X射線與光學(xué)圖像傳感器以及其成像系統(tǒng)及制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)案涉及一種X射線與光學(xué)圖像傳感器以及其成像系統(tǒng)及制作方法。一種用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)的圖像傳感器包含X射線吸收層及安置于半導(dǎo)體層中的多個(gè)光電二極管。所述X射線吸收層經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射而發(fā)射光子。安置于所述半導(dǎo)體層中的所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以接收?qǐng)D像光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且經(jīng)光學(xué)耦合以從所述X射線吸收層接收光子以產(chǎn)生X射線圖像數(shù)據(jù)。
【專利說明】X射線與光學(xué)圖像傳感器以及其成像系統(tǒng)及制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明大體來說涉及圖像傳感器，且特定來說（但非排他性地）涉及組合X射線 與可見光圖像傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002] X射線檢測器及成像器用于多種醫(yī)療及工業(yè)工藝中。在這些應(yīng)用中的許多應(yīng)用中， 不期望使經(jīng)成像物體經(jīng)受延長的X射線暴露，因?yàn)橐阎猉射線會(huì)損壞有機(jī)及無機(jī)材料兩者。 舉例來說，在醫(yī)療應(yīng)用中，到X射線的延長的暴露已與嚴(yán)重的健康狀況有關(guān)聯(lián)。在常規(guī)X射 線技術(shù)中，為了獲得所要特征的優(yōu)質(zhì)X射線圖像可需要采取多次X射線。時(shí)常，此為X射線 設(shè)備操作者必須"猜測并檢驗(yàn)"X射線傳感器相對(duì)于正成像的特征/物體的位置的結(jié)果。X 射線圖像傳感器放置是基于最佳"猜測"，且接著拍攝X射線圖像以"檢驗(yàn)"位置并懷著希望 地再現(xiàn)所要特征的清晰圖像。此不僅將這些程序的被攝體暴露于額外有害的X射線輻射而 且浪費(fèi)時(shí)間及資源。因此，能夠在捕獲X射線之前提供定位反饋的X射線傳感器可限制不 必要的X射線暴露且增加效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 在一個(gè)實(shí)施例中，本申請(qǐng)案提供一種用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)的 圖像傳感器，所述圖像傳感器包括：X射線吸收層，其經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射而 發(fā)射光子；及多個(gè)光電二極管，其安置于半導(dǎo)體層中，其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合 以接收?qǐng)D像光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以從所述 X射線吸收層接收所述光子以產(chǎn)生所述X射線圖像數(shù)據(jù)。
[0004] 在另一實(shí)施例中，本申請(qǐng)案提供一種成像系統(tǒng)，其包括：x射線發(fā)射器，其用于發(fā) 射X射線束；控制器，其耦合到所述X射線發(fā)射器以控制所述X射線束的所述發(fā)射；及圖像 傳感器，其用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，其中所述控制器耦合到所述圖像傳 感器以控制圖像捕獲，所述圖像傳感器包括：χ射線吸收層，其經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到所述 X射線束而發(fā)射光子；及多個(gè)光電二極管，其安置于半導(dǎo)體層中，其中所述多個(gè)光電二極管 經(jīng)光學(xué)耦合以接收?qǐng)D像光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦 合以從所述X射線吸收層接收所述光子以產(chǎn)生所述X射線圖像數(shù)據(jù)。
[0005] 在又一實(shí)施例中，本申請(qǐng)案提供一種制作用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù) 據(jù)的圖像傳感器的方法，所述方法包括：形成經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射而發(fā)射光 子的X射線吸收層；及在半導(dǎo)體層中形成多個(gè)光電二極管，其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光 學(xué)耦合以接收?qǐng)D像光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以 從所述X射線吸收層接收所述光子以產(chǎn)生所述X射線圖像數(shù)據(jù)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 參考以下各圖描述本發(fā)明的非限制性及非窮盡實(shí)施例，其中除非另有規(guī)定，否則 在所有各個(gè)視圖中相似參考編號(hào)指代相似部件。
[0007] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的前側(cè)照明式X射線與光學(xué)圖像傳感器（"X0IS"）裝 置架構(gòu)的一個(gè)可能實(shí)例的橫截面圖解說明。
[0008] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的背側(cè)照明式XOIS裝置架構(gòu)的一個(gè)可能實(shí)例的橫截 面圖解說明。
[0009] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的操作中 的圖1的XOIS裝置架構(gòu)。
[0010] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的操作中 的圖2的XOIS裝置架構(gòu)。
[0011] 圖5圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的XOIS的一個(gè)實(shí)例的框圖示意圖。
[0012] 圖6是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成XIOS裝置的方法的一個(gè)實(shí)例的流程圖。
[0013] 圖7是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例的圖。
[0014] 圖8是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例操作X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)的方法的流程 圖。
[0015] 圖9是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例操作X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)的方法的流程 圖。
[0016] 圖10是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例操作X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)的方法的流程 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017] 本文中描述用于捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的圖像傳感器的實(shí)施 例。在以下描述中，陳述眾多特定細(xì)節(jié)以提供對(duì)本發(fā)明的透徹理解。然而，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù) 人員將認(rèn)識(shí)到，本文中所描述的技術(shù)可在不具有所述特定細(xì)節(jié)中的一者或一者以上的情況 下實(shí)踐或者可借助其它方法、組件、材料等來實(shí)踐。在其它實(shí)例中，未詳細(xì)展示或描述眾所 周知的結(jié)構(gòu)、材料或操作以避免使某些方面模糊。
[0018] 在本說明書通篇中對(duì)"一個(gè)實(shí)施例"或"一實(shí)施例"或"一個(gè)實(shí)例"的提及意指結(jié)合 所述實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在本 說明書通篇的各個(gè)位置中短語"在一個(gè)實(shí)施例中"或"在一實(shí)施例中"或"一個(gè)實(shí)例"的出現(xiàn) 未必全部指代同一實(shí)施例。此外，所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任何適合方式組合于一個(gè) 或一個(gè)以上實(shí)施例中。
[0019] 圖1及2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于X射線與光學(xué)圖像傳感器（"X0IS"）的可 能裝置架構(gòu)的兩個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的前側(cè)照明式X0IS100 裝置架構(gòu)的一個(gè)可能實(shí)例的橫截面圖解說明。在前側(cè)照明式配置中，X0IS100包含安置于 半導(dǎo)體層104中的多個(gè)光電二極管102。在圖1中，半導(dǎo)體層104具有第一側(cè)130及與第一 偵U 130相對(duì)的第二側(cè)132。由于X0IS100是前側(cè)照明式圖像傳感器，因此第一側(cè)130對(duì)應(yīng)于 半導(dǎo)體層104的前側(cè)且第二側(cè)132對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層104的背側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體 層104包括硅。X射線吸收層106安置于半導(dǎo)體層104與反射層108之間。在一個(gè)實(shí)施例 中，反射層108為例如鋁等金屬且為2 KA厚。
[0020] 在圖1中，半導(dǎo)體層104安置于X射線吸收層106與一個(gè)或一個(gè)以上中間層110 之間。在所圖解說明的實(shí)施例中，中間層110包含X射線屏蔽層118, X射線屏蔽層118經(jīng) 定位以阻擋X射線輻射使其不到達(dá)可易受由到X射線輻射的暴露所致的物理降解的晶體管 組件120。在一些實(shí)施例中，X射線屏蔽層118還可為經(jīng)戰(zhàn)略性地定位而也充當(dāng)X射線屏蔽 的電子互連件。X射線屏蔽層118可包含鉛、鎢、鋁及/或銅。晶體管組件120經(jīng)耦合以讀 出多個(gè)光電二極管102。舉例來說，晶體管組件120可包含用于從光電二極管102轉(zhuǎn)移光生 電荷的轉(zhuǎn)移晶體管（其為此項(xiàng)技術(shù)中已知的"3T"或"4T"像素架構(gòu)的部分）的轉(zhuǎn)移柵極。 晶體管組件120還可包含為用于讀出包含多個(gè)光電二極管102的像素陣列中的每一像素的 外圍讀出電路的部分的晶體管。
[0021] 在所圖解說明的實(shí)施例中，彩色濾光片層112安置于微透鏡114陣列與中間層110 之間。微透鏡114經(jīng)配置以將圖像光聚焦到光電二極管102上。彩色濾光片層112可包含 可布置成拜耳圖案的紅色、綠色及藍(lán)色濾光片。
[0022] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的背側(cè)照明式X0IS200裝置架構(gòu)的一個(gè)可能實(shí)例的橫 截面圖解說明。在背側(cè)照明式配置中，X0IS200包含安置于半導(dǎo)體層204中的多個(gè)光電二 極管202。在圖2中，半導(dǎo)體層204具有第一側(cè)230及與第一側(cè)230相對(duì)的第二側(cè)232。由 于X0IS200是背側(cè)照明式圖像傳感器，因此第一側(cè)230對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層204的背側(cè)且第二 偵U 232對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層204的前側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體層204包括硅。X射線吸收 層206安置于半導(dǎo)體層204與反射層208之間。在一個(gè)實(shí)施例中，反射層208為例如鋁等 金屬且為2 KA厚。
[0023] 由于X0IS200為背側(cè)照明式架構(gòu)，因此中間層210安置于X射線吸收層206與半 導(dǎo)體層204之間。在所圖解說明的實(shí)施例中，中間層210包含金屬互連件219。在圖2中， 中間層211包含X射線屏蔽層218，X射線屏蔽層218經(jīng)定位以阻擋X射線輻射使其不到達(dá) 可易受由到X射線輻射的暴露所致的物理降解的晶體管組件220。X射線屏蔽層218可包 含鉛、鎢、鋁及/或銅。晶體管組件220經(jīng)耦合以讀出多個(gè)光電二極管202。舉例來說，晶體 管組件220可包含用于從光電二極管202轉(zhuǎn)移光生電荷的轉(zhuǎn)移晶體管（其為此項(xiàng)技術(shù)中已 知的"3T"或"4T"像素架構(gòu)的部分）的轉(zhuǎn)移柵極。晶體管組件220還可包含為用于讀出包 含多個(gè)光電二極管202的像素陣列中的每一像素的外圍讀出電路的部分的晶體管。
[0024] 類似于圖1，在圖2中，彩色濾光片層212安置于微透鏡214陣列與中間層211之 間。微透鏡214經(jīng)配置以將圖像光聚焦到光電二極管202上。彩色濾光片層212可包含可 布置成拜耳圖案的紅色、綠色及藍(lán)色濾光片。
[0025] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的操作中 的圖1的X0IS100裝置架構(gòu)。X0IS100為能夠捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)（例如，可見及/或非可見 光）及來自X射線輻射的X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的雙模式成像器。在圖3中，第一側(cè)130經(jīng) 耦合以接收?qǐng)D像光304及X射線輻射302。
[0026] 在圖3中，圖像光304依序傳播穿過微透鏡114、彩色濾光片層112、中間層110并 進(jìn)入到光電二極管102中的一者中。在圖3中，在光電二極管102中傳播的圖像光304產(chǎn)生 可作為光學(xué)圖像數(shù)據(jù)讀出以產(chǎn)生圖像的圖像電荷。圖像光304可為可見光或非可見光（例 如，紅外或紫外）。可在X0IS100的濾光片堆疊中包含濾光片（未圖解說明）以使某些光波 長（例如，紅外）不到達(dá)光電二極管102。
[0027] X0IS100也能夠捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)。在圖3中，X射線束302依序傳播穿過微透 鏡114、彩色濾光片層112、中間層110及半導(dǎo)體層104。X射線束302可在其行進(jìn)穿過半導(dǎo) 體層104時(shí)傳播穿過光電二極管102。換句話說，X射線吸收層106經(jīng)定位以通過多個(gè)光電 二極管102中的光電二極管接收X射線束302。
[0028] -股來說，具有大于大致IOkeV的能量的X射線可以極低量子效率通過硅（意味 著所述硅不將入射X射線輻射轉(zhuǎn)換成電子）。在醫(yī)療診斷中有時(shí)使用具有大于大致IOkeV 的能量的X射線。類似于可見光，具有小于IOkeV的能量的X射線可由硅吸收。因此，如果 半導(dǎo)體層104為硅，那么具有大于大致IOkeV的能量的X射線束302可通過半導(dǎo)體層104。 當(dāng)然，可使用除硅之外的半導(dǎo)體材料。
[0029] 在傳播穿過半導(dǎo)體層104之后，X射線束302遇到X射線吸收層106。X射線吸收 層106經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射（并由其刺激）而發(fā)射光子。X射線吸收層106 可為例如具有Gd 2O2S = Tb的組成的Gadox(也叫作P43)等磷光體。Gadox可在其由X射線 輻射刺激時(shí)發(fā)射具有大致545nm的波長的光子。應(yīng)注意，存在許多可用作X射線吸收層106 的在吸收X射線輻射后即刻發(fā)射光的材料/結(jié)構(gòu)。在圖3中，X射線束302刺激X射線吸 收層106以發(fā)射光子397。光子397移動(dòng)穿過半導(dǎo)體層104中的光電二極管102 (且由其吸 收），這在所述光電二極管中產(chǎn)生圖像電荷。因此，多個(gè)光電二極管102可在X射線輻射刺 激X射線吸收層106以發(fā)射光子時(shí)通過測量由X射線吸收層106發(fā)射的光子產(chǎn)生X射線圖 像數(shù)據(jù)。
[0030] 在圖3中，X射線吸收層106定位于半導(dǎo)體層104與反射層108之間。反射層108 經(jīng)定位以將由X射線吸收層106發(fā)射的光子朝向多個(gè)光電二極管102往回引導(dǎo)。在圖3中， X射線束302刺激X射線吸收層106以發(fā)射光子399。光子399朝向反射層108發(fā)射，反射 層108將光子399往回反射到光電二極管102,使得光電二極管102可從光子399產(chǎn)生圖 像電荷。在一些實(shí)施例中，在X0IS100中不包含反射層108,但包含反射層108可更有效地 測量由刺激X射線吸收層106的X射線束302產(chǎn)生的光子。如果在X0IS100中包含反射層 108,那么X射線束302可傳播穿過反射層108及反射層108安置于其上的任何透明處置襯 底（未圖解說明）。
[0031] 圖3還展示在X射線操作模式中，安置于晶體管組件120上面的X射線屏蔽層118 經(jīng)定位以阻擋X射線302以便限制對(duì)晶體管組件120的損壞。
[0032] 圖4圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的 操作中的圖2的XOIS裝置架構(gòu)。類似于XOIS100, XOIS200為能夠捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)（例 如，可見及/或非可見光）及來自X射線輻射的X射線圖像數(shù)據(jù)兩者的雙模式成像器。在 圖4中，第一側(cè)230經(jīng)耦合以接收?qǐng)D像光304及X射線束302。
[0033] 在圖4中，圖像光304依序傳播穿過微透鏡214、彩色濾光片層212、中間層211并 進(jìn)入到光電二極管202中的一者中。在圖4中，在光電二極管202中傳播的圖像光304產(chǎn)生 可作為光學(xué)圖像數(shù)據(jù)讀出以產(chǎn)生圖像的圖像電荷。圖像光304可為可見光或非可見光（例 如，紅外或紫外）?？稍赬0IS200的濾光片堆疊中包含濾光片（未圖解說明）以使某些光波 長（例如，紅外）不到達(dá)光電二極管202。
[0034] X0IS200也能夠捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)。在圖4中，X射線束302依序傳播穿過微透 鏡214、彩色濾光片層212、中間層211、半導(dǎo)體層204及中間層210。X射線束302可在其行 進(jìn)穿過半導(dǎo)體層204時(shí)傳播穿過光電二極管202。換句話說，X射線吸收層206經(jīng)定位以通 過多個(gè)光電二極管202中的光電二極管接收X射線束302。
[0035] 如上文所論述，一股來說，具有大于大致IOkeV的能量的X射線可以極低量子效率 通過硅（意味著所述硅不將入射X射線輻射轉(zhuǎn)換成電子），而具有小于IOkeV的能量的X射 線可由硅吸收。因此，如果半導(dǎo)體層204為硅，那么具有大于大致IOkeV的能量的X射線束 302可通過半導(dǎo)體層204。
[0036] 在傳播穿過中間層210之后，X射線束302遇到X射線吸收層206。X射線吸收層 206可一股具有與X射線吸收層106相同的性質(zhì)且經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射（并 由其刺激）而發(fā)射光子。在圖4中，X射線束302刺激X射線吸收層206以發(fā)射光子497。 光子497行進(jìn)穿過中間層210且進(jìn)入到半導(dǎo)體層204中的光電二極管202中。光子497在 光電二極管202中產(chǎn)生可接著作為X射線圖像數(shù)據(jù)讀出的圖像電荷。因此，多個(gè)光電二極 管202可在X射線輻射刺激X射線吸收層206以發(fā)射光子時(shí)通過測量由X射線吸收層206 發(fā)射的光子產(chǎn)生X射線圖像數(shù)據(jù)。
[0037] 在圖4中，X射線吸收層206定位于中間層210與反射層208之間。反射層208經(jīng) 定位以將由X射線吸收層206發(fā)射的光子朝向多個(gè)光電二極管202往回引導(dǎo)。在圖4中，X 射線束302刺激X射線吸收層206以發(fā)射光子499。光子499朝向反射層208發(fā)射，反射層 208將光子499往回反射到光電二極管202,使得光電二極管202可從光子499產(chǎn)生圖像電 荷。在一些實(shí)施例中，不包含反射層208,但包含反射層208可更有效地測量由刺激X射線 吸收層206的X射線束302產(chǎn)生的光子。如果在X0IS200中包含反射層208,那么X射線束 302可傳播穿過反射層208及反射層208安置于其上的任何透明處置襯底（未圖解說明）。
[0038] 圖4還展示在X射線操作模式中，安置于晶體管組件220上面的X射線屏蔽層218 經(jīng)定位以阻擋X射線302以便限制對(duì)晶體管組件220的損壞。
[0039] 圖1-4的論述展示X0IS100及X0IS200為能夠捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù) 據(jù)的雙模式成像器。圖7圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可并入有X0IS100或X0IS200以作 為X0IS702的X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)700的一個(gè)實(shí)例。
[0040] 在圖7中，控制器708經(jīng)耦合以控制X0IS702以捕獲光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù) 據(jù)且還經(jīng)耦合以從X0IS702接收光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)。X0IS702可具有布置成 若干圖案（例如，拜耳圖案）以捕獲彩色光學(xué)圖像的彩色濾光片，或X0IS702可不具有彩色 濾光片且經(jīng)配置以捕獲單色光學(xué)圖像?？刂破?08可控制X0IS702的操作參數(shù)，例如曝光持 續(xù)時(shí)間（電子快門）及信號(hào)增益。控制器708可包含處理器、現(xiàn)場可編程門陣列（"FPGA"） 或用于處理圖像數(shù)據(jù)的其它邏輯?？刂破?08可包含用于存儲(chǔ)指令、設(shè)定及圖像數(shù)據(jù)的存 儲(chǔ)器。在一個(gè)實(shí)施例中，控制器708連接（有線地或無線地）到因特網(wǎng)或局域網(wǎng)且可經(jīng)由 因特網(wǎng)或局域網(wǎng)將X射線圖像數(shù)據(jù)或光學(xué)圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到另一裝置。
[0041] 控制器708還耦合到X射線發(fā)射器704以控制X射線束718 (其可具有大于IOKeV 的能量）從X射線發(fā)射器704的發(fā)射?？稍诳刹倏v硬件模塊中包含X射線發(fā)射器704使得 X射線發(fā)射器704可經(jīng)恰當(dāng)定位以（與X0IS702協(xié)作地）產(chǎn)生經(jīng)成像被攝體722 (例如，牙 齒）的圖像?？刂破?08可經(jīng)耦合以控制X射線發(fā)射器704的操作參數(shù)，例如所發(fā)射的X 射線的能量、X射線束718的持續(xù)時(shí)間、所發(fā)射的X射線的角度及X射線發(fā)射器704相對(duì)于 X0IS702的位置。在一個(gè)實(shí)施例中，控制器708經(jīng)無線地耦合以控制X射線發(fā)射器704及 X0IS702、發(fā)送及接收來自X射線發(fā)射器704及X0IS702的數(shù)據(jù)。在圖7中，控制器708經(jīng) 耦合以控制光源714以發(fā)射源光715。在一些實(shí)施例中，光源714為任選的。在圖7中，控 制器708進(jìn)一步耦合到顯示器710及用戶接口 712。所述用戶接口可為鼠標(biāo)、軌跡墊、選擇 開關(guān)及/或鍵盤或其它。
[0042] 在圖7中，控制器708還經(jīng)耦合以控制光學(xué)快門723的打開及關(guān)閉。光學(xué)快門723 可由阻擋可見光使其不變?yōu)槿肷涞絏0IS702上但仍允許X射線束718傳播穿過其的材料 (例如，塑料）制成。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)快門723包含液晶快門層且集成到X0IS702中 并安置于光電二極管102/202上方以擋住可見光。光學(xué)快門723可僅存在于某些實(shí)施例中。
[0043] X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)700可取決于成像系統(tǒng)700的使用情況及配置而在多種不 同模式中操作。圖8是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例操作X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)700的方 法800的流程圖。過程框中的一些或全部出現(xiàn)在過程800中的次序不應(yīng)視為限制性。而是， 受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將理解，可以未圖解說明的多種次序或甚至并行 地執(zhí)行所述過程框中的一些過程框。
[0044] 在圖8中所圖解說明的第一操作模式中，控制器708引導(dǎo)X0IS702以通過用其光 電二極管測量圖像光716來捕獲初始圖像（過程框805)?？墒褂秒娮涌扉T序列（例如，滾 動(dòng)或全局快門）來測量光電二極管上的圖像電荷。在引導(dǎo)X0IS702以捕獲初始圖像之后，控 制器708可致使X射線發(fā)射器704發(fā)射朝向經(jīng)成像被攝體722引導(dǎo)的X射線束718 (過程 框810)，同時(shí)控制器708還致使X0IS702捕獲隨動(dòng)圖像（過程框815)。所述初始圖像包含 來自測量在X0IS702中的光電二極管上產(chǎn)生圖像電荷的圖像光716的光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，而所 述隨動(dòng)圖像包含圖像光716及X射線束718的穿透經(jīng)成像被攝體722的部分的測量兩者， 因?yàn)閄射線束718的穿透部分在X射線吸收層（例如，X射線吸收層106或206)中刺激可 由X0IS702中的光電二極管測量的光子。為了隔離X射線圖像數(shù)據(jù)以產(chǎn)生X射線圖像，從 隨動(dòng)圖像像素值減去初始圖像像素值（過程框820)，因?yàn)樗龀跏紙D像包含光學(xué)圖像數(shù)據(jù) (例如，可見光）且所述隨動(dòng)圖像包含光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及X射線圖像數(shù)據(jù)兩者。換句話說，所 述初始圖像用作隨動(dòng)圖像的基線/校準(zhǔn)圖像。為了改進(jìn)結(jié)果，可直接在捕獲初始圖像之后 捕獲所述隨動(dòng)圖像。應(yīng)了解，此第一操作模式的實(shí)施方案未必需要光學(xué)快門723。
[0045] 應(yīng)了解，成像系統(tǒng)700的操作者可實(shí)時(shí)地觀看由X0IS702捕獲的經(jīng)成像被攝體722 的一系列圖像以便正確地定位X0IS702以拍攝經(jīng)成像被攝體722的X射線圖像。所述系列 的圖像（例如，視頻）可由控制器708顯示于顯示器710上以給出操作者關(guān)于將X0IS702關(guān) 于經(jīng)成像被攝體722定位的視覺反饋?；谒鲆曈X反饋，操作者可與用戶接口 712交互 以起始X射線成像序列。所述X射線成像序列可包含捕獲初始圖像及接著捕獲隨動(dòng)圖像， 如圖8中所展示。在一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)境光提供足夠光來捕獲所述系列的圖像。在其它實(shí) 施例中，光源714可由控制器708控制以發(fā)射處于不同強(qiáng)度的源光715從而提供足夠光以 反射可測量數(shù)量的圖像光716供X0IS702進(jìn)行測量。在一個(gè)實(shí)施例中，光源714經(jīng)調(diào)諧以 提供相對(duì)低水平的源光715來確保X0IS702中的光電二極管在其捕獲初始圖像時(shí)不處于全 容量，因此仍存在余量來測量將由X射線束718的穿透經(jīng)成像被攝體722且刺激X射線吸 收層106或206的部分產(chǎn)生的額外圖像電荷。
[0046] 圖9是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例操作X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)700的方法900 的流程圖。過程框中的一些或全部出現(xiàn)在過程900中的次序不應(yīng)視為限制性。而是，受益 于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將理解，可以未圖解說明的多種次序或甚至并行地執(zhí) 行所述過程框中的一些過程框。
[0047] 在圖9中所圖解說明的第二操作模式中，光源714為非可見光源（例如，紅外或紫 外）。光源714可經(jīng)配置以僅發(fā)射相對(duì)窄頻帶的光。光源714可包含紅外或紫外發(fā)光二極 管（"LED"）?？稍跒V光片堆疊中于X0IS702上方安置濾光片使得X0IS702經(jīng)配置以僅測 量由光源714發(fā)射的相同頻帶的源光715。在一個(gè)實(shí)施例中，光源714發(fā)射以850nm為中心 的紅外光，且X0IS702上方的濾光片僅允許800nm與900nm之間的光到達(dá)X0IS702中的光 電二極管。在此配置中，X0IS702不測量可見光。
[0048] 為了在此第二操作模式中產(chǎn)生X射線圖像，控制器708致使光源714發(fā)射由經(jīng)成 像被攝體722反射以作為圖像光716的源光715 (過程框905)。在過程框910中，X0IS702 通過測量圖像光716來捕獲光學(xué)圖像（其可為單色的）?？稍陲@示器710上顯示所述光學(xué) 圖像以給出操作者關(guān)于將X0IS702關(guān)于經(jīng)成像被攝體722定位的視覺反饋。基于所述視覺 反饋，操作者可與用戶接口 712交互以起始X射線成像序列。在過程框915處，控制器708 可從用戶接口 712接收用于起始X射線成像序列的用戶接口信號(hào)。如果控制器708未接收 到用于起始X射線成像序列的用戶接口信號(hào)，那么過程900返回到過程框905。應(yīng)理解，過程 900可以包括過程框905、910、915且返回到過程框905的循環(huán)運(yùn)行。此可捕獲作為視頻顯 示于顯示器710上以輔助操作者定位X0IS702以捕獲X射線圖像的一系列光學(xué)圖像。當(dāng)控 制器708起始X射線成像序列時(shí)，過程900繼續(xù)到過程框920,其中關(guān)斷光源714且控制器 708致使X射線發(fā)射器704發(fā)射朝向經(jīng)成像被攝體722引導(dǎo)的X射線束718 (過程框925)， 同時(shí)控制器708還致使X0IS702捕獲X射線圖像（過程框930)。由于X0IS702上的濾光片 防止可見光由光電二極管測量且在X射線成像序列期間關(guān)斷光源714,因此由X0IS702的光 電二極管測量的圖像電荷應(yīng)主要（如果不是排他性地）由X射線束718的穿透經(jīng)成像被攝 體722、通過X0IS702上的濾光片且在X射線吸收層106或206上刺激由光電二極管測量的 光子發(fā)射的部分產(chǎn)生。同樣，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在此第二操作模式中，光學(xué)快門 723為任選的。在于過程框930中捕獲X射線圖像之后，過程900返回到過程框905。
[0049] 圖10是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例操作X射線與光學(xué)成像系統(tǒng)700的方法 1000的流程圖。過程框中的一些或全部出現(xiàn)在過程1000中的次序不應(yīng)視為限制性。而是， 受益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將理解，可以未圖解說明的多種次序或甚至并行 地執(zhí)行所述過程框中的一些過程框。
[0050] 在圖10中所圖解說明的第三操作模式中，利用光學(xué)快門723。在操作者定位 X0IS702以使經(jīng)成像被攝體722成像的同時(shí)，X0IS702正捕獲圖像（過程框1005)且將所 述圖像發(fā)送到控制器708以供作為視覺反饋顯示于顯示器710上（過程框1010)。一旦成 像系統(tǒng)700的操作者確定X0IS702經(jīng)恰當(dāng)定位以捕獲X射線圖像時(shí)，其與用戶接口 712交 互以起始X射線成像序列。在過程框1015處，控制器708可從用戶接口 712接收用于起始 X射線成像序列的用戶接口信號(hào)。如果控制器708未接收到用于起始X射線成像序列的用 戶接口信號(hào)，那么過程1000返回到過程框1005。應(yīng)理解，過程1000可以包括過程框1005、 1010U015且返回到過程框1005的循環(huán)運(yùn)行。此可捕獲作為視頻顯示于顯示器710上以 輔助操作者定位X0IS702以捕獲X射線圖像的一系列光學(xué)圖像。當(dāng)控制器708響應(yīng)于接收 到用戶接口信號(hào)（或其它信號(hào)）而起始X射線成像序列時(shí)，過程1000繼續(xù)到過程框1020。 在過程框1020中，光學(xué)快門723關(guān)閉以擋住圖像光716使其不傳播到X0IS702的光電二極 管中。在關(guān)閉光學(xué)快門723之后，控制器708致使X射線發(fā)射器704發(fā)射朝向經(jīng)成像被攝 體722引導(dǎo)的X射線束718 (過程框1025)，同時(shí)控制器708還致使X0IS702捕獲X射線圖 像（過程框1030)。X射線束718的穿透經(jīng)成像被攝體722的部分也穿透光學(xué)快門723且繼 續(xù)進(jìn)行以在X射線吸收層106或206上刺激由X0IS702中的光電二極管測量的光子發(fā)射。 由于在X射線成像序列期間圖像光716由光學(xué)快門723阻擋，因此X0IS702僅測量由刺激X 射線吸收層的X射線束718產(chǎn)生的圖像電荷。換句話說，在X射線成像序列期間關(guān)閉光學(xué) 快門723防止外部圖像光716向在X射線圖像序列期間捕獲的圖像貢獻(xiàn)圖像電荷（及污染 所述圖像）。在于過程框1030中捕獲X射線圖像之后，過程1000返回到過程框1005。
[0051] 在操作成像系統(tǒng)700的第一、第二及第三模式中，X0IS702的使用允許成像系統(tǒng) 700的操作者接收關(guān)于X0IS702的定位的視覺反饋。常規(guī)X射線傳感器通常缺乏用于確定 X射線傳感器相對(duì)于正成像的物體的位置/定位的手段。經(jīng)常地，這些裝置的操作者采用 拍攝多個(gè)X射線圖像的試錯(cuò)法以獲得一個(gè)優(yōu)質(zhì)的圖片。除浪費(fèi)時(shí)間及成像資源以外，此還 導(dǎo)致經(jīng)成像被攝體（其可為身體部分）受到于X射線輻射的不必要暴露。然而，通過在捕 獲X射線圖像之前借助X0IS702拍攝一個(gè)或一個(gè)以上光學(xué)圖像，可在使用X射線輻射捕獲 X射線圖像之前對(duì)X射線成像器（包含于X0IS702中）的位置進(jìn)行優(yōu)化。
[0052] 應(yīng)了解，操作成像系統(tǒng)700的第一、第二及第三模式并非窮盡性的且可使用其它 方法。在一種情景中，在牙醫(yī)診所中使用成像系統(tǒng)700來對(duì)一牙齒或一群組的牙齒進(jìn)行X 射線成像。在此情景中，在患者的嘴張開從而為X0IS702提供作為圖像光進(jìn)行測量的環(huán)境 光時(shí)，X0IS702可在顯示器710上為操作者提供視覺反饋。一旦操作者確定X0IS702經(jīng)恰當(dāng) 定位于將進(jìn)行X射線成像的正確牙齒附近時(shí)，所述操作者便可在執(zhí)行X射線圖像序列（其 包含發(fā)射X射線束718同時(shí)起始X0IS702上的圖像捕獲）時(shí)要求患者合上其嘴。在此情景 中，患者的嘴類似于光學(xué)快門而起作用且擋住環(huán)境光使其不向X射線圖像數(shù)據(jù)貢獻(xiàn)圖像電 荷（及污染所述圖像數(shù)據(jù)）。
[0053] 在一些實(shí)施例中，控制器708可操縱X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)兩者。舉例 來說，控制器708可增加/減小對(duì)比度、突出顯示圖像的所要區(qū)域、剪裁圖像、調(diào)整縱橫比、 疊加 X射線與光學(xué)圖像、并排或畫中畫地顯示X射線與光學(xué)圖像等。應(yīng)了解，重復(fù)在操作成 像系統(tǒng)700的第一、第二及第三模式中所描述的X射線成像序列還將允許捕獲一系列X射 線圖像?？刂破?08可控制X射線發(fā)射器704及X0IS702是否將捕獲視頻及/或靜態(tài)X射 線/光學(xué)圖像數(shù)據(jù)。
[0054] 圖5圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的X0IS500的一個(gè)實(shí)例的框圖示意圖。圖5包 含像素陣列504 (包含將包含光電二極管102或202的個(gè)別像素512)、耦合到像素陣列504 以控制像素陣列504的操作的控制電路506、耦合到像素陣列504以從像素陣列504讀出圖 像數(shù)據(jù)的讀出電路508及耦合到讀出電路508以存儲(chǔ)從像素陣列504讀出的圖像數(shù)據(jù)的功 能邏輯510。
[0055] 在一個(gè)實(shí)施例中，像素陣列504為光電二極管或像素（例如，像素 PI、P2、P3. ··、 Pn)的二維陣列。如所圖解說明，每一像素512可被布置到一行（例如，行RU R2、R3...、 1^)及列（例如，列(：1、02工3...、&)中以獲取物體的圖像數(shù)據(jù)，接著可使用所述圖像數(shù)據(jù) 再現(xiàn)所述物體的圖像。
[0056] 在一個(gè)實(shí)施例中，在每一像素512接收來自圖像光716 (無論是源自光源714還是 源自環(huán)境光源）的圖像電荷或從X射線吸收層106或206產(chǎn)生的圖像電荷之后，所述圖像 數(shù)據(jù)由讀出電路508讀出且接著轉(zhuǎn)移到功能邏輯510。在各種實(shí)施例中，讀出電路508可包 含放大電路、模/數(shù)（"ADC"）轉(zhuǎn)換電路或其它。在一個(gè)實(shí)施例中，讀出電路508可沿著讀 出列線一次讀出一行圖像數(shù)據(jù)（所圖解說明）或可使用多種其它技術(shù)（未圖解說明）讀出 所述圖像數(shù)據(jù)，例如串行讀出或同時(shí)全并行讀出所有像素。功能邏輯510可僅存儲(chǔ)所述圖 像數(shù)據(jù)或甚至通過應(yīng)用圖像后效果（例如，剪裁、旋轉(zhuǎn)、調(diào)整亮度、調(diào)整對(duì)比度或其它）來操 縱所述圖像數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)圖像數(shù)據(jù)及/或X射線圖像數(shù)據(jù)為視頻饋送。在 此情況中，功能邏輯510可操縱所述視頻饋送。
[0057] 在一個(gè)實(shí)施例中，控制電路506耦合到像素陣列504以控制像素陣列504的操作 特性。舉例來說，控制電路506可產(chǎn)生用于控制圖像獲取的快門信號(hào)。在一個(gè)實(shí)施例中，所 述快門信號(hào)為用于同時(shí)啟用像素陣列504內(nèi)的所有像素512以在單一獲取窗期間同時(shí)捕獲 其相應(yīng)圖像數(shù)據(jù)的全局快門信號(hào)。在另一實(shí)施例中，快門信號(hào)為滾動(dòng)快門信號(hào)，使得在連續(xù) 獲取窗期間依序啟用每一行、每一列或每一群組的像素512。
[0058] 圖6是圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成XIOS裝置的過程600的一個(gè)實(shí)例的流 程圖。過程框中的一些或全部出現(xiàn)在過程600中的次序不應(yīng)視為限制性。而是，受益于本 發(fā)明的所屬領(lǐng)域的一股技術(shù)人員將理解，可以未圖解說明的多種次序或甚至并行地執(zhí)行所 述過程框中的一些過程框。
[0059] 在過程框602中，在透明襯底（例如，硅或玻璃）上形成反射層（例如，反射層108 或208)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述反射層為例如鋁等金屬。在過程框604中，在所述反射層上 形成X射線吸收層（例如，X射線吸收層106或206)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，存在 許多可用的在被暴露于X射線輻射時(shí)發(fā)射具有能夠由多個(gè)光電二極管檢測的波長的光的 可能材料/結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，X射線吸收層為例如Gd 2O2S:Tb (P43)等磷光體。
[0060] 在過程框606中形成半導(dǎo)體層。所述半導(dǎo)體層可為已經(jīng)薄化以優(yōu)化裝置操作的硅 晶片。在過程框608中，在所述半導(dǎo)體層中形成光電二極管（例如，光電二極管102或202) 陣列。雖然過程600的所圖解說明流程圖展示在形成X射線吸收層之后形成半導(dǎo)體層，但 可在形成所述半導(dǎo)體層之后形成X射線吸收層。在一個(gè)實(shí)例中，將X射線吸收層沉積到已 包含光電二極管的半導(dǎo)體層上。在另一實(shí)例中，將X射線吸收層沉積到金屬化襯底（其可 為反射層）上且接著接合到已包含光電二極管的半導(dǎo)體層。
[0061] 在過程框610中，將包含形成于透明襯底上的X射線吸收層及反射層的結(jié)構(gòu)接合 到半導(dǎo)體層，使得所述半導(dǎo)體層的第二側(cè)（例如，第二側(cè)132或232)接合到X射線吸收層。 應(yīng)了解，可在過程600中所述的層之間形成中間層（包含互連件），盡管將所述層描述為"安 置于其上"或"形成于其上"。在一個(gè)實(shí)例中，中間層（例如，中間層210)安置于X射線吸 收層與半導(dǎo)體層之間。
[0062] 包含發(fā)明摘要中所描述內(nèi)容的對(duì)本發(fā)明所圖解說明實(shí)施例的以上描述并非打算 為窮盡性或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的精確形式。盡管出于說明性目的而在本文中描述本發(fā)明 的特定實(shí)施例及實(shí)例，但如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，可在本發(fā)明的范圍內(nèi)做出各種 修改。
[0063] 可根據(jù)以上詳細(xì)描述對(duì)本發(fā)明做出這些修改。所附權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語不 應(yīng)理解為將本發(fā)明限制于說明書中所揭示的特定實(shí)施例。而是，本發(fā)明的范圍將完全由所 附權(quán)利要求書來確定，所述權(quán)利要求書將根據(jù)所創(chuàng)建的權(quán)利要求解釋原則來加以理解。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)的圖像傳感器，所述圖像傳感器包 括： X射線吸收層，其經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射而發(fā)射光子；及 多個(gè)光電二極管，其安置于半導(dǎo)體層中，其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以接收 圖像光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以從所述X射線 吸收層接收所述光子以產(chǎn)生所述X射線圖像數(shù)據(jù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述半導(dǎo)體層具有第一側(cè)及與所述第一側(cè) 相對(duì)的第二側(cè)，其中所述第一側(cè)經(jīng)耦合以接收所述圖像光及所述X射線輻射。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括經(jīng)定位以朝向所述多個(gè)光電二極 管引導(dǎo)所述光子的反射層，其中所述X射線吸收層安置于所述反射層與所述半導(dǎo)體層的所 述第二側(cè)之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中所述反射層包括鋁。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括： 一個(gè)或一個(gè)以上中間層，其安置于所述半導(dǎo)體層的所述第二側(cè)與所述X射線吸收層之 間；及 電子互連件，其嵌入于所述一個(gè)或一個(gè)以上中間層中。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括用于將所述圖像光聚焦到所述多 個(gè)光電二極管上的一個(gè)或一個(gè)以上微透鏡，其中所述一個(gè)或一個(gè)以上微透鏡安置于所述半 導(dǎo)體層的所述第一側(cè)上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括： 一個(gè)或一個(gè)以上中間層，其安置于所述一個(gè)或一個(gè)以上微透鏡與所述半導(dǎo)體層的所述 第一側(cè)之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述X射線吸收層包含磷光體。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括： 晶體管，其經(jīng)耦合以讀出所述多個(gè)光電二極管；及 X射線屏蔽層，其經(jīng)定位以阻擋所述X射線輻射使其不到達(dá)所述晶體管。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其中所述X射線屏蔽層包括金屬。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述X射線吸收層經(jīng)定位以通過所述多個(gè) 光電二極管接收所述X射線輻射。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其進(jìn)一步包括： 讀出電路，其耦合到所述多個(gè)光電二極管以從所述多個(gè)光電二極管讀出所述光學(xué)圖像 數(shù)據(jù)及所述X射線圖像數(shù)據(jù)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述多個(gè)光電二極管布置成包括若干行 及列的像素陣列。
14. 一種成像系統(tǒng)，其包括： X射線發(fā)射器，其用于發(fā)射X射線束； 控制器，其耦合到所述X射線發(fā)射器以控制所述X射線束的所述發(fā)射；及 圖像傳感器，其用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，其中所述控制器耦合到所 述圖像傳感器以控制圖像捕獲，所述圖像傳感器包括： X射線吸收層，其經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到所述X射線束而發(fā)射光子；及 多個(gè)光電二極管，其安置于半導(dǎo)體層中，其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以接收 圖像光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以從所述X射線 吸收層接收所述光子以產(chǎn)生所述X射線圖像數(shù)據(jù)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的成像系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括經(jīng)耦合以將源光提供到待成像被 攝體的光源，其中所述控制器耦合到所述光源以控制所述源光的發(fā)射。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的成像系統(tǒng)，其中由所述光源發(fā)射的所述源光為非可見光， 且其中所述圖像傳感器包含濾除可見光使其不到達(dá)所述多個(gè)光電二極管的濾光片。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的成像系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括光學(xué)快門，其中所述控制器經(jīng)耦 合以打開及關(guān)閉所述光學(xué)快門，且其中所述控制器經(jīng)配置以在致使所述X射線發(fā)射器發(fā)射 所述X射線束的同時(shí)關(guān)閉所述光學(xué)快門。
18. -種制作用于捕獲X射線圖像數(shù)據(jù)及光學(xué)圖像數(shù)據(jù)的圖像傳感器的方法，所述方 法包括： 形成經(jīng)配置以響應(yīng)于接收到X射線輻射而發(fā)射光子的X射線吸收層；及 在半導(dǎo)體層中形成多個(gè)光電二極管，其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以接收?qǐng)D像 光以產(chǎn)生所述光學(xué)圖像數(shù)據(jù)，且其中所述多個(gè)光電二極管經(jīng)光學(xué)耦合以從所述X射線吸收 層接收所述光子以產(chǎn)生所述X射線圖像數(shù)據(jù)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述X射線吸收層包括將所述X射線吸收 層沉積于所述半導(dǎo)體層上。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述X射線吸收層包括將所述X射線吸收 層接合到所述半導(dǎo)體層。
【文檔編號(hào)】G01N23/04GK104434152SQ201410063553
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】多米尼克·馬塞提, 鄭宇
申請(qǐng)人:全視科技有限公司