示例實(shí)施例大體涉及顯示設(shè)備。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及短路缺陷的位置被檢測(cè)的顯示設(shè)備和檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)在諸如有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示設(shè)備、液晶顯示(lcd)設(shè)備等顯示設(shè)備中產(chǎn)生導(dǎo)線被不期望地連接的短路缺陷，因此產(chǎn)生電流通過(guò)其繞過(guò)一電路的意想不到的低阻路徑時(shí)，可使用顯微鏡檢測(cè)短路缺陷的位置，并且可在檢測(cè)到的缺陷位置處修復(fù)導(dǎo)線。然而，當(dāng)在不同層的導(dǎo)線被垂直連接時(shí)，不能通過(guò)顯微鏡檢測(cè)到該短路缺陷的位置。該短路缺陷可被稱為隱藏的短路缺陷，并且需要一種能檢測(cè)隱藏的短路缺陷的位置的技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一些示例實(shí)施例提供了一種容易檢測(cè)短路缺陷的顯示設(shè)備。

一些示例實(shí)施例提供了一種容易檢測(cè)短路缺陷的短路測(cè)試方法。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供了一種顯示設(shè)備，包括：基板，包括顯示圖像的顯示區(qū)域和與顯示區(qū)域相鄰的周圍區(qū)域；在基板上的至少一條線，該至少一條線從周圍區(qū)域延伸穿過(guò)顯示區(qū)域；在顯示區(qū)域上的多個(gè)像素，像素被連接到該至少一條線；在周圍區(qū)域上的外部線，在檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試過(guò)程期間，外部線被連接到該至少一條線；在周圍區(qū)域上的靜電保護(hù)電阻器，靜電保護(hù)電阻器被連接到外部線；在周圍區(qū)域上的焊盤，焊盤通過(guò)靜電保護(hù)電阻器被連接到外部線，在短路測(cè)試過(guò)程期間，短路測(cè)試信號(hào)被施加到焊盤；以及旁路線，在短路測(cè)試過(guò)程期間，旁路線將焊盤和靜電保護(hù)電阻器之間的節(jié)點(diǎn)連接到外部線，使得短路測(cè)試信號(hào)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器。

在示例實(shí)施例中，在短路測(cè)試過(guò)程期間，短路測(cè)試信號(hào)可通過(guò)旁路線和外部線被施加到該至少一條線，并且由短路測(cè)試信號(hào)在該至少一條線處產(chǎn)生的熱能可通過(guò)熱檢測(cè)器被測(cè)量來(lái)檢測(cè)短路缺陷的位置。

在示例實(shí)施例中，該至少一條線可在短路缺陷的位置處被斷開，并且用于連接斷開的線的連接線可使用激光化學(xué)氣相沉積工藝被形成。

在示例實(shí)施例中，外部線可以是環(huán)形修復(fù)線。

在示例實(shí)施例中，該至少一條線可在短路缺陷的位置處被斷開為第一部分和第二部分。該至少一條線的第一部分可被連接到驅(qū)動(dòng)電路，并且可直接接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路的電信號(hào)。該至少一條線的第二部分可被連接到環(huán)形修復(fù)線，并且可從驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)環(huán)形修復(fù)線接收電信號(hào)。

在示例實(shí)施例中，外部線可以是修復(fù)數(shù)據(jù)線。

在示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括在周圍區(qū)域上的至少一個(gè)修復(fù)像素，修復(fù)像素被連接到修復(fù)數(shù)據(jù)線。位于短路缺陷的位置處的像素中的至少一個(gè)像素的發(fā)光元件可被連接到修復(fù)像素而不是像素中的至少一個(gè)像素。

在示例實(shí)施例中，在短路測(cè)試過(guò)程之后，旁路線可被斷開。

在示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括在周圍區(qū)域上的密封件，密封件圍繞顯示區(qū)域。旁路線被斷開的位置可被密封件覆蓋。

在示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括在靜電保護(hù)電阻器和外部線之間的晶體管，晶體管被配置為響應(yīng)于測(cè)試控制信號(hào)選擇性地連接靜電保護(hù)電阻器和外部線。

在示例實(shí)施例中，旁路線可將焊盤連接到外部線，使得短路測(cè)試信號(hào)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器和晶體管。

在示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備可進(jìn)一步包括：第一二極管，包括連接到在靜電保護(hù)電阻器和焊盤之間的節(jié)點(diǎn)的陽(yáng)極端子和連接到高電壓的陰極端子；以及第二二極管，包括連接到在靜電保護(hù)電阻器和焊盤之間的節(jié)點(diǎn)的陰極端子和連接到低電壓的陽(yáng)極端子。

在示例實(shí)施例中，該至少一條線可以是數(shù)據(jù)線。

根據(jù)示例實(shí)施例，提供了一種用于顯示設(shè)備的短路測(cè)試方法。在該方法中，形成在基板的周圍區(qū)域上的外部線可被連接到具有短路缺陷的至少一條線，連接到靜電保護(hù)電阻器的焊盤可通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器的旁路線被連接到外部線，并且短路測(cè)試信號(hào)被施加到焊盤使得短路測(cè)試信號(hào)通過(guò)旁路線和外部線被供給到該至少一條線。

在示例實(shí)施例中，短路缺陷的位置可通過(guò)測(cè)量由短路測(cè)試信號(hào)在該至少一條線處產(chǎn)生的熱能被檢測(cè)。

在示例實(shí)施例中，該至少一條線可在短路缺陷的位置處被斷開，并且用于連接斷開的線的連接線可使用激光化學(xué)氣相沉積工藝被形成。

在示例實(shí)施例中，該至少一條線可在短路缺陷的位置處被斷開為連接到驅(qū)動(dòng)電路的第一部分和未連接到驅(qū)動(dòng)電路的第二部分，并且該至少一條線的第二部分可被連接到外部線。

在示例實(shí)施例中，外部線可以是環(huán)形修復(fù)線，環(huán)形修復(fù)線接收與施加到該至少一條線的第一部分的電信號(hào)相同的電信號(hào)。

在示例實(shí)施例中，位于短路缺陷的位置處的像素中的至少一個(gè)像素的發(fā)光元件可被連接到修復(fù)像素而不是像素中的至少一個(gè)像素。

在示例實(shí)施例中，外部線可以是連接到修復(fù)像素的修復(fù)數(shù)據(jù)線。

因此，在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備和短路測(cè)試方法中，通過(guò)焊盤施加的短路測(cè)試信號(hào)可通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器經(jīng)由旁路線和外部線被供給到具有短路缺陷的線，并且因此短路缺陷的位置可通過(guò)測(cè)量熱能容易地被檢測(cè)。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的具體描述，將更加清楚地理解說(shuō)明性的、非限制性的示例實(shí)施例。

圖1是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

圖2是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的用于顯示設(shè)備的短路測(cè)試方法的流程圖。

圖3、圖4、圖5a和圖5b是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的用于顯示設(shè)備的短路測(cè)試方法的圖。

圖6是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

圖7是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

圖8是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

圖9是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的包括顯示設(shè)備的電子設(shè)備的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。

圖1是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

參考圖1，顯示設(shè)備100包括：基板110，包括顯示區(qū)域120和周圍區(qū)域130；在基板110上的至少一條線dl，該至少一條線dl從周圍區(qū)域130延伸穿過(guò)顯示區(qū)域120；連接到該至少一條線dl的多個(gè)像素px；在周圍區(qū)域130上的外部線rrl；連接到外部線rrl的靜電保護(hù)電阻器resd；焊盤pad1，通過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd連接到外部線rrl；以及旁路線150，用于通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd將焊盤pad1連接到外部線rrl。

基板110包括顯示圖像的顯示區(qū)域120以及鄰近或圍繞顯示區(qū)域120的周圍區(qū)域130。像素px可被形成在顯示區(qū)域120上，并且像素px可被排列成具有多個(gè)行和多個(gè)列的矩陣形式。在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備100可以是有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示設(shè)備，并且每個(gè)像素px可包括oledel。例如，每個(gè)像素px可包括：開關(guān)晶體管tsw，響應(yīng)于掃描信號(hào)sscan將施加到線dl的數(shù)據(jù)電壓傳輸?shù)酱鎯?chǔ)電容器cst；存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓的存儲(chǔ)電容器cst；驅(qū)動(dòng)晶體管tdr，基于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器cst中的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生從高電源電壓elvdd到低電源電壓elvss的驅(qū)動(dòng)電流；以及oledel，基于從高電源電壓elvdd到低電源電壓elvss的驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光。盡管圖1圖示了包括兩個(gè)晶體管tsw和tdr以及一個(gè)電容器cst的像素px的示例，但是根據(jù)示例實(shí)施例，像素px可具有各種結(jié)構(gòu)。在一些示例實(shí)施例中，檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試過(guò)程可在oledel被形成在像素px中之前被執(zhí)行。

短路測(cè)試過(guò)程可被執(zhí)行以檢測(cè)短路缺陷的準(zhǔn)確位置，短路缺陷發(fā)生在從周圍區(qū)域130延伸穿過(guò)顯示區(qū)域120的任意數(shù)據(jù)線dl處。在一些示例實(shí)施例中，如圖1所示，短路缺陷的位置被檢測(cè)到的線可以是數(shù)據(jù)線，但本發(fā)明構(gòu)思可不限于此。例如，在其它示例實(shí)施例中，短路缺陷的位置被檢測(cè)到的線可以是任何線，諸如，感測(cè)線、掃描線、發(fā)射控制線、初始化控制線等。下文中，將描述短路缺陷的位置被檢測(cè)到的線是數(shù)據(jù)線dl的示例。每個(gè)數(shù)據(jù)線dl可被連接到數(shù)據(jù)輸出緩沖器db，并可通過(guò)顯示區(qū)域120延伸。在顯示區(qū)域120中，每條數(shù)據(jù)線dl可被連接到像素px。在一些示例實(shí)施例中，短路測(cè)試過(guò)程可在驅(qū)動(dòng)電路140被安裝在基板110的周圍區(qū)域130上之前被執(zhí)行。

外部線rrl可被形成為在基板110的周圍區(qū)域130上圍繞顯示區(qū)域120的至少一部分。例如，外部線rrl可在數(shù)據(jù)線方向上從周圍區(qū)域130的焊盤部分延伸，然后在掃描線方向上延伸。因此，外部線rrl可被形成為鄰近顯示區(qū)域120的兩側(cè)。在其它示例中，外部線rrl可被形成為鄰近顯示區(qū)域120的三側(cè)或者鄰近顯示區(qū)域120的左側(cè)、上側(cè)和右側(cè)。然而，外部線rrl可具有被連接到至少一個(gè)焊盤pad1并且能夠被連接到其中短路缺陷被檢測(cè)到的線dl的任何形狀。盡管圖1圖示了外部線rrl在一端處被連接到一個(gè)焊盤pad1的示例，在一些示例實(shí)施例中，外部線rrl可在一端處被連接到焊盤pad1并可在另一端處進(jìn)一步被連接到另一焊盤。此外，盡管圖1圖示了數(shù)據(jù)線dl能夠被連接到一條外部線rrl的示例，在一些示例實(shí)施例中，在顯示區(qū)域120的左側(cè)部分處的數(shù)據(jù)線dl能夠被連接到外部線rrl，并且在顯示區(qū)域120的右側(cè)部分處的數(shù)據(jù)線dl能夠被連接到另一外部線(未示出)。在其它示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備100可包括兩條或更多條外部線rrl，每條外部線rrl能夠被連接到各自的所有數(shù)據(jù)線dl。

根據(jù)示例實(shí)施例，在短路測(cè)試過(guò)程期間，外部線rrl可被連接到短路缺陷的位置被檢測(cè)到的數(shù)據(jù)線dl。在一些示例實(shí)施例中，短路測(cè)試過(guò)程可被執(zhí)行以檢測(cè)不能被顯微鏡檢測(cè)到的隱藏的短路缺陷的位置，并且外部線rrl可被連接到具有隱藏的短路缺陷的線dl。例如，通過(guò)陣列測(cè)試或薄板測(cè)試，在數(shù)據(jù)線dl處的短路缺陷的發(fā)生可被檢測(cè)。在數(shù)據(jù)線dl被不期望地連接到位于數(shù)據(jù)線dl上面或下面的另一條線的情況下，數(shù)據(jù)線dl是否具有短路缺陷可通過(guò)陣列測(cè)試或薄板測(cè)試被檢查，但短路缺陷的位置不能通過(guò)顯微鏡等被檢測(cè)。在短路測(cè)試過(guò)程期間，外部線rrl可被連接到具有該隱藏的短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。

外部線rrl可被連接到形成在周圍區(qū)域130上的靜電保護(hù)電阻器resd，并可通過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd被連接到形成在周圍區(qū)域130上的焊盤pad1。在一些示例實(shí)施例中，靜電保護(hù)電阻器resd可以是多晶硅電阻器，并可防止或減少靜電電荷通過(guò)焊盤pad1進(jìn)入內(nèi)部電路。在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備100可進(jìn)一步包括形成在靜電保護(hù)電阻器resd和焊盤pad1之間的節(jié)點(diǎn)處的靜電放電二極管d1和d2。例如，顯示設(shè)備100可包括：第一二極管d1，包括連接到在靜電保護(hù)電阻器resd和焊盤pad1之間的節(jié)點(diǎn)的陽(yáng)極端子和連接到高電壓(例如，高柵電壓vgh)的陰極端子；以及第二二極管d2，包括連接到在靜電保護(hù)電阻器resd和焊盤pad1之間的節(jié)點(diǎn)的陰極端子和連接到低電壓(例如，低柵電壓vgl)的陽(yáng)極端子。這些靜電放電二極管d1和d2可提供靜電電荷通過(guò)其被放電的路徑。

在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備100可進(jìn)一步包括在靜電保護(hù)電阻器resd和外部線rrl之間的晶體管ttg1。晶體管ttg1可響應(yīng)于通過(guò)焊盤pad2施加的測(cè)試控制信號(hào)stg選擇性地連接靜電保護(hù)電阻器resd和外部線rrl。例如，晶體管ttg1可在環(huán)形修復(fù)測(cè)試或修復(fù)像素測(cè)試期間將靜電保護(hù)電阻器resd連接到外部線rrl，并可在環(huán)形修復(fù)測(cè)試或修復(fù)像素測(cè)試之后從外部線rrl斷開靜電保護(hù)電阻器resd。

在短路測(cè)試過(guò)程期間，短路測(cè)試信號(hào)可被施加到焊盤pad1。旁路線150可在短路測(cè)試過(guò)程期間將焊盤pad1連接到外部線rrl，使得短路測(cè)試信號(hào)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd。此外，在一些示例實(shí)施例中，晶體管ttg1被布置在靜電保護(hù)電阻器resd和外部線rrl之間，旁路線150可將焊盤pad1連接到外部線rrl，使得短路測(cè)試信號(hào)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和晶體管ttg1。相應(yīng)地，在短路測(cè)試過(guò)程期間，施加到焊盤pad1的短路測(cè)試信號(hào)可通過(guò)旁路線150和外部線rrl被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。如果短路測(cè)試信號(hào)被施加到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl，則熱能可在線dl處被發(fā)射，并且具體地，高熱能可在數(shù)據(jù)線dl的短路缺陷的位置處被發(fā)射。在一些示例實(shí)施例中，短路測(cè)試信號(hào)可以是高電流信號(hào)，使得高熱能在短路缺陷的位置處被發(fā)射。由短路測(cè)試信號(hào)在具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl處產(chǎn)生的熱能可通過(guò)熱檢測(cè)器測(cè)量，高熱能被發(fā)射的位置可作為短路缺陷的位置被檢測(cè)。

在短路測(cè)試信號(hào)通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路140被施加的情況下，由于驅(qū)動(dòng)電路140的數(shù)據(jù)輸出緩沖器db的電流輸出限制，被供給到具有短路缺陷的線dl的電流可能不充分，并且因此可能不在短路缺陷的位置處發(fā)射足夠的熱能。在這種情況下，熱檢測(cè)器可能不檢測(cè)短路缺陷的位置，或可能需要長(zhǎng)時(shí)間來(lái)檢測(cè)短路缺陷的位置。此外，即使短路測(cè)試信號(hào)通過(guò)焊盤pad1被施加，在短路測(cè)試信號(hào)通過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和/或晶體管ttg1被施加到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl的情況下，由于因靜電保護(hù)電阻器resd而電流降低和/或晶體管ttg1的導(dǎo)通電流限制，被供給到具有短路缺陷的線dl的電流可能不充分，并且因此可能不在短路缺陷的位置處發(fā)射足夠的熱能。然而，在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備100中，通過(guò)焊盤pad1施加的短路測(cè)試信號(hào)可通過(guò)旁路線150和外部線rrl被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl，并且因此足夠的電流可被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。相應(yīng)地，足夠的熱能可在短路缺陷的位置處被發(fā)射，并且短路缺陷的位置可通過(guò)熱能測(cè)量容易地被檢測(cè)。

在一些示例實(shí)施例中，如果短路缺陷的位置被檢測(cè)到，則具有短路缺陷的線dl可在檢測(cè)到的短路缺陷的位置處(或在其間具有檢測(cè)到的位置的兩個(gè)位置處)被斷開(或切割)，并且因此短路缺陷發(fā)生的位置可與線dl分離。此外，用于連接斷開的線dl的連接線可使用適合局部沉積的激光化學(xué)氣相沉積工藝被形成，并且因此具有短路缺陷的線dl可被修復(fù)。

此外，在短路測(cè)試過(guò)程之后，旁路線150可在預(yù)定位置op處被斷開(或切割)。例如，旁路線150可通過(guò)激光處理被斷開。在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備100可進(jìn)一步包括在周圍區(qū)域130上圍繞顯示區(qū)域120的密封件160，并且旁路線150被斷開的位置op可被密封件160覆蓋。例如，密封件160可包括用于防止?jié)駳饣蚩諝鉂B透密封件160的玻璃粉。因此，即使當(dāng)層處理被執(zhí)行以斷開旁路線150時(shí)在絕緣層或無(wú)機(jī)層處出現(xiàn)裂縫，由于裂縫被密封件160覆蓋，可防止被濕氣腐蝕。

在一些示例實(shí)施例中，如圖1所示，在短路測(cè)試過(guò)程期間，連接到具有短路缺陷的線dl的外部線rrl可以是環(huán)形修復(fù)線。在這種情況下，顯示設(shè)備100可不包括用于短路測(cè)試過(guò)程的專用線，并且因此可降低顯示設(shè)備100的尺寸和成本。

具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl可使用作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl被修復(fù)。在用于修復(fù)數(shù)據(jù)線dl的連接線不能通過(guò)激光化學(xué)氣相沉積工藝被形成的情況下，具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl可使用作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl被修復(fù)。例如，具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl可在短路缺陷的位置處被斷開，并且可被分成第一部分和第二部分。數(shù)據(jù)線dl的第一部分可被連接到驅(qū)動(dòng)電路140，并且直接接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路140的數(shù)據(jù)輸出緩沖器db的電信號(hào)(例如，數(shù)據(jù)電壓)。數(shù)據(jù)線dl的第二部分可被連接到其為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl，并且可從驅(qū)動(dòng)電路140的修復(fù)數(shù)據(jù)線輸出緩沖器rdlb，通過(guò)作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl接收電信號(hào)。因此，位于短路缺陷的位置下方的像素px可通過(guò)數(shù)據(jù)線dl的第一部分接收數(shù)據(jù)電壓，并且位于短路缺陷的位置上方的像素px可通過(guò)作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl和數(shù)據(jù)線dl的第二部分接收數(shù)據(jù)電壓。

在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備100可進(jìn)一步包括：形成在周圍區(qū)域130上的修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl；晶體管ttg2，響應(yīng)于測(cè)試控制信號(hào)stg選擇性地連接靜電保護(hù)電阻器resd和修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl；以及連接到修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl的多個(gè)修復(fù)像素rpx。在一些示例實(shí)施例中，位于短路缺陷的位置處的像素px中的至少一個(gè)像素的發(fā)光元件(例如，oled)el可被連接到修復(fù)像素rpx而不是像素px中的至少一個(gè)像素。也就是說(shuō)，發(fā)光元件可與像素px中的至少一個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管tdr斷開，并可被連接到修復(fù)像素rpx。在這種情況下，修復(fù)像素rpx可基于來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路140的修復(fù)像素?cái)?shù)據(jù)輸出緩沖器rdb的數(shù)據(jù)電壓輸出產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，并且發(fā)光元件el可基于由修復(fù)像素rpx產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流發(fā)光。

如上所述，在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備100中，在檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試過(guò)程期間，通過(guò)焊盤pad1施加的短路測(cè)試信號(hào)可經(jīng)由旁路線150和作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和/或晶體管ttg1被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。相應(yīng)地，具有足夠電流的短路測(cè)試信號(hào)可被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl，并且因此短路缺陷的位置可通過(guò)熱能測(cè)量容易地被檢測(cè)。此外，在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備100中，作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl可被用作用于施加短路測(cè)試信號(hào)的線，并且用于短路缺陷的位置檢測(cè)的專用線可不需要，從而降低了顯示設(shè)備100的尺寸和成本。此外，由于旁路線150可在短路測(cè)試過(guò)程之后在由密封件160覆蓋的位置op處被斷開，旁路線150可在短路測(cè)試過(guò)程之后不影響作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl，并且即使因用于斷開旁路線150的激光處理而出現(xiàn)裂縫，也可防止被濕氣腐蝕。

圖2是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的用于顯示設(shè)備的短路測(cè)試方法的流程圖，并且圖3至圖5b是用于描述根據(jù)示例實(shí)施例的用于顯示設(shè)備100、100a和100b的短路測(cè)試方法的圖。

參考圖2和圖3，形成在基板的周圍區(qū)域上的外部線rrl(例如，環(huán)形修復(fù)線)可被連接到具有短路缺陷sd的線dl(例如，數(shù)據(jù)線dl)(s210)。例如，在陣列測(cè)試或薄板測(cè)試期間，具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl中的至少一條可被檢測(cè)到，并且作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl和數(shù)據(jù)線dl可通過(guò)激光處理在連接點(diǎn)cp處被連接。

連接到靜電保護(hù)電阻器resd的焊盤pad1可通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd的旁路線150被連接到外部線rrl(s230)。在一些示例實(shí)施例中，旁路線150可在短路測(cè)試過(guò)程之前預(yù)先連接到外部線rrl。在其它示例實(shí)施例中，旁路線150可通過(guò)激光處理被連接到外部線rrl。

短路測(cè)試信號(hào)sts可被施加到焊盤pad1，使得短路測(cè)試信號(hào)sts通過(guò)旁路線150和外部線rrl被施加到具有短路缺陷sd的線dl(s250)。相應(yīng)地，熱能可由短路測(cè)試信號(hào)sts在具有短路缺陷sd的線dl處被發(fā)射，并且具體地，高熱能可在短路缺陷sd的位置處被發(fā)射。

參考圖2和圖4，短路缺陷sd的位置可通過(guò)使用熱檢測(cè)器300測(cè)量由短路測(cè)試信號(hào)sts在具有短路缺陷sd的線dl處發(fā)射的熱能被檢測(cè)(s270)。例如，熱檢測(cè)器300可通過(guò)使用光接收元件測(cè)量熱能，光接收元件接收光子或熱能并將所接收的熱能轉(zhuǎn)化為電流，諸如，光電二極管。由于短路測(cè)試信號(hào)sts經(jīng)由旁路線150通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和/或晶體管ttg1被施加到具有短路缺陷sd的線dl，具有足夠電流的短路測(cè)試信號(hào)sts可被施加到具有短路缺陷sd的線dl，并且因此短路缺陷sd的位置可迅速且精確地被檢測(cè)。

一旦短路缺陷sd的位置被檢測(cè)到，具有短路缺陷sd的線dl可被修復(fù)，并且位于短路缺陷sd的位置處的像素px可被修復(fù)(s280、s290和s295)。在一些示例實(shí)施例中，如圖5a所示，具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl可在短路缺陷sd的位置處被斷開(s280)。例如，具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl可通過(guò)激光處理在其間具有短路缺陷sd的位置的兩個(gè)位置op1和op2處被斷開。此外，作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl和數(shù)據(jù)線dl可在預(yù)定位置op4處彼此斷開，并且用于連接斷開的數(shù)據(jù)線dl的連接線170可在檢測(cè)到的短路缺陷sd的位置處被形成(s290)。相應(yīng)地，短路缺陷sd發(fā)生的部分可與數(shù)據(jù)線dl分離，并且因此數(shù)據(jù)線dl可被修復(fù)。旁路線150可在由密封件160覆蓋的預(yù)定位置op處被斷開，并且因此可在短路測(cè)試過(guò)程之后不影響環(huán)形修復(fù)線。此外，通過(guò)將像素px的發(fā)光元件(例如，oled)el連接到修復(fù)像素rpx而不是像素px，位于檢測(cè)到的短路缺陷sd的位置處的像素px可被修復(fù)(s295)。例如，發(fā)光元件el和像素可通過(guò)斷開預(yù)定位置op3彼此斷開，并且發(fā)光元件el和修復(fù)線rl可在預(yù)定連接點(diǎn)cp處彼此連接。驅(qū)動(dòng)電路140可將用于具有短路缺陷sd的像素px的數(shù)據(jù)電壓sdata通過(guò)修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl施加到修復(fù)像素rpx。相應(yīng)地，發(fā)光元件el可通過(guò)修復(fù)像素rpx而不是具有短路缺陷sd的像素px被驅(qū)動(dòng)，并且因此具有短路缺陷sd的像素px可被修復(fù)。

在其它示例實(shí)施例中，如圖5b所示，具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl可在檢測(cè)到的短路缺陷sd的位置處被斷開，并且因此可被分成連接到驅(qū)動(dòng)電路140的第一部分dlp1和未連接到驅(qū)動(dòng)電路140的第二部分dlp2(s280)。例如，具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl可通過(guò)激光處理在其間具有檢測(cè)到的短路缺陷sd的位置的兩個(gè)位置op1和op2處被斷開。因此，連接到數(shù)據(jù)線dl的第一部分dlp1的像素px可通過(guò)數(shù)據(jù)線dl的第一部分dlp1接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路140的數(shù)據(jù)電壓sdata，并且連接到數(shù)據(jù)線dl的第二部分dlp2的像素px可通過(guò)環(huán)形修復(fù)線和數(shù)據(jù)線dl的第二部分dlp2接收來(lái)自驅(qū)動(dòng)電路140的數(shù)據(jù)電壓sdata(s290)。相應(yīng)地，短路缺陷sd發(fā)生的部分可與數(shù)據(jù)線dl分離，并且因此數(shù)據(jù)線dl可被修復(fù)。旁路線150可在密封件160內(nèi)部的預(yù)定位置op處被斷開，并且因此在短路測(cè)試過(guò)程之后可不影響環(huán)形修復(fù)線。此外，通過(guò)將像素px的發(fā)光元件el連接到修復(fù)像素rpx而不是像素px，位于檢測(cè)到的短路缺陷sd的位置處的像素px可被修復(fù)(s295)。相應(yīng)地，發(fā)光元件el可通過(guò)修復(fù)像素rpx而不是具有短路缺陷sd的像素px被驅(qū)動(dòng)，并且因此具有短路缺陷sd的像素px可被修復(fù)。

如上所述，在根據(jù)示例實(shí)施例的用于顯示設(shè)備100的短路測(cè)試方法中，短路測(cè)試信號(hào)sts可經(jīng)由旁路線150和作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和/或晶體管ttg1被供給到具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl。相應(yīng)地，具有足夠電流的短路測(cè)試信號(hào)sts可被供給到具有短路缺陷sd的數(shù)據(jù)線dl，并且因此短路缺陷sd的位置通過(guò)熱能測(cè)量可容易地被檢測(cè)。

圖6是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

參考圖6，顯示設(shè)備400包括：基板410，包括顯示區(qū)域420和周圍區(qū)域430；在基板410上的至少一條數(shù)據(jù)線dl，該至少一條數(shù)據(jù)線dl從周圍區(qū)域430延伸穿過(guò)顯示區(qū)域420；連接到該至少一條數(shù)據(jù)線dl的多個(gè)像素px；在周圍區(qū)域430上的外部線rrl；連接到外部線rrl的靜電保護(hù)電阻器resd；焊盤pad1，通過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd連接到外部線rrl；以及旁路線450，用于通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd將焊盤pad1連接到外部線rrl。在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備400可進(jìn)一步包括驅(qū)動(dòng)電路440、密封件460、測(cè)試控制信號(hào)stg被施加至其的焊盤pad2、連接在靜電保護(hù)電阻器resd和外部線rrl之間的晶體管ttg1、以及形成在靜電保護(hù)電阻器resd和焊盤pad1之間的節(jié)點(diǎn)處的靜電放電二極管d1和d2。除了顯示設(shè)備400不包括修復(fù)像素rpx、修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl和連接到修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl的晶體管ttg2之外，圖6的顯示設(shè)備400可具有與圖1的顯示設(shè)備100類似的配置。

在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備400中，在檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試過(guò)程期間，通過(guò)焊盤pad1施加的短路測(cè)試信號(hào)sts可經(jīng)由旁路線450和作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和/或晶體管ttg1被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。相應(yīng)地，具有足夠電流的短路測(cè)試信號(hào)sts可被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl，并且因此短路缺陷的位置可通過(guò)熱能測(cè)量容易地被檢測(cè)。此外，在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備400中，作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl可被用作用于施加短路測(cè)試信號(hào)sts的線，并且用于短路缺陷的位置檢測(cè)的專用線可不需要，從而降低了顯示設(shè)備400的尺寸和成本。此外，由于旁路線450在短路測(cè)試過(guò)程之后在由密封件460覆蓋的位置op處可被斷開，旁路線450在短路測(cè)試過(guò)程之后可不影響作為環(huán)形修復(fù)線的外部線rrl，并且即使因用于斷開旁路線450的激光處理而出現(xiàn)裂縫，也可防止被濕氣腐蝕。

圖7是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

參考圖7，顯示設(shè)備500包括：基板510，包括顯示區(qū)域520和周圍區(qū)域530；在基板510上的至少一條數(shù)據(jù)線dl，該至少一條數(shù)據(jù)線dl從周圍區(qū)域530延伸穿過(guò)顯示區(qū)域520；連接到該至少一條數(shù)據(jù)線dl的多個(gè)像素px；在周圍區(qū)域530上的外部線rdl；連接到外部線rdl的靜電保護(hù)電阻器resd；焊盤pad1，通過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd連接到外部線rdl；以及旁路線550，用于通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd將焊盤pad1連接到外部線rdl。在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備500可進(jìn)一步包括驅(qū)動(dòng)電路540、密封件560、測(cè)試控制信號(hào)stg被施加至其的焊盤pad2、連接在靜電保護(hù)電阻器resd和外部線rdl之間的晶體管ttg2、以及形成在靜電保護(hù)電阻器resd和焊盤pad1之間的節(jié)點(diǎn)處的靜電放電二極管d1和d2。除了顯示設(shè)備500不包括環(huán)形修復(fù)線和連接到環(huán)形修復(fù)線的晶體管ttg1之外，圖7的顯示設(shè)備500可具有與圖1的顯示設(shè)備100類似的配置。在圖7的顯示設(shè)備500中，修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl(和在掃描線方向上從修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl延伸的線)可被用作用于施加短路測(cè)試信號(hào)sts的外部線rdl。在一些示例實(shí)施例中，在短路測(cè)試過(guò)程之后，修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl在預(yù)定位置op4處可被斷開，并且因此修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl的負(fù)載可被減少。

在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備500中，在檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試過(guò)程期間，通過(guò)焊盤pad1施加的短路測(cè)試信號(hào)sts可經(jīng)由旁路線550和修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd和/或晶體管ttg2被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。相應(yīng)地，具有足夠電流的短路測(cè)試信號(hào)sts可被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl，并且因此短路缺陷的位置可通過(guò)熱能測(cè)量容易地被檢測(cè)。此外，在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備500中，修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl可被用作用于施加短路測(cè)試信號(hào)sts的線，并且用于短路缺陷的位置檢測(cè)的專用線可不需要，從而降低了顯示設(shè)備500的尺寸和成本。此外，由于旁路線550在短路測(cè)試過(guò)程之后在由密封件560覆蓋的位置op處可被斷開，旁路線550在短路測(cè)試過(guò)程之后可不影響修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl，并且即使因用于斷開旁路線550的激光處理而出現(xiàn)裂縫，也可防止被濕氣腐蝕。

圖8是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備的圖。

參考圖8，顯示設(shè)備600包括：基板610，包括顯示區(qū)域620和周圍區(qū)域630；在基板610上的至少一條數(shù)據(jù)線dl，該至少一條數(shù)據(jù)線dl從周圍區(qū)域630延伸穿過(guò)顯示區(qū)域620；連接到該至少一條數(shù)據(jù)線dl的多個(gè)像素px；在周圍區(qū)域630上的外部線690；連接到外部線690的靜電保護(hù)電阻器resd；焊盤pad1，通過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd連接到外部線690；以及旁路線650，用于通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd將焊盤pad1連接到外部線690。在一些示例實(shí)施例中，顯示設(shè)備600可進(jìn)一步包括驅(qū)動(dòng)電路640、密封件660以及形成在靜電保護(hù)電阻器resd和焊盤pad1之間的節(jié)點(diǎn)處的靜電放電二極管d1和d2。在圖8的顯示設(shè)備600中，環(huán)形修復(fù)線、修復(fù)數(shù)據(jù)線rdl和修復(fù)像素rpx可不被形成。此外，在圖8的顯示設(shè)備600中，在周圍區(qū)域630上的任意線690可被用作用于施加短路測(cè)試信號(hào)sts的外部線690。

在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備600中，在檢測(cè)短路缺陷的位置的短路測(cè)試過(guò)程期間，通過(guò)焊盤pad1施加的短路測(cè)試信號(hào)sts可經(jīng)由旁路線650和外部線690通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器resd被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl。相應(yīng)地，具有足夠電流的短路測(cè)試信號(hào)sts可被供給到具有短路缺陷的數(shù)據(jù)線dl，并且因此短路缺陷的位置可通過(guò)熱能測(cè)量容易地被檢測(cè)。

圖9是圖示了根據(jù)示例實(shí)施例的包括顯示設(shè)備的電子設(shè)備的框圖。

參考圖9，電子設(shè)備800可包括：處理器810、內(nèi)存設(shè)備820、存儲(chǔ)設(shè)備830、輸入/輸出(i/o)設(shè)備840、電源850和顯示設(shè)備860。這里，顯示設(shè)備860可與圖1的顯示設(shè)備100、圖6的顯示設(shè)備400、圖7的顯示設(shè)備500或圖8的顯示設(shè)備600對(duì)應(yīng)。此外，電子設(shè)備800可進(jìn)一步包括用于與視頻卡、聲卡、存儲(chǔ)卡、通用串行總線(usb)設(shè)備、其它電子設(shè)備等通信的多個(gè)端口。

處理器810可執(zhí)行各種計(jì)算功能。處理器810可以是微處理器、中央處理單元(cpu)、應(yīng)用處理器(ap)等。處理器810可經(jīng)由地址總線、控制總線、數(shù)據(jù)總線等被聯(lián)接到其它組件。此外，處理器810可被聯(lián)接到擴(kuò)展總線，諸如，外設(shè)部件互連(pci)總線。

內(nèi)存設(shè)備820可存儲(chǔ)用于電子設(shè)備800的操作的數(shù)據(jù)。例如，內(nèi)存設(shè)備820可包括諸如可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eprom)設(shè)備、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)設(shè)備、快閃存儲(chǔ)器設(shè)備、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pram)設(shè)備、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(rram)設(shè)備、納米浮柵存儲(chǔ)器(nfgm)設(shè)備、聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(poram)設(shè)備、磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)設(shè)備、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(fram)設(shè)備等的至少一種非易失性內(nèi)存設(shè)備，和/或諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)設(shè)備、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)設(shè)備、移動(dòng)dram設(shè)備等的至少一種易失性內(nèi)存設(shè)備。

存儲(chǔ)設(shè)備830可以是固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(ssd)設(shè)備、硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)設(shè)備、cd-rom設(shè)備等。i/o設(shè)備840可以是諸如鍵盤、小鍵盤、鼠標(biāo)設(shè)備、觸摸板、觸摸屏、遠(yuǎn)程控制器等的輸入設(shè)備以及諸如打印機(jī)、揚(yáng)聲器等的輸出設(shè)備。電源850可提供用于電子設(shè)備800的操作的電力。

顯示設(shè)備860可以是有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示設(shè)備、液晶顯示(lcd)設(shè)備，等等。在根據(jù)示例實(shí)施例的顯示設(shè)備860中，通過(guò)焊盤施加的短路測(cè)試信號(hào)可經(jīng)由旁路線和外部線通過(guò)繞過(guò)靜電保護(hù)電阻器被提供到具有短路缺陷的線，并且因此短路缺陷的位置可通過(guò)熱能測(cè)量容易地被檢測(cè)。

根據(jù)示例實(shí)施例，電子設(shè)備800可以是包括顯示設(shè)備860的任何電子設(shè)備，諸如，蜂窩電話、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數(shù)字相機(jī)、音樂(lè)播放器、便攜式游戲機(jī)、導(dǎo)航系統(tǒng)、數(shù)字電視、3d電視、個(gè)人計(jì)算機(jī)(pc)、家用電器、膝上型計(jì)算機(jī)等。

以上是示例實(shí)施例的說(shuō)明，不應(yīng)被解釋為其限制。盡管描述了一些示例實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在示例實(shí)施例中能夠進(jìn)行許多修改，而在本質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎教義和優(yōu)點(diǎn)。從而，所有這種修改旨在包括于權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)當(dāng)理解，以上是不同示例實(shí)施例的例示，不應(yīng)被解釋為限制于所公開的具體示例實(shí)施例，而且，對(duì)所公開的示例實(shí)施例以及其它示例實(shí)施例的修改旨在包括于所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。