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一種電感式壓力傳感器及其制備方法

文檔序號(hào):40593841發(fā)布日期:2025-01-07 20:34閱讀:10來源:國(guó)知局
一種電感式壓力傳感器及其制備方法

本發(fā)明涉及傳感器,特別涉及一種電感式壓力傳感器及其制備方法。


背景技術(shù):

1、壓力傳感器是能感受壓力信號(hào),并能按照一定的規(guī)律將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換成可用的輸出電信號(hào)的器件或裝置。電磁感應(yīng)原理是指放在變化磁通量中的導(dǎo)體,會(huì)產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì),此電動(dòng)勢(shì)稱為感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)或感生電動(dòng)勢(shì),若將此導(dǎo)體閉合成一回路,則該電動(dòng)勢(shì)會(huì)驅(qū)使閉合回路的電子流動(dòng),形成感應(yīng)電流。

2、電感式壓力傳感器是一種基于電磁感應(yīng),將待測(cè)量的壓力變化轉(zhuǎn)換為自身電感值變化的的傳感器。當(dāng)受到外部壓力作用時(shí),壓力傳感器的磁鐵產(chǎn)生位移,穿過閉合電路的磁通量發(fā)生變化,從而產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),形成感應(yīng)電流,通過測(cè)量電流的變化可以準(zhǔn)確地得到外部壓力變化的信息。

3、目前,現(xiàn)有的電感式傳感器大多數(shù)響應(yīng)速度較慢,不適合快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的場(chǎng)合,而且存在分辨率較低,穩(wěn)定性差等問題。為了解決上述問題,有必要研究一種同時(shí)兼具較高的靈敏度和較寬的檢測(cè)范圍,并可快速響應(yīng)動(dòng)態(tài)壓力的電感式壓力傳感器,應(yīng)用于各種需要快速進(jìn)行壓力檢測(cè)的場(chǎng)合。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的問題是:提供一種電感式壓力傳感器及其制備方法,具較高的靈敏度和較寬的檢測(cè)范圍,用于快速響應(yīng)動(dòng)態(tài)的壓力檢測(cè)。

2、本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種電感式壓力傳感器,包括:由下至上依次設(shè)置的襯底、線圈陣列、絕緣層、輸出電路、支撐墻體、pdms薄膜;

3、所述襯底和pdms薄膜之間通過支撐墻體形成支撐空腔;

4、若干個(gè)永磁鐵鑲嵌于pdms薄膜內(nèi)部凹槽中,pdms薄膜受到壓力時(shí),pdms薄膜帶動(dòng)永磁鐵位置發(fā)生變化;

5、所述線圈陣列設(shè)置于支撐空腔下部,線圈陣列和輸出電路通過設(shè)置于絕緣層內(nèi)的連接孔連接,線圈陣列和pdms薄膜之間形成壓力傳遞空腔間隙,用于擴(kuò)大壓力檢測(cè)范圍。

6、具體地,所述襯底為si,所述線圈陣列設(shè)置于襯底上方,所述絕緣層用于隔絕所述線圈陣列和輸出電路,所述線圈陣列和輸出電路為cu,所述絕緣層為al2o3。

7、具體地,所述線圈陣列和輸出電路的厚度為分別200nm,所述絕緣層的厚度為100nm,所述支撐墻體的厚度為40μm,所述pdms薄膜的厚度為450μm。

8、進(jìn)一步地,線圈陣列以5*5陣列整齊排列,用于增大輸出電流,每個(gè)線圈以等距螺旋線的方式旋轉(zhuǎn)10圈。

9、具體地,絕緣層內(nèi)連接線圈陣列和輸出電路的連接孔包括若干個(gè)大圓孔和小圓孔,所述大圓孔直徑為140μm,所述小圓孔直徑為80μm,輸出電路掩模版將每個(gè)大圓孔連接到一起,并將每個(gè)小圓單獨(dú)連接。

10、具體地,所述永磁鐵為n52型銣鐵硼材料,形狀為圓柱體,直徑為500μm,高度為200μm。

11、具體地,所述支撐墻體為光刻膠,支撐墻體與pdms薄膜通過環(huán)氧樹脂連接。

12、本發(fā)明技術(shù)方案還提供了一種電感式壓力傳感器的制備方法,用于制備上述任一電感式壓力傳感器,包括以下步驟:

13、s1、利用線圈陣列掩模版和磁控濺射,在所述襯底沉積線圈陣列;

14、s2、利用絕緣層掩模版和磁控濺射,在所述線圈陣列上沉積絕緣層,用于隔絕所述線圈陣列和輸出電路,只通過貫穿于絕緣層的連接孔連接;

15、s3、利用輸出電路掩模版和磁控濺射,在所述絕緣層上沉積輸出電路;

16、s4、利用支撐墻體掩模版,在所述輸出電路上光刻出支撐墻體圖形;

17、s5、另取襯底,利用凹槽掩模版在襯底上光刻出凹槽圖形;

18、s6、在所述凹槽圖形表面涂覆pdms基材和固化劑的混合液,待其固化后剝離取下;

19、s7、將永磁鐵鑲嵌到pdms薄膜的凹槽中;

20、s8、在鑲嵌有永磁鐵的pdms薄膜表面再次涂覆pdms基材和固化劑的混合液,然后固化;

21、s9、將所述pdms薄膜與支撐墻體連接到一起,形成電感式壓力傳感器。

22、特別地,步驟s1中在所述襯底沉積線圈陣列之前,在所述襯底上采用磁控濺射沉積一層cr薄膜,用于提高襯底和線圈陣列的粘附性。

23、進(jìn)一步地,所述磁控濺射,直流功率為150w,壓強(qiáng)為5mtorr,流量為50sccm,轉(zhuǎn)速為10rpm。

24、本發(fā)明采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下技術(shù)效果:

25、本發(fā)明電感式壓力傳感器,對(duì)動(dòng)態(tài)壓力有快速明顯的電學(xué)響應(yīng)特性,同時(shí)兼具較高的靈敏度和較寬的檢測(cè)范圍,在pdms薄膜受到壓力時(shí),通過pdms薄膜位置變化帶動(dòng)永磁鐵位置發(fā)生變化,由于處于pdms薄膜和線圈陣列之間的空腔間隙較大,所以具有較寬的壓力檢測(cè)范圍,此外,線圈陣列通過5*5陣列的方式排列,增大了輸出電流,提高了靈敏度。



技術(shù)特征:

1.一種電感式壓力傳感器,其特征在于,包括由下至上依次設(shè)置的襯底(7)、線圈陣列(6)、絕緣層(5)、輸出電路(4)、支撐墻體(3)、pdms薄膜(1);

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,所述襯底(7)為si,所述線圈陣列(6)設(shè)置于襯底上方,所述絕緣層(5)用于隔絕所述線圈陣列(6)和輸出電路(4),所述線圈陣列(6)和輸出電路(4)為cu,所述絕緣層(5)為al2o3。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,所述線圈陣列(6)和輸出電路(4)的厚度為分別200nm,所述絕緣層(5)的厚度為100nm,所述支撐墻體(3)的厚度為40μm,所述pdms薄膜(1)的厚度為450μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,所述線圈陣列(6)以5*5陣列整齊排列,用于增大輸出電流,每個(gè)線圈以等距螺旋線的方式旋轉(zhuǎn)10圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,絕緣層(5)內(nèi)連接線圈陣列(6)和輸出電路(4)的連接孔包括若干個(gè)大圓孔和小圓孔,所述大圓孔直徑為140μm,所述小圓孔直徑為80μm,所述輸出電路將每個(gè)大圓孔連接到一起,并將每個(gè)小圓單獨(dú)連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,所述永磁鐵(2)為n52型銣鐵硼材料,形狀為圓柱體,直徑為500μm,高度為200μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,所述支撐墻體(3)為光刻膠,支撐墻體(3)與pdms薄膜(1)通過環(huán)氧樹脂連接。

8.一種電感式壓力傳感器的制備方法,用于制備如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電感式壓力傳感器,其特征在于,包括以下步驟:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電感式壓力傳感器的制備方法,其特征在于,步驟1中在所述襯底(7)沉積線圈陣列(6)之前,在所述襯底(7)上采用磁控濺射沉積一層cr薄膜,用于提高襯底和線圈陣列的粘附性。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電感式壓力傳感器的制備方法,其特征在于,所述磁控濺射,直流功率為150w,壓強(qiáng)為5mtorr,流量為50sccm,轉(zhuǎn)速為10rpm。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種電感式壓力傳感器及其制備方法,屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域。電感式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)包括用于產(chǎn)生感應(yīng)電流的5*5線圈陣列、輸出電信號(hào)的電路、電路和線圈間的絕緣層、線圈和永磁鐵之間的支撐墻體以及PDMS薄膜和鑲嵌于薄膜中的永磁鐵。本發(fā)明電感式壓力傳感器利用電磁感應(yīng)原理,對(duì)動(dòng)態(tài)壓力信號(hào)具有快速明顯的電學(xué)響應(yīng)特性,PDMS薄膜有良好的抗壓縮變形性、優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和粘結(jié)性,在受到壓力時(shí)通過PDMS薄膜位置變化帶動(dòng)永磁鐵位置發(fā)生變化,由于處于PDMS薄膜和線圈陣列之間的空腔間隙較大,使得傳感器具有較寬的壓力檢測(cè)范圍;同時(shí),線圈陣列通過5*5陣列的方式排列,增大了輸出電流,提高了靈敏度。

技術(shù)研發(fā)人員:章偉,熊賢輝,石云飛,畢亞麗,劉志遠(yuǎn),賴國(guó)峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:合肥工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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