本發(fā)明涉及對(duì)靜電容量型的真空計(jì)的狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法及系統(tǒng)，所述靜電容量型的真空計(jì)具備受壓的膜片等可動(dòng)部。

背景技術(shù)：

靜電容量型的隔膜真空計(jì)是由作為可動(dòng)部的膜片(隔膜)接受壓力，將接受壓力所導(dǎo)致的膜片的撓曲量轉(zhuǎn)換為靜電容量值。該隔膜真空計(jì)由于氣體種類依賴關(guān)系低，因此經(jīng)常被使用于以半導(dǎo)體裝置制造設(shè)備為代表的工業(yè)用途中(參照非專利文獻(xiàn)1)。

如圖6所示，上述的隔膜真空計(jì)包括：基座301，其由絕緣體構(gòu)成；膜片302，其通過支承部301a被支承于基座301之上，并在可動(dòng)區(qū)域302a中與基座301分離配置，由在可動(dòng)區(qū)域302a能夠向基座301的方向位移的絕緣體構(gòu)成，并接收來自測(cè)定對(duì)象的壓力；以及氣密室303，其形成于可動(dòng)區(qū)域302a中的膜片302與基座301之間。各部分由藍(lán)寶石構(gòu)成。

此外，包括：可動(dòng)電極304，其形成于膜片302的可動(dòng)區(qū)域302a；以及固定電極305，其與可動(dòng)電極304面對(duì)面地形成在基座301上。此外，包括：可動(dòng)參照電極306，其在膜片302的可動(dòng)區(qū)域302a中形成于可動(dòng)電極304的周圍；以及固定參照電極307，其形成于固定電極305周圍的基座301之上，并與可動(dòng)參照電極306面對(duì)面地形成。

上述那樣構(gòu)成的隔膜真空計(jì)被安裝于供作為測(cè)定對(duì)象的氣體流動(dòng)的配管等，并對(duì)壓力進(jìn)行測(cè)定。在靜電容量型的隔膜真空計(jì)中將接受了氣壓的膜片的位移轉(zhuǎn)換為靜電容量值。由于該隔膜真空計(jì)對(duì)于被使用的氣體種類依賴關(guān)系不多，因此被廣泛應(yīng)用于以上述那樣的半導(dǎo)體裝置制造設(shè)備為代表的工業(yè)用途中。

在應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置的制造的成膜裝置、蝕刻裝置中被使用的情況下，要求對(duì)于材料氣體、清潔氣體的耐腐蝕性，并且也要求對(duì)于工序中的副產(chǎn)物堆積的抗性、對(duì)于配管加熱的耐熱性。此外要求在保養(yǎng)維護(hù)時(shí)的耐久性。

在成膜裝置、蝕刻裝置中，在保養(yǎng)維護(hù)時(shí)真空室被開放于大氣中。因此，大氣壓以上的過大壓力被施加于隔膜真空計(jì)。根據(jù)此時(shí)接受壓力的隔膜的應(yīng)力緩和等理由，真空計(jì)的零點(diǎn)輸出值往往會(huì)發(fā)生變化(以下記載為零點(diǎn)漂移)。輸出值變化的原因不僅是上述應(yīng)力緩和，也可能是作為工序中的副產(chǎn)物而堆積到隔膜膜片上的膜的狀態(tài)變化。

作為零點(diǎn)漂移的對(duì)策，電性地重置隔膜真空計(jì)的零點(diǎn)來調(diào)整的情況很多，但現(xiàn)狀是使用者自身來判斷調(diào)整的必要性并實(shí)施。但是，在超出可調(diào)整范圍的情況下，該操作是不可能的，變?yōu)楦鼡Q隔膜真空計(jì)，不得不為了更換而在預(yù)期之外停止裝置。此外，零點(diǎn)調(diào)整設(shè)為必要的頻率、時(shí)刻對(duì)于使用者來說是難以預(yù)測(cè)的狀況。

關(guān)于施加過大壓力，也可以在隔膜真空計(jì)和真空室之間設(shè)有閥門，在被施加了過大壓力那樣的保養(yǎng)維護(hù)時(shí)關(guān)閉閥門，從而對(duì)隔膜真空計(jì)沒有施加大氣壓力。但是，這在故障維護(hù)、閥門設(shè)置成本兩者上并不優(yōu)選。

由于零點(diǎn)漂移的容許值是根據(jù)隔膜真空計(jì)的規(guī)格預(yù)先決定的，因此產(chǎn)生檢查過大壓力施加、副產(chǎn)物堆積所導(dǎo)致的劣化的預(yù)兆的需要。由于通過掌握預(yù)兆，能夠進(jìn)行有計(jì)劃的預(yù)防維護(hù)，不需要高頻的維護(hù)保養(yǎng)，因此也有助于設(shè)備維持費(fèi)的削減。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特表2010-525324號(hào)公報(bào)

非專利文獻(xiàn)1：関根正志、石原卓也、差波信雄、谷武夫、「サファイア高溫隔膜真空計(jì)のセンサ素子·パッケージ開発」、azbiltechnicalreview、28～33頁、2011年1月発行號(hào)(關(guān)根正志、石原卓也、差波信雄、谷武夫、(藍(lán)寶石高溫隔膜真空計(jì)的傳感器元件·包裝開發(fā))、azbiltechnicalreview，28～33頁、2011年1月發(fā)行號(hào))。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

為了掌握隔膜真空計(jì)的劣化(零點(diǎn)漂移)，在現(xiàn)狀下對(duì)零點(diǎn)調(diào)整時(shí)的偏壓調(diào)整量進(jìn)行監(jiān)控，在偏壓調(diào)整量的累計(jì)值超過某個(gè)閾值的情況下從測(cè)量電路發(fā)出警報(bào)信息。參考該警報(bào)信息的級(jí)別、到達(dá)零點(diǎn)時(shí)的隔膜真空計(jì)輸出的偏置量，使用者自身判斷是否有必要來實(shí)施真空計(jì)的更換或者保養(yǎng)的情況很多。是否是適當(dāng)?shù)木S護(hù)狀態(tài)依賴于使用者的判斷，有可能變成超過零點(diǎn)的可調(diào)整范圍而導(dǎo)致真空計(jì)不可用的事態(tài)。

作為自動(dòng)地修正隔膜真空計(jì)的零點(diǎn)的技術(shù)，存在以實(shí)施零點(diǎn)調(diào)整的時(shí)期的信息為基礎(chǔ)，對(duì)檢查、更換為必要的時(shí)期進(jìn)行預(yù)測(cè)，并進(jìn)行自動(dòng)校正的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)1)。由于作為基礎(chǔ)的信息是以使用者所實(shí)施的零點(diǎn)調(diào)整的時(shí)機(jī)為契機(jī)被收集的，因此被零點(diǎn)調(diào)整的頻率即使用者的行動(dòng)以及判斷影響。進(jìn)而，在設(shè)備的使用頻率變化的情況下，或者不同的工序條件并存的情況下，認(rèn)為時(shí)期的預(yù)測(cè)精度惡化。由于實(shí)施零點(diǎn)調(diào)整的時(shí)期的確認(rèn)是必須的，因此即使鑒于這之后的校正被自動(dòng)化的可能性，依然大量地包含使用者的手動(dòng)的操作不可缺少的方面。

本發(fā)明的是為了解決以上那樣的問題點(diǎn)做出的，其目的在于，能夠更正確地判斷真空計(jì)的保養(yǎng)時(shí)期。

解決課題的技術(shù)手段

本發(fā)明所涉及的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法是對(duì)真空計(jì)的膜片的狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)的方法，所述真空計(jì)由具備膜片的傳感器芯片構(gòu)成，并將膜片的位移作為靜電容量的變化來檢測(cè)，所述膜片被設(shè)為能位移并接受來自測(cè)定對(duì)象的壓力，所述真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法包括：第1步驟，其獲得真空計(jì)的輸出值；第2步驟，其將第1步驟所獲得的輸出值與作為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)特性值相比較；第3步驟，其對(duì)在第2步驟的比較中被判斷為輸出值為基準(zhǔn)特性值以上的過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)；以及第4步驟，其對(duì)第3步驟所獲得的次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況進(jìn)行判斷。

在上述真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法中，也可以取得在第2步驟的比較中被判斷為過大壓力施加狀態(tài)的時(shí)刻信息，根據(jù)所取得的時(shí)刻信息、在第3步驟中所獲得的次數(shù)以及所設(shè)定的上限次數(shù)，對(duì)真空計(jì)的零點(diǎn)調(diào)整達(dá)到臨界的日期時(shí)刻進(jìn)行預(yù)測(cè)，根據(jù)從所預(yù)測(cè)的日期時(shí)刻減去真空計(jì)的保養(yǎng)所需要的日期時(shí)刻而得到的臨界日期時(shí)刻來決定上限值。

在上述真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法中，也可以求出真空計(jì)最近之前實(shí)施的零點(diǎn)調(diào)整的調(diào)整量除以第3步驟所獲得次數(shù)所得的比值，根據(jù)當(dāng)前時(shí)刻的真空計(jì)的可調(diào)整量除以比值的所得的值來決定剩余次數(shù)，將在次數(shù)上加上剩余次數(shù)所得的值作為上限值。

此外，本發(fā)明所涉及的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)包括：真空計(jì)，所述真空計(jì)由具備膜片的傳感器芯片構(gòu)成，并將膜片的位移作為靜電容量的變化來檢測(cè)，所述膜片被設(shè)為能位移并接受來自測(cè)定對(duì)象的壓力；測(cè)量部，其獲得真空計(jì)的輸出值；以及狀態(tài)判斷部，其將測(cè)量部所獲得的輸出值與作為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)特性值相比較，對(duì)輸出值為基準(zhǔn)特性值以上的過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)，并對(duì)次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況進(jìn)行判斷。

在上述真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)中，也可以是狀態(tài)判斷部取得在比較中被判斷為過大壓力施加狀態(tài)的時(shí)刻信息，根據(jù)所取得的時(shí)刻信息、次數(shù)以及所設(shè)定的上限次數(shù)對(duì)真空計(jì)的零點(diǎn)調(diào)整達(dá)到臨界的日期時(shí)刻進(jìn)行預(yù)測(cè)，并根據(jù)從所預(yù)測(cè)的日期時(shí)刻減去真空計(jì)的保養(yǎng)所需要的日期時(shí)刻而獲得的臨界日期時(shí)刻來決定上限值。

在上述真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)中，也可以是狀態(tài)判斷部求出真空計(jì)最近之前實(shí)施的零點(diǎn)調(diào)整的調(diào)整量除以次數(shù)所得的比值，根據(jù)當(dāng)前時(shí)刻的真空計(jì)的可調(diào)整量除以比值所得的值決定剩余次數(shù)，將在次數(shù)上加上剩余次數(shù)所得的值作為上限值。

發(fā)明的效果

如以上所說明，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得以下的優(yōu)異效果：由于對(duì)真空計(jì)的輸出值變?yōu)榛鶞?zhǔn)特性值以上的過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)達(dá)到上限值的情況進(jìn)行了判斷，因此能夠更正確地判斷真空計(jì)的保養(yǎng)時(shí)期。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)的構(gòu)成的構(gòu)成圖。

圖2是示出超過可測(cè)定最大壓力的過大壓力的施加次數(shù)，和伴隨過大壓力施加次數(shù)的零點(diǎn)漂移量的推移的一例的特性圖。

圖3是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法進(jìn)行說明的流程圖。

圖4是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式2中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法進(jìn)行說明的流程圖。

圖5是對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法進(jìn)行說明的流程圖。

圖6是示出靜電容量型的隔膜真空計(jì)的構(gòu)成的立體圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是示出本發(fā)明的實(shí)施方式1中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)的構(gòu)成的構(gòu)成圖。該系統(tǒng)包括：傳感器芯片101、壓力值輸出部121、測(cè)量部122、狀態(tài)判斷部123、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)部124以及警報(bào)輸出部125。

傳感器芯片101是被廣為人知的靜電容量型的隔膜真空計(jì)，包括基座111、膜片112、可動(dòng)電極114以及固定電極115?；?11以及膜片112例如是由藍(lán)寶石、氧化鋁陶瓷等具有耐熱耐腐蝕性的絕緣體構(gòu)成。此外，作為受壓部的隔膜112是通過基座111的支承部111a被支承的、在支承部111a的內(nèi)側(cè)的可動(dòng)區(qū)域112a中能夠向基座111的方向位移的可動(dòng)部?？蓜?dòng)區(qū)域112a例如俯視時(shí)為圓形。

可動(dòng)區(qū)域112a中的膜片112與基座111之間是被設(shè)為氣密地密封的氣密室113。氣密室113被設(shè)為所謂的真空，成為基準(zhǔn)真空室。

此外，可動(dòng)電極114在氣密室113的內(nèi)部形成于隔膜112的可動(dòng)區(qū)域112a。此外，固定電極115在氣密室113的內(nèi)部與可動(dòng)電極114面對(duì)面地形成在基座111上。另外，傳感器芯片101包括：可動(dòng)參照電極116，其在氣密室113的內(nèi)部在隔膜112的可動(dòng)區(qū)域112a中形成于可動(dòng)電極114的周圍；以及固定參照電極117，其在氣密室113的內(nèi)部形成于固定電極115的周圍的基座111之上，并與可動(dòng)參照電極116面對(duì)面地形成。

壓力值輸出部121使用被設(shè)定的傳感器靈敏度將容量變化轉(zhuǎn)換為壓力值并輸出。通過傳感器芯片101以及壓力值輸出部121構(gòu)成真空計(jì)。此外，在上述真空計(jì)的基礎(chǔ)上，配合使用測(cè)量部122、狀態(tài)判斷部123、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)部124以及警報(bào)輸出部125，由此在成膜裝置、蝕刻裝置等中，真空度(壓力)的測(cè)定、控制等變?yōu)榭梢詫?shí)施。

測(cè)量部122獲得真空計(jì)(壓力值輸出部121)的輸出值。狀態(tài)判斷部123將測(cè)量部122所獲得的輸出值與設(shè)為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)特性值相比較，對(duì)輸出值被判斷為基準(zhǔn)特性值以上的過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)，并對(duì)次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況進(jìn)行判斷?；鶞?zhǔn)特性值被存儲(chǔ)于基準(zhǔn)值存儲(chǔ)部124中。

警報(bào)輸出部125根據(jù)狀態(tài)判斷部123對(duì)輸出值為基準(zhǔn)特性值以上的次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況的判斷來輸出警報(bào)。如此，通過輸出警報(bào)，能夠判斷已成為需要真空計(jì)的保養(yǎng)的狀態(tài)。

圖2是示出超過可測(cè)定最大壓力(真空度)的過大壓力(例如大氣壓)的施加次數(shù)(橫軸)，和伴隨過大壓力施加次數(shù)的零點(diǎn)漂移量的推移的一例的特性圖。在使零點(diǎn)調(diào)整不可能的漂移量例如是±20％fs的情況下，達(dá)到該值的過大壓力施加次數(shù)(作為臨界施加次數(shù))預(yù)計(jì)會(huì)有5000次?？紤]真空計(jì)的壓力范圍和規(guī)格、制作上的標(biāo)準(zhǔn)離差或者真空計(jì)使用條件等來決定臨界施加次數(shù)。以遠(yuǎn)未達(dá)到該臨界施加次數(shù)的施加次數(shù)來設(shè)定上限施加次數(shù)。該上限施加次數(shù)的最佳值根據(jù)裝置的運(yùn)行狀況、到真空計(jì)更換等保養(yǎng)為止所需要的必要期間的不同而不同。

將被測(cè)量的次數(shù)達(dá)到上限施加次數(shù)的情況下的警報(bào)輸出至真空計(jì)的接口操作面板或者輸出端口。在經(jīng)過輸出端口的情況下，被顯示于設(shè)置有真空計(jì)的半導(dǎo)體裝置制造設(shè)備側(cè)的操作面板上。設(shè)備操作員或者管理者掌握該顯示，迅速地開始保養(yǎng)的手續(xù)，由此能夠盡可能地避免未預(yù)期的裝置停止。

接著，使用圖3的流程圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)的動(dòng)作(真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法)進(jìn)行說明。

首先，在步驟s201中，測(cè)量部122取得來自壓力值輸出部121的輸出值。接著，在步驟s202中，狀態(tài)判斷部123將在步驟s201中獲得的輸出值與設(shè)為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)特性值相比較。

接著，在步驟s203中，狀態(tài)判斷部123通過步驟s202的比較對(duì)輸出值是否為基準(zhǔn)特性值以上進(jìn)行判斷。根據(jù)該判斷，在輸出值被判斷為基準(zhǔn)特性值以上(過大壓力施加狀態(tài))的情況下(步驟s203的y)，在步驟s204中對(duì)過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)。接著，在步驟s205中，狀態(tài)判斷部123對(duì)在步驟s204中所獲得的次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況進(jìn)行判斷。根據(jù)該判斷，在所獲得的次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況下(步驟s205的y)，狀態(tài)判斷部123判斷為真空計(jì)(傳感器芯片101)變?yōu)楸ｐB(yǎng)時(shí)期，在步驟s206中，警報(bào)輸出部125輸出警報(bào)。由此，設(shè)備操作員或者管理者能夠開始保養(yǎng)的手續(xù)。

[實(shí)施方式2]

接著，對(duì)本發(fā)明地實(shí)施方式2進(jìn)行說明。實(shí)施方式2的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)和上述的實(shí)施方式1相同，包括：傳感器芯片101、壓力值輸出部121、測(cè)量部122、狀態(tài)判斷部123、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)部124以及警報(bào)輸出部125(參照?qǐng)D1)。

在實(shí)施方式2中，狀態(tài)判斷部123取得通過測(cè)量部122所得到的輸出值和基準(zhǔn)特性值的比較而被判斷為過大壓力施加狀態(tài)的時(shí)刻信息，根據(jù)所取得的時(shí)刻信息、次數(shù)以及所設(shè)定的上限次數(shù)對(duì)真空計(jì)的零點(diǎn)調(diào)整變?yōu)榕R界的日期時(shí)刻進(jìn)行預(yù)測(cè)，并根據(jù)從所預(yù)測(cè)的日期時(shí)刻減去真空計(jì)的保養(yǎng)所需要的日期時(shí)刻而獲得的臨界日期時(shí)刻來決定上限值。

以下，使用圖4的流程圖對(duì)實(shí)施方式2中的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)的動(dòng)作(真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法)進(jìn)行說明。

首先，在步驟s301中，測(cè)量部122取得來自壓力值輸出部121的輸出值。接著，在步驟s302中，狀態(tài)判斷部123將在步驟s301中所獲得的輸出值與設(shè)為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)特性值相比較。

接著，在步驟s303中，狀態(tài)判斷部123通過步驟s302的比較對(duì)輸出值是否為基準(zhǔn)特性值以上進(jìn)行判斷。根據(jù)該判斷，在輸出值被判斷為基準(zhǔn)特性值以上(過大壓力施加狀態(tài))的情況下(步驟s303的y)，在步驟s304中對(duì)過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)。接著，在步驟s305中，狀態(tài)判斷部123取得被設(shè)為過大壓力施加狀態(tài)的輸出值被輸出的時(shí)刻信息。

接著，在步驟s306中，狀態(tài)判斷部123根據(jù)所取得的時(shí)刻信息、步驟s304中所獲得的次數(shù)以及所設(shè)定的上限次數(shù)對(duì)真空計(jì)的零點(diǎn)調(diào)整變?yōu)榕R界的日期時(shí)刻進(jìn)行預(yù)測(cè)，并根據(jù)從所預(yù)測(cè)的日期時(shí)刻減去真空計(jì)的保養(yǎng)所需要的日期時(shí)刻而獲得的臨界日期時(shí)刻來決定上限值。

接著，在步驟s307中，狀態(tài)判斷部123對(duì)步驟s304中所獲得的次數(shù)達(dá)到步驟s306中所設(shè)定的上限值的情況進(jìn)行判斷。根據(jù)該判斷，在所獲得的次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況下(步驟s307的y)，狀態(tài)判斷部123判斷為真空計(jì)(傳感器芯片101)變?yōu)楸ｐB(yǎng)時(shí)期，在步驟s308中，使警報(bào)輸出部125輸出警報(bào)。由此，設(shè)備操作員或者管理者能夠開始保養(yǎng)的手續(xù)。

[實(shí)施方式3]

接著，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式3進(jìn)行說明。實(shí)施方式3的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)和上述的實(shí)施方式1相同，包括：傳感器芯片101、壓力值輸出部121、測(cè)量部122、狀態(tài)判斷部123、基準(zhǔn)值存儲(chǔ)部124以及警報(bào)輸出部125(參照?qǐng)D1)。

在實(shí)施方式3中，狀態(tài)判斷部123求出真空計(jì)最近之前實(shí)施的零點(diǎn)調(diào)整的調(diào)整量除以過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)所得的比值，根據(jù)當(dāng)前時(shí)刻的真空計(jì)的可調(diào)整量除以比值所得的值決定剩余次數(shù)，將在過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)上加上剩余次數(shù)所得的值作為上限值。

以下，使用圖5的流程圖對(duì)實(shí)施方式3的真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)系統(tǒng)的動(dòng)作(真空計(jì)狀態(tài)檢測(cè)方法)進(jìn)行說明。

首先，在步驟s401中，測(cè)量部122取得來自壓力值輸出部121的輸出值。接著，在步驟s402中，狀態(tài)判斷部123將在步驟s401中所獲得的輸出值與設(shè)為基準(zhǔn)的基準(zhǔn)特性值相比較。

接著，在步驟s403中，狀態(tài)判斷部123通過步驟s402的比較對(duì)輸出值是否為基準(zhǔn)特性值以上進(jìn)行判斷。根據(jù)該判斷，在輸出值被判斷為基準(zhǔn)特性值以上(過大壓力施加狀態(tài))的情況下(步驟s403的y)，在步驟s404中對(duì)過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)進(jìn)行累計(jì)。接著，在步驟s405中，狀態(tài)判斷部123算出真空計(jì)最近之前實(shí)施的零點(diǎn)調(diào)整的調(diào)整量除以過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)所得的比值。

接著，在步驟s406中，狀態(tài)判斷部123根據(jù)當(dāng)前時(shí)刻的真空計(jì)的可調(diào)整量除以上述比值所得的值算出剩余次數(shù)。接著，在步驟s407中，狀態(tài)判斷部123將在步驟s404中所獲得的過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)上加上所算出的剩余次數(shù)所得的值作為上限值。

接著，在步驟s408中，狀態(tài)判斷部123對(duì)步驟s404中所獲得的次數(shù)達(dá)到步驟s407中所設(shè)定的上限值的情況進(jìn)行判斷。根據(jù)該判斷，在所獲得的次數(shù)達(dá)到所設(shè)定的上限值的情況下(步驟s408的y)，狀態(tài)判斷部123判斷為真空計(jì)(傳感器芯片101)變?yōu)楸ｐB(yǎng)時(shí)期，在步驟s409中，使警報(bào)輸出部125輸出警報(bào)。由此，設(shè)備操作員或者管理者能夠開始保養(yǎng)的手續(xù)。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于根據(jù)過大壓力施加狀態(tài)的次數(shù)已達(dá)到上限值的情況來判斷真空計(jì)的保養(yǎng)時(shí)期，所述過大壓力施加狀態(tài)是真空計(jì)的輸出值變?yōu)榛鶞?zhǔn)特性值以上的狀態(tài)，因此能夠更正確地判斷真空計(jì)的保養(yǎng)時(shí)期。

另外，本發(fā)明并沒有限定于以上所說明的實(shí)施方式，在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，能夠由在本領(lǐng)域內(nèi)具有常識(shí)的人實(shí)施多個(gè)變形以及組合是顯而易見的。例如，在上文中，使用了參照電極，但并不限定于此，也可以使固定電極和固定參照電極為一體，可動(dòng)電極和可動(dòng)參照電極為一體。

符號(hào)的說明

101…傳感器芯片、111…基座、111a…支承部、112…膜片、112a…可動(dòng)區(qū)域、113…氣密室、114…可動(dòng)電極、115…固定電極、116…可動(dòng)參照電極、117…固定參照電極、121…壓力值輸出部、122…測(cè)量部、123…狀態(tài)判斷部、124…基準(zhǔn)值存儲(chǔ)部、125…警報(bào)輸出部。