本發(fā)明涉及mems，特別涉及一種振動(dòng)傳感器以及應(yīng)用該振動(dòng)傳感器的電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)是近年來高速發(fā)展的一項(xiàng)高新技術(shù)，它采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，實(shí)現(xiàn)傳感器、驅(qū)動(dòng)器等器件的批量制造，與對(duì)應(yīng)的傳統(tǒng)器件相比，mems器件在體積、功耗、重量以及價(jià)格方面有十分明顯的優(yōu)勢(shì)。

2、骨聲紋是目前識(shí)別率非常高的生物識(shí)別技術(shù)之一。由于人的骨結(jié)構(gòu)都是獨(dú)一無二的，所以聲音在骨骼間的反射也是獨(dú)一無二的，每個(gè)人的骨聲反射都不同，收集之后系統(tǒng)將解析聲紋，檢測(cè)并與數(shù)據(jù)庫匹配，來達(dá)成安全解鎖移動(dòng)設(shè)備的目的因此有著比較高的安全性。骨聲紋傳感器是一種利用聲膜振動(dòng)時(shí)策動(dòng)空氣流動(dòng)，并以此來檢測(cè)流動(dòng)信號(hào)的一種傳感器。

3、隨著tws耳機(jī)市場(chǎng)的興起，現(xiàn)有的耳機(jī)在使用時(shí)，通常采用雙麥克風(fēng)的方式進(jìn)行降噪處理，但雙麥克風(fēng)的降噪方案效果較差，若使用者處于較為嘈雜的環(huán)境中，降噪效果不能滿足通話需求，使得通話質(zhì)量明顯下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的主要目的是提供一種振動(dòng)傳感器和電子設(shè)備，旨在提供一種采用骨聲紋識(shí)別技術(shù)的振動(dòng)傳感器，該振動(dòng)傳感器使用單個(gè)器件直接提取用戶聲帶振動(dòng)的聲音信號(hào)，可消除環(huán)境噪音，提高通話效果。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種振動(dòng)傳感器，所述振動(dòng)傳感器包括：

3、殼體，所述殼體設(shè)有容腔；

4、傳感器組件，所述傳感器組件包括設(shè)于所述容腔內(nèi)的asic芯片和mems芯片，所述mems芯片與所述殼體配合形成背腔和前腔；及

5、質(zhì)量塊，所述質(zhì)量塊設(shè)于所述mems芯片；

6、其中，所述mems芯片與所述殼體之間設(shè)有連通所述背腔和所述前腔的均壓通道。

7、在一實(shí)施方式中，所述質(zhì)量塊的材質(zhì)為金屬材質(zhì)，所述質(zhì)量塊與所述mems芯片之間設(shè)有絕緣層；

8、或，所述質(zhì)量塊的材質(zhì)為非金屬材質(zhì)；

9、或，所述質(zhì)量塊為第二膠層；

10、或，所述質(zhì)量塊包括第二膠層和配重部，所述第二膠層設(shè)于所述配重部和所述mems芯片之間。

11、在一實(shí)施方式中，所述振動(dòng)傳感器還包括限位結(jié)構(gòu)，所述限位結(jié)構(gòu)設(shè)于所述容腔內(nèi)，并與所述質(zhì)量塊對(duì)應(yīng)且間隔設(shè)置。

12、在一實(shí)施方式中，所述殼體包括基板和外殼，所述外殼與所述基板連接，并圍合形成所述容腔；

13、所述asic芯片設(shè)于所述基板，并與所述基板電連接，所述mems芯片設(shè)于所述基板，并與所述asic芯片間隔，所述mems芯片與所述asic芯片電連接；

14、其中，所述mems芯片與所述基板圍合形成所述背腔，所述mems芯片與所述基板和所述外殼圍合形成所述前腔，所述mems芯片與所述基板之間設(shè)有所述均壓通道。

15、在一實(shí)施方式中，所述mems芯片包括：

16、襯底，所述襯底設(shè)于所述基板；

17、敏感膜，所述敏感膜設(shè)于所述襯底遠(yuǎn)離所述基板的一端，所述質(zhì)量塊設(shè)于所述敏感膜；

18、其中，所述敏感膜、所述襯底及所述基板圍合形成所述背腔，所述敏感膜、所述襯底與所述基板和所述外殼圍合形成所述前腔，所述襯底和所述基板之間形成有所述均壓通道。

19、在一實(shí)施方式中，所述襯底面向所述基板的一側(cè)凹設(shè)有凹槽，所述凹槽與所述基板圍合形成所述均壓通道；

20、且/或，所述基板面向所述襯底的一側(cè)凹設(shè)有凹槽，所述凹槽與所述襯底圍合形成所述均壓通道；

21、且/或，所述襯底面向所述基板的一側(cè)凹設(shè)有第一凹槽，所述基板面向所述襯底的一側(cè)凹設(shè)有第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽配合形成所述均壓通道；

22、且/或，所述襯底與所述基板之間設(shè)有第一膠層，所述第一膠層具有缺口，所述缺口與所述襯底和所述基板圍合形成所述均壓通道。

23、在一實(shí)施方式中，所述敏感膜包括振膜和背極，所述振膜和所述背極呈相對(duì)且間隔設(shè)置，以在所述振膜和所述背極之間形成電容結(jié)構(gòu)，所述質(zhì)量塊設(shè)于所述振膜背向所述背極的一側(cè)。

24、在一實(shí)施方式中，所述振膜包括兩層，兩層所述振膜分別設(shè)于所述背極的相對(duì)兩側(cè)，且分別與所述背極呈相對(duì)且間隔設(shè)置，所述質(zhì)量塊設(shè)于至少一層所述振膜；

25、且/或，所述振膜設(shè)有第一泄氣孔，所述質(zhì)量塊設(shè)于所述振膜，并避讓所述第一泄氣孔；

26、且/或，所述背極設(shè)有連通所述背腔的第二泄氣孔。

27、在一實(shí)施方式中，所述asic芯片通過金線與所述基板電連接；

28、且/或，所述mems芯片通過金線與所述asic芯片電連接；

29、且/或，所述基板面向所述容腔的一側(cè)設(shè)有第一焊盤，所述第一焊盤通過金線與所述asic芯片焊接連接；

30、且/或，所述基板背向所述外殼的一側(cè)還設(shè)有第二焊盤，所述第二焊盤用于與外部電路連接。

31、在一實(shí)施方式中，所述基板設(shè)有氣孔，所述mems芯片設(shè)于所述基板，并環(huán)繞所述氣孔設(shè)置，以使所述氣孔與所述背腔連通；

32、或，所述外殼設(shè)有氣孔，所述氣孔與所述前腔連通。

33、在一實(shí)施方式中，所述振動(dòng)傳感器還包括密封層，所述密封層封堵所述氣孔。

34、在一實(shí)施方式中，所述均壓通道的縫隙面積大于或等于200平方微米；

35、且/或，所述均壓通道包括多個(gè)，多個(gè)所述均壓通道間隔設(shè)置于所述mems芯片和所述殼體之間，并環(huán)繞所述背腔設(shè)置；

36、且/或，所述振動(dòng)傳感器還包括防護(hù)層，所述防護(hù)層設(shè)于所述mems芯片和/或所述asic芯片。

37、本發(fā)明還提出一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括上述所述的振動(dòng)傳感器。

38、在一實(shí)施方式中，所述電子設(shè)備還包括主板，所述振動(dòng)傳感器通過焊錫焊接于所述主板。

39、在一實(shí)施方式中，所述主板對(duì)應(yīng)所述振動(dòng)傳感器的氣孔設(shè)有通孔；

40、且/或，所述電子設(shè)備還包括整機(jī)外殼，所述主板密封連接于所述整機(jī)外殼。

41、本發(fā)明技術(shù)方案的振動(dòng)傳感器通過在殼體內(nèi)設(shè)置容腔，從而方便利用容腔安裝、固定和保護(hù)傳感器組件，并利用傳感器組件進(jìn)行檢測(cè)或感應(yīng)；同時(shí)，通過將傳感器組件設(shè)置為設(shè)于容腔內(nèi)的asic芯片和mems芯片，使得mems芯片與殼體配合形成背腔和前腔，從而通過殼體將振動(dòng)信號(hào)傳遞至mems芯片，經(jīng)由mems芯片轉(zhuǎn)換為電信號(hào)進(jìn)行傳輸，并傳輸至asic芯片，asic芯片用于為mems芯片提供電壓，并對(duì)mems芯片輸出的信號(hào)進(jìn)行處理放大，從而使得振動(dòng)傳感器為電子設(shè)備表達(dá)該振動(dòng)信號(hào)，進(jìn)一步通過在mems芯片與殼體之間設(shè)有連通背腔和前腔的均壓通道，從而利用均壓通道為mems芯片降低阻尼，并提高靈敏度和信噪比；進(jìn)一步地，通過在mems芯片上設(shè)置質(zhì)量塊，從而利用質(zhì)量塊提高mems芯片的敏感膜的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和靈敏度，并提高mems芯片的敏感膜的抗沖擊能力，降低mems芯片的敏感膜破裂失效的概率，使得振動(dòng)傳感器采用骨聲紋識(shí)別技術(shù)，使用單個(gè)器件直接提取用戶聲帶振動(dòng)的聲音信號(hào)，可消除環(huán)境噪音，提高通話效果。