本公開是關(guān)于一種光信號(hào)處理裝置,特別是關(guān)于一種感測發(fā)光元件所產(chǎn)生的光信號(hào)的光信號(hào)處理裝置。
背景技術(shù):
1、發(fā)光元件的尺寸隨著需求而越來愈小,相對(duì)地,在單位面積上的發(fā)光元件的數(shù)量越來越高。在發(fā)光元件做成產(chǎn)品出貨前都須經(jīng)過測試。因此,要如何有效率地測試數(shù)量越來越多且密度越來越高的發(fā)光元件,已成為本領(lǐng)域重要的議題。
2、上文的“先前技術(shù)”說明僅是提供背景技術(shù),并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說明揭示本公開的標(biāo)的,不構(gòu)成本公開的先前技術(shù),且上文的“先前技術(shù)”的任何說明均不應(yīng)作為本案的任一部分。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的一實(shí)施例提供一種光信號(hào)處理裝置,用以測試一微發(fā)光二極管陣列的光信號(hào),該微發(fā)光二極管陣列分為多個(gè)測試區(qū)塊,每一測試區(qū)塊包含多個(gè)微發(fā)光二極管,該光信號(hào)處理裝置一次測試單一測試區(qū)塊,該光信號(hào)處理裝置包含多個(gè)光信號(hào)測試元件以及光信號(hào)感測裝置。該等光信號(hào)測試元件用以傳遞一選定測試區(qū)塊的多個(gè)第一微發(fā)光二極管在一第一時(shí)間區(qū)間內(nèi)發(fā)出的多個(gè)第一光信號(hào);以及傳遞該選定測試區(qū)塊的多個(gè)第二微發(fā)光二極管在一第二時(shí)間區(qū)間內(nèi)發(fā)出的多個(gè)第二光信號(hào)。一個(gè)光信號(hào)測試元件用以于該第一時(shí)間區(qū)間內(nèi)感測該等光信號(hào)測試元件傳遞的該等第一光信號(hào);于該第二時(shí)間區(qū)間內(nèi)感測該等光信號(hào)測試元件傳遞的該等第二光信號(hào)以及;根據(jù)該等第一光信號(hào)及該等第二光信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)感測信號(hào)。
2、本公開的一實(shí)施例提供一種用于一光信號(hào)處理裝置的光信號(hào)測量方法,用以測試一微發(fā)光二極管陣列的光信號(hào),該微發(fā)光二極管陣列分為多個(gè)測試區(qū)塊,每一測試區(qū)塊包含多個(gè)微發(fā)光二極管,該光信號(hào)處理裝置一次測試單一測試區(qū)塊,該光信號(hào)處理裝置包含多個(gè)光信號(hào)測試元件以及一光信號(hào)感測裝置,該光信號(hào)測量方法包含:將該等光信號(hào)測試元件對(duì)齊一晶圓上的一選定測試區(qū)塊的多個(gè)微發(fā)光二極管,該等微發(fā)光二極管包含多個(gè)第一發(fā)光二極管以及多個(gè)第二發(fā)光二極管;該等光信號(hào)測試元件傳遞該等第一微發(fā)光二極管在一第一時(shí)間區(qū)間內(nèi)發(fā)出的多個(gè)第一光信號(hào),其中一個(gè)光信號(hào)測試元件傳遞一個(gè)第一微發(fā)光二極管發(fā)出的光信號(hào);該光信號(hào)感測裝置感測該等光信號(hào)測試元件傳遞的該等第一光信號(hào),并根據(jù)該等第一光信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)第一感測信號(hào);該等光信號(hào)測試元件傳遞該等第二微發(fā)光二極管在一第二時(shí)間區(qū)間內(nèi)發(fā)出的多個(gè)第二光信號(hào),其中一個(gè)光信號(hào)測試元件傳遞一個(gè)第二微發(fā)光二極管發(fā)出的光信號(hào);以及該光信號(hào)感測裝置感測該等光信號(hào)測試元件傳遞的該等第二光信號(hào),并根據(jù)該等第二光信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)第二感測信號(hào)。
3、本公開的一實(shí)施例提供一種用于一光信號(hào)處理裝置的光信號(hào)測量方法,用以測試一微發(fā)光二極管陣列的光信號(hào),該微發(fā)光二極管陣列分為多個(gè)測試區(qū)塊,每一測試區(qū)塊包含多個(gè)微發(fā)光二極管,該光信號(hào)處理裝置一次測試單一測試區(qū)塊,該光信號(hào)處理裝置包含多個(gè)光信號(hào)測試元件以及一光信號(hào)感測裝置,該光信號(hào)測量方法包含:將該等光信號(hào)測試元件對(duì)齊一晶圓上的一選定測試區(qū)塊的多個(gè)第一微發(fā)光二極管;該等光信號(hào)測試元件傳遞該等第一微發(fā)光二極管在一第一時(shí)間區(qū)間內(nèi)發(fā)出的多個(gè)第一光信號(hào),其中一個(gè)光信號(hào)測試元件傳遞一個(gè)第一微發(fā)光二極管發(fā)出的光信號(hào);該光信號(hào)感測裝置感測該等光信號(hào)測試元件傳遞的該等第一光信號(hào),并根據(jù)該等第一光信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)第一感測信號(hào);將該等光信號(hào)測試元件對(duì)齊該晶圓上的另一選定測試區(qū)塊的多個(gè)第二微發(fā)光二極管;該等光信號(hào)測試元件傳遞該等第二微發(fā)光二極管在一第二時(shí)間區(qū)間內(nèi)發(fā)出的多個(gè)第二光信號(hào),其中一個(gè)光信號(hào)測試元件傳遞一個(gè)第一微發(fā)光二極管發(fā)出的光信號(hào);以及該光信號(hào)感測裝置感測該等光信號(hào)測試元件傳遞的該等第二光信號(hào),并根據(jù)該等第二光信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)第二感測信號(hào)。
4、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn),使下文的本公開詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解,可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制程而實(shí)現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解,這類等效建構(gòu)無法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。
1.一光信號(hào)處理裝置,用以測試一微發(fā)光二極管陣列的光信號(hào),該微發(fā)光二極管陣列分為多個(gè)測試區(qū)塊,每一測試區(qū)塊包含多個(gè)微發(fā)光二極管,該光信號(hào)處理裝置一次測試單一測試區(qū)塊,該光信號(hào)處理裝置包含:
2.如權(quán)利要求1所述的光信號(hào)處理裝置,其中所述多個(gè)第一微發(fā)光二極管的數(shù)量及所述多個(gè)第二微發(fā)光二極管的數(shù)量的總和,等于或小于所述多個(gè)光信號(hào)測試元件的數(shù)量。
3.如權(quán)利要求2所述的光信號(hào)處理裝置,其中,每一光信號(hào)測試元件包含:
4.如權(quán)利要求2所述的光信號(hào)處理裝置,其中,每一光信號(hào)測試元件更包含一探針,所述多個(gè)光信號(hào)測試元件的所述探針用以:
5.如權(quán)利要求2所述的光信號(hào)處理裝置,更包含:
6.如權(quán)利要求3所述的光信號(hào)處理裝置,更包含一光纖陣列區(qū)塊,其中,該光纖陣列區(qū)塊包含所述多個(gè)光信號(hào)測試元件,以及每一光導(dǎo)引單元為一光纖。
7.如權(quán)利要求3所述的光信號(hào)處理裝置,其中,每一光導(dǎo)引單元用以接收對(duì)應(yīng)的光信號(hào)的一端包含一平面、一凸面或一凹面。
8.如權(quán)利要求2所述的光信號(hào)處理裝置,更包含:
9.如權(quán)利要求8所述的光信號(hào)處理裝置,其中,該定位裝置更用以:
10.如權(quán)利要求8所述的光信號(hào)處理裝置,其中,該定位裝置更用以:
11.如權(quán)利要求1所述的光信號(hào)處理裝置,其中,該光信號(hào)感測裝置包含攝影機(jī)或cmos影像感測器。
12.如權(quán)利要求1所述的光信號(hào)處理裝置,其中所述多個(gè)光信號(hào)測試元件同時(shí)傳遞所述多個(gè)第一微發(fā)光二極管發(fā)出的所述多個(gè)第一光信號(hào)。
13.如權(quán)利要求1所述的光信號(hào)處理裝置,其中所述多個(gè)第一微發(fā)光二極管以及所述多個(gè)第二微發(fā)光二極管為rgb發(fā)光二極管,所述多個(gè)光信號(hào)測試元件接收所述多個(gè)第一微發(fā)光二極管于該第一時(shí)間區(qū)間內(nèi)所發(fā)出的rgb光信號(hào)或所述多個(gè)第二微發(fā)光二極管于該第二時(shí)間區(qū)間內(nèi)所發(fā)出的rgb光信號(hào)。
14.如權(quán)利要求1所述的光信號(hào)處理裝置,其中所述多個(gè)光信號(hào)測試元件更用以傳遞該選定測試區(qū)塊的多個(gè)第三微發(fā)光二極管在一第三時(shí)間內(nèi)所發(fā)出的多個(gè)第三光信號(hào),
15.如權(quán)利要求14所述的光信號(hào)處理裝置,其中所述多個(gè)第一微發(fā)光二極管的數(shù)量、所述多個(gè)第二微發(fā)光二極管的數(shù)量及所述多個(gè)第三微發(fā)光二極管的數(shù)量的總和,等于或小于所述多個(gè)光信號(hào)測試元件的數(shù)量。
16.一種用于一光信號(hào)處理裝置的光信號(hào)測量方法,用以測試一微發(fā)光二極管陣列的光信號(hào),該微發(fā)光二極管陣列分為多個(gè)測試區(qū)塊,每一測試區(qū)塊包含多個(gè)微發(fā)光二極管,該光信號(hào)處理裝置一次測試單一測試區(qū)塊,該光信號(hào)處理裝置包含多個(gè)光信號(hào)測試元件以及一光信號(hào)感測裝置,該光信號(hào)測量方法包含:
17.如權(quán)利要求16所述的光信號(hào)測量方法,其中該第一時(shí)間區(qū)間與該第二時(shí)間區(qū)間互不交疊。
18.如權(quán)利要求16所述的光信號(hào)測量方法,其中所述多個(gè)光信號(hào)測試元件更用以傳遞該選定測試區(qū)塊的多個(gè)第三微發(fā)光二極管在一第三時(shí)間內(nèi)所發(fā)出的多個(gè)第三光信號(hào),
19.一種用于一光信號(hào)處理裝置的光信號(hào)測量方法,用以測試一微發(fā)光二極管陣列的光信號(hào),該微發(fā)光二極管陣列分為多個(gè)測試區(qū)塊,每一測試區(qū)塊包含多個(gè)微發(fā)光二極管,該光信號(hào)處理裝置一次測試單一測試區(qū)塊,該光信號(hào)處理裝置包含多個(gè)光信號(hào)測試元件以及一光信號(hào)感測裝置,該光信號(hào)測量方法包含:
20.如權(quán)利要求19所述的光信號(hào)測量方法,其中,將所述多個(gè)光信號(hào)測試元件對(duì)齊該晶圓上的所述多個(gè)第二微發(fā)光二極管更包含: