專利名稱：三層磁傳感器中的經(jīng)調(diào)校的帶角度單軸各向異性的制作方法
三層磁傳感器中的經(jīng)調(diào)校的帶角度單軸各向異性

發(fā)明內(nèi)容
三層層疊可以被放置在空氣軸承表面(ABS)上。該三層層疊可以配置有沿著與ABS正交的軸的條帶高度且配置有第一磁自由層和第二磁自由層，第一磁自由層和第二磁自由層均具有相對于ABS的帶角度單軸各向異性。


圖1是示例數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的立體圖。圖2示出能夠在各實(shí)施方式中使用的示例磁傳感器的橫截面視圖和俯視圖。圖3繪出根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施方式構(gòu)建和操作的磁傳感器的示例操作。圖4A-圖4C 一般地闡釋根據(jù)各種實(shí)施方式能夠用于磁傳感器中的各種磁自由層的示例磁滯回線。圖5A-圖5C提供根據(jù)各種實(shí)施方式能夠用于磁傳感器中的示例磁層疊。圖6A和圖6B描繪能夠用于各種實(shí)施方式中的示例磁自由層的各種實(shí)施方式的操作特性。圖7A-圖7D顯示根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式的示例磁傳感器配置。圖8提供根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式執(zhí)行的磁傳感器制造例程的流程圖。
具體實(shí)施例方式在此一般地公開通過經(jīng)調(diào)校的各向異性具有增強(qiáng)的性能的磁傳感器。隨著本行業(yè)向形狀因數(shù)減小的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備發(fā)展，對更大的數(shù)據(jù)容量和更快的數(shù)據(jù)傳輸率的需求增力口，這可以與更小的諸如磁屏蔽和數(shù)據(jù)感知層等的磁傳感器組件對應(yīng)。減小的磁組件尺寸可能由于增加磁不穩(wěn)定性同時(shí)降低感知的數(shù)據(jù)比特的精度而使數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的性能降級。因而，可以維持精確的屏蔽特性和增強(qiáng)的數(shù)據(jù)傳輸率的形狀因數(shù)減小的磁傳感器的構(gòu)造是本行業(yè)中不斷增加的需求。因此，磁傳感器可以被構(gòu)建為具有磁響應(yīng)三層層疊，其具有條帶高度，且被放置在空氣軸承表面(ABS)上。該三層層疊可以具有兩個(gè)或更多個(gè)磁自由層，每一磁自由層具有相對于ABS的帶角度單軸各向異性。這樣的帶角度單軸各向異性可以允許具有增加的信號幅度的更高的傳感器精度，并降低對工藝和設(shè)計(jì)敏感度的感受性?？梢赃M(jìn)一步調(diào)校帶角度的各向異性層，以得到增強(qiáng)的數(shù)據(jù)讀性能，且具有最小的傳感器厚度增加，這是由于將各向異性角度優(yōu)化為適應(yīng)各種環(huán)境和操作特性。通過定向三層層疊的各層的各向異性，可以增強(qiáng)磁傳感器的磁穩(wěn)定性，在形狀因數(shù)減小的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中尤其如此。通過提高磁收率來改善回讀性能，帶角度的各向異性可以進(jìn)一步增加三層讀取元件的操作特性，提高磁收率可以對應(yīng)于更大的所感知的磁場和信號幅度。轉(zhuǎn)到附圖，圖1提供本發(fā)明的各種實(shí)施方式可以在其中實(shí)踐的非限制性環(huán)境中的示例數(shù)據(jù)存儲設(shè)備100的實(shí)施方式。設(shè)備100包括從底板104和頂蓋106形成的充分密封的機(jī)殼102。內(nèi)部放置的主軸馬達(dá)108被配置為使許多磁存儲介質(zhì)110旋轉(zhuǎn)。介質(zhì)110由相應(yīng)的數(shù)據(jù)傳感器(讀/寫頭)的陣列訪問，每一數(shù)據(jù)傳感器均由頭萬向架組件(HGA)112支承。每一 HGA 112可以由包括柔性懸掛116的頭層疊組件114 (“執(zhí)行器”)支承，柔性懸掛116又由剛性執(zhí)行器臂118支承。通過將電流施加到音圈馬達(dá)(VCM) 122，執(zhí)行器114可以繞匣式軸承組件120樞轉(zhuǎn)。以此方式，VCM 122的受控操作引起傳感器(數(shù)字指示為124)與在介質(zhì)表面定義的磁道(未示出)對準(zhǔn)，以向其存儲數(shù)據(jù)或從其檢索數(shù)據(jù)。圖2 —般地闡釋能夠用于圖1中的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的磁傳感器130的各種實(shí)施方式的框圖表示的剖視圖和俯視圖。如圖2A中所示出的，可以將傳感器130構(gòu)建為被放置在空氣軸承表面(ABS)上且被置于ABS和后偏置磁體134之間的磁層疊132。盡管在結(jié)構(gòu)配置和操作配置兩方面不受限制，但層疊132可具有一對由非磁間隔138隔開的磁自由層136，非磁間隔138可以表征為三層讀取元件，這是由于三個(gè)操作層且層疊132本身中不包括的任何釘扎磁性層。使用三層讀取元件配置可以提供減小的屏蔽到屏蔽間距140，在高線性密度數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中尤其如此，這是由于后偏置磁體134向自由層136提供設(shè)定的磁化，以便允許感知數(shù)據(jù)比特而無需增加層疊的大小。放置后偏置磁體134還允許調(diào)校大小和位置，以便優(yōu)化層疊132的性能。例如，可以在離開層疊132的偏置距離142處形成偏置磁體134，且具有偏置厚度144，該偏置厚度144提供可以填充有絕緣材料的離開磁傳感器130中包括的任何磁屏蔽的去耦合距離146。磁傳感器130中包含的磁屏蔽(未示出)可以借助于諸如帽層和籽晶層等的一個(gè)或多個(gè)去耦合層148與磁層疊132分離，可以用隔離層疊132和任何屏蔽之間的磁化傳輸?shù)娜魏螖?shù)量的層和材料來調(diào)校去耦合層148?？梢酝ㄟ^調(diào)整層疊132和偏置磁體134的尺寸和磁化來進(jìn)一步調(diào)校傳感器130以得到優(yōu)化性能，如圖2B的俯視圖中所顯示的。盡管圍繞間隔層138聚焦的偏置磁體厚度144可以提供對層疊132的增強(qiáng)的磁影響，但可以將平行于ABS沿著Z軸測量的相應(yīng)層疊和偏置磁體寬度150和152調(diào)校為相似或不相似，以便對應(yīng)于相應(yīng)的層疊和偏置磁體條帶高度154和156。可以仔細(xì)調(diào)校層疊132和偏置磁體134的寬度和條帶高度，以提供預(yù)先確定的強(qiáng)度和角度定向的Mpm磁化，其將層疊132的相應(yīng)磁自由層136影響為預(yù)先確定設(shè)定的磁化Mfu和MFIj2。因而，層疊132和偏置磁體134的各種尺度、厚度和磁定向可以允許精確調(diào)校以便適應(yīng)任何數(shù)量的預(yù)先確定操作條件和環(huán)境條件，同時(shí)維持減小的形狀因數(shù)。然而，工藝和設(shè)計(jì)可變性可以增加危及精確數(shù)據(jù)感知的磁敏感度。圖3提供相對于磁層疊的條帶高度的示例磁傳感器的示例操作特性。實(shí)線160繪出數(shù)據(jù)信號幅度，其隨著條帶高度增加而增加，直到峰值點(diǎn)，然后快速減小。由對應(yīng)于磁層疊不對稱性的虛線162顯示類似的但獨(dú)特的行為，其增加到中間體條帶高度且隨后減小。應(yīng)明白，借助于僅僅調(diào)整諸如圖2B的高度154等的層疊條帶高度，可以將傳感器層疊尤其是三層讀取元件層疊的尺寸調(diào)校為多種多樣的操作行為。盡管在某些情形中可以利用相對大的條帶高度來提供經(jīng)優(yōu)化的數(shù)據(jù)感知，但線162闡釋不對稱性如何可以成為這樣的磁傳感器的潛在感受性。因此，各種實(shí)施方式在此用條帶高度減小的層疊來調(diào)校磁傳感器，條帶高度減小的層疊降低工藝復(fù)雜性和對工藝參數(shù)的磁敏感度，同時(shí)增強(qiáng)數(shù)據(jù)回讀信號幅度。在一些實(shí)施方式中，相對短的層疊條帶高度配置有變化的單軸各向異性，調(diào)校變化的單軸各向異性的定向和強(qiáng)度，以提供增強(qiáng)的數(shù)據(jù)感知性能?？梢砸栽试S精確設(shè)定并維持各向異性角度的各種不受限制的方式例如傾斜沉積來構(gòu)建這樣的變化的單軸各向異性。圖4A-圖4C分別描繪具有用變化角度的傾斜沉積形成的不同的磁化各向異性的磁自由層的示例磁滯回線。圖4A顯示對應(yīng)于至少部分地由以60°的傾斜沉積(這可以得到大約IOOOe的各向異性強(qiáng)度)形成的磁 自由層的回線170。作為比較，圖4B的以70°角度沉積的回線172具有大約3000e的各向異性強(qiáng)度以及在自由層磁飽和度之間的增加的過渡區(qū)域。借助于75°的沉積角度，如圖4C中的回線174所示出的，各向異性強(qiáng)度和過渡區(qū)域特性在磁飽和度之間增加到大約IOOOOe和20000e過渡。當(dāng)各向異性強(qiáng)度大致在600-10000e之間(這可以通過以接近75°的角度沉積至少一個(gè)自由層來獲得)時(shí)，相對短的磁層疊條帶高度(例如少于兩倍的層疊寬度(圖2B的150)高度)的構(gòu)造，可以呈現(xiàn)出優(yōu)化的性能。盡管不作限制，但可以由受控入射濺射(CIS)形成這樣的沉積角度，受控入射濺射中，磁通量經(jīng)過快門窗口來到旋轉(zhuǎn)樣本上，同時(shí)快門和樣本兩者在平行平面中橫向掃過。CIS可以用來以可以形成預(yù)先確定的單軸各向異性的平均入射角度精確地沉積粒子。借助于可以通過以傾斜沉積形成至少一個(gè)自由層來提供的多種單軸各向異性強(qiáng)度，可以通過傾斜一個(gè)或多個(gè)單軸各向異性相對于ABS的角度來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步調(diào)校和優(yōu)化。圖5A-圖5C—般地闡釋根據(jù)各種實(shí)施方式被調(diào)校為具有各種單軸各向異性的各種示例磁層疊的俯視圖。圖5A提供具有磁化各向異性Hkfu和Hm2以及默認(rèn)磁化Mfu和Μ%2的磁層疊180，Hkfli和Hm2都基本平行于ABS，Mfli和Mfl2由偏置磁體(未示出)設(shè)定在預(yù)先確定的角度。可以相對于預(yù)先確定的條帶高度182 (例如39nm)調(diào)校層疊180的自由層的單軸各向異性的角度，以便優(yōu)化層疊180的工藝和設(shè)計(jì)敏感度，同時(shí)增強(qiáng)數(shù)據(jù)信號幅度。可以進(jìn)一步調(diào)校單軸各向異性和層疊條帶高度182的幅度和傾斜角度，以便精確控制層疊180的性能，同時(shí)維持減小的形狀因數(shù)。圖5B闡釋具有類似于圖5A的磁化但相對于ABS以相應(yīng)角度Θ i和Θ 2傾斜每一單軸各向異性的磁層疊184。對層疊184中的單軸各向異性的角度定向不作要求或限制，且可以隨意修改以便優(yōu)化性能。例如，各向異性角度可以是余角或被設(shè)定為預(yù)先確定的類似的角度，例如10°。圖5C示出具有設(shè)定在唯一角度例如Θ 3為10°且Θ 4為15°的單軸各向異性的另一示例磁層疊186。通過選擇單軸各向異性的角度來調(diào)整和調(diào)校磁層疊186的性能的能力可以對應(yīng)于在層疊186的磁自由層之間的減少的操作不對稱性?？梢韵鄬τ诤笃么朋w(例如圖2A的磁體134)的厚度進(jìn)一步選擇和調(diào)校單軸各向異性角度的選擇。即，單軸各向異性的角度和強(qiáng)度可以被選擇為對應(yīng)于可以允許各向異性完全增強(qiáng)回讀信號幅度和設(shè)計(jì)敏感度的減少的偏置磁體厚度。圖6A和圖6B繪出磁層疊的各種經(jīng)調(diào)校配置的磁化不對稱性和信號幅度。一種這樣的配置由虛線190表示，虛線190繪制具有3000e強(qiáng)度的單軸各向異性且沒有相對于ABS的傾斜的磁自由層。這樣的各向異性的配置可以得到各種條帶高度的升高的磁化不對稱性和信號幅度，同時(shí)在其他條帶高度中提供降低的信號幅度。由虛線192顯示的更保守的磁自由層配置可以具有6000e、沒有傾斜并且具有對應(yīng)于9nm厚度(類似于圖2A的厚度144)偏置磁體(PM)的各向異性的強(qiáng)度。如所示出的，相比于線192的減少的各向異性的強(qiáng)度，磁化不對稱性和信號幅度減少了。實(shí)線194闡釋對于大部分條帶高度，IOOOOe各向異性強(qiáng)度和15°傾斜如何增強(qiáng)磁化不對稱性和信號幅度兩者的性能。減少的不對稱性和信號幅度易變性可以提供增強(qiáng)的數(shù)據(jù)感知，同時(shí)對設(shè)計(jì)和工藝可變性更加有彈性。多種操作特性可以允許用具有諸如各向異性的強(qiáng)度和傾斜角度等的不同的單軸各向異性的特性的自由層來調(diào)校和優(yōu)化磁層疊。圖7A-圖7D —般地顯示能夠在各種磁傳感器中用來調(diào)校和優(yōu)化數(shù)據(jù)感知性能的各種結(jié)構(gòu)的配置的示例產(chǎn)品的等軸測視圖。圖7A示出具有去耦合籽晶層202的磁傳感器200，通過以相對于Z軸的第一角度Θ i沉積諸如Ru和Ta等的籽晶層材料的傾斜沉積工藝將去耦合籽晶層202形成為具有第一厚度204和第一條帶高度206。隨后，可以將去I禹合籽晶層202作為襯底用來直接f禹合到第一磁自由層208上,如圖7B中所顯示的。當(dāng)由相對于Z軸成第二角度θ2的傾斜沉積形成時(shí)，自由層208可以具有第二厚度210和不受限制的條帶高度，該條帶高度可以匹配或不匹配條帶高度206。圖7C示出然后可以在第一磁自由層208的頂部將非磁間隔層212形成為具有預(yù)先確定的厚度214、諸如MgO等的材料和條帶高度。應(yīng)注意，間隔層212的非磁性質(zhì)可以對應(yīng)于任何沉積技術(shù)，例如物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積和濺射。圖7D顯示如何以第三角度Θ 3的傾斜沉積將第二磁自由層216形成到間隔層212上，這得到預(yù)先確定的單軸各向異性、層厚度218和不受限制的條帶高度距離。盡管可以進(jìn)一步將附加層例如去耦合帽層包括到磁傳感器200中，但圖7Α-圖7D闡釋可以個(gè)別地或共同地調(diào)校以提供預(yù)先確定的數(shù)據(jù)感知性能的多種材料、沉積技術(shù)、條帶高度和厚度。應(yīng)注意，圖7Α-圖7D中的各種磁傳感器配置僅僅是示例，且絕非限制或限定。事實(shí)上，變化的磁自由層208和216的配置可以唯一調(diào)校到任何數(shù)量的單軸各向異性，如以上所描述的，這樣的單軸各向異性可以對應(yīng)于可以適應(yīng)諸如形狀因數(shù)減小且數(shù)據(jù)傳輸率增加的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備等的操作環(huán)境的減小的條帶高度、薄的后偏置磁體和傾斜的各向異性。
圖8提供根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施方式實(shí)施的傳感器制造例程250的示例流程圖。最初，判斷框252中，例程250判斷各向異性層是否是磁傳感器的底層。盡管不作要求或限制，但磁屏蔽或去耦合層例如圖7Α的籽晶層202可以被形成為具有或沒有磁化各向異性，這取決于磁傳感器的預(yù)先確定的操作。如果要形成各向異性層，則判斷框252進(jìn)行到判斷框254，其中評估傾斜沉積角度。如相對于圖4Α-圖4C所討論的，傾斜沉積角度可以直接對應(yīng)于所得到的層的單軸各向異性。然而，應(yīng)理解，傾斜沉積不是構(gòu)建單軸各向異性的唯一方式。建立沉積角度后，然后，判斷框256確定該層的條帶高度，這可以影響相應(yīng)的單軸各向異性的強(qiáng)度和操作行為，正如圖6Α和圖6Β中所闡釋的。在判斷框254和判斷框256中確定單軸磁化各向異性，或者在判斷框252中沒有選擇各向異性，接下來，框258將該層沉積為符合預(yù)先確定的規(guī)范。通過改變各向異性相對于空氣軸承表面(ABS)的角度(在判斷框260評估該角度)，單軸各向異性可以進(jìn)一步經(jīng)歷調(diào)校和修改。盡管不作要求或限制，但在一些實(shí)施方式中，通過在框262中退火各向異性層來傾斜各向異性。這樣的退火可以在旋轉(zhuǎn)各向異性的軸的同時(shí)增加該層的各向異性強(qiáng)度，這取決于退火相對于各向異性的方向。S卩，退火一個(gè)平行于或正交于與各向異性平行的易磁化軸的層可以產(chǎn)生最小化的旋轉(zhuǎn)，而相對于易磁化軸退火大致45度可以旋轉(zhuǎn)各向異性，這可以重復(fù)不受限制的次數(shù)，以提供傾斜在判斷框260中所確定的角度的各向異性。然后，從框258或框262形成的層進(jìn)行到在判斷框264中評估是否在磁傳感器中形成另一層。如果是這樣，則例程250返回到判斷框252，其中形成可以具有或不具有單軸各向異性的另一層。如果判斷框264確定磁層疊不包括其他層，則判斷框266評估是否將偏置磁體安裝到傳感器中，然后，判斷框268確定由框270形成的偏置磁體的厚度。應(yīng)明白，可以從例程250構(gòu)建呈現(xiàn)出各種結(jié)構(gòu)特性和操作特性(例如在磁自由層之間的縮短的條帶高度和變化的單軸各向異性)的多種多樣的磁傳感器。然而，例程250不僅僅限于圖8中提供的各框和判斷框，這是由于可以增加、省略和修改任何數(shù)量的框和判 斷以便適應(yīng)利用單軸各向異性來提供增強(qiáng)的磁感知且對設(shè)計(jì)和工藝可變性具有減少的敏感度的精確調(diào)校的磁傳感器的制造。由于在每一磁自由層中使用變化的單軸各向異性，在本公開內(nèi)容中描述的磁傳感器的各種配置和材料特性可以允許增強(qiáng)的數(shù)據(jù)讀取性能，同時(shí)維持減小的形狀因數(shù)。可以相對于彼此調(diào)校和優(yōu)化每一自由層，以提供對應(yīng)于增加的磁穩(wěn)定性的不同的強(qiáng)度和定向的單軸各向異性，這是由于對設(shè)計(jì)和工藝可變性的敏感度減少了。此外，可以增加數(shù)據(jù)信號幅度，這是由于經(jīng)調(diào)校的單軸磁化各向異性可以操作在呈現(xiàn)低的磁化不對稱性的減少的條帶高度層疊中。另外，盡管各實(shí)施方式已經(jīng)涉及磁感知，但應(yīng)明白，所要求保護(hù)的本發(fā)明可以容易地用于任何數(shù)量的其他應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)存儲設(shè)備應(yīng)用。應(yīng)理解，即使已經(jīng)在前述的描述中陳述了本發(fā)明的各種實(shí)施方式的眾多特性和配置以及本發(fā)明的各種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)和功能的細(xì)節(jié)，但這一具體實(shí)施方式
僅僅是說明性的，并且，在由表達(dá)所附權(quán)利要求的術(shù)語的寬泛一般意義所指示的完全程度上，可以在本發(fā)明的原理內(nèi)在尤其是關(guān)于各部分的結(jié)構(gòu)和布局的細(xì)節(jié)上做出改變。例如，取決于特定的應(yīng)用，可以在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的前提下改變特定的元素。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括被放置在空氣軸承表面(ABS)上且配置有第一磁自由層和第二磁自 由層的三層層疊，所述第一磁自由層和第二磁自由層均具有相對于所述ABS的帶角度單軸 各向異性。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括被放置為與所述三層層疊相鄰且遠(yuǎn)離所述 ABS的偏置磁體，所述偏置磁體配置有沿著與所述ABS正交的軸的偏置長度，所述偏置長度 大于所述條帶高度。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，每一磁自由層的帶角度單軸各向異性具有 不同的幅度。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一磁自由層的帶角度單軸各向異性 傾斜15度。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二磁自由層的帶角度單軸各向異性 傾斜15度。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一磁自由層的帶角度單軸各向異性 傾斜10度。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，每一磁自由層的帶角度單軸各向異性相同。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述三層層疊具有沿著與所述ABS正交的軸 的條帶高度，所述條帶高度大于在所述ABS處測量的所述三層層疊的層疊寬度，且小于兩 倍的所述層疊寬度。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，至少一個(gè)磁自由層的帶角度單軸各向異性 是 lOOOOe。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述帶角度單軸各向異性基本上處于跨每 一磁自由層的交軌(cross-track)方向。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一磁自由層和第二磁自由層由非磁 間隔層隔開。
12.—種方法，包括將三層層疊定位在空氣軸承表面(ABS)上，所述三層層疊具有沿著與所述ABS正交的 軸的條帶高度；以及用相對于所述ABS的帶角度單軸各向異性配置所述三層層疊的第一磁自由層和第二 磁自由層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，每一自由層的帶角度單軸各向異性分別 以成第一角度和第二角度的靜態(tài)傾斜沉積來形成。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，相對于所述第一磁自由層的帶角度單軸 各向異性選擇第二角度，以響應(yīng)于外部的數(shù)據(jù)位提供預(yù)先確定的隧道磁阻比。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，退火至少一個(gè)磁自由層，以便將帶角度單 軸各向異性偏移到預(yù)先確定的角度的定向。
16.一種傳感器，包括由偏置磁體偏置到預(yù)先確定的默認(rèn)磁化的三層層疊，所述三層層 疊具有沿著與所述ABS正交的偏置軸的條帶高度，所述條帶高度小于所述偏置磁體沿著所 述偏置軸的偏置長度，所述三層層疊配置有第一磁自由層和第二磁自由層，所述第一磁自 由層和第二磁自由層均具有以相對于所述ABS的不同角度傾斜的單軸各向異性。
17.如權(quán)利要求16所述的傳感器，其特征在于，沿著ABS軸平行于所述ABS從所述第一磁自由層到所述第二磁自由層測量的第一厚度大于所述偏置磁體沿著所述ABS軸的第二厚度。
18.如權(quán)利要求17所述的傳感器，其特征在于，所述偏置磁體與被放置在所述第一磁自由層和第二磁自由層之間的非磁間隔對準(zhǔn)。
19.如權(quán)利要求16所述的傳感器，其特征在于，所述偏置磁體被配置為將所述第一磁自由層和第二磁自由層設(shè)定為默認(rèn)磁化。
20.如權(quán)利要求16所述的傳感器，其特征在于，每一磁自由層的單軸各向異性的不同角度是余角。
全文摘要
各種實(shí)施方式可以被構(gòu)建為具有被放置在空氣軸承表面(ABS)上的三層層疊。該三層層疊可以配置有沿著與ABS正交的軸的條帶高度且配置有第一磁自由層和第二磁自由層，第一磁自由層和第二磁自由層均具有相對于ABS的帶角度單軸各向異性。
文檔編號G01D5/12GK102997939SQ201210337348
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者D·V·季米特洛夫, M·W·科溫頓, 丁元俊 申請人:希捷科技有限公司