本發(fā)明涉及電場強(qiáng)度算出程序、電場強(qiáng)度算出裝置以及電場強(qiáng)度算出方法。

背景技術(shù)：

在開發(fā)印刷電路時(shí)，通過EMC(電磁兼容性)試驗(yàn)對印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度進(jìn)行評價(jià)，在遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度為標(biāo)準(zhǔn)外的情況下，在采取EMC對策之后通過EMC試驗(yàn)對印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度進(jìn)行再評價(jià)。此外，作為EMC對策，通過測定近場的電磁波強(qiáng)度(電場強(qiáng)度和/或磁場強(qiáng)度)來確定印刷電路的噪聲源，并對確定的噪聲源實(shí)施降低噪聲的對策。

雖然在開發(fā)印刷電路時(shí)會(huì)進(jìn)行上述的步驟，但是存在不進(jìn)行多次EMC對策就不能使遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度收斂到標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的情況，換言之，存在要進(jìn)行多次無意義的EMC試驗(yàn)的情況。而且，EMC試驗(yàn)是需要特別的大型設(shè)備且其實(shí)施需要耗費(fèi)很多工時(shí)的試驗(yàn)，因此提出了用于根據(jù)近場的電磁波強(qiáng)度的測定結(jié)果來算出(推定)遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的各種技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。但是，當(dāng)前尚未開發(fā)出能夠根據(jù)印刷電路的近場的電磁波強(qiáng)度簡單地(不需要復(fù)雜的運(yùn)算的形式)算出印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的技術(shù)。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-185973號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，本發(fā)明的課題在于，提供一種能夠根據(jù)印刷電路的近場的磁場強(qiáng)度簡單地算出印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的技術(shù)。

用于解決課題的技術(shù)方案

為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方式的電場強(qiáng)度算出程序使計(jì)算機(jī)作為如下單元發(fā)揮功能：

確定單元，對印刷電路的部件面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布的測定結(jié)果進(jìn)行分析，從而確定所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的最大強(qiáng)度、和將所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度從所述最大強(qiáng)度衰減第一既定比率的位置劃定為邊界的所述印刷電路的范圍的面積S1；以及

算出單元，使用所述面積S1、在流過所述印刷電路的部件面內(nèi)的情況下產(chǎn)生所述最大強(qiáng)度的近磁場的電流的電流值i_d、距離r、評價(jià)對象頻率f以及預(yù)先設(shè)定的系數(shù)K_d，利用以下的算出式算出所述印刷電路的與該印刷電路相距所述距離r的位置的評價(jià)對象頻率下的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E，

[數(shù)學(xué)式1]

$E=K_d\·\frac{S1\·i_d\·f^2}{r}.$

即，通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行本發(fā)明的第一方式的電場強(qiáng)度算出程序而實(shí)現(xiàn)的確定單元、算出單元進(jìn)行的各處理是不需要復(fù)雜的運(yùn)算的處理。此外，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果能夠確認(rèn)，在i_d的單位為A、S1的單位為m²、f的單位為Hz、印刷電路的基板為單層基板的情況下，例如通過設(shè)為K_d≈2.63×10^-14、第一既定比率≈1/2，從而利用上述算出式可算出開放區(qū)域中的接近實(shí)測值的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E(單位為V/m)。因此，如果使用本發(fā)明的第一方式的電場強(qiáng)度算出程序，則能根據(jù)基板為單層基板的印刷電路的近場的磁場強(qiáng)度簡單地算出該印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度。

此外，本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序使計(jì)算機(jī)作為如下單元發(fā)揮功能：

確定單元，對印刷電路的部件面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布的測定結(jié)果進(jìn)行分析，從而確定所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的最大強(qiáng)度、將所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度從所述最大強(qiáng)度衰減第一既定比率的位置劃定為邊界的所述印刷電路的范圍的面積S1、以及將所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度從所述最大強(qiáng)度衰減第二既定比率的位置劃定為邊界的所述印刷電路的范圍的面積S2；以及

算出單元，使用所述面積S1、所述面積S2、在流過所述印刷電路的部件面內(nèi)的情況下產(chǎn)生所述最大強(qiáng)度的近磁場的電流的電流值i_d、距離r、評價(jià)對象頻率f以及預(yù)先設(shè)定的系數(shù)K_d，利用以下的算出式算出所述印刷電路的與該印刷電路相距所述距離r的位置的評價(jià)對象頻率下的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E，

[數(shù)學(xué)式2]

$E=K_d\·\frac{(S1+S2)\·i_d\·f^2}{r}.$

即，通過計(jì)算機(jī)執(zhí)行本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序而實(shí)現(xiàn)的確定單元、算出單元進(jìn)行的各處理是不需要復(fù)雜的運(yùn)算的處理。此外，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果能夠確認(rèn)，在i_d的單位為A、S1、S2的單位為m²、f的單位為Hz、印刷電路的基板為多層基板的情況下，例如通過設(shè)為K_d≈2.63×10^-14第一既定比率≈1/2、第二既定比率≈1/4，從而利用上述算出式可算出開放區(qū)域中的接近實(shí)測值的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E(單位為V/m)。因此，如果使用本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序，則能夠根據(jù)基板為多層基板的印刷電路的近場的磁場強(qiáng)度簡單地算出該印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度。

也可以將本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序制作(編程)為，使所述確定單元為對彼此不同的多個(gè)評價(jià)對象頻率的每一個(gè)確定所述最大強(qiáng)度、所述面積S1以及所述面積S2的單元，使所述算出單元為對所述多個(gè)評價(jià)對象頻率的每一個(gè)使用所述算出式算出所述遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的單元。

此外，也可以將本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序制作為，使所述確定單元為對彼此不同的多個(gè)評價(jià)對象頻率的每一個(gè)使用與該評價(jià)對象頻率對應(yīng)的一組值作為所述第一既定比率和所述第二既定比率來確定所述面積S1和所述面積S2的單元，使所述算出單元為對所述多個(gè)評價(jià)對象頻率的每一個(gè)使用所述算出式算出所述遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的單元。另外，如果將本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序制作為使各單元成為如上所述的單元，則能夠以特別高的精度算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E。

此外，為了提高低頻區(qū)域中的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的算出精度，也可以使本發(fā)明的第二方式的電場強(qiáng)度算出程序?yàn)槿缦鲁绦?，即，還使所述計(jì)算機(jī)作為如下單元發(fā)揮功能：“修正單元，對于通過所述算出單元針對比既定頻率低的評價(jià)對象頻率算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E，實(shí)施與評價(jià)對象頻率相應(yīng)的量的修正”。

也可以使本發(fā)明的各方式的電場強(qiáng)度算出程序?yàn)槿缦鲁绦?，即，還使所述計(jì)算機(jī)作為如下單元發(fā)揮功能：“控制單元，對測定裝置進(jìn)行控制，該測定裝置與所述計(jì)算機(jī)連接，并且通過使近磁場探測器相對于所述印刷電路的相對位置變化來測定印刷電路的電路面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布”。此外，在使本發(fā)明的各方式的電場強(qiáng)度算出程序?yàn)槿缟纤龅某绦虻那闆r下，能夠使控制單元為如下的單元，即，“在得到所述印刷電路的部件面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布的測定結(jié)果之前，通過控制所述測定裝置來搜索所述印刷電路中的、近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度變?yōu)樽畲蟮牟糠?，在得到所述印刷電路的部件面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布的測定結(jié)果時(shí)，控制所述測定裝置而使得：通過所述近磁場探測器來測定包含搜索出的位置且呈格子狀排列的多個(gè)位置的近磁場強(qiáng)度”。另外，如果使控制單元為如上所述的單元，則能夠抑制由于近磁場強(qiáng)度的測定點(diǎn)的位置不合適而造成遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的算出精度下降。

本發(fā)明的電場強(qiáng)度算出裝置具備：

確定單元，對印刷電路的部件面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布的測定結(jié)果進(jìn)行分析，從而確定所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的最大強(qiáng)度、將所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度從所述最大強(qiáng)度衰減第一既定比率的位置劃定為邊界的所述印刷電路的范圍的面積S1、以及將所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度從所述最大強(qiáng)度衰減第二既定比率的位置劃定為邊界的所述印刷電路的范圍的面積S2；以及

算出單元，使用所述面積S1、所述面積S2、在流過所述印刷電路的部件面內(nèi)的情況下產(chǎn)生所述最大強(qiáng)度的近磁場的電流的電流值i_d、距離r、評價(jià)對象頻率f以及預(yù)先設(shè)定的系數(shù)K_d，利用以下的算出式算出所述印刷電路的與該印刷電路相距所述距離r的位置的評價(jià)對象頻率下的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度，

[數(shù)學(xué)式3]

$E=K_d\·\frac{(S1+S2)\·i_d\·f^2}{r}.$

此外，在本發(fā)明的電場強(qiáng)度算出方法中，通過使計(jì)算機(jī)執(zhí)行如下步驟，從而算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度：

對印刷電路的部件面?zhèn)鹊慕艌鰪?qiáng)度分布的測定結(jié)果進(jìn)行分析，從而確定所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的最大強(qiáng)度、和將所述印刷電路的近磁場的評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度從所述最大強(qiáng)度衰減第一既定比率的位置劃定為邊界的所述印刷電路的范圍的面積S1的步驟；以及

使用所述面積S1、在流過所述印刷電路的部件面內(nèi)的情況下產(chǎn)生所述最大強(qiáng)度的近磁場的電流的電流值i_d、距離r、評價(jià)對象頻率f以及預(yù)先設(shè)定的系數(shù)K_d，利用以下的算出式算出所述印刷電路的與該印刷電路相距所述距離r的位置的評價(jià)對象頻率下的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的步驟，

[數(shù)學(xué)式4]

$E=K_d\·\frac{(S1+S2)\·i_d\·f^2}{r}.$

因此，根據(jù)本發(fā)明的電場強(qiáng)度算出裝置/方法，能夠根據(jù)基板為多層基板的印刷電路的近場的磁場強(qiáng)度簡單地算出該印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠根據(jù)印刷電路的近場的磁場強(qiáng)度簡單地算出該印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。

圖2是第一實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)具備的運(yùn)算裝置的結(jié)構(gòu)圖。

圖3是第一實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置執(zhí)行的測定/算出處理的流程圖。

圖4是本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置執(zhí)行的測定/算出處理的流程圖。

圖5是通過第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的精度的說明圖。

圖6是本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置執(zhí)行的測定/算出處理的流程圖。

圖7是在圖6的測定/算出處理過程中為了算出修正量而使用的函數(shù)的說明圖。

圖8是本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置執(zhí)行的測定/算出處理的流程圖。

圖9是在圖8的測定/算出處理過程中使用的對應(yīng)關(guān)系規(guī)定信息的說明圖。

圖10是本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置執(zhí)行的測定/算出處理的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。

《第一實(shí)施方式》

在圖1示出本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是作為用于算出使用了單層基板(單面基板)的印刷電路40的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的系統(tǒng)而開發(fā)的。如圖所示，電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)具備近磁場測定裝置10、頻譜分析器20以及運(yùn)算裝置30。

近磁場測定裝置10是用于測定印刷電路40的近磁場分布的裝置。近磁場測定裝置10具備載置印刷電路40的工作臺(tái)13、近磁場探測器11、用于放大近磁場探測器11的輸出的前置放大器12、以及用于控制(變更)近磁場探測器11相對于工作臺(tái)13的位置的位置控制機(jī)構(gòu)(省略圖示)。

另外，圖示的近磁場測定裝置10是設(shè)置在屏蔽室或電波暗室50內(nèi)使用的、近磁場探測器11在工作臺(tái)13上移動(dòng)的裝置，近磁場測定裝置10也可以具備作為電波暗室發(fā)揮功能的框體。此外，近磁場測定裝置10也可以是近磁場探測器11相對于裝置框體固定且工作臺(tái)13在近磁場探測器11下移動(dòng)的裝置。

近磁場測定裝置10的近磁場探測器11例如是在其前端部具備屏蔽環(huán)形線圈的探測器。近磁場探測器11可以是測定與印刷電路40的基板平行的方向上的磁場強(qiáng)度的探測器，也可以是測定與印刷電路40的基板垂直的方向上的磁場強(qiáng)度的探測器。但是，在近磁場探測器11是測定與印刷電路40的基板平行的方向上的磁場強(qiáng)度的探測器的情況下，近磁場測定裝置10的位置控制機(jī)構(gòu)優(yōu)選能夠使近磁場探測器11(或工作臺(tái)13)旋轉(zhuǎn)。

此外，印刷電路40的部件面的高度根據(jù)位置(有無部件)而不同。而且，在印刷電路40的上表面與近磁場探測器11之間的間隔固定時(shí)能夠更準(zhǔn)確地測定近磁場強(qiáng)度。因此，作為近磁場測定裝置10，可以采用如下的近磁場測定裝置10，即，具備測定印刷電路40的部件面的高度的激光測距儀，基于該激光測距儀的測定結(jié)果對近磁場探測器11的高度進(jìn)行自動(dòng)控制，使得印刷電路40的上表面與近磁場探測器11之間的間隔固定。

頻譜分析器20是用于對由近磁場探測器11測定的近磁場強(qiáng)度進(jìn)行頻率分析的裝置。作為該頻譜分析器20(以下，也記為分析器20)，例如使用可進(jìn)行幾MHz～1000MHz左右的范圍的頻率分析的頻譜分析器20。

像在圖2示意性地示出的那樣，運(yùn)算裝置30是在具備CPU31、ROM、RAM、HDD33等且安裝有OS(operating system：操作系統(tǒng))、各種驅(qū)動(dòng)器的計(jì)算機(jī)中安裝了電場強(qiáng)度算出程序35的裝置。安裝電場強(qiáng)度算出程序35的計(jì)算機(jī)只要具備用于在近磁場測定裝置10與頻譜分析器20之間進(jìn)行通信的接口(例如，GPIB接口)即可，可以是便攜式的計(jì)算機(jī)，也可以是臺(tái)式的計(jì)算機(jī)。此外，通常從CD-ROM(compact disc read-only memory：只讀光盤)、DVD(digital versatile disc：數(shù)字化視頻光盤)等移動(dòng)式記錄介質(zhì)向計(jì)算機(jī)安裝電場強(qiáng)度算出程序35。

以下，對由CPU31執(zhí)行電場強(qiáng)度算出程序35(以及OS)的情況下的運(yùn)算裝置30的工作進(jìn)行說明。另外，在以下的說明中，用戶是指電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的操作者。

由CPU31執(zhí)行電場強(qiáng)度算出程序35的運(yùn)算裝置30作為能夠執(zhí)行設(shè)定接受處理、測定/算出處理、輸出處理的裝置進(jìn)行工作。設(shè)定接受處理、測定/算出處理以及輸出處理都是在由用戶指示執(zhí)行該處理的情況下由運(yùn)算裝置30開始進(jìn)行的處理。而且，開始進(jìn)行各處理的運(yùn)算裝置30像以下那樣進(jìn)行工作。

<設(shè)定接受處理>

開始進(jìn)行設(shè)定接受處理的運(yùn)算裝置30成為接受以下的信息的設(shè)定(輸入)的狀態(tài)。

·近磁場的測定范圍

·近磁場的測定間隔

·算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的一個(gè)以上的頻率(以下，記為評價(jià)對象頻率)

·遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的算出位置距評價(jià)對象印刷電路40的距離r(單位為m)

由用戶設(shè)定的近磁場的測定范圍是用工作臺(tái)13的載置了評價(jià)對象印刷電路40的區(qū)域的坐標(biāo)范圍來指定進(jìn)行測定/算出處理(后面詳述)時(shí)的近磁場探測器11的掃描范圍的信息。近磁場的測定間隔是指定進(jìn)行測定/算出處理時(shí)的每次測定的近磁場探測器11在X、Y方向上的移動(dòng)量的信息。當(dāng)該測定間隔過寬時(shí)，將不能準(zhǔn)確地測定評價(jià)對象印刷電路40的近磁場分布。因此，作為測定間隔，通常設(shè)定為與近磁場探測器11的空間分辨率(半值半寬)相同程度的值。具體地，在近磁場探測器11的空間分辨率為1mm的情況下，作為測定間隔，例如可設(shè)為2^1/2mm。

在用戶指示完成了設(shè)定時(shí)，運(yùn)算裝置30將由用戶設(shè)定的各種信息構(gòu)成的信息作為當(dāng)前評價(jià)條件信息并存儲(chǔ)在內(nèi)部(運(yùn)算裝置30內(nèi)的RAM和/或HDD33)，然后結(jié)束設(shè)定接受處理。

<輸出處理>

開始進(jìn)行輸出處理的運(yùn)算裝置30基于后述的測定/算出處理的處理結(jié)果將示出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的評價(jià)對象頻率依賴性的圖表顯示在顯示器上。然后，運(yùn)算裝置30按照用戶的指示進(jìn)行使連接于運(yùn)算裝置30的印刷機(jī)印刷該圖表的處理、將各評價(jià)對象頻率下的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的列表顯示在顯示器上的處理等。然后，在由用戶指示處理結(jié)束時(shí)，運(yùn)算裝置30結(jié)束輸出處理，并成為接受其它處理的執(zhí)行指示的狀態(tài)。

<測定/算出處理>

測定/算出處理是順序如圖3所示的處理。

即，開始進(jìn)行該測定/算出處理的運(yùn)算裝置30首先基于當(dāng)前評價(jià)條件信息中的近磁場的測定范圍和測定間隔算出測定近磁場強(qiáng)度的各測定點(diǎn)(測定位置)的坐標(biāo)(步驟S101)。

接下來，運(yùn)算裝置30使用最初的測定點(diǎn)的坐標(biāo)來控制近磁場強(qiáng)度測定裝置10，從而使近磁場探測器11移動(dòng)到最初的測定點(diǎn)上(步驟S102)。

然后，運(yùn)算裝置30從分析器20獲取近磁場探測器11的輸出中的各評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度，并以與評價(jià)對象頻率和當(dāng)前測定點(diǎn)的坐標(biāo)對應(yīng)的形式存儲(chǔ)在內(nèi)部(步驟S103)。該步驟S103的處理也可以是如下處理，即，使近磁場探測器11旋轉(zhuǎn)，從而求出多個(gè)方向(例如，正交的兩個(gè)方向、各相差45度的四個(gè)方向)上的近磁場中的各評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度，并對求出的強(qiáng)度的平均值、最大值進(jìn)行存儲(chǔ)。

結(jié)束了步驟S103的處理的運(yùn)算裝置30判斷是否完成了對全部的測定點(diǎn)的測定(步驟S104)。然后，在未完成對全部測定點(diǎn)的測定的情況(步驟S104；否)下，運(yùn)算裝置30返回到步驟S102，使近磁場探測器11移動(dòng)到下一個(gè)測定點(diǎn)上，然后進(jìn)行步驟S103以后的處理。

直到完成對全部測定點(diǎn)的測定(步驟S102和S103的處理)為止，運(yùn)算裝置30重復(fù)上述內(nèi)容的處理。

然后，在完成了對全部測定點(diǎn)的測定的情況(步驟S104；是)下，運(yùn)算裝置30開始進(jìn)行用于算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的處理(步驟S105以后的處理)，首先，將當(dāng)前評價(jià)條件信息中的最初的評價(jià)對象頻率確定為關(guān)注頻率(步驟S105)。另外，該步驟S105中的最初的評價(jià)對象頻率的選擇算法可以是任何算法。因此，步驟S105的處理可以為選擇最小的評價(jià)對象頻率作為最初的評價(jià)對象頻率的處理，也可以為選擇最大的評價(jià)對象頻率作為最初的評價(jià)對象頻率的處理。

結(jié)束了步驟S105的處理的運(yùn)算裝置30進(jìn)行求出關(guān)注頻率分量信息中的最大強(qiáng)度并且求出流過評價(jià)對象印刷電路30的部件面時(shí)產(chǎn)生該最大強(qiáng)度的磁場的電流的電流值i_d(單位為A)的處理(步驟S106)。在此，關(guān)注頻率分量信息是指，包含多個(gè)測定點(diǎn)的坐標(biāo)和在各測定點(diǎn)處測定的評價(jià)對象印刷電路40的近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度的信息(在步驟S103的處理中存儲(chǔ)在運(yùn)算裝置30內(nèi)的信息的一部分)。因此，關(guān)注頻率分量信息中的最大強(qiáng)度是指，對評價(jià)對象印刷電路40測定的近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度的最大值。

然后，運(yùn)算裝置30通過對關(guān)注頻率分量信息進(jìn)行分析，從而算出將近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度比最大強(qiáng)度衰減6dB的位置劃定為邊界的范圍的面積S_6dB(單位為m²)(步驟S107)。該步驟S107的處理的具體的內(nèi)容沒有特別限定。例如，步驟S107的處理也可以是如下處理，即，根據(jù)關(guān)注頻率分量信息找出近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度為以最大強(qiáng)度的1/2的強(qiáng)度(比最大強(qiáng)度衰減了6dB的強(qiáng)度)為中心的規(guī)定范圍內(nèi)的值的測定點(diǎn)，并算出被所確定的測定點(diǎn)包圍的區(qū)域的面積，作為S_6dB。此外，步驟S107的處理也可以是如下處理，即，根據(jù)關(guān)注頻率分量信息找出如上所述的測定點(diǎn)，并根據(jù)與找出的各測定點(diǎn)有關(guān)的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度和各測定點(diǎn)的坐標(biāo)通過內(nèi)插法確定近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度為最大強(qiáng)度的1/2的多個(gè)點(diǎn)，算出被所確定的點(diǎn)包圍的區(qū)域的面積，作為S_6dB。

結(jié)束了步驟S107的處理的運(yùn)算裝置30將在步驟S106的處理中算出的i_d、在步驟S107的處理中算出的S_6dB、設(shè)定的距離r、關(guān)注頻率f代入到以下的(1)式，從而算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E(步驟S108)。然后，運(yùn)算裝置30將算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E以與該時(shí)間點(diǎn)的關(guān)注頻率對應(yīng)的形式存儲(chǔ)在內(nèi)部(步驟S108)。

[數(shù)學(xué)式5]

$E=K_d\&CenterDot;\frac{S_{6dB}\&CenterDot;i_d\&CenterDot;f^2}{r}...\left(1\right)$

另外，關(guān)注頻率f的單位是Hz。此外，用(1)式算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E是在與印刷電路40的基板面平行的方向上與印刷電路40相距r[m]的位置的電場強(qiáng)度(單位為V/m)。進(jìn)而，(1)式中的K_d是預(yù)先設(shè)定的比例系數(shù)。為了求出開放區(qū)域中的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E，作為該K_d，通常使用2.63×10^-14。但是，也可以使用1.316×10^-14作為K_d，從而求出自由空間中的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E。

在此，對于將運(yùn)算裝置30構(gòu)成(編程)為按照上述順序(上述內(nèi)容的步驟S106～S108的處理)算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的裝置的理由進(jìn)行說明。

已知有如下方法，即，假定在印刷電路的基板上存在流過電流的微小環(huán)，并通過以下的(2)式算出印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度。

[數(shù)學(xué)式6]

$E=K_d\&CenterDot;\frac{A\&CenterDot;i_{dm}\&CenterDot;f^2}{r}...\left(2\right)$

為了使用該(2)式算出印刷電路的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度，需要求出在印刷電路的基板上存在的微小環(huán)的面積A和流過該微小環(huán)的電流的大小i_dm。然而，根據(jù)印刷電路的近磁場的測定結(jié)果來求出這些值是極為困難的。因此，發(fā)明人精心尋找了能夠代替這些值使用并且可根據(jù)印刷電路的近磁場的測定結(jié)果求出的值。然后，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果在使用了單層基板的印刷電路40中使用上述的面積S_6dB和電流值i_d來代替A、i_dm，就可得到接近實(shí)測值的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度，因此，將運(yùn)算裝置30構(gòu)成為按照上述順序算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的裝置。

以下，對測定/算出處理(圖3)的剩余的步驟的內(nèi)容進(jìn)行說明。

結(jié)束了步驟S108的處理的運(yùn)算裝置30判斷是否完成了對全部的評價(jià)對象頻率的處理(步驟S109)。在未完成對全部評價(jià)對象頻率的處理的情況下(步驟S109；否)，運(yùn)算裝置30返回到步驟S105，將下一個(gè)評價(jià)對象頻率確定為關(guān)注頻率，然后進(jìn)行步驟S106以后的處理。

然后，在完成了對全部評價(jià)對象頻率的處理時(shí)(步驟S109；是)，運(yùn)算裝置30結(jié)束測定/算出處理(圖3的處理)，成為接受輸出處理、設(shè)定接受處理的執(zhí)行指示的狀態(tài)。

像以上說明的那樣，本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)能夠根據(jù)印刷電路40(使用了單層基板的印刷電路)的近磁場的測定結(jié)果算出(推定)該印刷電路40的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度。因此，如果用本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)對EMC對策后的印刷電路40進(jìn)行評價(jià)，則可以在不進(jìn)行EMC試驗(yàn)的情況下判斷EMC對策后的印刷電路40是否應(yīng)進(jìn)一步實(shí)施EMC對策。

因此，如果使用本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)，就能夠在開發(fā)使用了單層基板的印刷電路40等時(shí)抑制無意義地進(jìn)行評價(jià)工時(shí)多的EMC試驗(yàn)。

《第二實(shí)施方式》

以下，使用與在對第一實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)進(jìn)行說明時(shí)使用的附圖標(biāo)記相同的附圖標(biāo)記，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和功能進(jìn)行說明。

本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是作為算出使用了多層基板的印刷電路40(在雙面安裝有部件的印刷電路等)的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的系統(tǒng)而開發(fā)的。

本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的各部分的結(jié)構(gòu)和功能本質(zhì)上與第一實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的各部分的結(jié)構(gòu)和功能相同。但是，本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30構(gòu)成(編程)為能夠執(zhí)行順序如圖4所示的測定/算出處理。

該測定/算出處理的步驟S201～S204的處理是內(nèi)容分別與已經(jīng)說明的步驟S101～S104的處理(參照圖3)的內(nèi)容相同的處理。即，在步驟S201～S204中進(jìn)行如下處理：使近磁場探測器11移動(dòng)到評價(jià)對象印刷電路40的各測定點(diǎn)上，并對移動(dòng)到各測定點(diǎn)上的近磁場探測器11的輸出中的各評價(jià)對象頻率分量的強(qiáng)度進(jìn)行測定、存儲(chǔ)。

當(dāng)完成上述處理時(shí)(步驟S204；是)，運(yùn)算裝置30開始進(jìn)行用于算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的處理(步驟S205以后的處理)。然后，運(yùn)算裝置30將最初的評價(jià)對象頻率確定為關(guān)注頻率(步驟S205)，然后求出關(guān)注頻率分量信息中的最大強(qiáng)度和產(chǎn)生該最大強(qiáng)度的磁場的電流的電流值i_d(單位為A)(步驟S206)。

然后，運(yùn)算裝置30對關(guān)注頻率分量信息進(jìn)行分析，從而算出將近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度比最大強(qiáng)度衰減6dB的位置劃定為邊界的范圍的面積S_6dB(單位為m²)(步驟S207)。進(jìn)而，在該步驟S207中，運(yùn)算裝置30還進(jìn)行如下處理，即，對關(guān)注頻率分量信息進(jìn)行分析，從而算出將近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度比最大強(qiáng)度衰減12dB的位置劃定為邊界的范圍的面積S_12dB(單位為m²)。

另外，該步驟S207的處理的內(nèi)容也與步驟S107的處理一樣沒有特別限定。因此，步驟S207的處理可以是如下處理，即，根據(jù)關(guān)注頻率分量信息找出近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度為以最大強(qiáng)度的1/2或1/4的值為中心的規(guī)定范圍內(nèi)的值的測定點(diǎn)，算出被所確定的測定點(diǎn)包圍的區(qū)域的面積，作為S_6dB或S_12dB。此外，步驟S207的處理也可以是如下處理，即，根據(jù)關(guān)注頻率分量信息找出如上所述的測定點(diǎn)，并根據(jù)與找出的各測定點(diǎn)有關(guān)的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度和各測定點(diǎn)的坐標(biāo)通過內(nèi)插法確定近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度為最大強(qiáng)度的1/2或1/4的值的多個(gè)點(diǎn)，算出被所確定的點(diǎn)包圍的區(qū)域的面積，作為S_6dB或S_12dB。

結(jié)束了步驟S207的處理的運(yùn)算裝置30將在步驟S206的處理中算出的i_d、在步驟S207的處理中算出的S_6dB和S_12dB、設(shè)定的距離r、關(guān)注頻率f(單位為Hz)代入到以下的(3)式，從而算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E(單位為V/m)(步驟S208)。此外，運(yùn)算裝置30將算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E以與該時(shí)間點(diǎn)的關(guān)注頻率對應(yīng)的形式存儲(chǔ)在內(nèi)部(步驟S208)。

[數(shù)學(xué)式7]

$E=K_d\&CenterDot;\frac{(S_{6dB}+S_{12dB})\&CenterDot;i_d\&CenterDot;f^2}{r}...\left(3\right)$

作為(3)式中的K_d，與(1)式中的K_d一樣，為了求出開放區(qū)域中的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E，通常使用2.63×10^-14。但是，也能夠使用1.316×10^-14作為K_d，使得可求出自由空間中的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E。

結(jié)束了步驟S208的處理的運(yùn)算裝置30判斷是否完成了對全部的評價(jià)對象頻率的處理(步驟S209)。在未完成對全部評價(jià)對象頻率的處理的情況下(步驟S209；否)，運(yùn)算裝置30返回到步驟S205，將下一個(gè)評價(jià)對象頻率確定為關(guān)注頻率，然后進(jìn)行步驟S206以后的處理。

在完成對全部評價(jià)對象頻率的處理時(shí)(步驟S209；是)，運(yùn)算裝置30結(jié)束測定/算出處理(圖4的處理)。然后，運(yùn)算裝置30成為接受輸出處理、設(shè)定接受處理的執(zhí)行指示的狀態(tài)。

根據(jù)以上的說明可知，本實(shí)施方式涉及的運(yùn)算裝置30是分別使用面積之和“S_6dB+S_12dB”和電流值i_d代替(2)式中的A、i_dm來算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的裝置。

通過使用面積之和“S_6dB+S_12dB”和電流值i_d來代替(2)式中的A、i_dm，從而能夠以高精度算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的詳細(xì)原理并不清楚。但是，如圖5所示，如果按照上述順序算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E，就能夠在寬頻率范圍內(nèi)得到與實(shí)測值(“暗室測定值”)僅相差±5dB左右的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E(“預(yù)測值”)。

因此，如果使用本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)，就能夠在開發(fā)使用了多層基板的印刷電路40等時(shí)抑制無意義地進(jìn)行評價(jià)工時(shí)多的EMC試驗(yàn)。

《第三實(shí)施方式》

以下，以與第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的不同點(diǎn)為中心，對本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行說明。

根據(jù)圖5可知，第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是低頻區(qū)域(大概100MHz以下的頻率區(qū)域)的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的算出精度不怎么高的系統(tǒng)。

第三實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是對第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)進(jìn)行改良的系統(tǒng)，使得低頻區(qū)域的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的算出精度提高。

具體地，第三實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是對第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)進(jìn)行改良的系統(tǒng)，使得由運(yùn)算裝置30進(jìn)行順序如圖6所示的測定/算出處理。

即，當(dāng)開始進(jìn)行測定/算出處理時(shí)，第三實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30首先進(jìn)行評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理(步驟S301)。該評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理是與第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30進(jìn)行的步驟S201～S204的處理(參照圖4)相同的處理。

當(dāng)完成評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定時(shí)，運(yùn)算裝置30開始進(jìn)行用于算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的處理(步驟S302以后的處理)。然后，運(yùn)算裝置30在步驟S302～S304中分別進(jìn)行內(nèi)容與上述的步驟S205～S207的處理的內(nèi)容相同的處理。

結(jié)束了步驟S304的處理的運(yùn)算裝置30將S_6dB等代入到上述的(3)式，從而算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E(步驟S305)。接下來，運(yùn)算裝置30判斷該時(shí)間點(diǎn)的關(guān)注頻率的值是否為既定頻率以上(步驟S306)。在此，既定頻率是指，作為能夠通過(3)式算出不需要進(jìn)行修正的水平的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的頻率范圍的下限值而預(yù)先設(shè)定的值(例如，100MHz)。

在關(guān)注頻率的值為既定頻率以上的情況下(步驟S306；是)，運(yùn)算裝置30將在步驟S305的處理中算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E直接以與關(guān)注頻率對應(yīng)的形式存儲(chǔ)在內(nèi)部(步驟S308)。

另一方面，在關(guān)注頻率的值小于既定頻率的情況下(步驟S306；否)，運(yùn)算裝置30通過將關(guān)注頻率作為變量的函數(shù)求出修正值(步驟S307)。然后，運(yùn)算裝置30將求出的修正值與在步驟S305的處理中算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E相加(步驟S307)。

在步驟S307的處理時(shí)使用的將關(guān)注頻率作為變量的函數(shù)是，根據(jù)由(3)式算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E與實(shí)測值之間的差預(yù)先確定了其內(nèi)容(系數(shù)等)的函數(shù)。該函數(shù)可以是關(guān)注頻率的任意次函數(shù)。但是如圖7所示，已知通過關(guān)注頻率(圖7的橫軸的值)的一次函數(shù)“y＝-0.3395x+38.49”能夠以高精度對由(3)式算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E與實(shí)測值之間的差進(jìn)行近似。因此，作為步驟S307的處理的“將關(guān)注頻率作為變量的函數(shù)”，能夠采用“-0.3395x+38.49”(x是MHz單位的關(guān)注頻率)、可算出與該函數(shù)相同程度的值的函數(shù)(例如，“-0.34x+38”)。

返回到圖6，繼續(xù)對測定/算出處理進(jìn)行說明。

結(jié)束了步驟S307的處理的運(yùn)算裝置30將與修正值相加后的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E以與關(guān)注頻率對應(yīng)的形式存儲(chǔ)在內(nèi)部(步驟S308)。然后，運(yùn)算裝置30判斷是否完成了對全部的評價(jià)對象頻率的處理(步驟S309)。在未完成對全部評價(jià)對象頻率的處理的情況下(步驟S309；否)，運(yùn)算裝置30返回到步驟S302，將下一個(gè)評價(jià)對象頻率確定為關(guān)注頻率，然后進(jìn)行步驟S303以后的處理。

然后，在完成了對全部評價(jià)對象頻率的處理時(shí)(步驟S309；是)，運(yùn)算裝置30結(jié)束該測定/算出處理，成為接受輸出處理、設(shè)定接受處理的執(zhí)行指示的狀態(tài)。

根據(jù)以上的說明可知，本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30是低頻率的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的算出精度比上述的第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30的算出精度高的系統(tǒng)。

因此，如果使用本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)，與使用第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的情況相比，能夠在開發(fā)使用了多層基板的印刷電路40等時(shí)更良好地抑制無意義地進(jìn)行EMC試驗(yàn)。

《第四實(shí)施方式》

本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是對第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)進(jìn)行改良的系統(tǒng)，使得各頻率的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的算出精度變得更高。

具體地，第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是對第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)進(jìn)行改良的系統(tǒng)，使得由運(yùn)算裝置30進(jìn)行順序如圖8所示的測定/算出處理。

即，開始進(jìn)行該測定/算出處理的第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30首先進(jìn)行評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理(步驟S401)。該評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理是與第三實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30進(jìn)行的評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理、第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30進(jìn)行的步驟S201～S204的處理相同的處理。

當(dāng)完成評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定時(shí)，運(yùn)算裝置30開始進(jìn)行用于算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的處理(步驟S402以后的處理)，首先在步驟S402中進(jìn)行內(nèi)容與上述的步驟S105、S205、S302的處理的內(nèi)容相同的處理。在接下來的步驟S403中，運(yùn)算裝置30進(jìn)行內(nèi)容與步驟S106、S206、S303的處理的內(nèi)容相同的處理。

然后，運(yùn)算裝置30參照規(guī)定關(guān)注頻率與第一衰減率α以及第二衰減率β的對應(yīng)關(guān)系的對應(yīng)關(guān)系規(guī)定信息，從而確定與該時(shí)間點(diǎn)的關(guān)注頻率對應(yīng)的第一衰減率α以及第二衰減率β(步驟S404)。接下來，運(yùn)算裝置30進(jìn)行對關(guān)注頻率分量信息進(jìn)行分析來算出面積S_αdB和面積S_βdB的處理(步驟S405)。關(guān)于對應(yīng)關(guān)系規(guī)定信息，將在后面詳細(xì)敘述，對應(yīng)關(guān)系規(guī)定信息可以是程序35中的信息，也可以是HDD33上的信息。此外，關(guān)于第一衰減率α、第二衰減率β也將在后面進(jìn)行詳細(xì)敘述，面積S_XdB(X＝α、β)是指，將近磁場的關(guān)注頻率分量的強(qiáng)度比最大強(qiáng)度衰減XdB的位置劃定為邊界的范圍的面積(單位為m²)。

結(jié)束了步驟S405的處理的運(yùn)算裝置30將算出的S_αdB、S_βdB等代入到以下的(4)式，從而算出遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E并將其以與關(guān)注頻率對應(yīng)的形式存儲(chǔ)在內(nèi)部(步驟S406)。

[數(shù)學(xué)式8]

$E=K_d\&CenterDot;\frac{(S_{\mathrm{\&alpha;}dB}+S_{\mathrm{\&beta;}dB})\&CenterDot;i_d\&CenterDot;f^2}{r}...\left(4\right)$

在步驟S404的處理時(shí)參照的上述的對應(yīng)關(guān)系規(guī)定信息，是其內(nèi)容被確定為能夠確定使通過該(4)式算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E與遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的實(shí)測值大致一致的第一衰減率α與第二衰減率β的組合的信息。

具體地，對于標(biāo)準(zhǔn)的電路結(jié)構(gòu)的印刷電路40(使用了多層基板的印刷電路)，當(dāng)按頻率描繪使通過(4)式算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E與遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的實(shí)測值一致的第一衰減率α與第二衰減率β的組合時(shí)，可得到如圖9所示的圖表。另外，在圖表的旁邊示出的各數(shù)值是MHz單位的頻率。

根據(jù)該圖9可知，如果作為第一衰減率α和第二衰減率β分別使用6、12，則能夠在頻率為667.48MHz的情況下使通過(4)式算出的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E與實(shí)測值大致一致。但是，在頻率為370.86MHz的情況下，與作為第一衰減率α和第二衰減率β的組合而使用6、12的組合的情況相比，在使用6、14的組合、使用8、12.8的組合的情況下能夠算出更接近實(shí)測值的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E。

設(shè)定在運(yùn)算裝置30內(nèi)的對應(yīng)關(guān)系規(guī)定信息是基于如圖9所示的實(shí)驗(yàn)結(jié)果確定了其內(nèi)容的信息，使得能夠根據(jù)關(guān)注頻率來確定能夠求出接近實(shí)測值的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的第一衰減率α與第二衰減率β的組合。

以下，對測定/算出處理(圖8)的剩余的步驟的內(nèi)容進(jìn)行說明。

結(jié)束了步驟S406的處理的運(yùn)算裝置30判斷是否完成了對全部的評價(jià)對象頻率的處理(步驟S407)。然后，在未完成對全部評價(jià)對象頻率的處理的情況下(步驟S407；否)，運(yùn)算裝置30返回到步驟S402，將下一個(gè)評價(jià)對象頻率確定為關(guān)注頻率，然后進(jìn)行步驟S403以后的處理。

在完成了對全部評價(jià)對象頻率的處理時(shí)(步驟S407；是)，運(yùn)算裝置30結(jié)束該測定/算出處理。然后，運(yùn)算裝置30成為接受輸出處理、設(shè)定接受處理的執(zhí)行指示的狀態(tài)。

根據(jù)以上的說明可知，本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是各頻率的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的算出精度比第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的算出精度高的系統(tǒng)。因此，如果使用本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)，則與使用第二實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的情況相比，能夠更良好地抑制在開發(fā)使用了多層基板的印刷電路40等時(shí)無意義地進(jìn)行EMC試驗(yàn)。

《第五實(shí)施方式》

本發(fā)明的第五實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是對第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)進(jìn)行改良的系統(tǒng)，使得由運(yùn)算裝置30進(jìn)行順序如圖10所示的測定/算出處理。

該測定/算出處理的步驟S502～S507的處理是內(nèi)容分別與第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30進(jìn)行的測定/算出處理(圖8)的步驟S402～S407的處理相同的處理。因此，以下只對步驟S500和S501的處理的內(nèi)容進(jìn)行說明。

如圖10所示，當(dāng)開始進(jìn)行測定/算出處理時(shí)，本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30首先進(jìn)行最大強(qiáng)度位置確定處理(步驟S500)。

最大強(qiáng)度位置確定處理基本上是如下處理，即，一邊變更近磁場探測器11的位置，一邊測定近磁場探測器11的輸出中的規(guī)定的頻率分量的強(qiáng)度，從而確定該規(guī)定的頻率分量的強(qiáng)度為最大的位置(以下，記為最大強(qiáng)度位置)的坐標(biāo)。其中，最大強(qiáng)度位置確定處理是為了在比較短的時(shí)間內(nèi)完成處理而按照以下的順序來確定最大強(qiáng)度位置的坐標(biāo)的處理。

在最大強(qiáng)度位置確定處理時(shí)，首先，近磁場探測器11以比較大的間隔(例如，由用戶設(shè)定的測定間隔的幾倍的間隔)進(jìn)行移動(dòng)，從而確定上述規(guī)定的頻率分量的強(qiáng)度增大的范圍。然后，近磁場探測器11在該范圍內(nèi)以比由用戶設(shè)定的測定間隔窄的間隔進(jìn)行移動(dòng)，從而確定最大強(qiáng)度位置的坐標(biāo)。

當(dāng)完成最大強(qiáng)度位置確定處理時(shí)，運(yùn)算裝置30進(jìn)行評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理(步驟S501)。該評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理是本質(zhì)上與步驟S101～S104的處理(圖1)相同的處理。

但是，在本實(shí)施方式涉及的評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理中，在算出各測定點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)(即，在執(zhí)行與步驟S101對應(yīng)的步驟時(shí))，還進(jìn)行如下處理，即，使算出的各測定點(diǎn)的坐標(biāo)整體進(jìn)行移動(dòng)，使得最大強(qiáng)度位置與任一個(gè)測定點(diǎn)一致。

總之，第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)是根據(jù)由用戶設(shè)定的近磁場的測定范圍和測定間隔、以及評價(jià)對象印刷電路40在工作臺(tái)13上的位置來確定進(jìn)行測定/算出處理時(shí)的各測定點(diǎn)的位置的系統(tǒng)。因此，在第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)中，最大強(qiáng)度位置存在于四個(gè)測定點(diǎn)的中央部分，因此存在作為“最大強(qiáng)度”而確定了小于實(shí)際的最大強(qiáng)度的值的情況。而且，在作為“最大強(qiáng)度”而確定了小于實(shí)際的最大強(qiáng)度的值的情況下，i_d的值會(huì)變成不準(zhǔn)確的值，因此遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的算出精度會(huì)降低。

另一方面，如果進(jìn)行上述內(nèi)容的最大強(qiáng)度位置確定處理和評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理，則能夠始終準(zhǔn)確地求出i_d的值。因此，在進(jìn)行上述內(nèi)容的最大強(qiáng)度位置確定處理和評價(jià)對象頻率分量強(qiáng)度測定處理的本實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)中，不會(huì)產(chǎn)生在第四實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)中可能產(chǎn)生的“由于近磁場強(qiáng)度的測定點(diǎn)的位置不合適而造成遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度E的算出精度降低”的情況。

《變形方式》

上述的各實(shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)可進(jìn)行各種變形。例如，能夠?qū)Φ诙谖鍖?shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30追加進(jìn)行圖3的測定/算出處理(算出使用了單層基板的印刷電路40的遠(yuǎn)場電場強(qiáng)度的處理)的功能。也能夠?qū)Φ谝弧谌龑?shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30追加進(jìn)行最大強(qiáng)度位置確定處理等的功能。

也能夠?qū)Ω鲗?shí)施方式涉及的電場強(qiáng)度算出系統(tǒng)的運(yùn)算裝置30追加算出從印刷電路30向傾斜方向?qū)迕孑椛涞碾妶鰪?qiáng)度(即，Esinθ；θ是電場強(qiáng)度的觀測位置與印刷電路40的基板的法線之間的角度)的功能。此外，在頻率高的區(qū)域(幾GHz)中，從印刷電路40輻射的電場的上下方向上的指向性會(huì)增強(qiáng)，其結(jié)果是，可認(rèn)為用(1)式、(3)式算出的電場強(qiáng)度的誤差會(huì)增大。因此，也可以通過改變近磁場探測器11的高度來測定印刷電路40的上下方向上的近磁場分布，并基于該測定結(jié)果來推定從印刷電路40向上下方向輻射的電場的強(qiáng)度，并且使用該推定結(jié)果對用(1)式、(3)式算出的電場強(qiáng)度進(jìn)行修正。

符號說明

10 近磁場測定裝置

11 近磁場探測器

12 前置放大器

13 工作臺(tái)

20 頻譜分析器

30 運(yùn)算裝置

31 CPU

33 HDD

35 電場強(qiáng)度算出程序

40 印刷電路

50 電波暗室