本公開涉及電子設(shè)備測(cè)試，尤其涉及一種光耦繼電器性能檢測(cè)方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、光耦繼電器是一種將輸入信號(hào)與輸出部分電氣隔離的器件。它由光電耦合器件和繼電器組成。光電耦合器件通常是一個(gè)光電二極管和一個(gè)光電晶體管，通過(guò)輸入端的光信號(hào)來(lái)控制輸出端的電信號(hào)。光耦繼電器的作用是將輸入端的光信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸出端的電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)輸入和輸出之間的電氣隔離。通過(guò)光電二極管將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，然后由光電晶體管來(lái)控制繼電器的開關(guān)狀態(tài)。

2、光耦繼電器作為變電系統(tǒng)電平隔離的關(guān)鍵組件，其穩(wěn)定性對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的平穩(wěn)運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。因此，有必要對(duì)光耦的退化機(jī)理與壽命進(jìn)行研究，以便明確光耦繼電器運(yùn)行狀態(tài)，從而分析其老化情況，為制定運(yùn)維措施及設(shè)備的全生命周期管理提供技術(shù)支撐。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本公開提供一種光耦繼電器性能檢測(cè)方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備。

2、根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種光耦繼電器性能檢測(cè)方法，所述方法包括：

3、確定初始狀態(tài)下通過(guò)預(yù)設(shè)輸入電流，觸發(fā)待測(cè)光耦繼電器開啟時(shí)，所述待測(cè)光耦繼電器兩端對(duì)應(yīng)開啟電壓的第一參數(shù)；

4、在多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，在所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)期限內(nèi)，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器的開啟電壓進(jìn)行持續(xù)檢測(cè)，生成在所述檢測(cè)期限內(nèi)，所述多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的過(guò)程變化參數(shù)；

5、獲取所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)結(jié)束后，所述待測(cè)光耦繼電器在經(jīng)過(guò)所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)后的第二參數(shù)，所述第二參數(shù)用于指示所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓的退化情況；

6、將所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)進(jìn)行參數(shù)對(duì)比，確定所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)初始參數(shù)與結(jié)果參數(shù)之間的參數(shù)差值；獲取所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化常數(shù)，所述失效變化常數(shù)用于指示所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)失效速率的變化趨勢(shì)；

7、根據(jù)所述參數(shù)差值、所述失效變化常數(shù)和所述過(guò)程變化參數(shù)，確定所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化速率，根據(jù)所述第一參數(shù)和所述失效變化速率，生成所述待測(cè)光耦繼電器的性能檢測(cè)結(jié)果，所述性能檢測(cè)結(jié)果包括所述待測(cè)光耦繼電器在所述預(yù)設(shè)輸入電流下的性能失效時(shí)長(zhǎng)。

8、可選地，所述根據(jù)所述參數(shù)差值、所述失效變化常數(shù)和所述過(guò)程變化參數(shù)，確定所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化速率，包括：

9、將所述過(guò)程變化參數(shù)轉(zhuǎn)化為所述待測(cè)光耦繼電器在加電偏置試驗(yàn)狀態(tài)下開啟電壓的參考變化曲線；基于余弦相似度對(duì)所述參考變化曲線與設(shè)定變化曲線之間的相似程度進(jìn)行評(píng)估，生成所述參考變化曲線的目標(biāo)相似度系數(shù)；

10、確定當(dāng)前狀態(tài)下的相似度系數(shù)閾值；

11、根據(jù)所述目標(biāo)相似度系數(shù)與所述相似度系數(shù)閾值之間的大小關(guān)系，確定所述失效變化速率的目標(biāo)計(jì)算方式；

12、根據(jù)所述目標(biāo)計(jì)算方式、所述失效變化常數(shù)和所述過(guò)程變化參數(shù)，確定所述失效變化速率。

13、可選地，所述確定當(dāng)前狀態(tài)下的相似度系數(shù)閾值，包括：

14、獲取所述待測(cè)光耦繼電器的開啟電壓對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況與設(shè)定變化情況之間的歷史相似度信息；

15、根據(jù)所述歷史相似度信息，確定指數(shù)平滑預(yù)測(cè)的霍爾特預(yù)測(cè)項(xiàng)；

16、根據(jù)所述霍爾特預(yù)測(cè)項(xiàng)和設(shè)定基準(zhǔn)閾值，確定當(dāng)前狀態(tài)下的所述相似度系數(shù)閾值。

17、可選地，所述根據(jù)所述目標(biāo)相似度系數(shù)與所述相似度系數(shù)閾值之間的大小關(guān)系，確定所述失效變化速率的目標(biāo)計(jì)算方式，包括：

18、若所述目標(biāo)相似度系數(shù)小于所述相似度系數(shù)閾值，則確定所述目標(biāo)計(jì)算方式為第一設(shè)定計(jì)算方式，其中，所述第一設(shè)定計(jì)算方式包括：

19、

20、其中，所述為失效變化速率，所述為所述參數(shù)差值，所述為所述失效變化常數(shù)，所述為所述第二參數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)，所述為所述第一參數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)；

21、若所述目標(biāo)相似度系數(shù)大于所述相似度系數(shù)閾值，則確定所述目標(biāo)計(jì)算方式為第二設(shè)定計(jì)算方式，其中所述第二設(shè)定計(jì)算方式包括：

22、

23、其中，所述為所述參數(shù)差值，所述為所述第二參數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)，所述為所述第一參數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間點(diǎn)，所述為所述失效變化常數(shù)。

24、可選地，所述在多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，在所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)期限內(nèi)，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器的開啟電壓進(jìn)行持續(xù)檢測(cè)，生成在所述檢測(cè)期限內(nèi)，所述多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的過(guò)程變化參數(shù)，包括：

25、在溫度為30℃、相對(duì)濕度為40%的設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，生成所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的第一變化參數(shù)；

26、在溫度為40℃、相對(duì)濕度為50%的設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，生成所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的第二變化參數(shù)；

27、在溫度為50℃、相對(duì)濕度為60%的設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，生成所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的第三變化參數(shù)；

28、根據(jù)所述第一變化參數(shù)、所述第二變化參數(shù)和所述第三變化參數(shù)，生成所述過(guò)程變化參數(shù)。

29、可選地，所述根據(jù)所述第一變化參數(shù)、所述第二變化參數(shù)和所述第三變化參數(shù)，生成所述過(guò)程變化參數(shù)，包括：

30、根據(jù)所述第一變化參數(shù)，生成第一變化曲線；根據(jù)所述第二變化參數(shù)，生成第二變化曲線；根據(jù)所述第三變化參數(shù)，生成第三變化曲線；

31、對(duì)所述第一變化曲線、所述第二變化曲線和所述第三變化曲線進(jìn)行函數(shù)擬合，生成多個(gè)擬合函數(shù)；

32、確定所述多個(gè)擬合函數(shù)的平均值，生成所述過(guò)程變化參數(shù)。

33、根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面，提供一種光耦繼電器性能檢測(cè)裝置，包括：

34、第一確定模塊，用于確定初始狀態(tài)下通過(guò)預(yù)設(shè)輸入電流，觸發(fā)待測(cè)光耦繼電器開啟時(shí)，所述待測(cè)光耦繼電器兩端對(duì)應(yīng)開啟電壓的第一參數(shù)；

35、檢測(cè)模塊，用于在多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，在所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)期限內(nèi)，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器的開啟電壓進(jìn)行持續(xù)檢測(cè)，生成在所述檢測(cè)期限內(nèi)，所述多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的過(guò)程變化參數(shù)；

36、獲取模塊，用于獲取所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)結(jié)束后，所述待測(cè)光耦繼電器在經(jīng)過(guò)所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)后的第二參數(shù)，所述第二參數(shù)用于指示所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓的退化情況；

37、第二確定模塊，用于將所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)進(jìn)行參數(shù)對(duì)比，確定所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)初始參數(shù)與結(jié)果參數(shù)之間的參數(shù)差值；獲取所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化常數(shù)，所述失效變化常數(shù)用于指示所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)失效速率的變化趨勢(shì)；

38、執(zhí)行模塊，用于根據(jù)所述參數(shù)差值、所述失效變化常數(shù)和所述過(guò)程變化參數(shù)，確定所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化速率，根據(jù)所述第一參數(shù)和所述失效變化速率，生成所述待測(cè)光耦繼電器的性能檢測(cè)結(jié)果，所述性能檢測(cè)結(jié)果包括所述待測(cè)光耦繼電器在所述預(yù)設(shè)輸入電流下的性能失效時(shí)長(zhǎng)。

39、可選地，所述執(zhí)行模塊，包括：

40、生成子模塊，用于將所述過(guò)程變化參數(shù)轉(zhuǎn)化為所述待測(cè)光耦繼電器在所述加電偏置試驗(yàn)狀態(tài)下開啟電壓的參考變化曲線；基于余弦相似度對(duì)所述參考變化曲線與設(shè)定變化曲線之間的相似程度進(jìn)行評(píng)估，生成所述參考變化曲線的目標(biāo)相似度系數(shù)；

41、第一確定子模塊，用于確定當(dāng)前狀態(tài)下的相似度系數(shù)閾值；

42、第二確定子模塊，用于根據(jù)所述目標(biāo)相似度系數(shù)與所述相似度系數(shù)閾值之間的大小關(guān)系，確定所述失效變化速率的目標(biāo)計(jì)算方式；

43、第三確定子模塊，用于根據(jù)所述目標(biāo)計(jì)算方式、所述失效變化常數(shù)和所述過(guò)程變化參數(shù)，確定所述失效變化速率。

44、根據(jù)本公開實(shí)施例的第三方面，提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)第一方面中任一項(xiàng)所述方法的步驟。

45、根據(jù)本公開實(shí)施例的第四方面，提供一種電子設(shè)備，包括：

46、處理器；

47、用于存儲(chǔ)處理器可執(zhí)行指令的存儲(chǔ)器；

48、其中，所述處理器被配置為執(zhí)行所述存儲(chǔ)器中的可執(zhí)行指令，以實(shí)現(xiàn)第一方面中任意一項(xiàng)所述的方法。

49、本公開的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：

50、在上述方案中，確定初始狀態(tài)下通過(guò)預(yù)設(shè)輸入電流，觸發(fā)待測(cè)光耦繼電器開啟時(shí)，所述待測(cè)光耦繼電器兩端對(duì)應(yīng)開啟電壓的第一參數(shù)，在多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器進(jìn)行偏置檢測(cè)試驗(yàn)，在所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)期限內(nèi)，對(duì)所述待測(cè)光耦繼電器的開啟電壓進(jìn)行持續(xù)檢測(cè)，生成在所述檢測(cè)期限內(nèi)，所述多個(gè)設(shè)定檢測(cè)條件下所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓變化情況的過(guò)程變化參數(shù)，獲取所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)結(jié)束后，所述待測(cè)光耦繼電器在經(jīng)過(guò)所述偏置檢測(cè)試驗(yàn)后的第二參數(shù)，所述第二參數(shù)用于指示所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)開啟電壓的退化情況，將所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)進(jìn)行參數(shù)對(duì)比，確定所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)初始參數(shù)與結(jié)果參數(shù)之間的參數(shù)差值；獲取所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化常數(shù)，所述失效變化常數(shù)用于指示所述待測(cè)光耦繼電器對(duì)應(yīng)失效速率的變化趨勢(shì)，根據(jù)所述參數(shù)差值、所述失效變化常數(shù)和所述過(guò)程變化參數(shù)，確定所述待測(cè)光耦繼電器的失效變化速率，根據(jù)所述第一參數(shù)和所述失效變化速率，生成所述待測(cè)光耦繼電器的性能檢測(cè)結(jié)果，所述性能檢測(cè)結(jié)果包括所述待測(cè)光耦繼電器在所述預(yù)設(shè)輸入電流下的性能失效時(shí)長(zhǎng)。從而通過(guò)對(duì)光耦繼電器的開啟電壓進(jìn)行檢測(cè)，確定光耦繼電器的退化失效時(shí)長(zhǎng)，基于退化失效時(shí)長(zhǎng)來(lái)判定光耦繼電器的性能，為對(duì)光耦繼電器進(jìn)行準(zhǔn)確評(píng)估提供了技術(shù)支撐，獲得光耦繼電器的性能評(píng)估結(jié)果。

51、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。