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一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器的制作方法

文檔序號(hào):5964004閱讀:505來源:國知局
專利名稱:一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的機(jī)械量壓力傳感器是基于金屬彈性體受力變形,由機(jī)械量彈性變形到電量轉(zhuǎn)換輸出,但體積大成本高。相對于傳統(tǒng)的機(jī)械量傳感器,MEMS壓力傳感器的尺寸更小,最大的不超過一個(gè)厘米,相對于傳統(tǒng)“機(jī)械”制造技術(shù),其性價(jià)比大幅度提高。目前的MEMS壓力傳感器主要為硅壓阻式壓力傳感器,其采用高精密半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的,具有較高的測量精度、較低的功耗和極低的成本?;菟诡D電橋的壓阻式傳感器,如無壓力變化,其輸出為零,幾乎不耗電。通常情況下該種壓力傳感器可以準(zhǔn)確測量環(huán)境壓力,但如果環(huán)境中存在腐蝕性物質(zhì),會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片損壞,減少其使用壽命,亟待改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明的目的在于提出一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器,通過本發(fā)明的實(shí)施,延長了壓阻式壓力傳感器的使用壽命。為達(dá)此目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器,包括由四個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成的惠斯頓電橋,每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都安裝在探測外殼上,并且每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都包覆一層合成樹脂。優(yōu)選地,所述合成樹脂的厚度為10-20微米。優(yōu)選地,所述合成樹脂的厚度為15微米。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果本發(fā)明中,在壓阻式傳感器外部包覆一層合成樹脂,利用合成樹脂的防腐蝕特性,保護(hù)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片不受外界環(huán)境侵蝕,延長了壓阻式壓力傳感器的使用壽命。發(fā)明附1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器示意圖;圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片的剖面圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例1提供了一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器,如

圖1和圖2所示,包括由四個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片I組成的惠斯頓電橋,每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都安裝在探測外殼10上,并且每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都包覆一層合成樹脂2,為了不影響半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片的感壓形變靈敏度,合成樹脂的厚度為10-20微米,優(yōu)選15微米。以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi),根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器,其特征在于,包括由四個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成的惠斯頓電橋,每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都安裝在探測外殼上,并且每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都包覆一層合成樹脂。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防腐蝕壓阻式壓力傳感器,其特征在于,所述合成樹脂的厚度為10-20微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防腐蝕壓阻式壓力傳感器,其特征在于,所述合成樹脂的厚度為15微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種防腐蝕壓阻式壓力傳感器,包括由四個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成的惠斯頓電橋,每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都安裝在探測外殼上,并且每個(gè)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片都包覆一層合成樹脂。本發(fā)明中,在壓阻式傳感器外部包覆一層合成樹脂,利用合成樹脂的防腐蝕特性,保護(hù)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片不受外界環(huán)境侵蝕,延長了壓阻式壓力傳感器的使用壽命。
文檔編號(hào)G01L9/06GK102998049SQ201210495080
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者駱垠旭, 瞿慶廣, 查德昌, 楊齊紅, 王漢才 申請人:安徽埃克森科技集團(tuán)有限公司
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