本發(fā)明涉及X射線管真空度的檢測技術，具體涉及X射線管真空度的檢測方法。

背景技術：

X射線管作為電真空器件，其管內的真空度直接影響著管子的高壓絕緣性能，真空度太低時的氣體電離也會影響X射線的發(fā)射。

因為傳統(tǒng)的真空規(guī)無法進入X射線管的內部檢測，所以目前行業(yè)內沒有直接檢測X射線管管內真空度的儀器，使得整管的真空度檢測有一定困難。

為此，期望尋求一種技術方案，以至少減輕上述問題。

技術實現要素：

本發(fā)明要解決的技術問題是，提供一種X射線管真空度的檢測方法。

為解決一方面的技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案。

一種X射線管真空度的檢測方法，包括以下步驟：

步驟1，將電流表與鈦泵串聯后與電源連接，該鈦泵的排氣管與待檢測的X射線管管內真空空間連通；

步驟2，將所述電流表的檔位調節(jié)為μA檔，將所述電源的輸出電壓調節(jié)至2-4kV，讀取所述電流表的讀數I₀，得到所述X射線管的本底電流I₀；以及

步驟3，在所述鈦泵兩側標記位置分別設置磁片，將所述電流表的檔位調節(jié)為mA檔，將所述電源的輸出電壓調節(jié)至3.8-4.2kV，讀取所述電流表的讀數I_i，若I_i-I₀＝0時，則P≤3×10^-5Pa；

其中，P為X射線管的真空度，單位為Pa；I_i為離子電流，單位為μA。

所述步驟3中，若I_i-I₀＞0時，根據公式I_i-I₀＝K(P-3×10^-5)得到P＞3×10^-5Pa，其中，K為正的常數。

所述步驟3中，若所述電流表的讀數I_i＜0.1mA，則將該電流表的檔位調至μA檔。

本發(fā)明具有下述有益技術效果。

本發(fā)明利用在鈦泵兩側標記位置分別設置磁片，并給鈦泵施加高壓，這樣在磁場和強電場的作用下，待檢測的X射線管的真空空間內的帶電離子作高速運動，并與該X射線管的真空空間內的氣體分子發(fā)生碰撞電離，在電場作用下所產生的離子電流與殘余氣體密度即真空度近似成正比例關系，通過測定其離子電流就能判斷該X射線管的真空度是否符合要求，以對X射線管的生產工藝、質量進行控制。

附圖說明

圖1示意性示出本發(fā)明涉及的檢測時設備連接圖。

具體實施方式

為能詳細說明本發(fā)明的技術特征及功效，并可依照本說明書的內容來實現，下面結合附圖對本發(fā)明的實施方式進一步說明。

圖1示例性示出本發(fā)明涉及的眾多檢測時設備連接圖中的一種檢測時設備連接圖的實施例。從圖1所呈現的結構可以看出，電流表2的負接線柱與鈦泵3的陽極接線柱電氣連接，電流表2的正接線柱與電源1的正極電氣連接，電源1的負極與鈦泵3的排氣管電氣連接，鈦泵3的排氣管與待檢測的X射線管5管內真空空間連通。

實施例1

本發(fā)明的一種X射線管真空度的檢測方法，包括以下步驟：

步驟1，將電流表2與鈦泵3串聯后與電源1連接，該鈦泵3的排氣管與待檢測的X射線管5管內真空空間連通；

步驟2，將電流表2的檔位調節(jié)為μA檔，將電源1的輸出電壓調節(jié)至2kV，讀取電流表2的讀數I₀＝2μA，得到X射線管5的本底電流I₀＝2μA；

步驟3，將磁片4分別設置于鈦泵3兩側標記位置，將電流表2的檔位調節(jié)為mA檔，將電源1的輸出電壓調節(jié)至3.8kV，讀取電流表2的讀數I_i＝2μA，I_i-I₀＝0時，則P≤3×10^-5Pa；

其中，P為X射線管5的真空度，單位為Pa；I_i為離子電流，單位為μA。

實施例2

本發(fā)明的一種X射線管真空度的檢測方法，包括以下步驟：

步驟1，將電流表2與鈦泵3串聯后與電源1連接，該鈦泵3的排氣管與待檢測的X射線管5管內真空空間連通；

步驟2，將電流表2的檔位調節(jié)為μA檔，將電源1的輸出電壓調節(jié)至3kV，讀取電流表2的讀數I₀＝3μA，得到X射線管5的本底電流I₀＝3μA；

步驟3，將磁片4分別設置于鈦泵3兩側標記位置，將電流表2的檔位調節(jié)為mA檔，將電源1的輸出電壓調節(jié)至4.0kV，讀取電流表2的讀數I_i＝3μA，I_i-I₀＝0時，則P≤3×10-⁵Pa；

其中，P為X射線管5的真空度，單位為Pa；I_i為離子電流，單位為μA。

實施例3

本發(fā)明的一種X射線管真空度的檢測方法，包括以下步驟：

步驟1，將電流表2與鈦泵3串聯后與電源1連接，該鈦泵3的排氣管與待檢測的X射線管5管內真空空間連通；

步驟2，將電流表2的檔位調節(jié)為μA檔，將電源1的輸出電壓調節(jié)至4kV，讀取電流表2的讀數I₀＝5μA，得到X射線管5的本底電流I₀＝5μA；

步驟3，將磁片4分別設置于鈦泵3兩側標記位置，將電流表2的檔位調節(jié)為mA檔，將電源1的輸出電壓調節(jié)至4.2kV，讀取電流表2的讀數I_i＝50μA，根據公式I_i-I₀＝K(P-3×10^-5)，I_i-I₀＝45＝1×10⁶(P-3×10^-5)得到P＝7.5×10^-5Pa，因此P＞3×10^-5；

其中，P為X射線管5的真空度，單位為Pa；I_i為離子電流，單位為μA。

由此可見，基于上述實施例3的步驟3中，若I_i-I₀＞0時，根據公式I_i-I₀＝K(P-3×10^-5)得到P＞3×10^-5Pa，其中，K為正的常數。

通過上述實施例表明，待檢測的X射線管5的真空空間內的帶電離子作高速運動，并與該X射線管的真空空間內的氣體分子發(fā)生碰撞電離，在電場作用下所產生的離子電流，通過測定該離子電流就可以判斷該X射線管5的真空度是否符合要求，以對X射線管的生產工藝、質量進行控制。

在一些實施例中，上述實施例的步驟3中，若所述電流表的讀數I_i＜0.1mA則將該電流表的檔位調至μA檔。

上述K為正的常數，根據X射線管管型的不同具有不同值，例如某種管型中，K＝1×10⁶μA/Pa。

需要說明的是，上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何適合的方式進行組合。為了避免不必要的重復，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再進行描述。

上面參照實施例對本發(fā)明進行了詳細描述，是說明性的而不是限制性的，在不脫離本發(fā)明總體構思下的變化和修改，均在本發(fā)明的保護范圍之內。