1.一種二線制總線探測(cè)器，其特征在于：它包括電源載波總線和探測(cè)單元，所述探測(cè)單元包括MCU控制器和分別與所述MCU控制器連接的傳感器、電源電路、接收調(diào)制轉(zhuǎn)換電路、發(fā)送調(diào)制轉(zhuǎn)換電路；所述電源電路為所述MCU控制器提供電源并接入所述電源載波總線，所述接收調(diào)制轉(zhuǎn)換電路與所述MCU控制器連接并接入所述電源載波總線，所述發(fā)送調(diào)制轉(zhuǎn)換電路與所述MCU控制器連接并接入所述電源載波總線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二線制總線探測(cè)器，其特征在于：所述電源電路包括橋式整流電路和LDO芯片，所述電源載波總線依次通過所述橋式整流電路和所述LDO芯片為所述MCU控制器供電；其中，所述LDO芯片的Vin端口和Vout端口分別通過外接電容與所述LDO芯片的GND端口連接，所述GND端口接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二線制總線探測(cè)器，其特征在于：所述接收調(diào)制轉(zhuǎn)換電路包括電源、穩(wěn)壓二極管、電阻R16、電阻R15、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20、三極管Q2和三極管Q3；所述橋式整流電路輸出端的正極依次通過所述穩(wěn)壓二極管DZ1和所述電阻R16連接所述三極管Q2的基極，所述電阻R15并接在所述三極管Q2的基極和發(fā)射極兩端，所述三極管Q2的集電極通過所述電阻R17接至電源，所述三極管Q2的集電極通過所述電阻R20連接所述三極管Q3的基極，所述三極管Q3的集電極通過所述電阻R19接至電源，所述三極管Q3的集電極還通過所述電阻R18連接到所述MCU控制器，所述三極管Q2的發(fā)射極和所述三極管Q3的發(fā)射極分別連接所述橋式整流電路輸出端的負(fù)極并接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二線制總線探測(cè)器，其特征在于：所述接收調(diào)制轉(zhuǎn)換電路包括電源、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、二極管D1、三極管Q1和三極管Q4；所述MCU控制器通過所述電阻R11連接所述三極管Q4的基極，所述三極管Q4的基極還依次通過電阻R11和R12連接至所述電源，所述三極管Q4的發(fā)射極連接所述橋式整流電路輸出端的負(fù)極，所述三極管Q4的集電極通過電阻R13連接至所述電源，所述三極管Q4的集電極還連接所述三極管Q1的基極，所述三極管Q1的集電極通過所述二極管D1連接所述橋式整流電路輸出端的正極，所述三極管Q1的發(fā)射極通過電阻R14接至所述橋式整流電路輸出端的負(fù)極；其中，所述二極管D1的陰極接至所述三極管Q1的集電極，所述二極管D1的陽極接至所述橋式整流電路輸出端的正極，所述橋式整流電路輸出端的負(fù)極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二線制總線探測(cè)器，其特征在于：所述傳感器為氣體傳感器。