1.一種單芯片磁電阻電流傳感器，包括襯底(502,702)、磁電阻、焊盤(503,504,703,704)、集成電流線圈(501,701)和鍵合引線，所述集成電流線圈集成在所述襯底上，其特征在于：所述磁電阻包括至少兩個(gè)磁電阻橋臂，每個(gè)磁電阻橋臂由磁電阻單元串構(gòu)成，所述磁電阻單元串包括一個(gè)磁電阻單元(101)或者多個(gè)串聯(lián)的磁電阻單元(101)，其中磁電阻同一側(cè)端口處的一個(gè)磁電阻橋臂的磁電阻單元串與另一個(gè)磁電阻橋臂的磁電阻單元串交替排列，所有磁電阻橋臂的靈敏方向相同，所述集成電流線圈在磁電阻橋臂處產(chǎn)生的磁場平行于磁電阻橋臂的靈敏方向，且所述集成電流線圈在磁電阻橋臂處產(chǎn)生的磁場的方向與磁電阻橋臂的靈敏方向相同或相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述磁電阻單元(101)包括依次沉積的底部電極層、種子層(102)、釘扎層(103)、被釘扎層(104)、隔離層(106)、自由層(107)、偏置層(109)和頂部電極層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述隔離層(106)為非磁性導(dǎo)體層或者非磁性絕緣體層，所述自由層(107)為高磁導(dǎo)率材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述偏置層(109)的偏置磁場在所述自由層(107)的磁場方向垂直于所述被釘扎層(104)的磁化方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述集成電流線圈為導(dǎo)電線圈。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述磁電阻為半橋結(jié)構(gòu)，所述磁電阻橋臂為兩個(gè)，所述集成電流線圈產(chǎn)生的磁場在兩個(gè)所述的磁電阻橋臂處的方向相反。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述磁電阻為全橋結(jié)構(gòu)，所述磁電阻橋臂為四個(gè)，所述集成電流線圈產(chǎn)生的磁場在其中兩個(gè)磁電阻橋臂處的方向與在另兩個(gè)磁電阻橋臂處的方向相反。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述集成電流線圈位于所述磁電阻單元(101)的正上方或者正下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單芯片磁電阻電流傳感器，其特征在于：所述集成電流線圈具有兩個(gè)端子，每個(gè)端子具有一個(gè)或多個(gè)并聯(lián)連接的焊盤。