考電壓為VBC，而被測芯片實(shí)際輸出的參考電壓為VEF，由于測試設(shè)備的地引腳與測試設(shè)備的地引腳CF地線之間存在接觸電阻，可得到以下表達(dá)式: VBC = VEF+I1*(R0+R0X)......(I) 第二次測試時(shí)，測試設(shè)備需在測試設(shè)備供給被測芯片的電源引腳A端供電，同時(shí)額外增加被測芯片的普通輸入輸出引腳12的驅(qū)動(dòng)電流，則測試設(shè)備供給被測芯片的電源引腳與被測芯片的電源引腳AD的電流為11+12 ； 同時(shí)，測試設(shè)備需在測試設(shè)備的可給電流激勵(lì)的引腳H端通過被測芯片的被測芯片的普通輸入輸出引腳I端給被測芯片灌入電流12，則測試設(shè)備的地引腳與測試設(shè)備的地引腳CF的電流為11+12，測試設(shè)備測量被測芯片的參考電壓為VBC2，而被測芯片實(shí)際輸出的參考電壓為VEF，可得到以下表達(dá)式: VBC2 = VEF+(I1+I2)*(R0+R0X)......(2) 由公式(I), (2)可得 (RO+ROX) = (VBC2-VBC)/I2......(3) VEF = VBC-11*(VBC2-VBC)/I2......(4) 由兩次測試的結(jié)果，則公式⑷就可精確得出芯片輸出的參考電壓值，其中II* (VBC2-VBC)/12為接觸電阻補(bǔ)償回來的電壓值。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可補(bǔ)償?shù)碾妷簻y量方法，該方法通過兩次測量疊加在地線的電流值可測量得到兩次測量電壓，測試設(shè)備也可獲得的兩次電壓測試值，由此得到地線的接觸電阻，之后算出被測芯片輸出的電壓值，即進(jìn)行電壓補(bǔ)償后的電壓值，該方法排除了由于接觸不良導(dǎo)致接觸電阻不同引起的不良影響，能夠準(zhǔn)確地測量電壓，提高電壓測量的精度。
【IPC分類】G01R19/00
【公開號(hào)】CN105021865
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510304278
【發(fā)明人】謝韶波, 喬愛國, 萬巍, 李曉
【申請(qǐng)人】深圳市芯?？萍加邢薰?br>【公開日】2015年11月4日
【申請(qǐng)日】2015年6月4日