一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置，本實(shí)用新型的裝置包括一個(gè)流動(dòng)分離芯片(1)、一個(gè)均勻梯度磁場發(fā)生模塊(2)、一個(gè)微流控模塊(3)和一個(gè)高梯度電磁場發(fā)生模塊(4)。所述流動(dòng)分離芯片(1)安裝在均勻梯度磁場發(fā)生模塊(2)中，包含納米磁珠及其結(jié)合體的樣本在微流控模塊(3)的控制下注射到流動(dòng)分離芯片(1)中，在均勻梯度磁場發(fā)生模塊(2)作用下，納米磁珠及其結(jié)合體朝磁場強(qiáng)度變大的方向偏移，從磁性物質(zhì)出口流出，并通過控制高梯度電磁場發(fā)生模塊(4)對納米磁珠及其結(jié)合體進(jìn)行捕獲富集。通過利用本實(shí)用新型的裝置可實(shí)現(xiàn)10毫升以上的大樣本處理量，同時(shí)操作難度小，并且易與后續(xù)檢測集成為一體化。
【專利說明】一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及連續(xù)液體分離【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體涉及一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]微/納米磁珠已在生物、醫(yī)學(xué)、食品、環(huán)境和農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，尤其是磁珠表面修飾上生物識別材料，如抗體或核酸適體等，可對生物或化學(xué)目標(biāo)物進(jìn)行特異性分離和富集。免疫磁珠分離微生物的常規(guī)方法是先將表面修飾了抗體的磁珠與包含目標(biāo)微生物的樣本在樣本管內(nèi)進(jìn)行充分混勻孵育，磁珠表面的抗體將捕獲樣本中的目標(biāo)微生物，并形成磁珠-目標(biāo)物結(jié)合體，然后利用磁場將磁珠-目標(biāo)物結(jié)合體吸附在樣本管的內(nèi)壁上，同時(shí)將樣本管內(nèi)的廢液移除，最后加入少量的緩沖液重新溶解磁珠-目標(biāo)物結(jié)合體，即得到純化并富集的目標(biāo)微生物溶液。
[0003]納米磁珠相對于微米磁珠的主要優(yōu)勢在于它具有更高的比表面積，可在等量的磁珠表面修飾上更多的生物識別材料，而且納米磁珠多為水溶性，在溶液中呈均勻分布，與樣本中目標(biāo)物的結(jié)合效率更高。但是因?yàn)榇胖樵诖艌鲋惺艿降拇帕εc磁珠的粒徑、磁珠的磁化強(qiáng)度以及磁場的梯度成正比，而且磁珠磁化強(qiáng)度通常與磁場強(qiáng)度成正比，可見納米磁珠分離對磁場強(qiáng)度和磁場梯度的要求很高。目前，國內(nèi)外最強(qiáng)的商業(yè)化磁鐵為Ν52級別的釹鐵硼永磁鐵，最大表面磁場強(qiáng)度可達(dá)到0.64Τ，但磁場強(qiáng)度隨作用距離增大而迅速衰減，因此磁場梯度較高的作用距離一般很小，這導(dǎo)致了在實(shí)際應(yīng)用中無法實(shí)現(xiàn)納米磁珠的高效分離，尤其是粒徑在30納米以下的磁珠，而且基本上很難實(shí)現(xiàn)對體積大于I毫升的納米磁珠的分離。雖然電磁場可產(chǎn)生足夠大的磁場強(qiáng)度，但需要耗費(fèi)大量的電能，同時(shí)產(chǎn)生大量的熱能，這會(huì)導(dǎo)致很多溫度敏感的生物材料(如抗體)失去活性，無法正常工作，因此現(xiàn)有技術(shù)中無法實(shí)現(xiàn)大體系納米磁珠的高效分離。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是如何高效分離大體系的納米磁珠，同時(shí)簡化分離操作。
[0006]( 二)技術(shù)方案
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置，所述裝置包括一個(gè)流動(dòng)分離芯片、一個(gè)均勻梯度電磁場發(fā)生模塊、一個(gè)微流控模塊和一個(gè)高梯度電磁場發(fā)生模塊；
[0008]所述流動(dòng)分離芯片包括分離通道、出口隔離板，并且設(shè)置有載流體進(jìn)口、樣本進(jìn)口、磁性物質(zhì)出口、非磁性物質(zhì)出口 ；所述出口隔離板位于所述磁性物質(zhì)出口和非磁性物質(zhì)出口之間，其有一導(dǎo)流斜面，將液體導(dǎo)流向非磁性物質(zhì)出口 ；
[0009]所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊包括永磁體、帶有缺口的純鐵組件；所述永磁體位于所述純鐵組件的內(nèi)部底面的幾何中心位置，所述流動(dòng)分離芯片設(shè)置于所述永磁體的上表面的幾何中心位置，并且其磁性物質(zhì)出口位于磁場強(qiáng)度變大的一邊；永磁體產(chǎn)生的磁場方向與所述分離通道的液體流動(dòng)方向垂直；
[0010]所述微流控模塊包括樣本微泵、載流體微泵、控制器；所述控制器分別連接所述樣本微泵、載流體微泵；所述樣本微泵和載流體微泵分別連接到所述載流體進(jìn)口和所述樣本進(jìn)口 ；
[0011]所述高梯度電磁場發(fā)生模塊包括第一電磁鐵、第二電磁鐵；所述第一電磁鐵、第二電磁鐵為同極對接，由所述控制器通過電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路來控制啟動(dòng)和關(guān)閉；所述磁性物質(zhì)出口的液體通過管以與所述高梯度電磁場的磁場方向垂直的方向流過。
[0012]優(yōu)選地，所述流動(dòng)分離芯片還包括進(jìn)口隔離板，所述進(jìn)口隔離板位于所述載流體進(jìn)口、樣本進(jìn)口之間。
[0013]優(yōu)選地，所述純鐵組件為帶有三角形缺口的回型的純鐵組件，所述三角形缺口位于所述純鐵組件的上表面的幾何中心位置。
[0014]優(yōu)選地，所述載流體進(jìn)口位于所述分離通道的幾何中心位置，所述樣本進(jìn)口位于所述分離通道的頂部位置。
[0015]優(yōu)選地，所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊還包括支架；所述永磁體、回型純鐵組件位于所述支架中，所流動(dòng)分離芯片從所述支架的芯片入口插入所述支架的槽中。
[0016]優(yōu)選地，所述高梯度電磁場發(fā)生模塊還包括支架，所述第一電磁鐵、第二電磁鐵安裝在所述支架中。
[0017]優(yōu)選地，所述永磁體的材質(zhì)為N52級別釹鐵硼磁鐵或更高強(qiáng)度的磁鐵。
[0018]優(yōu)選地，所述高梯度電磁場發(fā)生模塊產(chǎn)生的磁場滿足磁場梯度不小于20T/m，磁場強(qiáng)度不小于0.2T。
[0019]優(yōu)選地，所述樣本微泵和載流體微泵均采用精密注射泵或蠕動(dòng)泵。
[0020](三)有益效果
[0021]本實(shí)用新型提供了一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置，通過利用本實(shí)用新型的裝置可實(shí)現(xiàn)10毫升以上的大樣本處理量，同時(shí)操作難度小，可實(shí)現(xiàn)操作自動(dòng)化，并且易與后續(xù)檢測集成為一體化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的流動(dòng)分離芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的均勻梯度磁場發(fā)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的微流控模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的微流控模塊的控制器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的高梯度電磁場發(fā)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖中:
[0030]1、流動(dòng)分離芯片；2、均勻梯度磁場發(fā)生模塊；3、微流控模塊；4、高梯度電磁場發(fā)生模塊；11、分離通道；12、載流體進(jìn)口 ；13、樣本進(jìn)口 ；14、磁性物質(zhì)出口 ；15、非磁性物質(zhì)出口 ； 16、進(jìn)口隔離板；17、出口隔離板；18、封蓋；19、螺栓；21、永磁體；22、純鐵組件；23、支架；24、密封蓋；25、芯片入口 ；31、樣本微泵；32、載流體微泵；33、連接器；34、控制器；35、管；41、電磁鐵；42、電磁鐵；43、支架。

【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不能用來限制本實(shí)用新型的范圍。
[0032]圖1為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；所述裝置包括一個(gè)流動(dòng)分離芯片1、一個(gè)均勻梯度磁場發(fā)生模塊2、一個(gè)微流控模塊3和一個(gè)高梯度電磁場發(fā)生模塊4。
[0033]圖2為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的流動(dòng)分離芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；所述流動(dòng)分離芯片I的材質(zhì)為特氟綸或其他生物化學(xué)惰性材料，其包括分離通道11、出口隔離板17，并設(shè)置有載流體進(jìn)口 12、樣本進(jìn)口 13、磁性物質(zhì)出口14、非磁性物質(zhì)出口 15;所述載流體進(jìn)口 12位于分離通道11的幾何中心位置，所述樣本進(jìn)口 13位于分離通道11的頂部位置；所述流動(dòng)分離芯片I還包括進(jìn)口隔離板16 ;所述進(jìn)口隔離板16位于所述載流體進(jìn)口 12和樣本進(jìn)口 13之間；所述出口隔離板17有一導(dǎo)流斜面，其位于所述磁性物質(zhì)出口 14和非磁性物質(zhì)出口 15之間，所述導(dǎo)流斜面將液體導(dǎo)流向非磁性物質(zhì)出口 15。所述流動(dòng)分離芯片I還包括密封蓋18和螺栓19 ;所述流動(dòng)分離芯片I的分離通道11上方通過所述螺栓19固定所述密封蓋18，進(jìn)行封閉。
[0034]圖3為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的均勻梯度磁場發(fā)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊2包括永磁體21、回型純鐵組件22 ;所述回型純鐵組件22的上平面的幾何中心位置有一三角形缺口 ；所述永磁鐵21位于所述缺口內(nèi)部的正下方、所述回型純鐵組件的下表面內(nèi)部的幾何中心位置；所述回型純鐵組件的回型腔的大小剛好容納所述永磁體21和流動(dòng)分離芯片I ;所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊2還包括支架23，所述回型純鐵組件22置于所述支架23內(nèi)，采用密封蓋24對支架23進(jìn)行封閉。所述流動(dòng)分離芯片I通過支架23的芯片入口 25插入所述支架23開的槽中，所述流動(dòng)分離芯片I設(shè)置于所述永磁體的上表面的幾何中心位置處，并且其磁性物質(zhì)出口14位于磁場強(qiáng)度變大的一邊；所述永磁體21產(chǎn)生的磁場與所述流動(dòng)分離芯片I的分離通道11的液體流動(dòng)方向垂直。所述永磁體21的材質(zhì)為N52級別的釹鐵硼磁鐵或更高強(qiáng)度的磁鐵。所述支架23和密封蓋24的材質(zhì)為純鋁。
[0035]圖4為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的微流控模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；所述微流控模塊3包括樣本微泵31、載流體微泵32、控制器34 ;所述控制器34分別連接所述樣本微泵31、載流體微泵32 ;所述微流控模塊3還包括連接器33和管35 ;所述樣本微泵31和載流體微泵32分別通過所述管35和所述連接器33連接到所述載流體進(jìn)口 12和所述樣本進(jìn)口 13 ;所述磁性物質(zhì)出口 14和非磁性物質(zhì)出口 15分別通過連接器33和管35連接到收集管和廢液池；所述樣本微泵31和載流體微泵32分別連接樣品管和載流體管。所述樣本微泵31和載流體微泵32均采用精密注射泵或蠕動(dòng)泵；所述連接器33為標(biāo)配產(chǎn)品，螺紋為1/4-28 ;所述管35材質(zhì)為特氟綸或其它生物化學(xué)惰性材料，用于傳輸各種液體。
[0036]圖5為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的微流控模塊的控制器的結(jié)構(gòu)示意圖；所述控制器34包括微處理器、光電耦合器、兩個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、兩個(gè)電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路、穩(wěn)壓電路、顯示屏、鍵盤以及USB通信接口。所述微處理器可采用單片機(jī)或ARM，所述微處理器通過所述光電耦合器控制所述兩個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、兩個(gè)電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路，所述兩個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路分別與所述樣本微泵31和載流體微泵32連接；所述兩個(gè)電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路分別與所述電磁鐵41和電磁鐵42連接；所述穩(wěn)壓電路為微處理器、顯示屏、兩個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、兩個(gè)電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路提供電源；所述鍵盤、顯示屏以及USB通信接口均與所述微處理器連接。所述控制器34對所述樣本微泵31和所述載流體微泵32以及所述高梯度電磁場4進(jìn)行智能控制。
[0037]圖6為本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例的一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置的高梯度電磁場發(fā)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；所述高梯度電磁場發(fā)生模塊4包括電磁鐵41、電磁鐵42和支架43 ;所述電磁鐵41和所述電磁鐵42為同極對接，由所述控制器34通過電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路來控制啟動(dòng)和關(guān)閉，啟動(dòng)時(shí)所述電磁鐵41和所述電磁鐵42呈相互排斥狀態(tài),所述高梯度電磁場是在所述電磁鐵41和所述電磁鐵42的對接處產(chǎn)生的；所述電磁鐵41和所述電磁鐵42安裝在所述支架43中；所述磁性物質(zhì)出口 14的液體通過所述管35垂直流經(jīng)所述高梯度電磁場4。
[0038]利用本實(shí)用新型的裝置實(shí)現(xiàn)大體系納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離的方法包括以下步驟:
[0039]S1、所述微流控模塊3的控制器34控制所述載流體微泵32開啟，控制載流體的流量，使載流體充滿所述流動(dòng)分離芯片I的分離通道11 ；
[0040]S2、所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊2產(chǎn)生與所述流動(dòng)分離芯片I內(nèi)部的液體流動(dòng)方向垂直的磁場，通過所述微流控模塊3的控制器34調(diào)節(jié)載流體的流速，使所述分離通道內(nèi)部載流體處于層流狀態(tài)，其中載流體流動(dòng)狀態(tài)是通過計(jì)算雷諾系數(shù)來判斷；
[0041]S3、由所述微流控模塊3的控制器34控制開啟樣本微泵31，從所述樣本進(jìn)口 13注入樣本，注入樣本的流速與所述分離通道的長度、所述納米磁珠的粒徑和所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊的梯度與強(qiáng)度相關(guān)；
[0042]S4、所述樣本中的納米磁珠及其結(jié)合體在均勻梯度磁場發(fā)生模塊2作用下將朝磁場強(qiáng)度變大的方向偏移，并從所述磁性物質(zhì)出口 14流出芯片，非磁性物質(zhì)保持在原來的水平運(yùn)動(dòng)方向附近，從所述非磁性物質(zhì)出口 15流出芯片；
[0043]S5、通過所述微流控模塊3的控制器34啟動(dòng)電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路，給所述電磁鐵41、電磁鐵42供電，產(chǎn)生高梯度電磁場；從所述磁性物質(zhì)出口 14流出的納米磁珠及其結(jié)合體被所述高梯度電磁場發(fā)生模塊4捕獲在管35的管壁上；樣本流動(dòng)分離結(jié)束后關(guān)閉所述高梯度電磁場發(fā)生模塊4，納米磁珠及其結(jié)合體將被釋放，回收在收集管中，得到純化并富集的納米磁珠及其結(jié)合體樣本。
[0044]通過利用本實(shí)用新型的裝置可實(shí)現(xiàn)10毫升以上的大樣本處理量，同時(shí)操作難度小，并且易與后續(xù)檢測集成為一體化。
[0045]以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而非對本實(shí)用新型的限制。盡管參照實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行各種組合、修改或者等同替換，都不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種納米磁珠連續(xù)流動(dòng)分離裝置，其特征在于，所述裝置包括一個(gè)流動(dòng)分離芯片(I)、一個(gè)均勻梯度電磁場發(fā)生模塊(2)、一個(gè)微流控模塊(3)和一個(gè)高梯度電磁場發(fā)生模塊⑷； 所述流動(dòng)分離芯片(I)包括分離通道(11)、出口隔離板(17)，并且設(shè)置有載流體進(jìn)口(12)、樣本進(jìn)口(13)、磁性物質(zhì)出口(14)、非磁性物質(zhì)出口(15);所述出口隔離板(17)位于所述磁性物質(zhì)出口(14)和非磁性物質(zhì)出口(15)之間，其有一導(dǎo)流斜面，將液體導(dǎo)流向非磁性物質(zhì)出口(15); 所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊(2)包括永磁體(21)、帶有缺口的純鐵組件(22);所述永磁體(21)位于所述純鐵組件(22)的內(nèi)部底面的幾何中心位置，所述流動(dòng)分離芯片(I)設(shè)置于所述永磁體(21)的上表面的幾何中心位置，并且其磁性物質(zhì)出口(14)位于磁場強(qiáng)度變大的一邊；永磁體(21)產(chǎn)生的磁場方向與所述分離通道(11)的液體流動(dòng)方向垂直； 所述微流控模塊(3)包括樣本微泵(31)、載流體微泵(32)、控制器(34);所述控制器(34)分別連接所述樣本微泵(31)、載流體微泵(32);所述樣本微泵(31)和載流體微泵(32)分別連接到所述載流體進(jìn)口(12)和所述樣本進(jìn)口(13)； 所述高梯度電磁場發(fā)生模塊(4)包括電磁鐵(41)、電磁鐵(42);所述電磁鐵(41)和所述電磁鐵(42)為同極對接，由所述控制器(34)通過電磁鐵驅(qū)動(dòng)電路來控制啟動(dòng)和關(guān)閉；所述磁性物質(zhì)出口(14)的液體通過管(35)以與所述高梯度電磁場磁場方向垂直的方向流過。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述流動(dòng)分離芯片(I)還包括進(jìn)口隔離板(16)，所述進(jìn)口隔離板(16)位于所述載流體進(jìn)口(12)、樣本進(jìn)口(13)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述純鐵組件(22)為帶有三角形缺口的回型的純鐵組件，所述三角形缺口位于所述純鐵組件的上表面的幾何中心位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述載流體進(jìn)口(12)位于所述分離通道(11)的幾何中心位置，所述樣本進(jìn)口(13)位于所述分離通道(11)的頂部位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述均勻梯度磁場發(fā)生模塊(2)還包括支架(23);所述永磁體(21)、回型純鐵組件(22)位于所述支架(23)中，所流動(dòng)分離芯片(I)從所述支架(23)的芯片入口(25)插入所述支架(23)的槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高梯度電磁場發(fā)生模塊(4)還包括支架(43)，所述電磁鐵(41)和所述電磁鐵(42)安裝在所述支架(43)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述永磁體(21)的材質(zhì)為N52級別釹鐵硼磁鐵或更高強(qiáng)度的磁鐵。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述高梯度電磁場發(fā)生模塊(4)產(chǎn)生的磁場滿足磁場梯度不小于20T/m,磁場強(qiáng)度不小于0.2T。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述樣本微泵(31)和載流體微泵(32)均采用精密注射泵或蠕動(dòng)泵。
【文檔編號】G01N1/28GK203965212SQ201420387278
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年7月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月14日
【發(fā)明者】林建涵, 王禹賀, 甘承奇 申請人:中國農(nóng)業(yè)大學(xué)