本實(shí)用新型涉及智能電表，尤其是涉及智能電表的上電檢測(cè)電路。

背景技術(shù)：

隨著智能電表技術(shù)的發(fā)展，電力公司對(duì)掉電時(shí)智能電表功能的要求越來越高。為此，許多智能電表在設(shè)計(jì)上會(huì)使用電池作為備用電源，來保證掉電時(shí)RTC（Real-Time Clock，實(shí)時(shí)時(shí)鐘)、事件記錄以及LCD顯示等功能的實(shí)現(xiàn)。

現(xiàn)有的一種智能電表，使用電池作為備用電源，在掉電時(shí)MCU（單片機(jī)）進(jìn)入休眠模式，上電喚醒后進(jìn)入正常工作模式。其中，MCU上運(yùn)行的程序?qū)ι想姾偷綦姷呐卸?biāo)準(zhǔn)為：上電：1、電源檢測(cè)PVD高于1.25V；2、MCU的IO接口POWER_ON檢測(cè)到上升沿。掉電：電源檢測(cè)PVD低于1.25V。

在實(shí)際使用過程中，如果電網(wǎng)電壓出現(xiàn)緩慢上升下降，可能會(huì)出現(xiàn)電源檢測(cè)PVD低于1.25V，而接口POWER_ON上的電壓仍為高電平，此時(shí)電表能夠正常檢測(cè)到掉電，程序進(jìn)入休眠。然而，此時(shí)再上電，使電源檢測(cè)PVD高于1.25V的話，由于接口POWER_ON一直是高電平，不會(huì)出現(xiàn)從低電平到高電平的上升沿，不能滿足上述的上電判斷標(biāo)準(zhǔn)，MCU就不會(huì)檢測(cè)到上電，進(jìn)而程序會(huì)一直處于休眠模式，不能及時(shí)被喚醒，影響到智能電表的可靠運(yùn)行。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足，而提出一種智能電表的上電檢測(cè)電路，能夠確保智能電表的可靠運(yùn)行。

本實(shí)用新型針對(duì)上述技術(shù)問題提出一種智能電表的上電檢測(cè)電路，包括：電壓檢測(cè)電路，用于對(duì)市電轉(zhuǎn)換過來的第一電源是否存在進(jìn)行檢測(cè)，給出相應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)；以及方波發(fā)生器，其由該第一電源供電，用于在該電壓檢測(cè)電路輸出第一電源存在的檢測(cè)信號(hào)時(shí)，產(chǎn)生方波。

在一些實(shí)施例中，該電壓檢測(cè)電路主要由芯片U1和MOS管Q1構(gòu)成；其中，該芯片U1檢測(cè)該第一電源是否存在，若存在，輸出一個(gè)高電平給該MOS管Q1，該MOS管Q1截止，輸出高電平，使得該方波發(fā)生器產(chǎn)生方波；反之，若不存在，輸出一個(gè)低電平給該MOS管Q1，該MOS管Q1導(dǎo)通，輸出低電平，使得該方波發(fā)生器不產(chǎn)生方波。

在一些實(shí)施例中，該MOS管Q1采用第二電源供電，該第二電源是由市電和電池同時(shí)供電的。

在一些實(shí)施例中，該第一電源和該第二電源均為3.3V。

在一些實(shí)施例中，該MOS管Q1的柵極G與該芯片U1的檢測(cè)輸出端口相連；該MOS管Q1的源極S接地；該MOS管Q1的漏極D通過電阻R2與第二電源相連。

在一些實(shí)施例中，該芯片U1的檢測(cè)輸入端口與該第一電源相連，并通過電容C1接地；該芯片U1的接地端口接地；該芯片U1的檢測(cè)輸出端口通過電容C2接地，并通過電阻R1與該第一電源相連。

在一些實(shí)施例中，該方波發(fā)生器由反相器和RC緩沖電路構(gòu)成，調(diào)整該RC緩沖電路中的電阻R3的阻值和電容C4的容值可以調(diào)整該方波的波形。

在一些實(shí)施例中，該反相器的輸入端通過該電阻R3與該電壓檢測(cè)電路的檢測(cè)信號(hào)相連，并通過該電容C4接地；該反相器的輸出端與該反相器的輸入端相連。

在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)該電容C4的容值，可以調(diào)整該方波的占空比。

本實(shí)用新型針對(duì)上述技術(shù)問題還提出一種智能電表，包括如上所述的上電檢測(cè)電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的智能電表的上電檢測(cè)電路，通過巧妙地用電壓檢測(cè)電路和方波發(fā)生器構(gòu)成，能夠及時(shí)、可靠地檢測(cè)到電表上電，為微處理器提供必要的喚醒信號(hào)，從而能夠確保智能電表的可靠運(yùn)行。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的智能電表的上電檢測(cè)電路的框圖。

圖2是本實(shí)用新型的上電檢測(cè)電路中電壓檢測(cè)電路的電原理圖。

圖3是本實(shí)用新型的上電檢測(cè)電路中方波發(fā)生電路的電原理圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合本說明書的附圖，對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例予以進(jìn)一步地詳盡闡述。

參見圖1，圖1是本實(shí)用新型的智能電表的上電檢測(cè)電路的框圖。本實(shí)用新型提出一種智能電表100，其包括微處理器10和與該微處理器10相配合的上電檢測(cè)電路20。

該上電檢測(cè)電路20大致包括：電壓檢測(cè)電路1和方波發(fā)生器2。其中，該電壓檢測(cè)電路1用于對(duì)上電信號(hào)IN進(jìn)行檢測(cè)，給出上電信號(hào)IN存在/不存在的檢測(cè)信號(hào)。該方波發(fā)生器2用于在該電壓檢測(cè)電路1輸出上電信號(hào)IN存在的監(jiān)測(cè)信號(hào)時(shí)，產(chǎn)生方波OUT，提供給該微處理器10，以確保該微處理器10能夠及時(shí)被喚醒，從而能夠確保該智能電表100可靠運(yùn)行。

在本實(shí)施例中，該上電信號(hào)IN為市電轉(zhuǎn)換過來的電源，該方波發(fā)生器2由該電源供電。該方波發(fā)生器2由反相器21和RC緩沖電路22構(gòu)成。調(diào)整該RC緩沖電路22的電阻R的阻值和電容C的容值可以調(diào)整方波OUT的波形，包括：頻率和占空比。

參見圖2，圖2是本實(shí)用新型的上電檢測(cè)電路中電壓檢測(cè)電路的電原理圖。該電壓檢測(cè)電路1大致由芯片U1，MOS管Q1，以及外圍的電阻R1、R2和電容C1、C2構(gòu)成。

具體而言，芯片U1的檢測(cè)輸入端口VCC與+3.3V相連，并通過電容C1接地。芯片U1的接地端口VSS接地。芯片U1的檢測(cè)輸出端口/OUT通過電容C2接地，并通過電阻R1與電源+3.3V相連。

MOS管Q1的柵極G與該芯片U1的檢測(cè)輸出端口/OUT相連。MOS管Q1的源極S接地。MOS管Q1的漏極D通過電阻R2與電源VDD3.3V相連。

其中，芯片U1檢測(cè)市電轉(zhuǎn)換過來的電源+3.3V是否存在，若存在，就會(huì)輸出一個(gè)高電平，MOS管Q1截止，信號(hào)POWER_ON輸出高電平；反之，若不存在，就會(huì)輸出一個(gè)低電平， MOS管Q1導(dǎo)通，信號(hào)POWER_ON輸出低電平。

值得一提的是，電源+3.3V是市電通過開關(guān)電源與穩(wěn)壓電路轉(zhuǎn)換過來的，只有在電表上電時(shí)，才會(huì)有電源+3.3V存在。在掉電時(shí)，電源+3.3V不存在，電源+3.3V線路上電壓為0V。電源VDD3.3V是由市電和電池同時(shí)供電的，電源VDD3.3V線路上電壓，在上電和下電時(shí)，均為3.3V。

參見圖3，圖3是本實(shí)用新型的上電檢測(cè)電路中方波發(fā)生電路的電原理圖。該方波發(fā)生電路2大致由芯片U2，以及外圍的電阻R3和電容C3、C4構(gòu)成?？梢岳斫獾氖?，該芯片U2為前述的反相器21。該電阻R3和電容C4構(gòu)成前述的RC緩沖電路22。值得一提的是，通過調(diào)節(jié)通過該電阻R3的阻值和/或該電容C4的容值，可以調(diào)整該方波的頻率。通過調(diào)整該電容C4的容值，可以調(diào)整該方波的占空比。

具體而言，該芯片U2的反相器的輸入端A通過該電阻R3與該電壓檢測(cè)電路的檢測(cè)信號(hào)POWER_ON相連，并通過該電容C4接地。該芯片U2的反相器的輸出端Y與該芯片U2的反相器的輸入端A相連。

該芯片U2由電源+3.3V供電。在芯片U2工作時(shí)，檢測(cè)信號(hào)POWER_ON通過RC緩沖電路22后，輸出方波信號(hào)。微處理器10的相應(yīng)接口就會(huì)檢測(cè)到電平上升沿，從而判斷電表上電，能夠及時(shí)被喚醒。

電表掉電時(shí)，由于MOS管Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，信號(hào)POWER_ON為低電平，芯片U2失去電源+3.3V供電，不工作，這時(shí)微處理器10的相應(yīng)接口檢測(cè)到的信號(hào)為低電平，程序判定掉電，進(jìn)入休眠模式。

電表上電時(shí)，芯片U1輸出電壓為高，MOS管Q1關(guān)斷，信號(hào)POWER_ON為高電平，芯片U2工作，信號(hào)POWER_ON通過芯片U2后，變?yōu)楦叩碗娖浇惶娴姆讲?，這時(shí)輸入到微處理器10的信號(hào)就是一個(gè)方波信號(hào)，微處理器10能夠檢測(cè)到上升沿。

再回到前面背景技術(shù)里面提到的緩慢上升下降的情況，當(dāng)下電導(dǎo)致電源檢測(cè)PVD低于1.25V，而電源+3.3V仍然為高電平時(shí)，微處理器上的程序判定為掉電，進(jìn)入休眠。此時(shí)再上電，電源檢測(cè)PVD高于1.25V，電源+3.3V仍然為高電平，信號(hào)POWER_ON為方波信號(hào)，微處理器10檢測(cè)到上升沿，程序判定為上電，程序喚醒，退出休眠模式。可見，在這個(gè)過程中，就不會(huì)再出現(xiàn)正常上電時(shí)，電表檢測(cè)不到上電的情況，保證了電表穩(wěn)定啟動(dòng)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的智能電表的上電檢測(cè)電路20，通過巧妙地用電壓檢測(cè)電路1和方波發(fā)生器2構(gòu)成，能夠及時(shí)、可靠地檢測(cè)到電表上電，為微處理器10提供必要的喚醒信號(hào)，從而能夠確保智能電表的可靠運(yùn)行。

上述內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非用于限制本實(shí)用新型的實(shí)施方案，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型的主要構(gòu)思和精神，可以十分方便地進(jìn)行相應(yīng)的變通或修改，故本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。