1.一種聲表面波傳感器，其特征在于，所述聲表面波傳感器由Si襯底、SiO2緩沖層、換能器IDT、ZnO薄膜組成多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)從上之下依次為ZnO薄膜、換能器IDT、SiO2緩沖層及Si襯底，所述換能器IDT為同心環(huán)形結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述ZnO薄膜的c軸平行于所述Si襯底或者垂直于所述Si襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述IDT為完整的同心環(huán)形，輸入端為外圈IDT，輸出端為內(nèi)圈IDT。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述IDT通過多層金屬布線工藝形成，第一層金屬布線工藝制作同心環(huán)形IDT，第二層金屬布線工藝實現(xiàn)環(huán)形IDT和金屬電極引腳的連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲表面波傳感器，其特征在于，在所述外圈IDT及內(nèi)圈IDT之間涂覆有敏感材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述IDT為不完整的同心環(huán)形，輸入IDT與輸出IDT組成環(huán)形叉指結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述IDT通過一層金屬布線工藝形成所述同心環(huán)形IDT及所述同心環(huán)形IDT與金屬電極引腳的連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲表面波傳感器，其特征在于，在所述輸入IDT與輸出IDT組成的環(huán)形叉指結(jié)構(gòu)外圈設(shè)置有環(huán)形反射柵，在所述環(huán)形叉指結(jié)構(gòu)與所述反射柵之間涂覆有敏感材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述聲表面波傳感器采用單通道或者多通道。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的聲表面波傳感器，其特征在于，所述傳感器的輸入端及輸出端的信號傳輸為無源無線型、有源無線型或有源有線型。