1.一種功率開關的過流檢測電路，其特征在于，包括采樣電路單元、除法電路單元和輸出信號處理單元；
所述采樣電路單元采集功率開關漏極的電壓，將其轉換為采樣電流；
所述除法電路單元獲取參考電流，并對參考電流進行預設的除法處理，得到修正后的基準電流；
所述輸出信號處理單元將所述采樣電流和基準電流進行比較，并根據(jù)比較結果輸出控制所述功率開關的開和關的控制信號；
所述輸出信號處理單元包括施密特觸發(fā)器和反相器，所述施密特觸發(fā)器包括正反饋比較器，所述正反饋比較器的正極輸入端通過第二電阻連接所述除法電路單元和采樣電路單元；所述正反饋比較器的負極輸入端通過第三電阻接地；所述正反饋比較器的輸出端連接第四電阻的一端，第四電阻的另一端連接所述反相器，第四電阻的另一端還通過串聯(lián)的第一穩(wěn)壓管和第二穩(wěn)壓管接地，以及通過第五電阻連接所述正反饋比較器的正極輸入端。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率開關的過流檢測電路，其特征在于，所述采樣電路單元包括第一PMOS管和第二PMOS管，
所述第一PMOS管的源端連接VDD電壓源，柵端與第二PMOS管的柵端連接，漏端連接所述除法電路單元；
所述第二PMOS管的源端連接功率開關的漏端，柵端和漏端短接后連接所述除法電路單元。
3.根據(jù)權利要求2所述的功率開關的過流檢測電路，其特征在于，所述除法電路單元包括除法電路模塊，該除法電路模塊包括第一除法電路和第二除法電路，第一除法電路與第二除法電路結構相同，第一除法電路的一端連接所述VDD電壓源，另一端連接所述第二除法電路；
所述第一除法電路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一電阻、電流輸入器、電流輸出器和運放器；
所述電流輸入器的一端連接所述第三PMOS管的漏端，另一端接地；
所述第三PMOS管的柵端接地，源端接所述VDD電壓源，漏端接入運放器的正輸入端；
所述第四PMOS管的柵端連接所述運放器的輸出端，源端接入運放器的負輸入端，漏極分別連接所述第一NMOS管的柵端和漏端；
所述第一電阻的一端連接所述VDD電壓源，另一端與所述第四PMOS管的源端相連；
所述第一NMOS管的源端接地，柵端與第二NMOS管的柵端相連；
所述第二NMOS管的源端接地，漏端與所述電流輸出器的一端連接，電流輸出器的另一端連接所述第二除法電路的第三PMOS管的漏極；
所述第二除法電路的電源輸出器輸出所述基準電流。
4.根據(jù)權利要求3所述的功率開關的過流檢測電路，其特征在于，所述除法電路單元還包括鏡像電路，該鏡像電路包括第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，
所述第三NMOS管的柵端和漏端短接并與所述除法電路連接，源端接地；所述第四NMOS管的漏端與所述第一PMOS管的漏端短接后連接所述輸出信號處理單元，源端接地；所述第五NMOS管的漏端與所述第二PMOS管的漏端短接，源端接地；
所述第三NMOS管的柵端、第四NMOS管的柵端和第五NMOS管的柵端相互短接。