分光傳感器的制造方法
【專利摘要】分光傳感器(1A)包括：具有腔層(21)以及第1和第2鏡層(22、23)的干涉濾光部(20A)；以及具有透過了干涉濾光部(20A)的光進(jìn)行入射的受光面(32a)的光檢測基板(30)。干涉濾光部(20A)包括與受光面(32a)對應(yīng)的第1濾光區(qū)域(24)和包圍第1濾光區(qū)域(24)的環(huán)狀的第2濾光區(qū)域(25)。第1濾光區(qū)域(24)中，第1鏡層(22)和第2鏡層(23)之間的距離變化，第2濾光區(qū)域(25)中，第1鏡層(22)和第2鏡層(23)之間的距離固定。
【專利說明】分光傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種分光傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]作為現(xiàn)有的分光傳感器，已知有具有根據(jù)入射位置使規(guī)定的波長范圍的光選擇性地透過的光學(xué)濾光部和對透過了光學(xué)濾光部的光進(jìn)行檢測的光檢測基板的分光傳感器。例如，在專利文獻(xiàn)I和2所記載的分光傳感器中，光學(xué)濾光部設(shè)置成與光檢測基板的受光面對應(yīng)，光學(xué)濾光部的整體作為使應(yīng)入射到光檢測基板的受光面的光透過的濾光區(qū)域而發(fā)揮作用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-58301號公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特表平2-502490號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0008]但是，在專利文獻(xiàn)I和2所記載的分光傳感器中，光學(xué)濾光部的整體作為使應(yīng)入射到光檢測基板的受光面的光透過的濾光區(qū)域而發(fā)揮作用，因此，在光學(xué)濾光部的側(cè)面受到任何的不良影響時(shí)，濾光特性有可能直接劣化。另外，噪聲光有可能容易地從光學(xué)濾光部的側(cè)面進(jìn)入到光學(xué)濾光部內(nèi)。
[0009]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種分光傳感器，該分光傳感器能夠防止使應(yīng)入射到光檢測基板的受光面的光透過的濾光區(qū)域的濾光特性劣化，并且能夠抑制噪聲光進(jìn)入到該濾光區(qū)域。
[0010]解決問題的技術(shù)手段
[0011]本發(fā)明的分光傳感器包括:干涉濾光部，其具有腔層以及隔著腔層相對的第I鏡層和第2鏡層，根據(jù)入射位置選擇性地使規(guī)定的波長范圍的光從第I鏡層側(cè)透過至第2鏡層側(cè)；以及光檢測基板，其具有透過了干涉濾光部的光進(jìn)行入射的受光面，對入射到受光面的光進(jìn)行檢測，干涉濾光部包括:在從與受光面交叉的規(guī)定的方向觀察的情況下，與受光面對應(yīng)的第I濾光區(qū)域；以及在從規(guī)定的方向觀察的情況下，包圍第I濾光區(qū)域的環(huán)狀的第2濾光區(qū)域，第I濾光區(qū)域中，第I鏡層和第2鏡層之間的規(guī)定的方向上的距離變化，第2濾光區(qū)域中，第I鏡層和第2鏡層之間的規(guī)定的方向上的距離固定。
[0012]該分光傳感器中，使應(yīng)入射到光檢測基板的受光面的光透過的第I濾光區(qū)域，在從與受光面交叉的規(guī)定的方向觀察的情況下，由環(huán)狀的第2濾光區(qū)域包圍。由此，第I濾光區(qū)域被第2濾光區(qū)域保護(hù)，所以，能夠防止第I濾光區(qū)域的濾光特性劣化。并且，在第2濾光區(qū)域中，第I鏡層和第2鏡層之間的該規(guī)定的方向上的距離固定。由此，能夠透過第2濾光區(qū)域的光的波長范圍被縮窄，所以，能夠抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域。此外，所謂固定，是指不僅包括完全固定的情況而且也包含在制造誤差等的范圍內(nèi)大致固定的情況。
[0013]在此，光檢測基板所具有的配線的墊片部也可以以從規(guī)定的方向觀察時(shí)包含于第2濾光區(qū)域的方式設(shè)置有多個(gè)，在第2濾光區(qū)域，針對各墊片部形成有多個(gè)用于使墊片部露出至外部的貫通孔，在墊片部的各個(gè)，經(jīng)由貫通孔而連接有電線。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在從與受光面交叉的規(guī)定的方向觀察的情況下，在通過貫通孔的內(nèi)側(cè)的第I濾光區(qū)域周圍的環(huán)狀的區(qū)域和相鄰的貫通孔之間的區(qū)域，存在第2濾光區(qū)域，所以，即使形成用于將墊片部和電線連接的貫通孔，也能夠抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域。
[0014]另外，分光傳感器也可以還包括至少使入射到第2濾光區(qū)域的光透過的光學(xué)濾光部，透過光學(xué)濾光部的光的波長范圍和透過第2濾光區(qū)域的光的波長范圍彼此不同。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過光學(xué)濾光部和第2濾光區(qū)域的協(xié)同作用，能夠透過光學(xué)濾光部和第2濾光區(qū)域的雙方的光的波長范圍被更加縮窄，所以能夠更進(jìn)一步抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域。
[0015]另外，第I濾光區(qū)域中的腔層和第2濾光區(qū)域中的腔層也可以連續(xù)地形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使腔層在強(qiáng)度上和特性上都穩(wěn)定化。
[0016]另外，第I濾光區(qū)域中的第I鏡層和第2濾光區(qū)域中的第I鏡層也可以連續(xù)地形成，第I濾光區(qū)域中的第2鏡層和第2濾光區(qū)域中的第2鏡層連續(xù)地形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使第I鏡層和第2鏡層在強(qiáng)度上和特性上都穩(wěn)定化。
[0017]另外，第2濾光區(qū)域在從與受光面平行的方向觀察的情況下也可以包含第I濾光區(qū)域。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使沿著與受光面垂直的方向作用任何的外力，該外力也被第2濾光區(qū)域阻止，能夠防止對第I濾光區(qū)域施加損傷。
[0018]另外，規(guī)定的方向也可以為與受光面垂直的方向。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使分光傳感器的構(gòu)造簡化。
[0019]發(fā)明的效果
[0020]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠防止使應(yīng)入射到光檢測基板的受光面的光透過的濾光區(qū)域的濾光特性劣化，并且能夠抑制噪聲光進(jìn)入到該濾光區(qū)域的分光傳感器。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的第I實(shí)施方式的分光傳感器的縱截面圖。
[0022]圖2是沿圖1的II 一 II線的部分截面圖。
[0023]圖3是圖1的分光傳感器的墊片部的周邊部分的放大縱截面圖。
[0024]圖4是用于說明圖1的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0025]圖5是用于說明圖1的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0026]圖6是用于說明圖1的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0027]圖7是用于說明圖1的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0028]圖8是用于說明圖1的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0029]圖9是用于說明圖1的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0030]圖10是圖1的分光傳感器的變形例的縱截面圖。
[0031]圖11是圖1的分光傳感器的變形例的縱截面圖。
[0032]圖12是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的分光傳感器的縱截面圖。
[0033]圖13是用于說明圖12的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0034]圖14是用于說明圖12的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0035]圖15是用于說明圖12的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0036]圖16是用于說明圖12的分光傳感器的制造方法的縱截面圖。
[0037]圖17是圖12的分光傳感器的變形例的縱截面圖。
[0038]圖18是圖12的分光傳感器的變形例的縱截面圖。
[0039]圖19是本發(fā)明的其它的實(shí)施方式的分光傳感器的縱截面圖。
[0040]圖20是沿圖19的XX - XX線的部分截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]以下，參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。其中，在各圖中，對相同或相當(dāng)部分標(biāo)注相同符號，省略重復(fù)的說明。
[0042][第I實(shí)施方式]
[0043]如圖1所示，第I實(shí)施方式的分光傳感器IA包括干涉濾光部20A、光檢測基板30、以及收納干涉濾光部20A和光檢測基板30的封裝體(package) 2。封裝體2由樹脂等形成為長方體箱狀，在高度方向上的一側(cè)(相對于干涉濾光部20A和光檢測基板30的光的入射偵D開口。此外，在以下的說明中，將封裝體2的長度方向設(shè)為X軸方向，將封裝體2的寬度方向設(shè)為Y軸方向，將封裝體2的高度方向設(shè)為Z軸方向。
[0044]光檢測基板30在封裝體2內(nèi)被固定在底壁2a上。干涉濾光部20A經(jīng)由耦合層3而被接合于光檢測基板30上。在干涉濾光部20A上形成有光學(xué)濾光層(光學(xué)濾光部)4，在光學(xué)濾光層4上形成有保護(hù)膜5。作為一個(gè)例子，耦合層3為通過作為原料氣體使用了TEOS (Tetraethyl Orthosilicate (原娃酸四乙酯),Tetraethoxysilane (正娃酸乙脂))的成膜處理形成的硅氧化膜，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十μπι左右。另外，光學(xué)濾光層4是電介質(zhì)多層膜或有機(jī)彩色濾光器(彩色抗蝕劑)，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十μπι左右。另外，保護(hù)膜5由S12等構(gòu)成，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十μ m左右。
[0045]光檢測基板30為具有以X軸方向?yàn)殚L邊方向且以Z軸方向?yàn)楹穸确较虻木匦伟鍫畹陌雽?dǎo)體基板31的半導(dǎo)體受光元件。在半導(dǎo)體基板31中在包含一側(cè)的表面31a的部分形成有受光部32。受光部32為在Y軸方向上延伸的線狀的光電二極管沿X軸方向一維排列而成的光電二極管陣列。受光部32具有透過了干涉濾光部20A的光進(jìn)行入射的受光面32a，光檢測基板30被構(gòu)成為對入射到受光面32a的光進(jìn)行檢測。作為一個(gè)例子，半導(dǎo)體基板31的厚度為數(shù)十μ m?數(shù)百μπι左右。另外，受光部32的X軸方向的長度為數(shù)百μπι?數(shù)十mm左右,受光部32的Y軸方向的寬度為數(shù)μπι?數(shù)十mm左右。此外,光檢測基板30也可以為其它的半導(dǎo)體受光元件(C-M0S圖像傳感器、CCD圖像傳感器、紅外線圖像傳感器坐')
寸/ ο
[0046]在半導(dǎo)體基板31的表面31a形成有用于對受光部32輸入輸出電信號的配線33的墊片(pad)部33a。再有，在半導(dǎo)體基板31的表面31a以覆蓋受光部32和配線33的方式形成有保護(hù)膜34，在保護(hù)膜34上形成有干涉濾光部20A側(cè)的表面通過CMP (ChemicalMechanical Polishing(化學(xué)機(jī)械拋光))而被平坦化了的平坦化層35。作為一個(gè)例子，保護(hù)膜34由S12等構(gòu)成，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十ym左右。另外，平坦化層35由S12等構(gòu)成，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十μ m左右。
[0047]干涉濾光部20A具有腔(cavity)層21以及隔著腔層21相對的第I以及第2鏡層22、23。干涉濾光部20A是根據(jù)入射位置選擇性地使規(guī)定的波長范圍的光從第I鏡層22側(cè)透過至第2鏡層23側(cè)的LVF(Linear Variable Filter (線性可變?yōu)V光器))。作為一個(gè)例子，腔層21為通過硅的熱氧化處理而形成的硅氧化膜(S12膜)，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十 μπι 左右。另外，各鏡層 22,23 為由 Si02、SiN、Ti02、Ta205、Nb2O5'Al203、MgF2、S1、Ge 等的電介質(zhì)多層膜構(gòu)成的DBR(Distributed Bragg Reflector (分布布拉格反射))層,其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十μ m左右。
[0048]如圖1和圖2所示,干涉濾光部20A包括第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26。第I濾光區(qū)域24在從Z軸方向(與受光面32a垂直的方向)觀察的情況下，與光檢測基板30的受光面32a對應(yīng)。S卩，第I濾光區(qū)域24和受光面32a形成為在從Z軸方向觀察的情況下它們的一方包含另一方(包括X軸方向的長度和Y軸方向的寬度的至少一方相互相等的情況)。在從Z軸方向觀察的情況下，第2濾光區(qū)域25經(jīng)由連接區(qū)域26而以環(huán)狀(在此，矩形環(huán)狀)包圍第I濾光區(qū)域24。另外，在從與Z軸方向垂直的方向(與受光面32a平行的方向)觀察的情況下，第2濾光區(qū)域25包含第I濾光區(qū)域24。作為一個(gè)例子，連接區(qū)域26的寬度為數(shù)μπι?Imm左右。
[0049]如圖1所示，第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a與XY平面平行。另一方面，第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b以X軸方向上的背面21b的一端21c與X軸方向上的背面21b的另一端21d相比更加從包含受光面32a的平面(例如，半導(dǎo)體基板31的表面31a)離開的方式相對于XY平面傾斜。作為一個(gè)例子，第I濾光區(qū)域24中的腔層21的厚度朝向X軸方向上的一側(cè)在數(shù)十nm?數(shù)μπι左右的范圍內(nèi)逐漸減少。
[0050]第2濾光區(qū)域25中的腔層21的表面21a和背面21b與XY平面平行。從包含受光面32a的平面至第2濾光區(qū)域25中的腔層21的表面21a為止的Z軸方向上的距離(以下，在單單稱為“距離”的情況下是指“Z軸方向上的距離”)，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a為止的距離相等。另一方面，從包含受光面32a的平面至第2濾光區(qū)域25中的腔層21的背面21b為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b的另一端21d為止的距離相等。作為一個(gè)例子，第2濾光區(qū)域25中的腔層21的厚度為700nm左右。
[0051]連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a和背面21b與XY平面平行。從包含受光面32a的平面至連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a為止的距離相等。另一方面，從包含受光面32a的平面至連接區(qū)域26中的腔層21的背面21b為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b的一端21c為止的距離相等。作為一個(gè)例子，連接區(qū)域26中的腔層21的厚度為500nm左右。
[0052]如以上所述，腔層21遍及第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26連續(xù)地形成。再有，第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a成為同一面。另一方面，在第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b和連接區(qū)域26中的腔層21的背面21b之間形成有具有在一端21c成為最小(在此為O)且在另一端21d成為最大的高度的臺(tái)階差。另外，在第2濾光區(qū)域25中的腔層21的背面21b和連接區(qū)域26中的腔層21的背面21b之間形成有具有固定的高度的臺(tái)階差。
[0053]另外，第I鏡層22遍及第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26連續(xù)地形成在腔層21的表面21a。另一方面，第2鏡層23遍及第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26連續(xù)地形成在腔層21的背面21b和臺(tái)階差的縱面(立起面)。再有，在第I濾光區(qū)域24中，第I鏡層22和第2鏡層23之間的距離變化。另外，在第2濾光區(qū)域25中，第I鏡層22和第2鏡層23之間的距離固定。
[0054]如圖1和圖2所示，光檢測基板30所具有的配線33的墊片部33a以從Z軸方向觀察時(shí)包含于第2濾光區(qū)域25的方式在半導(dǎo)體基板31的表面31a形成有多個(gè)。更具體來說，墊片部33a在X軸方向上的表面31a的兩端區(qū)域的各個(gè)沿Y軸方向并列設(shè)置有多個(gè)。如圖1和圖3所示，在第2濾光區(qū)域25，針對各墊片部33a形成有多個(gè)用于使墊片部33a露出至外部的貫通孔6。各貫通孔6沿Z軸方向貫通保護(hù)膜34、平坦化層35、耦合層3、第2濾光區(qū)域25 ( S卩，腔層21以及第I和第2鏡層22、23)、光學(xué)濾光層4、以及保護(hù)膜5，使墊片部33a的一部分(也可以為全部)露出至外部。此外，在圖1和圖3中，縱橫比不同，但這是為了在圖1中強(qiáng)調(diào)各層的厚度，與圖1相比圖3更接近實(shí)際的縱橫比。此外，在圖1?圖3的結(jié)構(gòu)中，保護(hù)膜34的開口邊緣與其它的層(平坦化層35、耦合層3、第2濾光區(qū)域25、光學(xué)濾光層4和保護(hù)膜5)的開口邊緣相比更位于外側(cè)，但在從Z軸方向觀察的情況下，保護(hù)膜34的開口邊緣也可以處于與其它的層的開口邊緣相同的位置。
[0055]在各墊片部33a，經(jīng)由貫通孔6而連接有電線7。作為一個(gè)例子，電線7由Au構(gòu)成，其一端的珠部7a—邊被賦予超聲波振動(dòng)一邊被熱壓接到墊片部33a的表面。為了防止由于珠部7a的接觸而對第2濾光區(qū)域25等施加損傷，在貫通孔6的內(nèi)面和珠部7a之間設(shè)置有間隙。電線7的另一端經(jīng)由封裝體2的底壁2a而與設(shè)置在底壁2a的外面的安裝用的墊片部8連接。
[0056]在如以上所述構(gòu)成的分光傳感器IA中，如果光經(jīng)由封裝體2的開口而入射到封裝體2內(nèi)，則在透過了保護(hù)膜5的光中僅應(yīng)入射到干涉濾光部20A的第I濾光區(qū)域24的規(guī)定的波長范圍的光被光學(xué)濾光層4透過。此時(shí)，透過光學(xué)濾光層4的光的波長范圍和透過干涉濾光部20A的第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍相互不同。作為一個(gè)例子，透過光學(xué)濾光層4的光的波長范圍為800nm?lOOOnm，透過第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍為800nm以下和100nm以上。
[0057]在透過了光學(xué)濾光層4的光入射到第I濾光區(qū)域24時(shí)，在第I濾光區(qū)域24中，規(guī)定的波長范圍的光根據(jù)入射位置被選擇性地透過。然后，透過了第I濾光區(qū)域24的光透過耦合層3、平坦化層35和保護(hù)膜34，入射到光檢測基板30的受光面32a。此時(shí)，入射到光檢測基板30的受光部32的各通道的光的波長根據(jù)入射位置上的腔層21的厚度以及第I和第2鏡層22、23的材料和厚度，被唯一決定。由此，光檢測基板30中，在受光部32的每個(gè)通道中檢測不同的波長的光。
[0058]如以上說明的那樣，在分光傳感器IA中，使應(yīng)入射到光檢測基板30的受光面32a的光透過的第I濾光區(qū)域24，在從Z軸方向觀察的情況下，由環(huán)狀的第2濾光區(qū)域25包圍。由此，第I濾光區(qū)域24由第2濾光區(qū)域25而被保護(hù)，所以，能夠防止第I濾光區(qū)域24的濾光特性劣化。此外，也能夠保護(hù)光檢測基板30中的受光部32周圍的區(qū)域。并且，在第2濾光區(qū)域25中，第I鏡層22和第2鏡層23之間的距離固定。由此，能夠透過第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍被縮窄，所以能夠抑制各種波長的噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24。
[0059]另外，光檢測基板30所具有的配線33的墊片部33a以在從Z軸方向觀察時(shí)包含于第2濾光區(qū)域25的方式設(shè)置有多個(gè)，電線7經(jīng)由形成在第2濾光區(qū)域25的貫通孔6而與各墊片部33a連接。由此，在從Z軸方向觀察的情況下，在通過貫通孔6的內(nèi)側(cè)的第I濾光區(qū)域24周圍的環(huán)狀的區(qū)域和相鄰的貫通孔6、6間的區(qū)域，存在第2濾光區(qū)域25 (參照圖2)。所以，即使形成用于將墊片部33a和電線7連接的貫通孔6，也能夠抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24。
[0060]另外，設(shè)置有不僅使入射到第I濾光區(qū)域24的光并且使入射到第2濾光區(qū)域25的光透過的光學(xué)濾光層4，但是，透過光學(xué)濾光層4的光的波長范圍和透過第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍相互不同。由此，光學(xué)濾光層4和第2濾光區(qū)域25協(xié)同作用，能夠透過光學(xué)濾光層4和第2濾光區(qū)域25的雙方的光的波長范圍被更加縮窄，所以，能夠更進(jìn)一步抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24。
[0061]另外，第I濾光區(qū)域24中的腔層21和第2濾光區(qū)域25中的腔層21連續(xù)地形成。由此，能夠使腔層21在強(qiáng)度上和在特性上都穩(wěn)定化。
[0062]另外，第I濾光區(qū)域24中的第I鏡層22和第2濾光區(qū)域25中的第I鏡層22連續(xù)地形成，第I濾光區(qū)域24中的第2鏡層23和第2濾光區(qū)域25中的第2鏡層23連續(xù)地形成。由此，能夠使第I和第2鏡層22、23在強(qiáng)度上和在特性上都穩(wěn)定化。
[0063]另外，在從與Z軸方向垂直的方向觀察的情況下，第2濾光區(qū)域25包含第I濾光區(qū)域24。由此，即使沿著Z軸方向作用任何的外力，該外力也被第2濾光區(qū)域25阻止，能夠防止對第I濾光區(qū)域24產(chǎn)生損傷。
[0064]接著，對上述的分光傳感器IA的制造方法進(jìn)行說明。此外，以下的各工序，也可以使用形成有多個(gè)與分光傳感器IA對應(yīng)的部件的晶片進(jìn)行實(shí)施，在該情況下，最后，按分光傳感器IA對晶片進(jìn)行切割，并單片化成接合有干涉濾光部20A的光檢測基板30。
[0065]首先，如圖4的(a)所不,對娃基板50的一個(gè)主面50a和另一個(gè)主面50b實(shí)施熱氧化處理，從而在由娃構(gòu)成的處理基板51的一個(gè)主面51a和另一個(gè)主面51b形成娃氧化膜52，使在處理基板51的一個(gè)主面51a或另一個(gè)主面51b形成的硅氧化膜52為表面層53。在此，使在處理基板51的一個(gè)主面51a形成的硅氧化膜52為表面層53。
[0066]接著，如圖4的(b)所示，在表面層53上涂布抗蝕劑層54，如圖5的(a)所示，為了通過蝕刻形成腔層21而對抗蝕劑層54進(jìn)行圖案化。接著，如圖5的(b)所示，以抗蝕劑層54為掩膜，通過對設(shè)置在處理基板51上的表面層53進(jìn)行蝕刻(回蝕)，從而形成腔層21。
[0067]接著，如圖6的(a)所示，在腔層21上形成第2鏡層23。在形成第2鏡層23時(shí)，通過離子鍍法、蒸鍍法、濺射法等進(jìn)行成膜，根據(jù)需要，利用光刻和剝離、或者蝕刻進(jìn)行圖案化。接著，如圖6的(b)所示，以覆蓋第2鏡層23的方式形成硅氧化膜，通過CMP使其表面平坦化而形成耦合層3。
[0068]接著，如圖7的(a)所示，在光檢測基板30的平坦化層35的表面上直接鍵合(表面活性化接合等)耦合層3的表面。接著，如圖7的(b)所示，通過實(shí)施研削、研磨、蝕刻等，將硅氧化膜52和處理基板51除去。
[0069]接著，如圖8的(a)所示，在通過將處理基板51除去而露出的腔層21上，通過與第2鏡層23同樣的方法形成第I鏡層22。由此，第I鏡層22和第2鏡層23隔著腔層21而相對，形成干涉濾光部20A。
[0070]接著，如圖8的(b)所示，在第I鏡層22上形成光學(xué)濾光層4，如圖9的(a)所示，在光學(xué)濾光層4上形成保護(hù)膜5。在由電介質(zhì)多層膜形成光學(xué)濾光層4的情況下，通過離子鍍法、蒸鍍法、濺射法等進(jìn)行成膜和通過光刻和剝離、或者蝕刻進(jìn)行圖案化。另外，在由有機(jī)彩色濾光器形成光學(xué)濾光層4的情況下，以光致抗蝕劑的方式通過曝光、顯影等進(jìn)行圖案化。
[0071]接著，如圖9的(b)所示，在光檢測基板30的與墊片部33a對應(yīng)的部分實(shí)施蝕刻，形成貫通孔6。接著，如圖1所示，將接合有干涉濾光部20A的光檢測基板30固定在封裝體2的底壁2a。接著，經(jīng)由貫通孔6將電線7的一端連接于墊片部33a，并且經(jīng)由封裝體2的底壁2a將電線7的另一端連接于墊片部8，獲得分光傳感器1A。
[0072]此外，在第I實(shí)施方式的分光傳感器IA中，如圖10所示，也可以在封裝體2的開口安裝光透過基板11。作為一個(gè)例子，光透過基板11由玻璃等構(gòu)成，其厚度為數(shù)百μπι?數(shù)mm左右。另外，也可以在光透過基板11的表面Ila或背面Ilb的至少一方形成光學(xué)濾光層4。在該情況下，也可以在第I鏡層22上不形成光學(xué)濾光層4。再有，作為光透過基板11的材料，可以使用使規(guī)定的波長范圍的光透過的顏色玻璃或?yàn)V光玻璃。
[0073]另外，如圖11所示，形成有光學(xué)濾光層4的光透過基板11也可以通過光學(xué)樹脂材料等或者通過直接鍵合而被接合于保護(hù)膜5上。在該情況下，也可以不在第I鏡層22上形成光學(xué)濾光層4。再有，在光檢測基板30和干涉濾光部20A與封裝體2的側(cè)壁的內(nèi)面之間，也可以填充光吸收性的樹脂材料12。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠更加可靠地防止噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24內(nèi)。另外，在分光傳感器IA的所有的方式中，也可以不形成保護(hù)膜5。
[0074][第2實(shí)施方式]
[0075]如圖12所示，第2實(shí)施方式的分光傳感器1B，主要在干涉濾光部20B的結(jié)構(gòu)方面，與第I實(shí)施方式的分光傳感器IA不同。下面，以干涉濾光部20B的結(jié)構(gòu)為中心，對第2實(shí)施方式的分光傳感器IB進(jìn)行說明。
[0076]在分光傳感器IB中，干涉濾光部20B被形成在光檢測基板30的平坦化層35上。干涉濾光部20B具有腔層21以及隔著腔層21相對的第I鏡層和第2鏡層22、23。干涉濾光部20B是根據(jù)入射位置選擇性地使規(guī)定的波長范圍的光從第I鏡層22側(cè)透過至第2鏡層23側(cè)的LVF。
[0077]干涉濾光部20B具有第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25、和連接區(qū)域26。在從Z軸方向觀察的情況下，第I濾光區(qū)域24與光檢測基板30的受光面32a對應(yīng)。在從Z軸方向觀察的情況下，第2濾光區(qū)域25經(jīng)由連接區(qū)域26以環(huán)狀包圍第I濾光區(qū)域24。另外，在從與Z軸方向垂直的方向觀察的情況下，第2濾光區(qū)域25包括第I濾光區(qū)域24。
[0078]第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a以X軸方向上的表面21a的一端21e與X軸方向上的表面21a的另一端21f相比更加從包含受光面32a的平面離開的方式相對于XY平面傾斜。另一方面，第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b與XY平面平行。
[0079]第2濾光區(qū)域25中的腔層21的表面21a和背面21b與XY平面平行。從包含受光面32a的平面至第2濾光區(qū)域25中的腔層21的表面21a為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a的一端21e為止的距離相等。另一方面，從包含受光面32a的平面至第2濾光區(qū)域25中的腔層21的背面21b為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b為止的距離相等。作為一個(gè)例子，第2濾光區(qū)域25中的腔層21的厚度為700nm左右。
[0080]連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a和背面21b與XY平面平行。從包含受光面32a的平面至連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a的另一端21f為止的距離相等。另一方面，從包含受光面32a的平面至連接區(qū)域26中的腔層21的背面21b為止的距離，與從包含受光面32a的平面至第I濾光區(qū)域24中的腔層21的背面21b為止的距離相等。作為一個(gè)例子，連接區(qū)域26中的腔層21的厚度為500nm左右。
[0081]如以上所述，腔層21遍及第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26連續(xù)地形成。再有，在第I濾光區(qū)域24中的腔層21的表面21a和連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a之間，形成有具有在一端21e成為最大且在另一端21f成為最小(在此為O)的高度的臺(tái)階差。另外，在第2濾光區(qū)域25中的腔層21的表面21a和連接區(qū)域26中的腔層21的表面21a之間，形成有具有固定的高度的臺(tái)階差。另一方面，第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25以及連接區(qū)域26中的腔層21的背面21b成為同一面。
[0082]另外，第I鏡層22遍及第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25以及連接區(qū)域26連續(xù)地形成在腔層21的表面21a以及臺(tái)階差的縱面。另一方面，第2鏡層23遍及第I濾光區(qū)域24、第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26連續(xù)地形成在腔層21的背面21b。再有，在第I濾光區(qū)域24中，第I鏡層22和第2鏡層23之間的距離變化。另外，在第2濾光區(qū)域25中，第I鏡層22和第2鏡層23之間的距離固定。
[0083]在第2濾光區(qū)域25，針對各墊片部33a形成有多個(gè)用于使墊片部33a露出至外部的貫通孔6。各貫通孔6沿Z軸方向貫通保護(hù)膜34、平坦化層35、第2濾光區(qū)域25(即，腔層21以及第I和第2鏡層22、23)、光學(xué)濾光層4、以及保護(hù)膜5，使墊片部33a的一部分(也可以為全部)露出至外部。此外，在從Z軸方向觀察的情況下，保護(hù)膜34的開口邊緣也可以處于與其它的層(平坦化層35、稱合層3、第2濾光區(qū)域25、光學(xué)濾光層4和保護(hù)膜5)的開口邊緣相同的位置。
[0084]在如以上所述構(gòu)成的分光傳感器IB中，如果光經(jīng)由封裝體2的開口而入射到封裝體2內(nèi)，則在透過了保護(hù)膜5的光之中僅應(yīng)入射到干涉濾光部20B的第I濾光區(qū)域24的規(guī)定的波長范圍的光被光學(xué)濾光層4透過。此時(shí)，透過光學(xué)濾光層4的光的波長范圍和透過干涉濾光部20B的第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍相互不同。
[0085]在透過了光學(xué)濾光層4的光入射到第I濾光區(qū)域24時(shí)，在第I濾光區(qū)域24中，根據(jù)入射位置選擇性地透過規(guī)定的波長范圍的光。然后，透過了第I濾光區(qū)域24的光透過平坦化層35和保護(hù)膜34，入射到光檢測基板30的受光面32a。此時(shí)，入射到光檢測基板30的受光部32的各通道的光的波長根據(jù)入射位置上的腔層21的厚度以及第I和第2鏡層22，23的材料和厚度，被唯一決定。由此，在光檢測基板30中，在受光部32的每個(gè)通道中檢測不同的波長的光。
[0086]如以上說明的那樣，在分光傳感器IB中，使應(yīng)入射到光檢測基板30的受光面32a的光透過的第I濾光區(qū)域24，在從Z軸方向觀察的情況下，由環(huán)狀的第2濾光區(qū)域25包圍。由此，第I濾光區(qū)域24由第2濾光區(qū)域25而被保護(hù)，所以，能夠防止第I濾光區(qū)域24的濾光特性劣化。此外，也能夠保護(hù)光檢測基板30中的受光部32周圍的區(qū)域。并且，在第2濾光區(qū)域25中，第I鏡層22和第2鏡層23之間的距離固定。由此，能夠透過第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍被縮窄，所以能夠抑制各種波長的噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24。
[0087]另外，光檢測基板30所具有的配線33的墊片部33a以在從Z軸方向觀察時(shí)包含于第2濾光區(qū)域25的方式設(shè)置有多個(gè)，電線7經(jīng)由形成在第2濾光區(qū)域25的貫通孔6而與各墊片部33a連接。由此，在從Z軸方向觀察的情況下，在通過貫通孔6的內(nèi)側(cè)的第I濾光區(qū)域24周圍的環(huán)狀的區(qū)域和相鄰的貫通孔6、6間的區(qū)域，存在第2濾光區(qū)域25。所以，即使形成用于將墊片部33a和電線7連接的貫通孔6，也能夠抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24。
[0088]另外，設(shè)置有不僅使入射到第I濾光區(qū)域24的光并且使入射到第2濾光區(qū)域25的光透過的光學(xué)濾光層4，但是，透過光學(xué)濾光層4的光的波長范圍和透過第2濾光區(qū)域25的光的波長范圍相互不同。由此，光學(xué)濾光層4和第2濾光區(qū)域25協(xié)同作用，能夠透過光學(xué)濾光層4和第2濾光區(qū)域25的雙方的光的波長范圍被更加縮窄，所以，能夠更進(jìn)一步抑制噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24。
[0089]另外，第I濾光區(qū)域24中的腔層21和第2濾光區(qū)域25中的腔層21連續(xù)地形成。由此，能夠使腔層21在強(qiáng)度上和在特性上都穩(wěn)定化。
[0090]另外，第I濾光區(qū)域24中的第I鏡層22和第2濾光區(qū)域25中的第I鏡層22連續(xù)地形成，第I濾光區(qū)域24中的第2鏡層23和第2濾光區(qū)域25中的第2鏡層23連續(xù)地形成。由此，能夠使第I鏡層和第2鏡層22、23在強(qiáng)度上和在特性上都穩(wěn)定化。
[0091]另外，在從與Z軸方向垂直的方向觀察的情況下，第2濾光區(qū)域25包含第I濾光區(qū)域24。由此，即使沿著Z軸方向作用任何的外力，該外力也被第2濾光區(qū)域25阻止，能夠防止對第I濾光區(qū)域24施加損傷。
[0092]接著，對上述的分光傳感器IB的制造方法進(jìn)行說明。此外，以下的各工序，可以使用形成有多個(gè)與分光傳感器IB對應(yīng)的部件的晶片進(jìn)行實(shí)施，在該情況下，最后，按分光傳感器IA對晶片進(jìn)行切割，并單片化成接合有干涉濾光部20B的光檢測基板30。
[0093]首先，如圖13的(a)所示，在光檢測基板30的平坦化層35的表面形成第2鏡層23。在形成第2鏡層23時(shí)，通過離子鍍法、蒸鍍法、濺射法等進(jìn)行成膜，根據(jù)需要，利用光刻和剝離、或者蝕刻進(jìn)行圖案化。接著，如圖13的(b)所示，在第2鏡層23上形成硅氧化膜52，根據(jù)需要，通過CMP使其表面平坦化。
[0094]接著，如圖14的(a)所示，在硅氧化膜52上涂布抗蝕劑層54，為了通過蝕刻形成腔層21而對抗蝕劑層54進(jìn)行圖案化。接著，如圖14的(b)所示，以抗蝕劑層54為掩膜，對硅氧化膜52進(jìn)行蝕刻(回蝕)，從而形成腔層21。
[0095]接著，如圖15的(a)所示，在腔層21上，通過與第2鏡層23同樣的方法形成第I鏡層22。由此，第I鏡層22和第2鏡層23隔著腔層21而相對，形成干涉濾光部20B。接著，如圖15的(b)所示，在第I鏡層22上形成光學(xué)濾光層4，如圖16的(a)所示，在光學(xué)濾光層4上形成保護(hù)膜5。
[0096]接著，如圖16的(b)所示，對光檢測基板30的與墊片部33a對應(yīng)的部分實(shí)施蝕刻，從而形成貫通孔6。接著，如圖12所示，將形成有干涉濾光部20B的光檢測基板30固定在封裝體2的底壁2a。接著，經(jīng)由貫通孔6將電線7的一端連接于墊片部33a，并且經(jīng)由封裝體2的底壁2a將電線7的另一端連接于墊片部8，獲得分光傳感器1B。
[0097]此外,在第2實(shí)施方式的分光傳感器IB中，與第I實(shí)施方式的分光傳感器IA同樣，如圖17所示，也可以在封裝體2的開口安裝光透過基板11。另外，也可以在光透過基板11的表面Ila或背面Ilb的至少一方形成光學(xué)濾光層4。在該情況下，也可以在第I鏡層22上不形成光學(xué)濾光層4。再有，作為光透過基板11的材料，可以使用使規(guī)定的波長范圍的光透過的顏色玻璃或?yàn)V光玻璃。
[0098]另外，如圖18所示，形成有光學(xué)濾光層4的光透過基板11也可以通過光學(xué)樹脂材料41而被接合于保護(hù)膜5上。在該情況下，也可以不在第I鏡層22上形成光學(xué)濾光層4。再有，在光檢測基板30和干涉濾光部20B與封裝體2的側(cè)壁的內(nèi)面之間，也可以填充光吸收性的樹脂材料12。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠更加可靠地防止噪聲光進(jìn)入到第I濾光區(qū)域24內(nèi)。另外，在分光傳感器IB的所有的方式中，也可以不形成保護(hù)膜5。此外，如圖12所示，形成于連接區(qū)域26的槽被保護(hù)膜5埋沒，如圖18所示，也可以不被保護(hù)膜5埋沒。
[0099]以上，對本發(fā)明的第I和第2實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限定于上述的第I和第2實(shí)施方式。例如，分光傳感器的各構(gòu)成部件的材料和形狀不限定于上述的材料和形狀，能夠應(yīng)用各種材料和形狀。作為其一個(gè)例子，腔層的材料也可以為Ti02、Ta205、SiN、S1、Ge、Al203、光透過性樹脂等。另外，第I鏡層和第2鏡層的材料也可以為由Al、Au、Ag等構(gòu)成的厚度為數(shù)nm?數(shù)μ m的金屬膜。另外，分光傳感器的各構(gòu)成部件的尺寸也是一個(gè)例子。另外，在本發(fā)明和本實(shí)施方式中，所謂“固定”，是指不僅包括完全固定的情況而且也包含在制造誤差等的范圍內(nèi)大致固定的情況。對于“相同”、“平行”、“垂直”、“相等”、“同一面”等也相同。
[0100]另外，在干涉濾光部的第I濾光區(qū)域中，腔層的厚度也可以二維地變化(不僅在X軸方向上也在Y軸方向上變化)，或者，也可以階段狀地變化。另外，光檢測基板不限定于一維傳感器，也可以為二維傳感器。另外，光檢測基板也可以為背面入射型的半導(dǎo)體受光元件。
[0101]另外，在干涉濾光部，也可以不形成連接區(qū)域，第I濾光區(qū)域和將其包圍的第2濾光區(qū)域直接地連接。另外，在第2濾光區(qū)域的周圍，也可以形成第I鏡層和第2鏡層之間的距離不固定的區(qū)域或者未形成有第I鏡層和第2鏡層的區(qū)域。
[0102]另外，干涉濾光部也可以具有多個(gè)第I濾光區(qū)域。在該情況下，第2濾光區(qū)域可以以針對一個(gè)第I濾光區(qū)域包圍該一個(gè)第I濾光區(qū)域的方式形成，或者，也可以以針對多個(gè)第I濾光區(qū)域包圍該多個(gè)第I濾光區(qū)域的方式形成。
[0103]另外，對于光檢測基板和干涉濾光部的接合而言，可以應(yīng)用利用光學(xué)樹脂材料進(jìn)行的接合或分光傳感器的外緣部中的接合。利用光學(xué)樹脂材料進(jìn)行的接合中，作為光學(xué)樹脂材料的材料，能夠使用環(huán)氧類、丙烯酸類、硅酮類的有機(jī)材料、或者由有機(jī)無機(jī)構(gòu)成的混合材料的光學(xué)樹脂。另外，在分光傳感器的外緣部中的接合中，能夠通過間隔器(spacer)保持縫隙并通過低融點(diǎn)玻璃或焊料等進(jìn)行接合。在該情況下，由接合部包圍的區(qū)域可以為空氣縫隙，或者，也可以在該區(qū)域填充光學(xué)樹脂材料。
[0104]另外，干涉濾光部也可以具有:在從與光檢測基板的受光面交叉的規(guī)定的方向觀察的情況下，與受光面對應(yīng)的第I濾光區(qū)域；以及在從該規(guī)定的方向觀察的情況下，包圍第I濾光區(qū)域的環(huán)狀的第2濾光區(qū)域。再有，在第I濾光區(qū)域中，第I鏡層和第2鏡層之間的該規(guī)定的方向上的距離變化，在第2濾光區(qū)域中，第I鏡層和第2鏡層之間的該規(guī)定的方向上的距離固定。但是，如果使該規(guī)定的方向?yàn)榕c光檢測基板的受光面垂直的方向，則能夠使分光傳感器的構(gòu)造簡化。
[0105]另外，在光檢測基板30中，也可以在與平坦化層35同樣的范圍，形成保護(hù)膜34，使保護(hù)膜34作為平坦化層而發(fā)揮作用。在該情況下，不需要另外設(shè)置平坦化層35。另外，對于形成在干涉濾光部20A、20B上的光學(xué)濾光層4和保護(hù)膜5，也可以使保護(hù)膜5形成在干涉濾光部20A、20B側(cè)，在該保護(hù)膜5上形成光學(xué)濾光層4。另外，也可以使第2濾光區(qū)域25形成得比第I濾光區(qū)域24薄。另外，在光檢測基板30的受光面32a和第2鏡層23之間，也可以設(shè)置防止入射到受光面32a的光的反射的反射防止膜。作為一個(gè)例子，反射防止膜為由A1203、T12, Ta2O5, S12, SiN, MgF2等構(gòu)成的單層膜或者疊層膜，其厚度為數(shù)十nm?數(shù)十ym左右。保護(hù)膜34或平坦化層35也可以為作為反射防止膜而發(fā)揮功能的膜。另外，替代這樣的反射防止膜，也可以在光檢測基板30的干涉濾光部20A、20B側(cè)的表面實(shí)施防止入射到受光面32a的光的反射的反射防止處理。作為反射防止處理的一個(gè)例子，存在黑硅加工等的粗面化處理或納米柱結(jié)構(gòu)。根據(jù)這些反射防止膜或反射防止處理，能夠抑制第2鏡層23和光檢測基板30的受光面32a之間的光的多重反射和干涉所引起的雜散光的產(chǎn)生，能夠?qū)崿F(xiàn)濾光特性的進(jìn)一步的提高。
[0106]另外，如圖19和圖20所示，腔層21也可以具有沿著其外緣形成的外緣部21g。外緣部21g形成為比第2濾光區(qū)域25和連接區(qū)域26中的腔層21薄。作為一個(gè)例子，第2濾光區(qū)域25中的腔層21的厚度為700nm左右，連接區(qū)域26中的腔層21的厚度為500nm左右，與此相對，外緣部21g的厚度為400nm?500nm左右。另外，外緣部21g的寬度為50 μ m以下。根據(jù)這樣的外緣部21g，起到如下的效果。即，在外緣部21g的兩側(cè)也形成第I和第2鏡層22、23，所以，進(jìn)一步限制透過第2濾光區(qū)域25的外側(cè)的光，能夠抑制成為雜散光。另夕卜，在對形成有多個(gè)與分光傳感器1A、1B對應(yīng)的部件的晶片進(jìn)行切割的情況下，切割線通過光刻和蝕刻形成。在腔層21薄的部分(外緣部21g)和厚的部分(第2濾光區(qū)域25中的腔層21)，反射光或透過光的顏色不同。或者，光在腔層21薄的部分和厚的部分的邊緣較強(qiáng)地散射。由此，能夠明確地區(qū)分(識(shí)別)切割線。
[0107]另外，分光傳感器能夠構(gòu)成為SMD (Surface Mount Device (表面安裝裝置))、CSP (Chip Size Package (芯片尺寸封裝))、BAG (Ball Grid Array (球狀矩陣排列))、COB (Chip On Board (板上芯片))、C0F (Chip On Film(覆晶薄膜))、C0G(Chip On Glass (?晶玻璃))等。
[0108]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0109]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種分光傳感器，該分光傳感器能夠防止使應(yīng)入射到光檢測基板的受光面的光透過的濾光區(qū)域的濾光特性劣化，并且，能夠抑制噪聲光進(jìn)入到該濾光區(qū)域。
[0110]符號的說明
[0111]1A、IB…分光傳感器；4…光學(xué)濾光層(光學(xué)濾光部)；6…貫通孔；7…電線；20A、20B…干涉濾光部；21...腔層；22...第I鏡層；23...第2鏡層；24...第I濾光區(qū)域；25...第2濾光區(qū)域；30...光檢測基板；32a…受光面；33...配線；33a…墊片部。
【權(quán)利要求】
1.一種分光傳感器，其特征在于， 包括: 干涉濾光部，其具有腔層以及隔著所述腔層相對的第1鏡層和第2鏡層，根據(jù)入射位置選擇性地使規(guī)定的波長范圍的光從所述第1鏡層側(cè)透過至所述第2鏡層側(cè)；以及 光檢測基板，其具有透過了所述干涉濾光部的光進(jìn)行入射的受光面，對入射到所述受光面的光進(jìn)行檢測， 所述干涉濾光部包括: 在從與所述受光面交叉的規(guī)定的方向觀察的情況下，與所述受光面對應(yīng)的第1濾光區(qū)域；以及 在從所述規(guī)定的方向觀察的情況下，包圍所述第1濾光區(qū)域的環(huán)狀的第2濾光區(qū)域，所述第1濾光區(qū)域中，所述第1鏡層和所述第2鏡層之間的所述規(guī)定的方向上的距離變化， 所述第2濾光區(qū)域中，所述第1鏡層和所述第2鏡層之間的所述規(guī)定的方向上的距離固定。
2.如權(quán)利要求1所述的分光傳感器，其特征在于， 所述光檢測基板所具有的配線的墊片部以從所述規(guī)定的方向觀察時(shí)包含于所述第2濾光區(qū)域的方式設(shè)置有多個(gè)， 在所述第2濾光區(qū)域，針對各所述墊片部形成有多個(gè)用于使所述墊片部露出至外部的貫通孔， 在所述墊片部的各個(gè)，經(jīng)由所述貫通孔而連接有電線。
3.如權(quán)利要求1或2所述的分光傳感器，其特征在于， 還包括至少使入射到所述第2濾光區(qū)域的光透過的光學(xué)濾光部， 透過所述光學(xué)濾光部的光的波長范圍和透過所述第2濾光區(qū)域的光的波長范圍彼此不同。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的分光傳感器,其特征在于， 所述第1濾光區(qū)域中的所述腔層和所述第2濾光區(qū)域中的所述腔層連續(xù)地形成。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的分光傳感器,其特征在于， 所述第1濾光區(qū)域中的所述第1鏡層和所述第2濾光區(qū)域中的所述第1鏡層連續(xù)地形成， 所述第1濾光區(qū)域中的所述第2鏡層和所述第2濾光區(qū)域中的所述第2鏡層連續(xù)地形成。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的分光傳感器,其特征在于， 所述第2濾光區(qū)域在從與所述受光面平行的方向觀察的情況下包含所述第1濾光區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的分光傳感器,其特征在于， 所述規(guī)定的方向?yàn)榕c所述受光面垂直的方向。
【文檔編號】G01J3/26GK104272070SQ201380023137
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2013年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月18日
【發(fā)明者】笠原隆, 柴山勝己 申請人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社