技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電化學(xué)領(lǐng)域，具體涉及Pd納米線修飾電極及其制備方法和用途，Pd納米線修飾電極的制備方法包括以下步驟，①制備AAO模板，AAO模板雙通后進(jìn)行導(dǎo)電化處理；②將步驟①中的雙通AAO模板貼在Pt電極表面，進(jìn)行直流電沉積以使AAO模板固定于Pt電極表面；③將表面固定有AAO模板的Pt電極于溶液中浸沒，取浸沒后的電極沖洗得到有序的PdNAs，陰干，即得Pd納米線修飾電極。采用本發(fā)明的Pd納米線修飾電極檢測(cè)2,4?噻唑烷二酮的濃度時(shí)，檢測(cè)靈敏度高、線性范圍寬、最低檢測(cè)限低，抗干擾能力強(qiáng)，檢測(cè)精度高。

技術(shù)研發(fā)人員：張敏;程發(fā)良;張燕;柳鵬;陳妹瓊;蔡志泉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞理工學(xué)院
文檔號(hào)碼：201611120934
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.08
技術(shù)公布日：2017.05.31