專利名稱：一種雪崩光電二極管apd耦合電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種雪崩光電二極管APD耦合電源。
背景技術(shù)：
目前，目前光通信GPON、EPON的應(yīng)用范圍逐漸的擴(kuò)大，傳統(tǒng)的耦合電源已經(jīng)不能適應(yīng)GPON、EPON系統(tǒng)設(shè)備中B0SA/R0SA器件的耦合。帶有APD倍增因子的B0SA/R0SA器件在耦合的過程中，需要給其提供高壓，并且每個(gè)器件的工作高壓不經(jīng)相同。APD耦合電源在測試器件時(shí)，通過單片機(jī)給器件加掃描電壓，當(dāng)測得器件的暗電流為10 μ A時(shí)，此時(shí)的掃描電壓即為擊穿電壓Vbr，由于市場上的帶有APD倍增因子的BOSA/ROSA器件的APD工作電壓各不相同，例如:有的器件的APD工作電壓為Vbr_4V，而有的器件的APD工作電壓為0.9*Vbr，甚至還有除這兩種工作電壓以外的情況。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有的電壓問題，提供了一種適應(yīng)光通信領(lǐng)域的雪崩光電二極管Aro耦合電源。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案如下:一種雪崩光電二極管APD耦合電源，包括:單片機(jī)MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發(fā)射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據(jù)輸出模式的不同計(jì)算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述B0SA/R0SA器件。進(jìn)一步地，所述B0SA/R0SA器件的工作電壓各不相同。進(jìn)一步地，所述恒定輸出高壓包括Vbr_4V、Vbr-X電壓輸出模式。本實(shí)用新型采取了上述技術(shù)方案以后，可自動(dòng)測試擊穿電壓、響應(yīng)電流，同時(shí)是同調(diào)制光源輸出及示波器接口。整個(gè)系統(tǒng)集成了高壓源，調(diào)制光源，并具有較高的穩(wěn)定性。本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述，以使得本實(shí)用新型的上述優(yōu)點(diǎn)更加明確。

圖1是本實(shí)用新型雪崩光電二極管APD耦合電源的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)地說明。針對目前光通信GPON、EPON的應(yīng)用范圍逐漸的擴(kuò)大，傳統(tǒng)的耦合電源已經(jīng)不能適應(yīng)GPON、EPON系統(tǒng)設(shè)備中B0SA/R0SA器件的耦合，因而開發(fā)了一種全新的APD耦合電源來滿足此類 B0AS/R0SA 光發(fā)射次模塊(Transmitter Optical Subassembly ；T0SA)與光接收次模塊(Receiver Optical Subassembly ；R0SA)器件的f禹合。如圖1所示，所述雪崩光電二極管Aro耦合電源，包括:單片機(jī)MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發(fā)射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據(jù)輸出模式的不同計(jì)算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述B0SA/R0SA器件。其中，所述B0SA/R0SA器件的工作電壓各不相同。進(jìn)一步地，所述恒定輸出高壓包括Vbr_4V、Vbr-X等APD電壓輸出模式。也就是說，所述APD耦合電源主要應(yīng)用于GPON、EPON中APD的B0SA/R0SA器件耦合生產(chǎn)與監(jiān)測，可自動(dòng)測試擊穿電壓、響應(yīng)電流，同時(shí)是同調(diào)制光源輸出及示波器接口。整個(gè)系統(tǒng)集成了高壓源，調(diào)制光源，并具有較高的穩(wěn)定性。也就是說，APD耦合電源可以提供Vbr-4、Vbr-X電源電壓等輸出模式，提供示波器接口與測試系數(shù)的液晶顯示，該設(shè)備穩(wěn)定性好，測試速度快，可靠性高，極大提高了用戶的生產(chǎn)效率。并且，APD耦合電源通過單片機(jī)控制其電壓，使其恒定輸出，整個(gè)測試的過程中，單片機(jī)實(shí)時(shí)監(jiān)控響應(yīng)電流。 其中，用戶在測試器件整個(gè)過程中，加電時(shí)，Aro耦合電源通過單片機(jī)軟件控制，先加TIA電壓，再加APD工作高壓；斷電時(shí)，先斷APD工作高壓，再斷TIA電壓，此種上下電時(shí)序，有效的對B0SA/R0SA器件起到了保護(hù)作用。最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種雪崩光電二極管APD耦合電源，其特征在于，包括:單片機(jī)MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發(fā)射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據(jù)輸出模式的不同計(jì)算出器件的工作電壓，并控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述B0SA/R0SA器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雪崩光電二極管Aro耦合電源，其特征在于，所述B0SA/R0SA器件的工作電壓各不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雪崩光電二極管Aro耦合電源，其特征在于，所述恒定輸出高壓包括Vbr-4V、Vbr-X電壓輸出模式。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種雪崩光電二極管APD耦合電源，包括單片機(jī)MCU單元，用于獲取帶有APD倍增因子的光發(fā)射次模塊BOSA/光接收次模塊ROSA器件的擊穿電壓，并根據(jù)輸出模式的不同計(jì)算出器件的工作電壓，控制高壓芯片恒定輸出高壓至所述BOSA/ROSA器件。本實(shí)用新型采取了上述技術(shù)方案以后，可自動(dòng)測試擊穿電壓、響應(yīng)電流，同時(shí)是同調(diào)制光源輸出及示波器接口。整個(gè)系統(tǒng)集成了高壓源和調(diào)制光源，并具有較高的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G01R1/28GK202975081SQ20122062461
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者黃秋元 申請人:武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司