一種半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)，包括：硅基板襯底上生長(zhǎng)有與其同型摻雜的有源區(qū)或多晶硅，一側(cè)形成有非封閉型多邊形組成的折角區(qū)域，非封閉型多邊形每一邊具有n個(gè)方塊數(shù)，所述折角區(qū)域一端具有測(cè)量端口五，另一端與一直線形區(qū)域相接，所述直線形區(qū)域具有測(cè)量端口一至測(cè)量端口四，所述非封閉型多邊形的邊數(shù)為x≥3。本發(fā)明還公開(kāi)了一種利用上述電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)測(cè)量半導(dǎo)體器件源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量方法。本發(fā)明半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法能準(zhǔn)確測(cè)量半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處的電阻。
【專利說(shuō)明】—種半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種所述電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的測(cè)量方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)有源區(qū)或多晶硅的電阻監(jiān)控結(jié)構(gòu)采用兩端法連接方式，即如圖1所示，在有源區(qū)或多晶硅兩端用金屬鋁線將其連接出來(lái)，通過(guò)測(cè)量端口一和二之間加電壓測(cè)電流方式，可以得出整個(gè)結(jié)構(gòu)的電阻，再除以整個(gè)結(jié)構(gòu)的方塊數(shù)(方塊數(shù)=測(cè)試結(jié)構(gòu)的總長(zhǎng)度/寬度)，就可以得出有源區(qū)和多晶硅的方塊電阻。
[0003]但是在實(shí)際電路中有源區(qū)或多晶硅實(shí)際上是有多個(gè)折角的，并非一根單獨(dú)的直線。此時(shí)折角處的電阻值就不是單純的I個(gè)方塊數(shù)的電阻值。如果用I個(gè)方塊電阻值計(jì)算，當(dāng)進(jìn)行電路后期仿真抽取Re (電阻電容)時(shí)會(huì)和實(shí)際不同，給電路與模型匹配帶來(lái)一定難度。尤其是在射頻電路中，要求電阻和電容值更加精準(zhǔn)。目前的測(cè)試結(jié)構(gòu)中無(wú)法準(zhǔn)確的監(jiān)控折角處的電阻值。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能測(cè)量半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供了一種所述電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)的測(cè)量方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)，包括:
[0006]娃基板襯底上生長(zhǎng)有與其同型摻雜的有源區(qū)或生長(zhǎng)有多晶娃,一側(cè)形成有非封閉型多邊形組成的折角區(qū)域，非封閉型多邊形每一邊具有η個(gè)方塊數(shù)，n ^ 10，所述折角區(qū)域一端具有測(cè)量端口五，另一端與一直線形區(qū)域相接，所述直線形區(qū)域具有測(cè)量端口一至測(cè)量端口四，所述非封閉型多邊形的邊數(shù)為X，χ≥3。
[0007]其中，所述非封閉型多邊形為正多邊形。
[0008]一種利用所述電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)測(cè)量半導(dǎo)體器件源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量方法，包括:
[0009]( I)用卡爾文測(cè)電阻方法，測(cè)量直線區(qū)域測(cè)量端口一、測(cè)量端口四測(cè)得電阻Rla，測(cè)量端口一至測(cè)量端口四之間共有m個(gè)方塊數(shù)，則直線區(qū)域的方塊電阻R 口 = Rla/m ;
[0010](2)測(cè)量測(cè)量端口二、測(cè)量端口五測(cè)得整個(gè)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的電阻Rlb ；
[0011](3)計(jì)算電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的方塊數(shù)為xn+m，χ為多邊形的邊數(shù)，χ≥3 ;
[0012](4)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)理論電阻為[xn+m] XR口，則Rlb_[xn+m] XR口為本電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)所有折角處的電阻值，則每個(gè)折角處電阻值為{ Rlb-[xn+m] X R 口 }/χ-l。
[0013]本發(fā)明的電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)及測(cè)量方法能準(zhǔn)確測(cè)量半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處的電阻?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0014]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明:
[0015]圖1是一種傳統(tǒng)有源區(qū)或多晶硅電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)。
[0016]圖2是本發(fā)明電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的示意圖。
[0017]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0018]I是有源區(qū)或多晶硅
[0019]2是折角區(qū)域
[0020]3是直線區(qū)域 [0021 ] 4是測(cè)量端口 一
[0022]5是測(cè)量端口二
[0023]6是測(cè)量端口三
[0024]7是測(cè)量端口四
[0025]8是測(cè)量端口五。
【具體實(shí)施方式】
[0026]如圖2所示,本發(fā)明測(cè)量結(jié)構(gòu)一實(shí)施例,包括:
[0027]硅基板襯底上生長(zhǎng)有與其同型摻雜的有源區(qū)或多晶硅1，一側(cè)形成有由非封閉型 正方形組成的折角區(qū)域2，非封閉型正方形每一邊具有n=10個(gè)方塊數(shù)(n為非封閉正方形 的邊長(zhǎng)/非封閉正方形每邊的寬度)，折角區(qū)域2—端具有測(cè)量端口五8，另一端與一直線形 區(qū)域3相接，直線形區(qū)域3具有測(cè)試測(cè)量端口一 4、測(cè)量端口二 5、測(cè)量端口三6、測(cè)量端口四 7 ；
[0028]測(cè)量上述實(shí)施例有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量方法，包括:
[0029](I)用卡爾文測(cè)電阻方法，測(cè)量直線區(qū)域測(cè)量端口一 4、測(cè)量端口四7測(cè)得電阻 Rla，測(cè)量端口一 4、測(cè)量端口二 5之間共有m=8個(gè)方塊數(shù)(m=測(cè)量端口一 4到測(cè)量端口二 5 的長(zhǎng)度/直線區(qū)域的寬度；本實(shí)施例中，KmS 10)，則直線區(qū)域的方塊電阻Rp= Rla/8 ；
[0030](2)測(cè)量測(cè)量端口二 5、測(cè)量端口五8測(cè)得整個(gè)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的電阻Rlb ；
[0031](3)計(jì)算電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的方塊數(shù)為xn+m=48，x為多邊形的邊數(shù)，X = 4，n為非封閉 型正方形每一邊的方塊數(shù)，n=10 ；m為直線區(qū)域方塊數(shù)，m=8 ；
[0032](4)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)理論電阻為48 X R口，則Rlb_48 X Rp為本電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)所有折角 處的電阻值，則每個(gè)折角處電阻值為{ Rlb-48 X R 口 } /4-1。
[0033]以上通過(guò)【具體實(shí)施方式】和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì) 本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改 進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件有源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征是，包括:硅基板襯底上生長(zhǎng)有與其同型摻雜的有源區(qū)或生長(zhǎng)有多晶硅，一側(cè)形成有非封閉型多邊形組成的折角區(qū)域，非封閉型多邊形每一邊具有n個(gè)方塊數(shù)，n ≥ 10，所述折角區(qū)域一端具有測(cè)量端口五，另一端與一直線形區(qū)域相接，所述直線形區(qū)域具有測(cè)量端口一至測(cè)量端口四，所述非封閉型多邊形的邊數(shù)為x，x ≥ 3。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)，其特征是:所述非封閉型多邊形為正多邊形。
3.一種利用如權(quán)利要求1所述電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)測(cè)量半導(dǎo)體器件源區(qū)或多晶硅折角處電阻的測(cè)量方法，其特征是，包括: (1)用卡爾文測(cè)電阻方法，測(cè)量直線區(qū)域測(cè)量端口一、測(cè)量端口四測(cè)得電阻Rla，測(cè)量端口一至測(cè)量端口四之間共有m個(gè)方塊數(shù)，則直線區(qū)域的方塊電阻Rn = Rla/m ； (2)測(cè)量測(cè)量端口二、測(cè)量端口五測(cè)得整個(gè)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的電阻Rlb; (3)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)的方塊數(shù)為xn+m，x為多邊形的邊數(shù)，x≥3; (4)電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)理論電阻為[xn+m]XRP，則Rlb-[xn+m] XR口為本電阻測(cè)量結(jié)構(gòu)所有折角處的電阻值，則每個(gè)折角處電阻值為{ Rlb-[xn+m] X R 口 }/x-l。
【文檔編號(hào)】G01R27/02GK103456717SQ201210170156
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月28日
【發(fā)明者】苗彬彬, 金鋒 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司