三相智能電能表恒定磁場檢測電路的制作方法
【專利摘要】一種三相智能電能表恒定磁場檢測電路，涉及磁場檢測電路領(lǐng)域，包括四顆磁傳感芯片、四個濾波電容、四個限流電阻及一個上拉電阻，所述四顆磁傳感芯片分別設(shè)置于電能表PCB板的四個角，每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD均與接地之間連接一個所述濾波電容，且每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD還連接一個所述限流電阻，每個所述磁傳感芯片的輸出引腳OUT相連接，再共同連接所述上拉電阻，所述限流電阻和上拉電阻均連接電源VCC。該恒定磁場檢測電路通過對磁傳感芯片實(shí)施保護(hù)，使磁傳感芯片不因瞬變脈沖和雷擊的干擾而受影響甚至損壞，從而使恒定磁場檢測電路能準(zhǔn)確正常工作，確保電能表穩(wěn)定可靠地使用。
【專利說明】三相智能電能表恒定磁場檢測電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁場檢測電路領(lǐng)域，具體來講是一種三相智能電能表恒定磁場檢測電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在低壓電力用戶三相智能電能表使用環(huán)境中，經(jīng)常會有瞬變脈沖干擾和雷擊干擾，這些干擾影響恒定磁場檢測電路的正常工作，甚至損壞電能表的器件，從而影響電能表的穩(wěn)定可靠地使用。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的在于提供一種三相智能電能表恒定磁場檢測電路，在有瞬變脈沖干擾和雷擊干擾時，該恒定磁場檢測電路仍能夠準(zhǔn)確正常工作，從而確保電能表穩(wěn)定可靠地使用。
[0004]為達(dá)到以上目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是:一種三相智能電能表恒定磁場檢測電路，包括四顆磁傳感芯片、四個濾波電容、四個限流電阻及一個上拉電阻，所述四顆磁傳感芯片分別設(shè)置于電能表PCB板的四個角，每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD均與接地之間連接一個所述濾波電容，且每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD還連接一個所述限流電阻，每個所述磁傳感芯片的輸出引腳OUT相連接，再共同連接所述上拉電阻，所述限流電阻和上拉電阻均連接電源VCC。
[0005]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，每個所述濾波電容鄰近設(shè)置于每個所述磁傳感芯片。
[0006]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，每個所述磁傳感芯片為霍爾芯片S-5716ANDL0-M3T1U，其輸出方式為N溝道開路漏極輸出，檢測兩極，磁性檢測邏輯為動態(tài)“L”。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，每個所述濾波電容的電容值為0.1 μ F。
[0008]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，每個所述限流電阻的電阻值為1ΚΩ。
[0009]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，所述上拉電阻的電阻值為20ΚΩ。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果在于:通過在磁傳感芯片的電源腳與接地之間連接濾波電容，并在電源腳上連接限流電阻，對磁傳感芯片實(shí)施保護(hù)，同時將磁傳感芯片的輸出引腳連接在一起后連接上拉電阻，對磁傳感芯片提供進(jìn)一步的保護(hù)，并通過一個I/o 口實(shí)現(xiàn)多方位恒定磁場檢測，在有瞬變脈沖干擾和雷擊干擾時，磁傳感芯片不受影響且不被損壞，從而使恒定磁場檢測電路能準(zhǔn)確正常工作，確保電能表穩(wěn)定可靠地使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型三相智能電能表恒定磁場檢測電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型三相智能電能表恒定磁場檢測電路包括四顆磁傳感芯片(ICU IC2、IC3、IC4)、四個濾波電容(Cl、C2、C3、C4)、四個限流電阻(Rl、R2、R3、R4)及一個上拉電阻R5。所述四顆磁傳感芯片是型號為S-5716ANDL0-M3T1U的霍爾芯片，其輸出方式為N溝道開路漏極輸出，檢測兩極，磁性檢測邏輯為動態(tài)“L”。四顆磁傳感芯片分別設(shè)置于電能表PCB板的四個角，以快速準(zhǔn)確檢測到電能表周圍各個方向IOOmT磁場強(qiáng)度的干擾。每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD均與接地之間連接一個所述濾波電容，每個濾波電容的電容為0.1 μ F，且盡量鄰近每個所述磁傳感芯片，以防止瞬變脈沖干擾和雷擊干擾造成的VDD尖峰電壓過高，保證磁傳感芯片不被擊穿。每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD還連接一個所述限流電阻，每個限流電阻的電阻為IkQ，對磁傳感芯片的供電電源VDD起限流作用，防止4KV瞬變脈沖干擾和4KV雷擊干擾造成瞬時擊穿磁傳感芯片且不能恢復(fù)。每個所述磁傳感芯片的輸出引腳OUT相連接，再共同連接所述上拉電阻，上拉電阻的電阻為20kQ。所述限流電阻和上拉電阻均連接電源VCC。通過一個I/O 口實(shí)現(xiàn)多方位恒定磁場檢測，動態(tài)為低電平，防止感應(yīng)到磁場的磁傳感芯片的輸出影響其他沒感應(yīng)到磁場的磁傳感芯片。
[0014]本實(shí)用新型通過對磁傳感芯片提供保護(hù)，在有瞬變脈沖干擾和雷擊干擾時，使得磁傳感芯片不受影響且不被損壞，從而使恒定磁場檢測電路能準(zhǔn)確正常工作，確保電能表穩(wěn)定可靠地使用。
[0015]本實(shí)用新型不僅局限于上述最佳實(shí)施方式，任何人在本實(shí)用新型的啟示下都可得出其他各種形式的產(chǎn)品，但不論在其形狀或結(jié)構(gòu)上作任何變化，凡是具有與本實(shí)用新型相同或相近似的技術(shù)方案，均在其保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種三相智能電能表恒定磁場檢測電路，其特征在于:包括四顆磁傳感芯片、四個濾波電容、四個限流電阻及一個上拉電阻，所述四顆磁傳感芯片分別設(shè)置于電能表PCB板的四個角，每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD均與接地之間連接一個所述濾波電容，且每個所述磁傳感芯片的電源腳VDD還連接一個所述限流電阻，每個所述磁傳感芯片的輸出引腳OUT相連接，再共同連接所述上拉電阻，所述限流電阻和上拉電阻均連接電源VCC。
2.如權(quán)利要求1所述的三相智能電能表恒定磁場檢測電路，其特征在于:每個所述濾波電容鄰近設(shè)置于每個所述磁傳感芯片。
3.如權(quán)利要求1所述的三相智能電能表恒定磁場檢測電路，其特征在于:每個所述磁傳感芯片為霍爾芯片S-5716ANDL0-M3T1U，其輸出方式為N溝道開路漏極輸出，檢測兩極，磁性檢測邏輯為動態(tài)“L”。
4.如權(quán)利要求1所述的三相智能電能表恒定磁場檢測電路，其特征在于:每個所述濾波電容的電容值為0.1 μ F。
5.如權(quán)利要求1所述的三相智能電能表恒定磁場檢測電路，其特征在于:每個所述限流電阻的電阻值為1ΚΩ。
6.如權(quán)利要求1所述的三相智能電能表恒定磁場檢測電路，其特征在于:所述上拉電阻的電阻值為20ΚΩ。
【文檔編號】G01R11/00GK203551619SQ201320643346
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年10月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月18日
【發(fā)明者】徐健, 雷雨, 雷鵬, 李良紅, 付剛 申請人:武漢阿迪克電子有限公司