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一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法

文檔序號:6175383閱讀:211來源:國知局
一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法
【專利摘要】一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法。提出了一種科學、高效的故障、缺陷分析、問題解決、改進設(shè)計的方案。包括以下步驟:1)開始原理設(shè)計;制圖,選器件;2)布板、安裝;形成樣機;3)電池供電測試;4)高頻電路輻射干擾是否超標判斷;5)電源供電測試一;6)電源電路輻射干擾是否超標判斷;7)電源供電測試二;8)計量電路輻射干擾是否超標判斷;9)結(jié)束。本發(fā)明以行業(yè)強制性執(zhí)行的國家標準為準繩,能提高中小型電能表生產(chǎn)廠家電能表設(shè)計人員在產(chǎn)品設(shè)計過程中對輻射干擾缺陷進行高效、規(guī)范的分析、設(shè)計、改進能力水平;減少重復(fù)送檢的時間、費用、勞力,節(jié)約研發(fā)費用,縮短研發(fā)周期,降低產(chǎn)品成本。
【專利說明】一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種智能電能表設(shè)計流程【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及智能電表的輻射干擾原因分析及由此進行的缺陷分析、優(yōu)化設(shè)計的改進方法。
【背景技術(shù)】
[0002]智能電能表作為電能計量和電費結(jié)算的計量產(chǎn)品,不僅要求產(chǎn)品具有精確穩(wěn)定的計量性能,而且要求產(chǎn)品有極強的抗電磁干擾、抗沖擊耐惡劣環(huán)境的能力,確保在任何情況下用電信息正確可靠,保證用電、供電雙方的利益不受損害。智能電能表大都采用單片機技術(shù)設(shè)計而成,電磁干擾是造成智能電能表故障或性能下降的主要原因之一。同時智能電能表本身在完成自身功能時必須盡可能少對外釋放電磁干擾的能量。提高智能電能表的電磁兼容性是提高其運行可靠性的關(guān)鍵,國際上已將電磁兼容性作為電氣電子產(chǎn)品一項極為重要的性能指標并制定了必須強制性執(zhí)行的法規(guī)。上世紀90年代初我國就對電子式電能表的電磁兼容性有所要求,至今已經(jīng)歷了 4個基本版本的發(fā)展,其中射頻輻射抗擾度試驗的主要變化體現(xiàn)為頻率范圍不斷擴大、場強不斷增強、環(huán)境設(shè)備要求不斷提高。
[0003]電磁兼容包括電磁干擾和電磁抗擾度兩個方面。一般而言,對同一智能電能表,降低它對外的電磁干擾,就會增強它對外部電磁干擾的抗擾度。電磁干擾(EMI)包括傳導型電磁干擾(低頻電磁干擾)、輻射型電磁干擾(高頻電磁干擾)、靜電放電(ESD)、雷擊浪涌產(chǎn)生的電磁干擾等。其中輻射型電磁干擾最難控制,因為輻射型電磁干擾的頻率較高,能量的波長很短,很短的PCB布線或電能表電源變壓器線圈、電流互感器線圈、電壓互感器線圈等都可能成為收發(fā)天線。
[0004]自2010年起,國家電網(wǎng)公司對電能表及用電信息采集設(shè)備進行統(tǒng)一招標采購,隨之而來的就是對電能表及用電信息采集設(shè)備供應(yīng)商的要求也越來越高,對供應(yīng)商進行現(xiàn)場審核并打分,作為評標的依據(jù)。隨著電磁兼容要求的越來越高,國網(wǎng)公司現(xiàn)已將人工電源網(wǎng)絡(luò)、頻譜儀等與射頻傳導、輻射測試相關(guān)的設(shè)備作為技術(shù)評分的重要標準,電能表及用電信息采集設(shè)備供應(yīng)商將因應(yīng)形勢投入資金建立射頻傳導和輻射抗干擾試驗室。一方面,此類設(shè)備比較昂貴,確實給供應(yīng)商帶來不小的負擔。另一方面,確實給供應(yīng)商提高電能表電磁兼容設(shè)計水平帶來了幫助。即通過試驗室進行測試,對電磁干擾超標的情形可通過改進PCB設(shè)計或原理設(shè)計、更換元器件等加以解決,從而在國網(wǎng)計量中心進行全性能檢測時順利通過,在獲得較高技術(shù)分的同時,也避免二次或多次送檢產(chǎn)生的重復(fù)檢測費用。
[0005]目前面臨的問題是:對于中小型電能表生產(chǎn)廠家而言,并沒有電磁兼容設(shè)計方面的專業(yè)人才,有關(guān)電能表電磁兼容測試整改的文章也只是就事論事,一旦射頻傳導干擾或輻射干擾通不過時,只有根據(jù)經(jīng)驗采取加磁珠等措施,根本不知道問題究竟出在哪里。2010年,本 申請人:新開發(fā)的一款三相射頻卡表就因為輻射干擾偏大未能通過省計量科學研究院的檢測,經(jīng)多次送檢仍未通過檢測。本 申請人:于是加大了在此領(lǐng)域的投入,包括增加設(shè)備、技術(shù)人員等,逐漸提高了電能表電磁兼容設(shè)計和測試的水平。此后,本 申請人:在工作中不斷探索,試圖形成一個有利于本行業(yè)設(shè)計工作的技術(shù)手段。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對以上問題,提供了一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法,提出了一種科學、高效的故障、缺陷分析、問題解決、改進設(shè)計的方案,能提高中小型電能表生產(chǎn)廠家電能表設(shè)計人員在產(chǎn)品設(shè)計過程中對輻射干擾缺陷進行高效、規(guī)范的分析、設(shè)計、改進能力水平;減少重復(fù)送檢的時間、費用、勞力,節(jié)約研發(fā)費用,縮短研發(fā)周期,降低產(chǎn)品成本。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案是:包括以下步驟:
[0008]I)、開始原理設(shè)計;制圖,選器件;
[0009]2)、布板、安裝;形成樣機;
[0010]3)、電池供電測試;所述樣機僅使用電池供電,進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖一;
[0011]4)、高頻電路輻射干擾是否超標判斷;
[0012]如無異常,繼續(xù)下步驟;
[0013]如有異常,標定所述電磁輻射強度測試曲線圖一中的異常點,讀取所述異常點數(shù)值,如該數(shù)值為所述智能電表內(nèi)晶振頻率的整數(shù)倍,去步驟4.1);如非整數(shù)倍,去步驟4.2);
[0014]4.1)、對MCU晶振電路進行改進或更換晶振器件;
[0015]4.1.1)、將改進過晶振電路的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖一.1;
[0016]4.1.2)判斷;
[0017]如無異常,去步驟5);
[0018]如有異常,去步驟4.2);
[0019]4.2)、重新進行布板或更換器件;
[0020]4.2.1)、判斷;
[0021]如無異常,去步驟5);
[0022]如有異常,返回步驟I);
[0023]5)、電源供電測試一;斷開所述智能電表的計量電路,將所述樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖二 ;
[0024]6)、電源電路輻射干擾是否超標判斷;
[0025]如無異常,即異常點數(shù)值小于國家標準,去步驟7);
[0026]如有異常,即異常點數(shù)值大于國家標準數(shù)值,去步驟6.1);
[0027]6.1)、更換變壓器;
[0028]6.2)、判斷;
[0029]如無異常,去步驟7);
[0030]如有異常,繼續(xù);
[0031]6.2)、加裝抗干擾器件;將加裝有抗干擾器件的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖二.1 ;
[0032]6.3)、判斷;[0033]如無異常,去步驟7);
[0034]如有異常,去步驟I);
[0035]7)、電源供電測試二 ;接入所述智能電表的計量電路,將所述樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三;
[0036]8)、計量電路輻射干擾是否超標判斷;
[0037]如無異常,即異常點數(shù)值小于國家標準,去步驟9);
[0038]如有異常,即異常點數(shù)值大于國家標準數(shù)值,去步驟8.1);
[0039]8.1)、對計量單元的差分放大器的兩個輸入端信號線進行雙絞處理,以減小共模干擾;
[0040]8.2)、將進行雙絞處理后的樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.1;
[0041]8.3)、判斷;
[0042]如無異常,去步驟9);
[0043]如有異常,去步驟8.4);
[0044]8.4)、計量電路中的晶振電路輻射干擾是否超標判斷;
[0045]如未超標,去步驟9);
[0046]如超標,標定所述電磁輻射強度測試曲線圖三.1中的異常點,讀取所述異常點數(shù)值,如該數(shù)值為所述計量電路中的晶振電路內(nèi)晶振頻率的整數(shù)倍,去步驟8.4.1);如非整數(shù)倍,去步驟8.5);
[0047]8.4.1)、對計量電路中的晶振電路進行改進或更換晶振器件;
[0048]8.4.2)、將改進過計量電路中的晶振電路的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.2 ;
[0049]8.4.3)判斷;
[0050]如無異常,去步驟9);
[0051]如有異常,去步驟8.5);
[0052]8.5)、對計量電路重新進行布板或更換器件;
[0053]8.5.1)、將上步驟改進過的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.3;
[0054]8.5.2)、判斷;
[0055]如無異常,去步驟9);
[0056]如有異常,返回步驟I);
[0057]9)、結(jié)束。
[0058]所述步驟3)中的微波暗室包括用于擺放所述樣機的旋轉(zhuǎn)工作臺、升降天線、屏蔽問和EMI測試接收機;所述旋轉(zhuǎn)工作臺和升降天線設(shè)置在屏蔽問中;所述升降天線連接所述EMI測試接收機;所述旋轉(zhuǎn)工作臺與所述升降天線距離為3米,所述升降天線的升降范圍距離地面1-4米;所述旋轉(zhuǎn)工作臺臺面高度為0.8米。
[0059]本發(fā)明以行業(yè)強制性執(zhí)行的國家標準為準繩,從基層技術(shù)人員的工作流程出發(fā),提出了智能電表在設(shè)計過程中避免輻射干擾超標的設(shè)計方法。從產(chǎn)品初步設(shè)計階段,當初樣裝配完成后,先不通過電源對電能表測試,而是由鋰電池供電,測試該部分的電磁干擾強度,發(fā)現(xiàn)問題時改進該部分的原理設(shè)計、PCB設(shè)計或元器件更換,在符合GB9254-2008情況下,盡可能降低其電磁干擾強度。這樣一來設(shè)計人員便能對輻射干擾不合格的的原因進行排除,從而準確的知道究竟是哪個模塊出了問題,避免在產(chǎn)品已經(jīng)設(shè)計定型并處于等待進入市場的最后階段才測試時發(fā)現(xiàn)輻射干擾不合格的情況,此時再重新修改PCB的設(shè)計工作,不僅會增大生產(chǎn)成本,而且會使得產(chǎn)品延誤而錯失商機,給企業(yè)帶來巨大的損失。進而能提高中小型電能表生產(chǎn)廠家電能表設(shè)計人員在產(chǎn)品設(shè)計過程中對輻射干擾缺陷進行高效、規(guī)范的分析、設(shè)計、改進能力水平;減少重復(fù)送檢的時間、費用、勞力,節(jié)約研發(fā)費用,縮短研發(fā)周期,降低產(chǎn)品成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0060]圖1是磁偶極子模型,
[0061]圖2是電偶極子模型,
[0062]圖3是本發(fā)明中微波暗室的結(jié)構(gòu)示意圖,
[0063]圖4是本發(fā)明中的缺陷樣機的電磁輻射強度測試曲線圖一,
[0064]圖5是本發(fā)明中的合格樣機的電磁輻射強度測試曲線圖,
[0065]圖6是本發(fā)明中單相智能電表的功能模塊框圖,
[0066]圖7是本發(fā)明中單相智能電表的結(jié)構(gòu)框圖,
[0067]圖8是本發(fā)明中電源電路中變壓器初級和次級之間耦合電容的結(jié)構(gòu)示意圖,
[0068]圖9是本發(fā)明的流程圖;
[0069]圖中I是旋轉(zhuǎn)工作臺,2是升降天線,3是屏蔽墻。
【具體實施方式】
[0070]本發(fā)明的設(shè)計方法如圖9所示,包括以下步驟:
[0071]I)、開始原理設(shè)計;制圖,選器件;
[0072]2)、布板、安裝;形成樣機;
[0073]3)、電池供電測試;所述樣機僅使用電池供電,進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖一,如圖4所示;
[0074]4)、高頻電路輻射干擾是否超標判斷;判斷的依據(jù)即圖4中上方的水平折線(標記有 GB9254),
[0075]如無異常,繼續(xù)下步驟;
[0076]如有異常,標定所述電磁輻射強度測試曲線圖一中的異常點,讀取所述異常點數(shù)值,如該數(shù)值為所述智能電表內(nèi)晶振頻率的整數(shù)倍,去步驟4.1);如非整數(shù)倍,去步驟4.2);如圖4中900M附近出現(xiàn)的異常點;
[0077]4.1)、對MCU晶振電路進行改進或更換晶振器件;
[0078]4.1.1)、將改進過晶振電路的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖一.1 ;
[0079]4.1.2)判斷;
[0080]如無異常,去步驟5);
[0081]如有異常,去步驟4.2);[0082]4.2)、重新進行布板或更換器件(比如:晶振接地線、單片機電路、通信電路等);
[0083]4.2.1)、判斷;
[0084]如無異常,去步驟5);
[0085]如有異常,返回步驟I);
[0086]5)、電源供電測試一;斷開所述智能電表的計量電路(在供電情況下,在電源切換電路的作用下,電池是不工作的),將所述樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖二 ;此種缺陷有多種,最典型的是圖8所示的變壓器初級和次級之間的耦合電容所造成的輻射超標現(xiàn)象;但也有其它的比如來自電源線的干擾等。
[0087]6)、電源電路輻射干擾是否超標判斷;
[0088]如無異常,即異常點數(shù)值小于國家標準(GB9254-2008),去步驟7);
[0089]如有異常,即異常點數(shù)值大于國家標準(GB9254-2008),去步驟6.1);
[0090]6.1)、更換變壓器;
[0091]6.2)、判斷;
[0092]如無異常,去步驟7);
[0093]如有異常,繼續(xù);
[0094]6.2)、加裝抗干擾器件;將加裝有抗干擾器件的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖二.1 ;
[0095]6.3)、判斷;
[0096]如無異常,去步驟7);
[0097]如有異常,去步驟I);
[0098]7)、電源供電測試二 ;接入所述智能電表的計量電路,將所述樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三;
[0099]8)、計量電路輻射干擾是否超標判斷;
[0100]如無異常,即異常點數(shù)值小于國家標準(GB9254-2008),去步驟9);
[0101]如有異常,即異常點數(shù)值大于國家標準(GB9254-2008),去步驟8.1);
[0102]8.1)、對計量單元的差分放大器的兩個輸入端信號線進行雙絞處理,以減小共模干擾;
[0103]8.2)、將進行雙絞處理后的樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.1;
[0104]8.3)、判斷;
[0105]如無異常,去步驟9);
[0106]如有異常,去步驟8.4);
[0107]8.4)、計量電路中的晶振電路輻射干擾是否超標判斷;因為計量芯片的工作晶振也會導致輻射超標,因此需對此單獨進行一個排除流程;
[0108]如未超標,去步驟9);
[0109]如超標,標定所述電磁輻射強度測試曲線圖三.1中的異常點,讀取所述異常點數(shù)值,如該數(shù)值為所述計量電路中的晶振電路內(nèi)晶振頻率的整數(shù)倍,去步驟8.4.1);如非整數(shù)倍,去步驟8.5);
[0110]8.4.1)、對計量電路中的晶振電路進行改進或更換晶振器件;[0111]8.4.2)、將改進過計量電路中的晶振電路的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.2 ;
[0112]8.4.3)判斷;
[0113]如無異常,去步驟9);
[0114]如有異常,去步驟8.5);
[0115]8.5)、對計量電路重新進行布板或更換器件(如果這里需要更換器件,是更換什么器件?比如:晶振接地線、單片機電路、通訊電路等);
[0116]8.5.1)、將上步驟改進過的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.3;
[0117]8.5.2)、判斷;
[0118]如無異常,去步驟9);
[0119]如有異常,返回步驟I);
[0120]9)、結(jié)束,獲得如圖5的智能電表電磁輻射強度測試曲線圖。
[0121]本發(fā)明中對于微波暗室優(yōu)選采用了如下實施方式:包括用于擺放所述樣機的旋轉(zhuǎn)工作臺、升降天線、屏蔽間和EMI測試接收機;所述旋轉(zhuǎn)工作臺和升降天線設(shè)置在屏蔽間中;所述升降天線連接所述EMI測試接收機;所述旋轉(zhuǎn)工作臺與所述升降天線距離為3米,所述升降天線的升降范圍距離地面1-4米;所述旋轉(zhuǎn)工作臺臺面高度為0.8米。(圖5、接收機可以在屏蔽間內(nèi)部或外部);
[0122]但需說明的是測試方法或設(shè)備不盡相同(如小型電波暗室、3米法微波暗室、6TEM小室等),但基本原理是相似的。
[0123]下面進一步說明本發(fā)明:
[0124]1、以單相智能電能表(功能模塊框圖如圖6,結(jié)構(gòu)框圖如圖7)為例,證明了磁偶極子差模輻射模型和電偶極子共模輻射模型適合于分析智能電能表的輻射干擾和抗干擾分析。
[0125]由于天線是互易的,對于同一只單相智能電能表,降低它對外的電磁干擾,就會增強它對外部電磁干擾的抗擾度,因此從分析電能表的福射場強入手,研究抑制電能表電磁輻射能量和增強電磁抗干擾能力的方法。
[0126]電能表對外輻射干擾主要有差模輻射干擾和共模輻射干擾兩種形式。差模輻射干擾是由差模電流產(chǎn)生的,共模輻射干擾是由共模電流產(chǎn)生的。
[0127]差模電流是指往返于信號線與回流線之間、幅度相同相位相反的電流,它在信號線與回流線之間形成的回路中流動,這個電流環(huán)路形成了差模輻射。當環(huán)路的周長遠小于信號波長和場距時,差模輻射可用磁偶極子模型來描述。干擾電流在信號線與信號地線之間(或電源線的火線和零線之間)流動。電能表信號線主要包括主芯片信號、計量芯片信號、時鐘芯片信號、液晶驅(qū)動芯片信號和通信芯片(模塊)信號,在目前最新的方案中,很多已采用集成MCU (Micro Control Unit)、計量、時鐘與液晶驅(qū)動為一體的SOC (System onChip)方案。在電能表信號電路走線中,正常情況下電路走線中的信號線與其地線靠得很近,形成的環(huán)路面積很小,所以電能表信號線差模干擾輻射可用磁偶極子模型來描述。在電能表中,電網(wǎng)電源線與其產(chǎn)生關(guān)聯(lián)的包括電源變壓器和電壓、電流采樣部分,這些也會形成電流環(huán)路產(chǎn)生差模輻射干擾。由于輻射干擾測試的頻率范圍為30MHZ?16HZ,其最短波長為λπ?η=3Χ10-8/10-9=0.3πι,同時采用3m法進行測試,所以同樣滿足環(huán)路的周長小于信號波長和場距的條件,因此電源線產(chǎn)生的差模輻射干擾也可用磁偶極子模型來描述。
[0128]共模電流是指存在于信號線和回流線中、相位相同的電流。對一段通有高頻電流的導線,當導線長度遠小于信號波長和場距時,可以認為導線上的電流均勻分布,共模輻射可用電偶極子模型來描述。根據(jù)以上差模電流的分析,電能表信號線和電源線產(chǎn)生的共模輻射干擾也可用電偶極子模型來描述。如圖1、2所示。
[0129]2、分別詳細分析了磁偶極子差模輻射模型和電偶極子共模輻射模型的近場和遠場特性。
[0130]2.1根據(jù)麥克斯韋方程組,可推導出差模輻射場為(推導過程參見文獻I):
[0131]
【權(quán)利要求】
1.一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法,其特征在于,包括以下步驟: .1)、開始原理設(shè)計;制圖,選器件; .2)、布板、安裝;形成樣機; .3)、電池供電測試;所述樣機僅使用電池供電,進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁福射強度測試曲線圖一; . 4)、高頻電路輻射干擾是否超標判斷; 如無異常,繼續(xù)下步驟; 如有異常,標定所述電磁輻射強度測試曲線圖一中的異常點,讀取所述異常點數(shù)值,如該數(shù)值為所述智能電表內(nèi)MCU晶振頻率的整數(shù)倍,去步驟4.1);如非整數(shù)倍,去步驟4.2);.4.1)、對MCU晶振電路進行改進或更換晶振器件; . 4.1.1)、將改進過晶振電路的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖一.1; .4.1.2)判斷; 如無異常,去步驟5); 如有異常,去步驟4.2); . 4.2)、重新進行布板或更換器件; . 4.2.1)、判斷; 如無異常,去步驟5); 如有異常,返回步驟I); .5)、電源供電測試一;斷開所述智能電表的計量電路,將所述樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖二; .6)、電源電路輻射干擾是否超標判斷; 如無異常,即異常點數(shù)值小于國家標準,去步驟7); 如有異常,即異常點數(shù)值大于國家標準數(shù)值,去步驟6.1); .6.1)、更換變壓器; .6.2)、判斷; 如無異常,去步驟7); 如有異常,繼續(xù); .6.2)、加裝抗干擾器件;將加裝有抗干擾器件的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖二.1 ; .6.3)、判斷; 如無異常,去步驟7); 如有異常,去步驟I); .7)、電源供電測試二;接入所述智能電表的計量電路,將所述樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三; . 8)、計量電路輻射干擾是否超標判斷; 如無異常,即異常點數(shù)值小于國家標準,去步驟9); 如有異常,即異常點數(shù)值大于國家標準數(shù)值,去步驟8.1); .8.1)、對計量單元的差分放大器的兩個輸入端信號線進行雙絞處理,以減小共模干擾; `8.2)、將進行雙絞處理后的樣機進微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.1; ` 8.3)、判斷; 如無異常,去步驟9); 如有異常,去步驟8.4); `8.4)、計量電路中的晶振電路福射干擾是否超標判斷; 如未超標,去步驟9); 如超標,標定所述電磁輻射強度測試曲線圖三.1中的異常點,讀取所述異常點數(shù)值,如該數(shù)值為所述計量電路中的晶振電路內(nèi)晶振頻率的整數(shù)倍,去步驟8.4.1);如非整數(shù)倍,去步驟8.5); `8.4.1)、對計量電路中的晶振電路進行改進或更換晶振器件; `8.4.2)、將改進過計量電路中的晶振電路的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.2 ; ` 8.4.3)判斷; 如無異常,去步驟9); 如有異常,去步驟8.5); ` 8.5)、對計量電路重新進行布板或更換器件; ` 8.5.1)、將上步驟改進過的樣機置入微波暗室進行電磁干擾測試,得所述樣機的電磁輻射強度測試曲線圖三.3; ` 8.5.2)、判斷; 如無異常,去步驟9); 如有異常,返回步驟I); 9)、結(jié)束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低智能電能表輻射干擾的分析設(shè)計方法,其特征在于,所述步驟3)中的微波暗室包括用于擺放所述樣機的旋轉(zhuǎn)工作臺、升降天線、屏蔽間和EMI測試接收機;所述旋轉(zhuǎn)工作臺和升降天線設(shè)置在屏蔽間中;所述升降天線連接所述EMI測試接收機;所述旋轉(zhuǎn)工作臺與所述升降天線距離為3米,所述升降天線的升降范圍距離地面1-4米;所述旋轉(zhuǎn)工作臺臺面高度為0.8米。
【文檔編號】G01R35/04GK103439545SQ201310407362
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】潘建華, 李香, 朱世林, 郎干勇, 徐振偉, 吳靜, 王應(yīng)嬈 申請人:揚州市萬泰電器廠有限公司
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