本發(fā)明涉及離子檢測器和質(zhì)量分析裝置。

背景技術(shù)：

1、作為用于檢測正離子的離子檢測器，已知有包括：通過離子入射而釋放電子的轉(zhuǎn)換打拿極；將從轉(zhuǎn)換打拿極釋放的電子倍增的電子倍增部；和箱式電極，其收納轉(zhuǎn)換打拿極，具有使向轉(zhuǎn)換打拿極行進的離子通過的第1開口和使從轉(zhuǎn)換打拿極向第1級打拿極行進的電子通過的第2開口的結(jié)構(gòu)(例如，參照日本特開2011-086403號公報)。在這樣的離子檢測器中，存在為了抑制可能成為噪聲的雜光向轉(zhuǎn)換打拿極入射而使用箱式電極的情況。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在上述那樣的離子檢測器中，為了不僅能夠進行正離子的檢測而且也能夠進行負離子的檢測，考慮使得能夠?qū)x予轉(zhuǎn)換打拿極的電位進行切換。具體而言，考慮以對轉(zhuǎn)換打拿極賦予正的電位，使通過負離子入射而從轉(zhuǎn)換打拿極釋放的正離子向第1級打拿極入射。在這種情況下，由于從負離子到正離子的轉(zhuǎn)換效率低，作為結(jié)果，存在負離子的檢測效率可能下降的問題。

2、本發(fā)明的目的在于，提供能夠分別對正離子和負離子實現(xiàn)離子的檢測效率的提高的離子檢測器和質(zhì)量分析裝置。

3、本發(fā)明的一個方面的離子檢測器包括：轉(zhuǎn)換打拿極，其具有通過離子入射而釋放電子的轉(zhuǎn)換區(qū)域；電子倍增部，其具有上述電子入射的第1級打拿極；箱式電極，其收納上述轉(zhuǎn)換打拿極，具有使向上述轉(zhuǎn)換區(qū)域行進的上述離子通過的第1開口和使從上述轉(zhuǎn)換區(qū)域向上述第1級打拿極行進的上述電子通過的第2開口；導(dǎo)電性的屏蔽部，其配置在上述第1開口，具有使向上述轉(zhuǎn)換區(qū)域行進的上述離子通過的間隙；和電位賦予部，其對上述轉(zhuǎn)換打拿極賦予第1電位，對上述第1級打拿極賦予第2電位，對上述箱式電極賦予第3電位，對上述屏蔽部賦予第4電位，上述第1電位和上述第3電位是與上述離子的極性相反的極性，上述第2電位高于上述第1電位，上述第3電位與上述第4電位為實質(zhì)上同電位。

4、本發(fā)明的一個方面的質(zhì)量分析裝置包括離子化部、質(zhì)量分離部和離子檢測器，上述離子檢測器包括：轉(zhuǎn)換打拿極，其具有通過離子入射而釋放電子的轉(zhuǎn)換區(qū)域；電子倍增部，其具有上述電子入射的第1級打拿極；箱式電極，其收納上述轉(zhuǎn)換打拿極，具有使向上述轉(zhuǎn)換區(qū)域行進的上述離子通過的第1開口和使從上述轉(zhuǎn)換區(qū)域向上述第1級打拿極行進的上述電子通過的第2開口；導(dǎo)電性的屏蔽部，其配置在上述第1開口，具有使向上述轉(zhuǎn)換區(qū)域行進的上述離子通過的間隙；和電位賦予部，其對上述轉(zhuǎn)換打拿極賦予第1電位，對上述第1級打拿極賦予第2電位，對上述箱式電極賦予第3電位，對上述屏蔽部賦予第4電位，上述第1電位和上述第3電位是與上述離子的極性相反的極性，上述第2電位高于上述第1電位，上述第3電位與上述第4電位為實質(zhì)上同電位。

技術(shù)特征：

1.一種離子檢測器，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的離子檢測器，其特征在于，

3.如權(quán)利要求1或2所述的離子檢測器，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1～3中的任一項所述的離子檢測器，其特征在于，

5.如權(quán)利要求1～4中的任一項所述的離子檢測器，其特征在于，

6.如權(quán)利要求1～5中的任一項所述的離子檢測器，其特征在于，

7.如權(quán)利要求6所述的離子檢測器，其特征在于，

8.如權(quán)利要求6或7所述的離子檢測器，其特征在于，

9.一種質(zhì)量分析裝置，其特征在于，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的質(zhì)量分析裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供離子檢測器和質(zhì)量分析裝置，離子檢測器包括：具有轉(zhuǎn)換區(qū)域的轉(zhuǎn)換打拿極；具有第1級打拿極的電子倍增部；箱式電極，其具有使向轉(zhuǎn)換區(qū)域行進的離子通過的第1開口和使從轉(zhuǎn)換區(qū)域向第1級打拿極行進的電子通過的第2開口；導(dǎo)電性的屏蔽部，其配置在第1開口，具有使向轉(zhuǎn)換區(qū)域行進的離子通過的間隙；和電位賦予部，其對轉(zhuǎn)換打拿極賦予第1電位，對第1級打拿極賦予第2電位，對箱式電極賦予第3電位，對屏蔽部賦予第4電位，第1電位和第3電位是與離子的極性相反的極性，第2電位高于第1電位，第3電位與第4電位為實質(zhì)上同電位。

技術(shù)研發(fā)人員：近藤淳一,遠藤剛志,藤田慎二郎
受保護的技術(shù)使用者：浜松光子學(xué)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2